JPH08167105A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH08167105A JPH08167105A JP31157594A JP31157594A JPH08167105A JP H08167105 A JPH08167105 A JP H08167105A JP 31157594 A JP31157594 A JP 31157594A JP 31157594 A JP31157594 A JP 31157594A JP H08167105 A JPH08167105 A JP H08167105A
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- magnetic
- glass
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 軟磁性材料に導入されてしまうストレスが少
なく、かつガラス溶着後のコアブロック全体にわたり均
一なギャップが形成される磁気ヘッドの製造方法を提供
することを目的とする。 【構成】 磁気ヘッドの製造方法において、非磁性ギャ
ップ材を挟んで接合する前（ギャップ面研磨後）の片側
コアブロックの基板表裏の平坦度おいて、前記片側コア
ブロックの基板表裏の厚みが基板中央部と基板端部とで
０．５μｍ以内の差とし、かつ、基板裏面の反りを基板
表面の反りに適合させるべく、基板裏面の反りを常に凹
に約０．５〜１μｍとする。また、ガラスモールド後の
基板背面の反りを凹に、但し１μｍ以内に設定し得るガ
ラスとして、ガラスの室温から転移点までの熱膨張係数
が基板の熱膨張係数より小さく、かつその差が１０×１
０- 7 ／℃以下のガラスを使用する。
なく、かつガラス溶着後のコアブロック全体にわたり均
一なギャップが形成される磁気ヘッドの製造方法を提供
することを目的とする。 【構成】 磁気ヘッドの製造方法において、非磁性ギャ
ップ材を挟んで接合する前（ギャップ面研磨後）の片側
コアブロックの基板表裏の平坦度おいて、前記片側コア
ブロックの基板表裏の厚みが基板中央部と基板端部とで
０．５μｍ以内の差とし、かつ、基板裏面の反りを基板
表面の反りに適合させるべく、基板裏面の反りを常に凹
に約０．５〜１μｍとする。また、ガラスモールド後の
基板背面の反りを凹に、但し１μｍ以内に設定し得るガ
ラスとして、ガラスの室温から転移点までの熱膨張係数
が基板の熱膨張係数より小さく、かつその差が１０×１
０- 7 ／℃以下のガラスを使用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度磁気記録や再生を
行うビデオテープレコーダーなどに用いられる磁気ヘッ
ドの製造方法に関する。
行うビデオテープレコーダーなどに用いられる磁気ヘッ
ドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の磁気記録の高密度化に伴い、磁気
テープ等の磁気記録媒体の高保磁力化と共に、磁気ヘッ
ドも高飽和密度を有するものが要求されている。そこ
で、高い飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜を非磁性材料
の基板に設けた磁気ヘッドチップが使用されている。例
えば、図５に示すように高い飽和磁束密度有するＦｅＡ
ｌＳｉ合金薄膜層２を非磁性材料からなる基板１に直接
設けた薄膜積層磁気ヘッド８などがある。
テープ等の磁気記録媒体の高保磁力化と共に、磁気ヘッ
ドも高飽和密度を有するものが要求されている。そこ
で、高い飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜を非磁性材料
の基板に設けた磁気ヘッドチップが使用されている。例
えば、図５に示すように高い飽和磁束密度有するＦｅＡ
ｌＳｉ合金薄膜層２を非磁性材料からなる基板１に直接
設けた薄膜積層磁気ヘッド８などがある。
