JPH06183152A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JPH06183152A JPH06183152A JP4340473A JP34047392A JPH06183152A JP H06183152 A JPH06183152 A JP H06183152A JP 4340473 A JP4340473 A JP 4340473A JP 34047392 A JP34047392 A JP 34047392A JP H06183152 A JPH06183152 A JP H06183152A
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- JP
- Japan
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- phase
- material layer
- change material
- reflectance
- phase change
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 超高解像度再生方式の光ディスクの相変化材
料層にＢｉ、Ｔｅ合金を用いて温度分布による部分的な
液相状態としての反射率変化量を増加させてＣ／Ｎ（Ｓ
／Ｎ）のよい超解像再生を行なう。 【構成】 情報信号に応じて光学的に読み出し可能な位
相ピット１が形成された透明基板２上に相変化材料層４
を形成して、読み出し光が照射されたときに、相変化材
料層４が読み出し光の走査スポット内で部分的に液相化
して反射率が変化する光ディスクにおいて、相変化材料
層４にＢｉＴｅ合金を用いて構成する。
料層にＢｉ、Ｔｅ合金を用いて温度分布による部分的な
液相状態としての反射率変化量を増加させてＣ／Ｎ（Ｓ
／Ｎ）のよい超解像再生を行なう。 【構成】 情報信号に応じて光学的に読み出し可能な位
相ピット１が形成された透明基板２上に相変化材料層４
を形成して、読み出し光が照射されたときに、相変化材
料層４が読み出し光の走査スポット内で部分的に液相化
して反射率が変化する光ディスクにおいて、相変化材料
層４にＢｉＴｅ合金を用いて構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レーザ光照射により
情報の再生を行なう光ディスク、特に高密度記録に好適
な光ディスクに係わる。
情報の再生を行なう光ディスク、特に高密度記録に好適
な光ディスクに係わる。
【０００２】
【従来の技術】例えばディジタルオーディオディスク
（いわゆるコンパクトディスク）や、ビデオディスク等
の光ディスクは、予め情報信号に応じて位相ピットが形
成された透明基板上にアルミニウム反射膜を成膜し、そ
の上に保護膜等を形成することで構成されている。
（いわゆるコンパクトディスク）や、ビデオディスク等
の光ディスクは、予め情報信号に応じて位相ピットが形
成された透明基板上にアルミニウム反射膜を成膜し、そ
の上に保護膜等を形成することで構成されている。
【０００３】このような光ディスクでは、ディスク面に
読み出し光を照射して位相ピットの形成部での光の回折
による反射光量の大幅な減少を検出することによって信
号の読み出し即ち再生を行なうようにしている。
読み出し光を照射して位相ピットの形成部での光の回折
による反射光量の大幅な減少を検出することによって信
号の読み出し即ち再生を行なうようにしている。
【０００４】ところで、上述のような光ディスクにおい
て、信号再生の分解能は、ほとんど再生光学系の光源の
波長λと対物レンズの開口数ＮＡで決まり、空間周波数
２ＮＡ／λが再生限界となる。
て、信号再生の分解能は、ほとんど再生光学系の光源の
波長λと対物レンズの開口数ＮＡで決まり、空間周波数
２ＮＡ／λが再生限界となる。
【０００５】そのため、このような光ディスクにおいて
高密度化を実現するためには、再生光学系の光源、例え
ば半導体レーザの波長λを短くすること、あるいは対物
レンズの開口数ＮＡを大きくすることが必要となる。
高密度化を実現するためには、再生光学系の光源、例え
ば半導体レーザの波長λを短くすること、あるいは対物
レンズの開口数ＮＡを大きくすることが必要となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光源の
波長λや対物レンズの開口数ＮＡの改善には自ずと限界
があり、これによって記録密度を飛躍的に高めることは
難しいのが実情である。そこで本出願人は、読み出し光
の走査スポット内の部分的相変化による反射率変化を利
用することで、上述した波長λや開口数ＮＡによる制限
以上の解像度を得ることができる光ディスクを提案した
