JPH05205314A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
- Publication number
- JPH05205314A JPH05205314A JP4012281A JP1228192A JPH05205314A JP H05205314 A JPH05205314 A JP H05205314A JP 4012281 A JP4012281 A JP 4012281A JP 1228192 A JP1228192 A JP 1228192A JP H05205314 A JPH05205314 A JP H05205314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflectance
- material layer
- transparent substrate
- spot
- reading light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 超解像再生方式の光ディスクにおいて、温度
勾配により反射率変化を生じさせて超解像再生を行な
う。 【構成】 透明基板２上に位相ピットを形成し、これに
ランタノイド材料層３を積層して読み出し光の熱によっ
て読み出し光スポット内で部分的に反射率変化を起こ
し、かつ読み出し光通過後には初期状態に戻るようにす
る。
勾配により反射率変化を生じさせて超解像再生を行な
う。 【構成】 透明基板２上に位相ピットを形成し、これに
ランタノイド材料層３を積層して読み出し光の熱によっ
て読み出し光スポット内で部分的に反射率変化を起こ
し、かつ読み出し光通過後には初期状態に戻るようにす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば位相ピットが
形成された透明基板上に温度によって反射率が変化する
材料層が形成されてなり、高密度記録をするのに適用し
て好適な光ディスクに関する。
形成された透明基板上に温度によって反射率が変化する
材料層が形成されてなり、高密度記録をするのに適用し
て好適な光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばディジタルオーディオディスク
（いわゆるコンパクトディスク）や、ビデオディスク等
の光ディスクは、予め情報信号に応じて位相ピットが形
成された透明基板上にアルミニウム反射膜を成膜し、そ
の上に保護膜等を形成することで構成されている。
（いわゆるコンパクトディスク）や、ビデオディスク等
の光ディスクは、予め情報信号に応じて位相ピットが形
成された透明基板上にアルミニウム反射膜を成膜し、そ
の上に保護膜等を形成することで構成されている。
【０００３】このような光ディスクでは、ディスク面に
読み出し光を照射して位相ピットの形成部での光の回折
による反射光量の大幅な減少を検出することによって信
号の読み出し（再生）を行なうようにしている。
読み出し光を照射して位相ピットの形成部での光の回折
による反射光量の大幅な減少を検出することによって信
号の読み出し（再生）を行なうようにしている。
【０００４】ところで、上述のような光ディスクにおい
て、信号再生の分解能は、ほとんど再生光学系の光源の
波長λと対物レンズの開口数ＮＡで決まり、空間周波数
２ＮＡ／λが再生限界となる。
て、信号再生の分解能は、ほとんど再生光学系の光源の
波長λと対物レンズの開口数ＮＡで決まり、空間周波数
２ＮＡ／λが再生限界となる。
【０００５】そのため、このような光ディスクにおいて
高密度化を実現するためには、再生光学系の光源（例え
ば半導体レーザ）の波長λを短くすること、あるいは対
物レンズの開口数ＮＡを大きくすることが必要となる。
高密度化を実現するためには、再生光学系の光源（例え
ば半導体レーザ）の波長λを短くすること、あるいは対
物レンズの開口数ＮＡを大きくすることが必要となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、光源の波長λ
や対物レンズの開口数ＮＡの改善には自ずと限界があ
り、これによって記録密度を飛躍的に高めることは難し
いのが実情である。
や対物レンズの開口数ＮＡの改善には自ずと限界があ
り、これによって記録密度を飛躍的に高めることは難し
いのが実情である。
【０００７】そこで、本出願人は、読み出し光の走査ス
ポット内の部分的相変化による反射率変化を利用するこ
とで、上述した波長λや開口数ＮＡによる制限以上の解
像度を得ることができる光ディスクを提案した（特願平
２−９４４５２号、特願平３−２４９５１１号参照）。
ポット内の部分的相変化による反射率変化を利用するこ
とで、上述した波長λや開口数ＮＡによる制限以上の解
像度を得ることができる光ディスクを提案した（特願平
２−９４４５２号、特願平３−２４９５１１号参照）。
【０００８】これら出願に係わる発明は、読み出し光の
レーザスポット内の部分的相変化により反射率を変化さ
せ超解像再生を行うようにした光ディスクあるいはその
再生方式に係わるものである。
レーザスポット内の部分的相変化により反射率を変化さ
せ超解像再生を行うようにした光ディスクあるいはその
再生方式に係わるものである。
【０００９】本発明においては、さらに相変化を伴わ
ず、本材料の光学定数の温度依存性を用いることによっ
て部分的な反射率変化を利用した超解像再生方式を採
り、相変化に伴う物質移動による劣化が無く、しかもよ
り安定確実に目的とする読み出し位相ピットと他部との
反射率の差を顕著にして安定、確実に高Ｃ／Ｎ（Ｓ／