【０００３】ここで、前記薄膜積層磁気ヘッドの製造工
程を図３を用いて、以下に説明する。図３（ａ）に示す
ように、結晶化ガラス、セラミックなどの非磁性材料か
らなる基板１の表面に所定のピッチ寸法Ａで、断面がＶ
字状の溝４を平行に複数形成し、その後、図３（ｂ）に
示すように、前記溝の側壁面上に、真空蒸着法などによ
り、ＦｅＡｌＳｉ合金薄膜などの軟磁性材料の薄膜層２
を形成する。前記薄膜層２は所定の層数だけのＦｅＡｌ
Ｓｉ合金などの軟磁性材料とＳｉＯ2 などの非磁性材料
とを交互に積層することによって積層される。その後、
図３（ｃ）に示すように前記溝４上に低融点ガラス３を
充填した後、充填部分の表面研削を行い、図３（ｄ）に
示すように、コイル巻線用の窓５、６の加工を行って、
磁気ヘッドに使用される片側コアブロック７を形成す
る。
程を図３を用いて、以下に説明する。図３（ａ）に示す
ように、結晶化ガラス、セラミックなどの非磁性材料か
らなる基板１の表面に所定のピッチ寸法Ａで、断面がＶ
字状の溝４を平行に複数形成し、その後、図３（ｂ）に
示すように、前記溝の側壁面上に、真空蒸着法などによ
り、ＦｅＡｌＳｉ合金薄膜などの軟磁性材料の薄膜層２
を形成する。前記薄膜層２は所定の層数だけのＦｅＡｌ
Ｓｉ合金などの軟磁性材料とＳｉＯ2 などの非磁性材料
とを交互に積層することによって積層される。その後、
図３（ｃ）に示すように前記溝４上に低融点ガラス３を
充填した後、充填部分の表面研削を行い、図３（ｄ）に
示すように、コイル巻線用の窓５、６の加工を行って、
磁気ヘッドに使用される片側コアブロック７を形成す
る。
【０００４】次いで、図４に示すように２つの片側コア
ブロック７を溝を対向させ非磁性ギャップ材を挟んで相
互に接合した後、得られたコアブロックを所定の幅Ｂで
切断することにより、図５に示すような磁気ヘッドチッ
プ８を得る。
ブロック７を溝を対向させ非磁性ギャップ材を挟んで相
互に接合した後、得られたコアブロックを所定の幅Ｂで
切断することにより、図５に示すような磁気ヘッドチッ
プ８を得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来の
磁気ヘッドの製造方法において、図４に示すような片側
コアブロック同士を非磁性ギャップ材を挟んで相互に接
合する場合、圧力をかけてガラス溶着を行っているが、
ここで、軟磁性材料に導入されてしまうストレスを少な
くするために、加圧力はできるだけ少なくすることが望
ましい。そこで、従来は加圧力（面での圧力）は１×１
０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 以下に設定されていた。ところ
が、加圧力を少なくすると、ガラス溶着後のコアブロッ
ク全体にわたり、均一なギャップが形成されないという
問題が指摘されて来た。
磁気ヘッドの製造方法において、図４に示すような片側
コアブロック同士を非磁性ギャップ材を挟んで相互に接
合する場合、圧力をかけてガラス溶着を行っているが、
ここで、軟磁性材料に導入されてしまうストレスを少な
くするために、加圧力はできるだけ少なくすることが望
ましい。そこで、従来は加圧力（面での圧力）は１×１
０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 以下に設定されていた。ところ
が、加圧力を少なくすると、ガラス溶着後のコアブロッ
ク全体にわたり、均一なギャップが形成されないという
問題が指摘されて来た。
【０００６】そこで、本発明はかかる問題点を解決する
ためになされたものであり、軟磁性材料に導入されてし
まうストレスが少なく、かつガラス溶着後のコアブロッ
ク全体にわたり均一なギャップが形成される磁気ヘッド
の製造方法を提供することを目的とする。
ためになされたものであり、軟磁性材料に導入されてし
まうストレスが少なく、かつガラス溶着後のコアブロッ
ク全体にわたり均一なギャップが形成される磁気ヘッド