（特開平３−２９２６３２号、特願平３−２４９５１１
号参照）。
波長λや対物レンズの開口数ＮＡの改善には自ずと限界
があり、これによって記録密度を飛躍的に高めることは
難しいのが実情である。そこで本出願人は、読み出し光
の走査スポット内の部分的相変化による反射率変化を利
用することで、上述した波長λや開口数ＮＡによる制限
以上の解像度を得ることができる光ディスクを提案した
（特開平３−２９２６３２号、特願平３−２４９５１１
号参照）。
【０００７】これら出願に係わる発明は、読み出し光の
レーザスポット内の部分的相変化により反射率を変化さ
せ超解像再生を行うようにした光ディスクあるいはその
再生方式に係わるものである。
レーザスポット内の部分的相変化により反射率を変化さ
せ超解像再生を行うようにした光ディスクあるいはその
再生方式に係わるものである。
【０００８】本発明においては、このように再生レーザ
光スポット内の部分的相変化による反射率変化を利用し
た超解像再生方式を採り、反射率変化を生ずる相変化材
料層の材料及び組成の最適化をはかることによって、目
的とする読み出し位相ピットと他部との反射率差をより
顕著にして安定確実に高Ｃ／Ｎ（キャリア／ノイズ比）
または高Ｓ／Ｎ（サウンド／ノイズ比）をもって超解像
再生を行うことができるようにした光ディスクを提供す
る。
光スポット内の部分的相変化による反射率変化を利用し
た超解像再生方式を採り、反射率変化を生ずる相変化材
料層の材料及び組成の最適化をはかることによって、目
的とする読み出し位相ピットと他部との反射率差をより
顕著にして安定確実に高Ｃ／Ｎ（キャリア／ノイズ比）
または高Ｓ／Ｎ（サウンド／ノイズ比）をもって超解像
再生を行うことができるようにした光ディスクを提供す
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１にその要
部の概略的拡大断面図を示すように、情報信号に応じて
光学的に読み出し可能な位相ピット１が形成された透明
基板２上に相変化材料層４が形成されて成り、読み出し
光が照射されたときに、この相変化材料層４が読み出し
光の走査スポット内で部分的に液相化して反射率が変化
する光ディスクにおいて、相変化材料層４にＢｉＴｅ合
金を用いて構成する。
部の概略的拡大断面図を示すように、情報信号に応じて
光学的に読み出し可能な位相ピット１が形成された透明
基板２上に相変化材料層４が形成されて成り、読み出し
光が照射されたときに、この相変化材料層４が読み出し
光の走査スポット内で部分的に液相化して反射率が変化
する光ディスクにおいて、相変化材料層４にＢｉＴｅ合
金を用いて構成する。
【００１０】また本発明は、上述の構成による光ディス
クにおいて、ＢｉとＴｅの組成比を、１：１から１：３
の範囲に選定して構成する。
クにおいて、ＢｉとＴｅの組成比を、１：１から１：３
の範囲に選定して構成する。
【００１１】
【作用】本発明による光ディスクは、 位相ピット１が
形成された透明基板２上に溶融後反射率変化し得るＢｉ
Ｔｅ合金を用いた相変化材料層４が形成されてなり、読
み出し光が照射されたときに相変化材料層４が読み出し
光の走査スポット内の特に高温部分において部分的に液
相化して反射率が変化し、読み出し後温度が低下した状
態で反射率が初期状態に戻る構成とするものであり、記
録密度の向上をはかると共に、目的とする読み出し位相
ピットと他部との反射率差をより顕著にすることができ
て、より安定確実に高Ｃ／Ｎまたは高Ｓ／Ｎをもって超
解像再生を行うことができる。
形成された透明基板２上に溶融後反射率変化し得るＢｉ
Ｔｅ合金を用いた相変化材料層４が形成されてなり、読
み出し光が照射されたときに相変化材料層４が読み出し
光の走査スポット内の特に高温部分において部分的に液
相化して反射率が変化し、読み出し後温度が低下した状
態で反射率が初期状態に戻る構成とするものであり、記
録密度の向上をはかると共に、目的とする読み出し位相
ピットと他部との反射率差をより顕著にすることができ
て、より安定確実に高Ｃ／Ｎまたは高Ｓ／Ｎをもって超
解像再生を行うことができる。
【００１２】即ちその位相ピット１による記録の再生に
当たっては、読み出し光の走査スポット内での温度分布
を利用して、つまりスポット内に生じる高温領域で部分
的に相変化材料層４に液相状態を発生させて例えば此処
における反射率が著しく増加するようにして例えばこの
液相状態部分にある位相ピットについては、例えば回折
による読み出しを可能とすることができる。
当たっては、読み出し光の走査スポット内での温度分布
を利用して、つまりスポット内に生じる高温領域で部分
的に相変化材料層４に液相状態を発生させて例えば此処
における反射率が著しく増加するようにして例えばこの