Ｎ）をもって超解像再生を行うことができるようにした
光ディスクを提供する。
ず、本材料の光学定数の温度依存性を用いることによっ
て部分的な反射率変化を利用した超解像再生方式を採
り、相変化に伴う物質移動による劣化が無く、しかもよ
り安定確実に目的とする読み出し位相ピットと他部との
反射率の差を顕著にして安定、確実に高Ｃ／Ｎ（Ｓ／
Ｎ）をもって超解像再生を行うことができるようにした
光ディスクを提供する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１にその要
部の概略的断面図を示すように、位相ピット１が形成さ
れた透明基板２上に温度変化により反射率変化し得る材
料層３が形成されてなり、読み出し光が照射されたとき
に材料層３が読み出し光の走査スポット内で温度分布に
より反射率が変化し、読み出し後温度が低下した状態で
反射率が初期状態に戻る構成とする。
部の概略的断面図を示すように、位相ピット１が形成さ
れた透明基板２上に温度変化により反射率変化し得る材
料層３が形成されてなり、読み出し光が照射されたとき
に材料層３が読み出し光の走査スポット内で温度分布に
より反射率が変化し、読み出し後温度が低下した状態で
反射率が初期状態に戻る構成とする。
【００１１】また、本発明の他の１は、材料層３をラン
タノイドより構成する。
タノイドより構成する。
【００１２】
【作用】本発明による光ディスクは、その材料層３がそ
の位相ピット１による記録の読み出しすなわち再生に当
たっては、その読み出し光の走査スポット内での温度分
布を利用して、そのスポット内に生じる高温領域で部分
的に材料層３における反射率が例えば著しく増加するよ
うにして例えばこの高温領域内にある位相ピットについ
ては、例えば回折による読み出しを可能とする。
の位相ピット１による記録の読み出しすなわち再生に当
たっては、その読み出し光の走査スポット内での温度分
布を利用して、そのスポット内に生じる高温領域で部分
的に材料層３における反射率が例えば著しく増加するよ
うにして例えばこの高温領域内にある位相ピットについ
ては、例えば回折による読み出しを可能とする。
【００１３】つまり、読み出し光スポット内において位
相スポットを光学的に出現させる領域を形成してこのス
ポット内で例えば１の位相スポットのみを読み出すこと
ができ、λ／２ＮＡに制約されない超解像再生を行な
う。
相スポットを光学的に出現させる領域を形成してこのス
ポット内で例えば１の位相スポットのみを読み出すこと
ができ、λ／２ＮＡに制約されない超解像再生を行な
う。
【００１４】このように本発明においては、溶融を伴わ
ずに光学的に情報信号の読み出しが可能となために繰り
返し読み出した場合でも信号の劣化を伴わずそのため繰
り返し読み出し回数の多い用途に用いることが可能とな
るものであって、このようにすることによって確実に、
しかも特段の熱処理、冷却過程を採ることなく、またこ
の過程を採るための手段、すなわち初期化手段を設ける
ことなく常態で初期状態を形成するものである。
ずに光学的に情報信号の読み出しが可能となために繰り
返し読み出した場合でも信号の劣化を伴わずそのため繰
り返し読み出し回数の多い用途に用いることが可能とな
るものであって、このようにすることによって確実に、
しかも特段の熱処理、冷却過程を採ることなく、またこ
の過程を採るための手段、すなわち初期化手段を設ける
ことなく常態で初期状態を形成するものである。
【００１５】
【実施例】本発明は、図１にその一例の要部の断面図い
わば基本的構成における略線的断面図を示すように、位
相ピット１が形成された透明基板２上に、温度変化によ
り反射率変化し得る材料層３を形成する。
わば基本的構成における略線的断面図を示すように、位
相ピット１が形成された透明基板２上に、温度変化によ
り反射率変化し得る材料層３を形成する。
【００１６】そして、読み出し光、例えばレーザ光がこ
の材料層３に照射されたときに、この材料層３の読み出
し光の走査スポット内で部分的に高温領域において反射
率が増加すると共に読み出し後温度が低下した状態で初
期状態の反射率に戻るようにする。
の材料層３に照射されたときに、この材料層３の読み出
し光の走査スポット内で部分的に高温領域において反射
率が増加すると共に読み出し後温度が低下した状態で初
期状態の反射率に戻るようにする。
【００１７】図１に示した例においては、透明基板２上
に直接的に材料層３を形成するようにした場合である
が、例えば図２にその要部の略線的拡大断面図を示すよ
うに位相ピット１を有する透明基板２上に第１の誘電体
層４を介して材料層３が形成され、さらにこれの上に第
２の誘電体層５が形成され、これの上に反射膜６さらに
ある場合はこの上に保護膜（図示せず）が形成されてな
り、第１及び第２の誘電体層４及び５によって光学特性
例えば反射率等の設定がなされる構成とすることができ
る。
に直接的に材料層３を形成するようにした場合である
が、例えば図２にその要部の略線的拡大断面図を示すよ
うに位相ピット１を有する透明基板２上に第１の誘電体
層４を介して材料層３が形成され、さらにこれの上に第
２の誘電体層５が形成され、これの上に反射膜６さらに
ある場合はこの上に保護膜（図示せず）が形成されてな
り、第１及び第２の誘電体層４及び５によって光学特性
例えば反射率等の設定がなされる構成とすることができ
る。
【００１８】実施例１ この例においては、図２で説明した構成を採った場合
で、透明基板２として、ガラス２Ｐ基板を使用した。こ
こでいう２Ｐとは、フォトポリマー法のことである。
で、透明基板２として、ガラス２Ｐ基板を使用した。こ