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願の第１の発明は、磁
気ヘッドを形成する非磁性材料からなる基板の表面にＶ
字状の複数の溝を形成する工程と、前記溝の側壁面上に
軟磁性薄膜及び非磁性薄膜を積層し、低融点ガラスで充
填する工程と、前記基板にコイル巻き線用の窓およびコ
イル巻線固定溝を形成し、片側コアブロックを形成する
工程と、２つの片側コアブロックを非磁性ギャップ材を
挟んで接合し、コアブロックを形成する工程と、前記コ
アブロックより磁気ヘッドチップを切り出し、テープ摺
動面を研磨し、コイル巻き線を施す工程とにより磁気ヘ
ッドを製造する方法において、低融点ガラスを充填した
後の基板背面の反りが凹状に１μｍであり、かつ片側コ
アブロックを非磁性ギャップ材を挟んで接合する前の片
側コアブロックの基板表裏の厚みの差が基板中央部と基
板端部とで０．５μｍ以内であるようにしたことを特徴
とする。
気ヘッドを形成する非磁性材料からなる基板の表面にＶ
字状の複数の溝を形成する工程と、前記溝の側壁面上に
軟磁性薄膜及び非磁性薄膜を積層し、低融点ガラスで充
填する工程と、前記基板にコイル巻き線用の窓およびコ
イル巻線固定溝を形成し、片側コアブロックを形成する
工程と、２つの片側コアブロックを非磁性ギャップ材を
挟んで接合し、コアブロックを形成する工程と、前記コ
アブロックより磁気ヘッドチップを切り出し、テープ摺
動面を研磨し、コイル巻き線を施す工程とにより磁気ヘ
ッドを製造する方法において、低融点ガラスを充填した
後の基板背面の反りが凹状に１μｍであり、かつ片側コ
アブロックを非磁性ギャップ材を挟んで接合する前の片
側コアブロックの基板表裏の厚みの差が基板中央部と基
板端部とで０．５μｍ以内であるようにしたことを特徴
とする。
【０００８】本願の第２の発明は、磁気ヘッドを形成す
る非磁性材料からなる基板の表面にＶ字状の複数の溝を
形成する工程と、前記溝の側壁面上に軟磁性薄膜及び非
磁性薄膜を積層し、低融点ガラスで充填する工程と、前
記基板にコイル巻き線用の窓およびコイル巻線固定溝を
形成し、片側コアブロックを形成する工程と、２つの片
側コアブロックを非磁性ギャップ材を挟んで接合し、コ
アブロックを形成する工程と、前記コアブロックより磁
気ヘッドチップを切り出し、テープ摺動面を研磨し、コ
イル巻き線を施す工程とにより磁気ヘッドを製造する方
法において、前記低融点ガラスの室温から転移点までの
熱膨張係数が、前記基板の熱膨張係数より小さくかつそ
の熱膨張係数の差が１０×１０- 7 ／℃以下のものを用
いたことを特徴とする。
る非磁性材料からなる基板の表面にＶ字状の複数の溝を
形成する工程と、前記溝の側壁面上に軟磁性薄膜及び非
磁性薄膜を積層し、低融点ガラスで充填する工程と、前
記基板にコイル巻き線用の窓およびコイル巻線固定溝を
形成し、片側コアブロックを形成する工程と、２つの片
側コアブロックを非磁性ギャップ材を挟んで接合し、コ
アブロックを形成する工程と、前記コアブロックより磁
気ヘッドチップを切り出し、テープ摺動面を研磨し、コ
イル巻き線を施す工程とにより磁気ヘッドを製造する方
法において、前記低融点ガラスの室温から転移点までの
熱膨張係数が、前記基板の熱膨張係数より小さくかつそ
の熱膨張係数の差が１０×１０- 7 ／℃以下のものを用
いたことを特徴とする。
【０００９】
【作用】本願の第１及び第２の発明によれば、ガラス容
着の際に、加圧力（面圧）を１×１０9ｄｙｎｅ／ｃｍ2
に設定しても、ガラス溶着後のコアブロック全体にわた
り均一なギャップを得る事が可能となる。
着の際に、加圧力（面圧）を１×１０9ｄｙｎｅ／ｃｍ2
に設定しても、ガラス溶着後のコアブロック全体にわた
り均一なギャップを得る事が可能となる。
【００１０】即ち、本願第１の発明は、非磁性ギャップ
材を挟んで接合する前（ギャップ面研磨後）の片側コア
ブロックの基板表裏の平坦度において、前記片側コアブ
ロックの基板表裏の厚みが基板中央部と基板端部とで
０．５μｍ以内の差とし、かつ、基板裏面の反りを基板