液相状態部分にある位相ピットについては、例えば回折
による読み出しを可能とすることができる。
【００１３】つまり、読み出し光スポット内において位
相スポットを光学的に出現させる領域を部分的に形成し
てこのスポット内に存在する複数の位相ピットのうち
の、例えば１の位相ピットのみを読み出すことができ、
λ／２ＮＡに制約されない超解像再生を行なうことがで
きる。
相スポットを光学的に出現させる領域を部分的に形成し
てこのスポット内に存在する複数の位相ピットのうち
の、例えば１の位相ピットのみを読み出すことができ、
λ／２ＮＡに制約されない超解像再生を行なうことがで
きる。
【００１４】そして特にその材料としてＢｉＴｅ合金の
組成を適切に選定することによって、Ｃ／ＮまたはＳ／
Ｎをより安定確実に向上させることができる。即ちＢｉ
とＴｅの材料組成比を１：１から１：３の範囲に選定す
ることによって、格段にＣ／ＮまたはＳ／Ｎの向上をは
かることができる。
組成を適切に選定することによって、Ｃ／ＮまたはＳ／
Ｎをより安定確実に向上させることができる。即ちＢｉ
とＴｅの材料組成比を１：１から１：３の範囲に選定す
ることによって、格段にＣ／ＮまたはＳ／Ｎの向上をは
かることができる。
【００１５】
【実施例】本発明は、図１にその一例のいわば基本的構
成における例を示すように、位相ピット１が形成された
透明基板２上に、溶融後初期状態に戻り得る相変化材料
層４を形成する。
成における例を示すように、位相ピット１が形成された
透明基板２上に、溶融後初期状態に戻り得る相変化材料
層４を形成する。
【００１６】そして、読み出し光、例えばレーザ光がこ
の材料層４に照射されたときに、この相変化材料層４の
読み出し光の走査スポット内で部分的に液相状態となり
反射率が増加すると共に読み出し後の常態で初期状態の
反射率に戻るようにする。
の材料層４に照射されたときに、この相変化材料層４の
読み出し光の走査スポット内で部分的に液相状態となり
反射率が増加すると共に読み出し後の常態で初期状態の
反射率に戻るようにする。
【００１７】図１に示した例においては、透明基板２上
に直接的に相変化材料層４を形成するようにした場合で
あるが、例えば図２にその要部の略線的拡大断面図を示
すように、位相ピット１を有する透明基板２上に、第１
の誘電体層３を介して相変化材料層４が形成され、更に
これの上に第２の誘電体層５が形成され、これの上に反
射膜６、更にこの上に第３の誘電体層７が形成され、更
にある場合はこの上に保護膜（図示せず）が形成されて
なり、第１及び第２の誘電体層３及び５によって光学特
性例えば反射率等の設定がなされる構成とすることがで
きる。また、第３の誘電体層７によって積層膜の機械強
度が向上し、繰り返し読み出し耐久性が向上する。
に直接的に相変化材料層４を形成するようにした場合で
あるが、例えば図２にその要部の略線的拡大断面図を示
すように、位相ピット１を有する透明基板２上に、第１
の誘電体層３を介して相変化材料層４が形成され、更に
これの上に第２の誘電体層５が形成され、これの上に反
射膜６、更にこの上に第３の誘電体層７が形成され、更
にある場合はこの上に保護膜（図示せず）が形成されて
なり、第１及び第２の誘電体層３及び５によって光学特
性例えば反射率等の設定がなされる構成とすることがで
きる。また、第３の誘電体層７によって積層膜の機械強
度が向上し、繰り返し読み出し耐久性が向上する。
【００１８】実施例１ この例においては、図２で説明した構成を採った場合
で、透明基板２として、ガラス２Ｐ基板を使用した。こ
こでいう２Ｐとは、フォトポリマー法のことである。
で、透明基板２として、ガラス２Ｐ基板を使用した。こ
こでいう２Ｐとは、フォトポリマー法のことである。
【００１９】そして、本例においては、トラックピッチ
Ｐ＝１．６μｍ、ピット深さ約１２０ｎｍ、ピット長
０．３μｍ（繰り返し周期０．６μｍ）の設定条件で形
成した。
Ｐ＝１．６μｍ、ピット深さ約１２０ｎｍ、ピット長
０．３μｍ（繰り返し周期０．６μｍ）の設定条件で形
成した。
【００２０】そしてこのピット１を有する透明基板２の
一主面に厚さ１３６ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 よりなる第
１の誘電体層３を被着形成し、これの上に厚さ３４ｎｍ
のＢｉ2 Ｔｅ3 合金よりなる相変化材料層４を被着形成
した。更にこれの上に厚さ１１６ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ
2 による第２の誘電体層５を被着形成した。更にこれの
上にＡｌＴｉ反射膜６を２００ｎｍの厚さに被着形成
し、更にこれの上に厚さ１５０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2