こでいう２Ｐとは、フォトポリマー法のことである。
【００１９】そして、本例においては、トラックピッチ
Ｐ＝１．６μｍ、ピット深さ約１２０ｎｍ、ピット幅Ｗ
＝０．３μｍの設定条件で形成した。そして、このピッ
ト１を有する透明基板２の一主面に厚さ９０ｎｍのＡｌ
Ｎよりなる第１の誘電体膜４を被着形成し、これの上に
材料層３として厚さ１７ｎｍのＴｂ単体金属を使用し
た。この材料層３の熱伝導率は、０．０２４Ｊ／ｃｍ・
ｓｅｃ・ｄｅｇ、融点は１３５６℃である。
Ｐ＝１．６μｍ、ピット深さ約１２０ｎｍ、ピット幅Ｗ
＝０．３μｍの設定条件で形成した。そして、このピッ
ト１を有する透明基板２の一主面に厚さ９０ｎｍのＡｌ
Ｎよりなる第１の誘電体膜４を被着形成し、これの上に
材料層３として厚さ１７ｎｍのＴｂ単体金属を使用し
た。この材料層３の熱伝導率は、０．０２４Ｊ／ｃｍ・
ｓｅｃ・ｄｅｇ、融点は１３５６℃である。
【００２０】さらに、これの上に第２の誘電体膜５とし
て厚さ９０ｎｍのＡｌＮによる第２の誘電体層５を被着
形成し、さらにこれの上にＡｌ反射膜６を１８０ｎｍの
厚さに被着形成した。
て厚さ９０ｎｍのＡｌＮによる第２の誘電体層５を被着
形成し、さらにこれの上にＡｌ反射膜６を１８０ｎｍの
厚さに被着形成した。
【００２１】なお、透明基板２の材料としては、アクリ
ル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ガラス等を用いるこ
とができる。
ル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ガラス等を用いるこ
とができる。
【００２２】また、材料層３としては、以下の条件を満
足するものが使用される。すなわち、読み出し光の熱に
より、読み出し光スポット内で部分的に高温領域と低温
領域の温度勾配がが生じ高温領域において光学定数変化
を起こすことによって反射率が変化するもので、半導体
レーザーを用いてもディスク盤面上で５００℃以上に昇
温できる熱伝導率の小さいものであり、溶融による劣化
を避けるために融点が７９５℃以上必要である。
足するものが使用される。すなわち、読み出し光の熱に
より、読み出し光スポット内で部分的に高温領域と低温
領域の温度勾配がが生じ高温領域において光学定数変化
を起こすことによって反射率が変化するもので、半導体
レーザーを用いてもディスク盤面上で５００℃以上に昇
温できる熱伝導率の小さいものであり、溶融による劣化
を避けるために融点が７９５℃以上必要である。
【００２３】上述した条件を満足するものとして、Ｙ、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の単体、も
しくはこれらの２種類以上を合金としたものが挙げられ
る。
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の単体、も
しくはこれらの２種類以上を合金としたものが挙げられ
る。
【００２４】また、誘電体膜４及び５としては、Ａｌ、
Ｓｉ等金属及び半導体元素の窒化物、酸化物、硫化物が
あげられ、これらの化合物で半導体レーザ波長領域にお
いて吸収の無いものならば何でもよい。
Ｓｉ等金属及び半導体元素の窒化物、酸化物、硫化物が
あげられ、これらの化合物で半導体レーザ波長領域にお
いて吸収の無いものならば何でもよい。
【００２５】さらに、反射膜６としては、Ａｌ、Ａｕ等
反射率及び熱伝導率の良好な金属ならばなんでもよい。
反射率及び熱伝導率の良好な金属ならばなんでもよい。
【００２６】このように形成された光ディスクに対し
て、その再生パワーを９ｍＷとし、線速を６ｍ／ｓに設
定してその再生を行なってその信号部分を再生したとこ
ろその信号のＣ／Ｎは３５ｄＢであった。そして、本発
明による光ディスクは、その再生に当たってこの光ディ
スクに対する走査スポット内における温度分布を利用し
て超解像をもって再生する。
て、その再生パワーを９ｍＷとし、線速を６ｍ／ｓに設
定してその再生を行なってその信号部分を再生したとこ
ろその信号のＣ／Ｎは３５ｄＢであった。そして、本発
明による光ディスクは、その再生に当たってこの光ディ
スクに対する走査スポット内における温度分布を利用し
て超解像をもって再生する。
【００２７】すなわち、本発明による光ディスクにレー
ザスポットを照射した場合を図３を参照して説明する。
図３において横軸はスポットの走査方向に関する位置を
示したもので、今光ディスクにレーザの照射によるレー
ザ光スポットＬが照射された状態についてみると、この
場合その光強度は同図中破線Ａの分布を示し、このとき
スポットＬ内で相対的に上述したいわば高温領域Ｐｘと
低温領域Ｐｚが生ずる。これに対して材料層３における
温度分布に対応した反射率分布は、レーザスポットＬの
走査速度に対応して僅かに矢印Ｃで示すスポットＬの走
査方向に対し遅れた同図中実線Ｂの反射率分布となり、
この反射率分布において反射率が増加した部分で、情報
の読み出しが可能となる。
ザスポットを照射した場合を図３を参照して説明する。
図３において横軸はスポットの走査方向に関する位置を
示したもので、今光ディスクにレーザの照射によるレー
ザ光スポットＬが照射された状態についてみると、この
場合その光強度は同図中破線Ａの分布を示し、このとき
スポットＬ内で相対的に上述したいわば高温領域Ｐｘと
低温領域Ｐｚが生ずる。これに対して材料層３における
温度分布に対応した反射率分布は、レーザスポットＬの
走査速度に対応して僅かに矢印Ｃで示すスポットＬの走
査方向に対し遅れた同図中実線Ｂの反射率分布となり、
この反射率分布において反射率が増加した部分で、情報