表面の反りに適合させるべく、基板裏面の反りを常に凹
に約０．５〜１μｍとすれば、ガラス溶着後のコアブロ
ック全体にわたり均一なギャップを得られることが分か
ったことにより、初めて見いだされたものである。
材を挟んで接合する前（ギャップ面研磨後）の片側コア
ブロックの基板表裏の平坦度において、前記片側コアブ
ロックの基板表裏の厚みが基板中央部と基板端部とで
０．５μｍ以内の差とし、かつ、基板裏面の反りを基板
表面の反りに適合させるべく、基板裏面の反りを常に凹
に約０．５〜１μｍとすれば、ガラス溶着後のコアブロ
ック全体にわたり均一なギャップを得られることが分か
ったことにより、初めて見いだされたものである。
【００１１】また、本願の第２の発明は、基板の反りの
モードが変わるには、ガラスの室温から転移点までの熱
膨張係数を厳密に制御すれば良く、かつガラスの熱膨張
係数と基板の熱膨張係数との差が反りの大きさに関係し
ていることを見い出し、ガラスモールド後の基板背面の
反りを凹に、但し１μｍ以内に設定し得るガラスとし
て、ガラスの室温から転移点までの熱膨張係数が基板の
熱膨張係数より小さく、かつその差が１０×１０- 7 ／
℃以下のガラスを使用すれば良いことが分かったことに
より、初めて見い出されたものである。
モードが変わるには、ガラスの室温から転移点までの熱
膨張係数を厳密に制御すれば良く、かつガラスの熱膨張
係数と基板の熱膨張係数との差が反りの大きさに関係し
ていることを見い出し、ガラスモールド後の基板背面の
反りを凹に、但し１μｍ以内に設定し得るガラスとし
て、ガラスの室温から転移点までの熱膨張係数が基板の
熱膨張係数より小さく、かつその差が１０×１０- 7 ／
℃以下のガラスを使用すれば良いことが分かったことに
より、初めて見い出されたものである。
【００１２】
【実施例】本発明にかかる磁気ヘッドの製造方法は従来
の製造工程とほぼ同様であるため、従来例で説明したも
のと同様の図３〜図５を用いて、簡単に説明し、本願と
従来例との差異について、詳述する。まず、図３（ａ）
に示すように、ＦｅＡｌＳｉ膜の熱膨張係数と一致する
ように選択された熱膨張係数が１６０×１０- 7 ／℃で
あるセラミック基板１（長さ１５ｍｍ×幅２ｍｍ×厚さ
２ｍｍ）の表面に、ピッチ寸法０．６ｍｍで、Ｖ字状断
面の連続した溝４（溝角５０度）を形成し、その後図３
（ｂ）に示すように、前記溝側壁面上に真空蒸着法によ
りＦｅＡｉＳｉ合金膜の薄膜層２を形成する。前記薄膜
層２は、ＦｅＡｌＳｉ合金（膜厚３μｍ）とＳｉＯ2
（膜厚０．２μｍ）を交互に４層積層して形成する。次
に、図３（ｃ）に示すように、溝上に低融点ガラス３を
充填（ガラスモールド）し、図３（ｄ）に示すように、
その後前記低融点ガラスの充填部分の表面研削を行い
（ギャップ面研磨）、余分なモールガラスを除去し、所
定の寸法でブロックの切り出しを行い（図３（ｅ））、
それぞれのブロックにコイル巻き線用窓５、コイル巻線
固定溝６の加工を行って、磁気ヘッドに使用される片側
コアブロック７を形成する。前記までの一連の製造工程
については、従来とほぼ同様であるので、従来例で説明
したものと同様の図面を用いて説明した。
の製造工程とほぼ同様であるため、従来例で説明したも
のと同様の図３〜図５を用いて、簡単に説明し、本願と
従来例との差異について、詳述する。まず、図３（ａ）
に示すように、ＦｅＡｌＳｉ膜の熱膨張係数と一致する
ように選択された熱膨張係数が１６０×１０- 7 ／℃で
あるセラミック基板１（長さ１５ｍｍ×幅２ｍｍ×厚さ
２ｍｍ）の表面に、ピッチ寸法０．６ｍｍで、Ｖ字状断
面の連続した溝４（溝角５０度）を形成し、その後図３
（ｂ）に示すように、前記溝側壁面上に真空蒸着法によ
りＦｅＡｉＳｉ合金膜の薄膜層２を形成する。前記薄膜
層２は、ＦｅＡｌＳｉ合金（膜厚３μｍ）とＳｉＯ2
（膜厚０．２μｍ）を交互に４層積層して形成する。次
に、図３（ｃ）に示すように、溝上に低融点ガラス３を
充填（ガラスモールド）し、図３（ｄ）に示すように、
その後前記低融点ガラスの充填部分の表面研削を行い
（ギャップ面研磨）、余分なモールガラスを除去し、所
定の寸法でブロックの切り出しを行い（図３（ｅ））、
それぞれのブロックにコイル巻き線用窓５、コイル巻線
固定溝６の加工を行って、磁気ヘッドに使用される片側
コアブロック７を形成する。前記までの一連の製造工程
については、従来とほぼ同様であるので、従来例で説明
したものと同様の図面を用いて説明した。
【００１３】しかしながら、本実施例では、今回、表１
に示すような特異点温度、熱膨張係数を有する低融点ガ
ラスをガラスモールド材料として用いて、熱膨張係数や
基板の反りなどの何種類かの測定を行い、本願発明に示
す磁気ヘッドの製造方法についての最適値を得た。その
実験方法を以下に詳述する。
に示すような特異点温度、熱膨張係数を有する低融点ガ
ラスをガラスモールド材料として用いて、熱膨張係数や
基板の反りなどの何種類かの測定を行い、本願発明に示
す磁気ヘッドの製造方法についての最適値を得た。その
実験方法を以下に詳述する。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１に示す３種類のガラスはいずれもＳｉ
Ｏ2 、ＰｂＯを主成分物質とし、前記物質にＮａ2 Ｏ、
Ｋ2 ０、Ａｌ2 Ｏ3 などのアルカリやドーパントなどを
加えて、表１に示すような特異点温度や熱膨張係数を有
するように調整されたものである。
Ｏ2 、ＰｂＯを主成分物質とし、前記物質にＮａ2 Ｏ、
Ｋ2 ０、Ａｌ2 Ｏ3 などのアルカリやドーパントなどを
加えて、表１に示すような特異点温度や熱膨張係数を有
するように調整されたものである。
【００１６】ここで、例えば表１に示すガラス１を用い
た場合、ガラスモールド後の基板の反りを拡大して示す
と、図１に示すように基板１の両端部が基板１の中央部
に比較して、０．５〜１μｍもくぼむ状態になり、さら
にその後の工程であって、これをギャップ面研磨した後
の基板表裏の反りを拡大して示すと、図２に示すように
前工程と同様に基板１の両端部が基板１の中央部に比較
して、０．５〜１μｍもくぼむ状態となる基板が形成さ
れることがわかった。
た場合、ガラスモールド後の基板の反りを拡大して示す
と、図１に示すように基板１の両端部が基板１の中央部
に比較して、０．５〜１μｍもくぼむ状態になり、さら
にその後の工程であって、これをギャップ面研磨した後
の基板表裏の反りを拡大して示すと、図２に示すように
前工程と同様に基板１の両端部が基板１の中央部に比較
して、０．５〜１μｍもくぼむ状態となる基板が形成さ
れることがわかった。
【００１７】次に、ギャップ面研磨後は、図４に示すよ
うに、片側コアブロック同士を非磁性ギャップ材（Ｓｉ
Ｏ2 、膜厚０．１５μｍ）を挟んで、面加圧＝１×１０
9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 でガラス溶着にて溝を対向させて相
互に接合するため、当然ながら、前記工程による基板の
反りの状態が、ギャップ面の形成状態に影響を与える。
そこで、前記工程終了段階での表１に示す３種類の低融
点ガラスを用いた場合のギャップの形成状態を比較し、
さらにガラスモールド後の基板の反り、ギャップ面研磨
後の基板の反りをも併せて比較した結果を表２に示す。
うに、片側コアブロック同士を非磁性ギャップ材（Ｓｉ
Ｏ2 、膜厚０．１５μｍ）を挟んで、面加圧＝１×１０
9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 でガラス溶着にて溝を対向させて相
互に接合するため、当然ながら、前記工程による基板の
反りの状態が、ギャップ面の形成状態に影響を与える。
そこで、前記工程終了段階での表１に示す３種類の低融
点ガラスを用いた場合のギャップの形成状態を比較し、
さらにガラスモールド後の基板の反り、ギャップ面研磨
後の基板の反りをも併せて比較した結果を表２に示す。
【００１８】
【表２】
【００１９】ガラス溶着後のコアブロック全体にわたり
均一なギャップを得るための理想状態としては、非磁性
ギャップ材を挟んで接合する前（ギャップ面研磨後）の
片側コアブロックの基板表裏の平坦度が、限りなく０に
近づくように制御されていることである。しかしなが
ら、表２より、前記片側コアブロックの基板表裏の厚み
が基板中央部と基板端部とで０．５μｍ以内の差であれ
ば、ガラス溶着後のコアブロック全体にわたり均一なギ
ャップを得られることが分かった。
均一なギャップを得るための理想状態としては、非磁性
ギャップ材を挟んで接合する前（ギャップ面研磨後）の
片側コアブロックの基板表裏の平坦度が、限りなく０に
近づくように制御されていることである。しかしなが
ら、表２より、前記片側コアブロックの基板表裏の厚み
が基板中央部と基板端部とで０．５μｍ以内の差であれ
ば、ガラス溶着後のコアブロック全体にわたり均一なギ
ャップを得られることが分かった。
【００２０】また、基板はガラスモールド後において、
基板とガラスの熱膨張係数の違いにより基板に反りが発
生する。しかしながら、表２より、ギャップ面研磨後の
基板表面の反りはガラスモールド後の基板裏面の反りに
かかわらず、凸に約０．５μｍとなることがわかった。
この原因は、ギャップ面研磨時の加工面がフラットにな
ったとしても、研磨時のストレスにより、研磨時に基板
をセットしていた治具から基板を外し、基板がフリーな
状態になると、加工面が凸に約０．５μｍ反ってしまう
ことによる。そこで、研磨時のストレスを小さくすれ
ば、加工面の反りも小さくなるが、通常の研磨方法にお
いて、ストレスを現状より小さくすることは困難であ
る。従って、ガラス溶着後コアブロック全体にわたり均
一なギャップを得るためには、非磁性ギャップ材を挟ん
で接合する前（ギャップ面研磨後）の片側コアブロック
の基板裏面の反りを、基板表面の反りに合わせるように
制御する必要がある。
基板とガラスの熱膨張係数の違いにより基板に反りが発
生する。しかしながら、表２より、ギャップ面研磨後の
基板表面の反りはガラスモールド後の基板裏面の反りに
かかわらず、凸に約０．５μｍとなることがわかった。
この原因は、ギャップ面研磨時の加工面がフラットにな
ったとしても、研磨時のストレスにより、研磨時に基板
をセットしていた治具から基板を外し、基板がフリーな
状態になると、加工面が凸に約０．５μｍ反ってしまう
ことによる。そこで、研磨時のストレスを小さくすれ
ば、加工面の反りも小さくなるが、通常の研磨方法にお
いて、ストレスを現状より小さくすることは困難であ
る。従って、ガラス溶着後コアブロック全体にわたり均
一なギャップを得るためには、非磁性ギャップ材を挟ん
で接合する前（ギャップ面研磨後）の片側コアブロック
の基板裏面の反りを、基板表面の反りに合わせるように
制御する必要がある。
【００２１】ここで、ギャップ面研磨後の基板表面の反
りは、常に凸に約０．５μｍ反るのであるから、基板裏
面の反りを常に凹に約０．５〜１μｍとすれば良いこと
がわかる。つまり、ガラスモールド後の基板裏面の反り
を凹に０．５〜１μｍとなるように制御すれば良い。
りは、常に凸に約０．５μｍ反るのであるから、基板裏
面の反りを常に凹に約０．５〜１μｍとすれば良いこと
がわかる。つまり、ガラスモールド後の基板裏面の反り
を凹に０．５〜１μｍとなるように制御すれば良い。
【００２２】そこで、ガラスモールド後の基板裏面の反
りを凹に０．５〜１μｍとなるようにするためには、基
板とガラスの熱膨張係数を制御する必要がある。本実施
例で使用した基板の熱膨張係数は１６０×１０- 7 ／℃
のものを使用している。この値に対し、本実施例での３
種類のガラスの熱膨張係数は１６０×１０- 7 ／℃付近
でありながら、ガラス１（室温から転移点までの熱膨張
係数：１５５×１０- 7 ／℃）とガラス３（室温から転
移点までの熱膨張係数：１５０×１０- 7 ／℃）はガラ
スモールド後の基板裏面の反りが凹となり、ガラス２
（室温から転移点までの熱膨張係数：１６５×１０- 7
／℃）でのガラスモールド後の基板裏面の反りは凸とな
り、反りのモードが異なるという結果を得た。また、ガ
ラス１では凹に０．５〜１μｍ反るのに対し、ガラス３
では凹に１μｍ以上反ってしまう。即ち、反りのモード
が変わるには、ガラスの室温から転移点までの熱膨張係
数を厳密に制御すれば良く、かつガラスの熱膨張係数と
基板の熱膨張係数との差が反りの大きさに関係している
ことがわかる。
りを凹に０．５〜１μｍとなるようにするためには、基
板とガラスの熱膨張係数を制御する必要がある。本実施
例で使用した基板の熱膨張係数は１６０×１０- 7 ／℃
のものを使用している。この値に対し、本実施例での３
種類のガラスの熱膨張係数は１６０×１０- 7 ／℃付近
でありながら、ガラス１（室温から転移点までの熱膨張
係数：１５５×１０- 7 ／℃）とガラス３（室温から転
移点までの熱膨張係数：１５０×１０- 7 ／℃）はガラ
スモールド後の基板裏面の反りが凹となり、ガラス２
（室温から転移点までの熱膨張係数：１６５×１０- 7
／℃）でのガラスモールド後の基板裏面の反りは凸とな
り、反りのモードが異なるという結果を得た。また、ガ
ラス１では凹に０．５〜１μｍ反るのに対し、ガラス３
では凹に１μｍ以上反ってしまう。即ち、反りのモード
が変わるには、ガラスの室温から転移点までの熱膨張係
数を厳密に制御すれば良く、かつガラスの熱膨張係数と
基板の熱膨張係数との差が反りの大きさに関係している
ことがわかる。
【００２３】従って、ガラスモールド後の基板背面の反
りを凹に、但し１μｍ以内に設定し得るガラスとして、
ガラスの室温から転移点までの熱膨張係数が基板の熱膨
張係数より小さく、かつその差が１０×１０- 7 ／℃以
下のガラスを使用すれば良いことがわかる。さらに、好
ましくは２〜５×１０- 7 ／℃以下のガラスを使用すれ
ば良いことがわかる。
りを凹に、但し１μｍ以内に設定し得るガラスとして、
ガラスの室温から転移点までの熱膨張係数が基板の熱膨
張係数より小さく、かつその差が１０×１０- 7 ／℃以
下のガラスを使用すれば良いことがわかる。さらに、好
ましくは２〜５×１０- 7 ／℃以下のガラスを使用すれ
ば良いことがわかる。
【００２４】尚、本実施例では、基板の長さを１５ｍ
ｍ、厚さ２ｍｍとしたが、基板の長さ及び厚さはこれに
限定されるものではない。しかしながら、基板の反りは
基板の長さの２乗に比例し、厚さに反比例するので、前
記基板の反り量が得られるように基板サイズを制御する
必要がある。
ｍ、厚さ２ｍｍとしたが、基板の長さ及び厚さはこれに
限定されるものではない。しかしながら、基板の反りは
基板の長さの２乗に比例し、厚さに反比例するので、前
記基板の反り量が得られるように基板サイズを制御する
必要がある。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、非磁性ギャップ材を挟ん
で接合する前の片側コアブロックの基板表裏の厚みにお
ける、基板中央部と基板端部との厚みの差、およびガラ
スモールド後の基板背面の反りをある値に設定すること
により、ガラス溶着の際の、加圧力（面圧）を１×１０
9 ｄｙｎｅ／ｍｍ2 に設定しても、ガラス溶着後のコア
ブロック全体にわたり、均一なギャップが形成されるた
め、軟磁性材料に導入されるストレスが小さい、特性の
良好な磁気ヘッドを歩留まり良く作製することができ
る。
で接合する前の片側コアブロックの基板表裏の厚みにお
ける、基板中央部と基板端部との厚みの差、およびガラ
スモールド後の基板背面の反りをある値に設定すること
により、ガラス溶着の際の、加圧力（面圧）を１×１０
9 ｄｙｎｅ／ｍｍ2 に設定しても、ガラス溶着後のコア
ブロック全体にわたり、均一なギャップが形成されるた
め、軟磁性材料に導入されるストレスが小さい、特性の
良好な磁気ヘッドを歩留まり良く作製することができ
る。
【図１】本実施例によるガラスモールド後の基板表裏の
反りの一例の拡大図である。
反りの一例の拡大図である。
【図２】本実施例によるギャップ面研磨した後の基板表
裏の反りの一例の拡大図である。
裏の反りの一例の拡大図である。
【図３】従来および本実施例による磁気ヘッドの製造方
法において、基板から片側コアブロックを得るまでの製
造工程図である。
法において、基板から片側コアブロックを得るまでの製
造工程図である。
【図４】従来および本実施例による磁気ヘッドの製造方
法において、片側コアブロックをガラス溶着接合する製
造工程図である。
法において、片側コアブロックをガラス溶着接合する製
造工程図である。
【図５】従来および本実施例による磁気ヘッドの製造方
法において、得られた磁気ヘッドチップの斜視図（ａ）
および上面図（ｂ）である。
法において、得られた磁気ヘッドチップの斜視図（ａ）
および上面図（ｂ）である。
１ 基板 ２ 軟磁性材料などの薄膜層 ３ 低融点ガラス ４ Ｖ字状の溝 ５ コイル巻線用の窓 ６ コイル巻線固定溝 ７ 片側コアブロック ８ 磁気ヘッドチップ
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気ヘッドを形成する非磁性材料からな
る基板の表面にＶ字状の複数の溝を形成する工程と、前
記溝の側壁面上に軟磁性薄膜及び非磁性薄膜を積層し、
低融点ガラスで充填する工程と、前記基板にコイル巻き
線用の窓およびコイル巻線固定溝を形成し、片側コアブ
ロックを形成する工程と、２つの片側コアブロックを非
磁性ギャップ材を挟んで接合し、コアブロックを形成す
る工程と、前記コアブロックより磁気ヘッドチップを切
り出し、テープ摺動面を研磨し、コイル巻き線を施す工
程とにより磁気ヘッドを製造する方法において、低融点
ガラスを充填した後の基板背面の反りが凹状に１μｍで
あり、かつ片側コアブロックを非磁性ギャップ材を挟ん
で接合する前の片側コアブロックの基板表裏の厚みの差
が基板中央部と基板端部とで０．５μｍ以内としたこと
を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 磁気ヘッドを形成する非磁性材料からな
る基板の表面にＶ字状の複数の溝を形成する工程と、前
記溝の側壁面上に軟磁性薄膜及び非磁性薄膜を積層し、
低融点ガラスで充填する工程と、前記基板にコイル巻き
線用の窓およびコイル巻線固定溝を形成し、片側コアブ
ロックを形成する工程と、２つの片側コアブロックを非
磁性ギャップ材を挟んで接合し、コアブロックを形成す
る工程と、前記コアブロックより磁気ヘッドチップを切
り出し、テープ摺動面を研磨し、コイル巻き線を施す工
程とにより磁気ヘッドを製造する方法において、前記低
融点ガラスの室温から転移点までの熱膨張係数が、前記
基板の熱膨張係数より小さくかつその熱膨張係数の差が
１０×１０- 7 ／℃以下であることを特徴とする磁気ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31157594A JPH08167105A (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31157594A JPH08167105A (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167105A true JPH08167105A (ja) | 1996-06-25 |
Family
ID=18018888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31157594A Pending JPH08167105A (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08167105A (ja) |
-
1994
- 1994-12-15 JP JP31157594A patent/JPH08167105A/ja active Pending
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