による第３の誘電体層７を被着形成した。
一主面に厚さ１３６ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 よりなる第
１の誘電体層３を被着形成し、これの上に厚さ３４ｎｍ
のＢｉ2 Ｔｅ3 合金よりなる相変化材料層４を被着形成
した。更にこれの上に厚さ１１６ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ
2 による第２の誘電体層５を被着形成した。更にこれの
上にＡｌＴｉ反射膜６を２００ｎｍの厚さに被着形成
し、更にこれの上に厚さ１５０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2
による第３の誘電体層７を被着形成した。
【００２１】このように形成された光ディスクに対し
て、再生パワーを１０ｍＷに設定して線速を３．７ｍ／
ｓから徐々に上げていったときのＣ／Ｎの値を図３に示
した。その再生を行なって信号部分を再生したところ、
信号のＣ／Ｎは４５ｄＢであった。
て、再生パワーを１０ｍＷに設定して線速を３．７ｍ／
ｓから徐々に上げていったときのＣ／Ｎの値を図３に示
した。その再生を行なって信号部分を再生したところ、
信号のＣ／Ｎは４５ｄＢであった。
【００２２】実施例２ この例においても上述の実施例１と同様に図２で説明し
た構成を採った場合で、実施例１と同様の材料の透明基
板２を構成し、また同様の形状のピット１を形成して構
成した。
た構成を採った場合で、実施例１と同様の材料の透明基
板２を構成し、また同様の形状のピット１を形成して構
成した。
【００２３】そしてこのピット１を有する透明基板２の
一主面に厚さ１４６ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 よりなる第
１の誘電体層３を被着形成し、これの上に厚さ１７ｎｍ
のＢｉ2 Ｔｅ3 合金よりなる相変化材料層４を被着形成
した。更にこれの上に厚さ１４０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ
2 による第２の誘電体層５を被着形成した。更にこれの
上にＡｌＴｉ反射膜６を２００ｎｍの厚さに被着形成
し、更にこれの上に厚さ１５０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2
による第３の誘電体層７を被着形成した。
一主面に厚さ１４６ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 よりなる第
１の誘電体層３を被着形成し、これの上に厚さ１７ｎｍ
のＢｉ2 Ｔｅ3 合金よりなる相変化材料層４を被着形成
した。更にこれの上に厚さ１４０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ
2 による第２の誘電体層５を被着形成した。更にこれの
上にＡｌＴｉ反射膜６を２００ｎｍの厚さに被着形成
し、更にこれの上に厚さ１５０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2
による第３の誘電体層７を被着形成した。
【００２４】このように形成された光ディスクに対し
て、再生パワーを１０ｍＷに設定して線速を３．７ｍ／
ｓから徐々に上げていったときのＣ／Ｎの値を図４に示
した。その再生を行なっての信号部分を再生したところ
その信号のＣ／Ｎは４０ｄＢであった。
て、再生パワーを１０ｍＷに設定して線速を３．７ｍ／
ｓから徐々に上げていったときのＣ／Ｎの値を図４に示
した。その再生を行なっての信号部分を再生したところ
その信号のＣ／Ｎは４０ｄＢであった。
【００２５】比較例１ この例においては、相変化材料層４にＢｉ2 Ｔｅ合金を
用いた以外は上述の実施例１と同様の構成とした。この
ように形成された光ディスクに対して、再生パワーを１
０ｍＷに設定して線速を３．７ｍ／ｓから徐々に上げて
いったが、信号の再生はできなかった。
用いた以外は上述の実施例１と同様の構成とした。この
ように形成された光ディスクに対して、再生パワーを１
０ｍＷに設定して線速を３．７ｍ／ｓから徐々に上げて
いったが、信号の再生はできなかった。
【００２６】比較例２ この例においては、相変化材料層４にＢｉＴｅ4 合金を
用いた以外は上述の実施例１と同様の構成とした。この
ように形成された光ディスクに対して、再生パワーを１
０ｍＷに設定して線速を３．７ｍ／ｓから徐々に上げて
いったが、信号の再生はできなかった。
用いた以外は上述の実施例１と同様の構成とした。この
ように形成された光ディスクに対して、再生パワーを１
０ｍＷに設定して線速を３．７ｍ／ｓから徐々に上げて
いったが、信号の再生はできなかった。
【００２７】これらの結果からわかるように、相変化材
料層４として、Ｂｉ、Ｔｅの組成比が２：１、１：４の
場合は再生出力が十分得られず、実用に供しない。従っ
て本発明においてはその組成比を１：１〜１：３に選定
するものである。そして特に本実施例においては、その
組成比を２：３と選定することによって、高いＣ／Ｎを
得ることができた。従ってＢｉ及びＴｅの組成比はほぼ
２：３に選定することが望ましい。
料層４として、Ｂｉ、Ｔｅの組成比が２：１、１：４の
場合は再生出力が十分得られず、実用に供しない。従っ
て本発明においてはその組成比を１：１〜１：３に選定
するものである。そして特に本実施例においては、その
組成比を２：３と選定することによって、高いＣ／Ｎを
得ることができた。従ってＢｉ及びＴｅの組成比はほぼ
２：３に選定することが望ましい。
【００２８】尚、透明基板２の材料としては、アクリル
系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ガラス等を用いること
ができる。
系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ガラス等を用いること
ができる。
【００２９】また、誘電体層３及び５としては、Ａｌ、
Ｓｉ等金属及び半導体元素の窒化物、酸化物、硫化物が
あげられ、これらの化合物で半導体レーザ波長領域にお
いて吸収の無いものならば何でもよい。
Ｓｉ等金属及び半導体元素の窒化物、酸化物、硫化物が
あげられ、これらの化合物で半導体レーザ波長領域にお
いて吸収の無いものならば何でもよい。
【００３０】更に、反射膜６としては、反射率及び熱伝
導率の良好な金属ならばなんでもよく、Ａｌ、Ａｕ、Ｔ
ｉ、Ａｇ、Ｃｕ等が使用され、これらの元素に小量の添
加物が添加されたものであっても差し支えない。
導率の良好な金属ならばなんでもよく、Ａｌ、Ａｕ、Ｔ
ｉ、Ａｇ、Ｃｕ等が使用され、これらの元素に小量の添
加物が添加されたものであっても差し支えない。
【００３１】そして、本発明による光ディスクは、その
再生に当たってその読み出し光の走査スポット内での温
度分布を利用して、そのスポット内に生じる高温領域で
部分的に相変化材料層４に液相状態を発生させて例えば
此処における反射率が著しく増加するようにして例えば
この液相状態部分にある位相ピットについては、例えば
回折による読み出しが超解像をもって再生可能となる。
再生に当たってその読み出し光の走査スポット内での温
度分布を利用して、そのスポット内に生じる高温領域で
部分的に相変化材料層４に液相状態を発生させて例えば
此処における反射率が著しく増加するようにして例えば
この液相状態部分にある位相ピットについては、例えば
回折による読み出しが超解像をもって再生可能となる。
【００３２】すなわち、本発明による光ディスクにレー
ザスポットを照射した場合を図５を参照して説明する。
図５において横軸はスポットの走査方向に関する位置を
示したもので、今光ディスクにレーザの照射によるレー
ザ光スポットＬが照射された状態についてみると、この
場合その光強度は同図中波線Ａの分布を示す。これに対
応して相変化材料層４に生じる温度分布は、レーザスポ
ットＬの走査速度に対応して僅かに矢印Ｃで示すスポッ
トＬの走査方向に対し遅れた同図中実線Ｂの温度分布を
示し、これに対応した反射率分布が得られる。
ザスポットを照射した場合を図５を参照して説明する。
図５において横軸はスポットの走査方向に関する位置を
示したもので、今光ディスクにレーザの照射によるレー
ザ光スポットＬが照射された状態についてみると、この
場合その光強度は同図中波線Ａの分布を示す。これに対
応して相変化材料層４に生じる温度分布は、レーザスポ
ットＬの走査速度に対応して僅かに矢印Ｃで示すスポッ
トＬの走査方向に対し遅れた同図中実線Ｂの温度分布を
示し、これに対応した反射率分布が得られる。
【００３３】此処で上述したようにレーザスポットＬ
が、同図中矢印Ｃで示す方向に走査されているとする
と、光ディスクは、レーザスポットＬの走行方向の先端
側から次第に温度が上昇し次に相変化材料層４の融点Ｍ
Ｐ以上の温度となる。この段階で相変化材料層４は初期
の結晶状態から溶融状態になり、この溶融状態への移行
によって反射率が増加する。つまりレーザ光スポットＬ
内では、図中斜線を付して示した反射率が高い、即ち位
相ピット１の読み出しが可能な領域Ｐｘと、反射率が低
い領域Ｐｚとが存在する。
が、同図中矢印Ｃで示す方向に走査されているとする
と、光ディスクは、レーザスポットＬの走行方向の先端
側から次第に温度が上昇し次に相変化材料層４の融点Ｍ
Ｐ以上の温度となる。この段階で相変化材料層４は初期