の読み出しが可能となる。
【００２８】また、上述実施例においては、透明基板２
上に位相ピット１を形成するものであるが、この発明は
その他の光学的に読み出し可能な記録ピットを形成する
ものにも適用できる。
上に位相ピット１を形成するものであるが、この発明は
その他の光学的に読み出し可能な記録ピットを形成する
ものにも適用できる。
【００２９】
【発明の効果】この発明によれば、溶融することなく信
号の読み出しが可能となるため溶融に起因する劣化例え
ば流動による膜厚不均一による信号出力の低下等が生じ
ないために繰り返し耐久性の向上が図られて繰り返し回
数の多い用途に対しても適用可能な記録密度の高い光デ
ィスクとなる。
号の読み出しが可能となるため溶融に起因する劣化例え
ば流動による膜厚不均一による信号出力の低下等が生じ
ないために繰り返し耐久性の向上が図られて繰り返し回
数の多い用途に対しても適用可能な記録密度の高い光デ
ィスクとなる。
【図１】光ディスクの一例の構成を示す要部概略断面図
である。
である。
【図２】実施例の構成を示す要部概略断面図である。
【図３】レーザスポットの光強度分布と光ディスクの温
度分布（反射率）との関係を示す図である。
度分布（反射率）との関係を示す図である。
１ 位相ピット ２ 透明基板 ３ 材料層 ４ 第１の誘電体層 ５ 第２の誘電体層 ６ 反射膜
Claims (2)
- 【請求項１】 情報信号に応じて光学的に読み出し可能
な記録ピットが形成された透明基板上に温度によって反
射率が変化する材料層を形成したことを特徴とする光デ
ィスク。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光ディスクにおいて材
料層がランタノイドよりなることを特徴とする光ディス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01228192A JP3158298B2 (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01228192A JP3158298B2 (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05205314A true JPH05205314A (ja) | 1993-08-13 |
| JP3158298B2 JP3158298B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=11800983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01228192A Expired - Fee Related JP3158298B2 (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3158298B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6430128B1 (en) | 1999-11-30 | 2002-08-06 | Tdk Corporation | Method for reading optical information medium and optical information medium |
| US6901036B2 (en) | 2000-09-04 | 2005-05-31 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method and apparatus for reproducing an optical signal |
| US6965556B1 (en) | 1999-07-02 | 2005-11-15 | Tdk Corporation | Optical information medium having high resolution beyond a diffraction limit and reading method |
| US7016290B2 (en) | 2001-10-15 | 2006-03-21 | Tdk Corporation | Readout method and apparatus for optical information medium |
| CN100372001C (zh) * | 2003-04-01 | 2008-02-27 | 三星电子株式会社 | 具有超高解析近场结构的记录介质及其再现方法和设备 |
| US7496019B2 (en) | 2001-04-20 | 2009-02-24 | Tdk Corporation | Information readout method for non mask layer type optical information medium |
| US7830766B2 (en) | 2006-03-14 | 2010-11-09 | Ricoh Company, Ltd. | Data reproduction method and apparatus, disk, and recording/reproduction apparatus, using PRML method |
-
1992
- 1992-01-27 JP JP01228192A patent/JP3158298B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6965556B1 (en) | 1999-07-02 | 2005-11-15 | Tdk Corporation | Optical information medium having high resolution beyond a diffraction limit and reading method |