の結晶状態から溶融状態になり、この溶融状態への移行
によって反射率が増加する。つまりレーザ光スポットＬ
内では、図中斜線を付して示した反射率が高い、即ち位
相ピット１の読み出しが可能な領域Ｐｘと、反射率が低
い領域Ｐｚとが存在する。
【００３４】従ってこの場合、図示のように同一スポッ
トＬ内に例えば２つの位相ピット１が存在している場合
においても、反射率が大なる領域Ｐｘに存在する１つの
位相ピット１に関してのみその読み出しを行なうことが
でき、他の位相ピットに関してはこれが反射率がきわめ
て低い領域Ｐｚにあってこれの読み出しがなされない。
このように同一スポットＬ内に複数の位相ピット１が存
在しても、単一の位相ピット１に関してのみその読み出
しを行なうことができることから、レンズ系の開口数Ｎ
Ａ、読み出し光の波長λに制限されることなく超解像再
生が可能となる。
トＬ内に例えば２つの位相ピット１が存在している場合
においても、反射率が大なる領域Ｐｘに存在する１つの
位相ピット１に関してのみその読み出しを行なうことが
でき、他の位相ピットに関してはこれが反射率がきわめ
て低い領域Ｐｚにあってこれの読み出しがなされない。
このように同一スポットＬ内に複数の位相ピット１が存
在しても、単一の位相ピット１に関してのみその読み出
しを行なうことができることから、レンズ系の開口数Ｎ
Ａ、読み出し光の波長λに制限されることなく超解像再
生が可能となる。
【００３５】一方、従来の相変化による反射率変化のみ
による光記録方式を採る場合、ＢｉＴｅ共晶合金を相変
化材料層として用いることが例えば特開平６２−２００
５４４号公開公報に報告されている。しかしながらこの
場合においては記録ピット部をアモルファス化して情報
の記録再生を行うものであって、長期間にわたり安定し
たアモルファス状態を得ることを目的としており、例え
ばＢｉとＴｅとの組成比は１５：８５（≒１：５．７）
程度とされている。
による光記録方式を採る場合、ＢｉＴｅ共晶合金を相変
化材料層として用いることが例えば特開平６２−２００
５４４号公開公報に報告されている。しかしながらこの
場合においては記録ピット部をアモルファス化して情報
の記録再生を行うものであって、長期間にわたり安定し
たアモルファス状態を得ることを目的としており、例え
ばＢｉとＴｅとの組成比は１５：８５（≒１：５．７）
程度とされている。
【００３６】この構成をそのまま本発明に適用して超解
像再生を行った場合、上述の比較例２から、良好な再生
出力が得られないことが予想される。
像再生を行った場合、上述の比較例２から、良好な再生
出力が得られないことが予想される。
【００３７】これに対し本発明は、上述したように超解
像再生を行う場合において、その再生特性の向上をはか
るためにＢｉＴｅ合金が有用であり、且つその組成比を
特に１：１〜１：３の範囲とすることによって、より安
定確実に再生特性の向上をはかることができるようにし
たものである。
像再生を行う場合において、その再生特性の向上をはか
るためにＢｉＴｅ合金が有用であり、且つその組成比を
特に１：１〜１：３の範囲とすることによって、より安
定確実に再生特性の向上をはかることができるようにし
たものである。
【００３８】尚、上述の実施例においては、透明基板２
上に位相ピット１を形成するものであるが、この発明は
その他の光学的に読み出し可能な記録ピットを形成する
ものにも適用できる。またその材料構成においても、種
々の変形変更が可能であることはいうまでもない。
上に位相ピット１を形成するものであるが、この発明は
その他の光学的に読み出し可能な記録ピットを形成する
ものにも適用できる。またその材料構成においても、種
々の変形変更が可能であることはいうまでもない。
【００３９】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、その読
み出し光スポット内の温度分布の差によって反射率の差
を生じさせて、光スポット内の特定の位相ピットに関し
てのみ読み出しがなされるようにして超解像再生を行な
うことができると共に、特に相変化材料にＢｉＴｅ合金
を用いることによりＣ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）の高い再生を行な
うことができる記録密度の高い光ディスクとなる。
み出し光スポット内の温度分布の差によって反射率の差
を生じさせて、光スポット内の特定の位相ピットに関し
てのみ読み出しがなされるようにして超解像再生を行な
うことができると共に、特に相変化材料にＢｉＴｅ合金
を用いることによりＣ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）の高い再生を行な
うことができる記録密度の高い光ディスクとなる。
【００４０】また、ＢｉとＴｅの組成比を１：１から
１：３とし、特にほぼ２：３の組成とすることによっ
て、安定確実に高Ｃ／Ｎ又は高Ｓ／Ｎをもって超解像再
生を行うことができる。
１：３とし、特にほぼ２：３の組成とすることによっ
て、安定確実に高Ｃ／Ｎ又は高Ｓ／Ｎをもって超解像再
生を行うことができる。
【図１】本発明の基本的構成を示す要部概略断面図であ
る。
る。
【図２】本発明実施例の構成を示す要部概略断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の第１実施例の説明に供する線速とＣ／
Ｎの関係を示す図である。
Ｎの関係を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例の説明に供する線速とＣ／
Ｎの関係を示す図である。
Ｎの関係を示す図である。
【図５】光スポットと光ディスクの温度分布との関係を
示す図である。
示す図である。
１ 位相ピット ２ 透明基板 ３ 第１の誘電体層 ４ 相変化材料層 ５ 第２の誘電体層 ６ 反射膜 ７ 第３の誘電体層
フロントページの続き (72)発明者 小野 真澄 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 情報信号に応じて光学的に読み出し可能
な位相ピットが形成された透明基板上に相変化材料層が
形成されて成り、読み出し光が照射されたときに、上記
相変化材料層が読み出し光の走査スポット内で部分的に
液相化して反射率が変化する光ディスクにおいて、 上記相変化材料層にＢｉＴｅ合金を用いて成ることを特
徴とする光ディスク。 - 【請求項２】 上記請求項１に記載の光ディスクにおい
て、 ＢｉとＴｅの組成比が、１：１から１：３の範囲に選定
されることを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4340473A JPH06183152A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4340473A JPH06183152A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06183152A true JPH06183152A (ja) | 1994-07-05 |
Family
ID=18337301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4340473A Pending JPH06183152A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06183152A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6901036B2 (en) | 2000-09-04 | 2005-05-31 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method and apparatus for reproducing an optical signal |
| US7830766B2 (en) | 2006-03-14 | 2010-11-09 | Ricoh Company, Ltd. | Data reproduction method and apparatus, disk, and recording/reproduction apparatus, using PRML method |
-
1992
- 1992-12-21 JP JP4340473A patent/JPH06183152A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6901036B2 (en) | 2000-09-04 | 2005-05-31 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method and apparatus for reproducing an optical signal |
| US7830766B2 (en) | 2006-03-14 | 2010-11-09 | Ricoh Company, Ltd. | Data reproduction method and apparatus, disk, and recording/reproduction apparatus, using PRML method |
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