| US7701838B2 (en) | 1999-07-02 | 2010-04-20 | Tdk Corporation | Optical information medium including an information bearing surface and a functional layer, and reading method |
| US6430128B1 (en) | 1999-11-30 | 2002-08-06 | Tdk Corporation | Method for reading optical information medium and optical information medium |
| US6901036B2 (en) | 2000-09-04 | 2005-05-31 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method and apparatus for reproducing an optical signal |
| US7496019B2 (en) | 2001-04-20 | 2009-02-24 | Tdk Corporation | Information readout method for non mask layer type optical information medium |
| US7859968B2 (en) | 2001-04-20 | 2010-12-28 | Tdk Corporation | Information readout method for non mask layer type optical information medium |
| US7016290B2 (en) | 2001-10-15 | 2006-03-21 | Tdk Corporation | Readout method and apparatus for optical information medium |
| CN100372001C (zh) * | 2003-04-01 | 2008-02-27 | 三星电子株式会社 | 具有超高解析近场结构的记录介质及其再现方法和设备 |
| US7830766B2 (en) | 2006-03-14 | 2010-11-09 | Ricoh Company, Ltd. | Data reproduction method and apparatus, disk, and recording/reproduction apparatus, using PRML method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3158298B2 (ja) | 2001-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3057516B2 (ja) | 光記録媒体の信号再生方法 | |
| KR100770768B1 (ko) | 광 기록매체와 이 광 기록매체를 이용한 기록방법 | |
| JP3160632B2 (ja) | 光ディスクとその再生方法 | |
| JPH05109119A (ja) | 光デイスク | |
| WO1992015091A1 (fr) | Support d'enregistrement optique | |
| JPH1166622A (ja) | 光情報媒体とその記録再生方法 | |
| JP3158298B2 (ja) | 光ディスク | |
| JP3297928B2 (ja) | 再生専用光ディスク | |
| JP2001035012A (ja) | 光記録媒体 | |
| KR100338756B1 (ko) | 상변화 광디스크 | |
| JP2002312978A (ja) | 相変化光ディスク | |
| JP3166238B2 (ja) | 光記録媒体および光記録媒体の製法 | |
| KR20050059190A (ko) | 고융점 금속 산화물 또는 실리콘 산화물의 마스크층을사용하는 초해상도 근접장 구조의 고밀도 기록매체 | |
| JPH06183152A (ja) | 光ディスク | |
| JPH06124480A (ja) | 光ディスク | |
| JP3430610B2 (ja) | 光ディスク | |
| JP3361079B2 (ja) | 光記録媒体の再生方法 | |
| JP3361078B2 (ja) | 光記録媒体の再生方法 | |
| JPH06251422A (ja) | 光ディスク | |
| JP3835401B2 (ja) | 光ディスク再生方法及び光ディスク | |
| JP3306975B2 (ja) | 光ディスクの再生方法及び光ディスク | |
| JP2002312936A (ja) | 光記録媒体の記録方法および情報が記録された光記録媒体 | |
| JP2917808B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3580298B2 (ja) | 再生専用光ディスク | |
| JPH06236578A (ja) | 光ディスク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |