JPH05205326A - 光ディスク用基板の製造方法 - Google Patents
光ディスク用基板の製造方法Info
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- JPH05205326A JPH05205326A JP4146015A JP14601592A JPH05205326A JP H05205326 A JPH05205326 A JP H05205326A JP 4146015 A JP4146015 A JP 4146015A JP 14601592 A JP14601592 A JP 14601592A JP H05205326 A JPH05205326 A JP H05205326A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】（ａ）荷重５ｋｇ、温度２６０℃において、AS
TM D 1238 に準拠して測定されたメルトフローレイト
（ＭＦＲ）が、２４０〜１２００ｇ／１０分であり、か
つ（ｂ）ＤＳＣによる融点が２３４〜２４０℃である、
4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペンテン
共重合体のペレットを、シリンダの少なくとも一部の温
度が３２０〜３７０℃、金型温度が５５℃以下で射出成
形する光ディスク用基板の製造方法。 【効果】 転写性に優れる4-メチル-1-ペンテン重合体
または4-メチル-1-ペンテン共重合体からなる光ディス
ク用基板の製造方法を提供することができる。
TM D 1238 に準拠して測定されたメルトフローレイト
（ＭＦＲ）が、２４０〜１２００ｇ／１０分であり、か
つ（ｂ）ＤＳＣによる融点が２３４〜２４０℃である、
4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペンテン
共重合体のペレットを、シリンダの少なくとも一部の温
度が３２０〜３７０℃、金型温度が５５℃以下で射出成
形する光ディスク用基板の製造方法。 【効果】 転写性に優れる4-メチル-1-ペンテン重合体
または4-メチル-1-ペンテン共重合体からなる光ディス
ク用基板の製造方法を提供することができる。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、光ディスク用基板の製造
方法に関し、さらに詳しくは転写性に優れた4-メチル-1
-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペンテン共重合体か
らなる光ディスク用基板の製造方法に関するものであ
る。
方法に関し、さらに詳しくは転写性に優れた4-メチル-1
-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペンテン共重合体か
らなる光ディスク用基板の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【発明の技術的背景】光ディスクは、記憶容量か大き
く、可搬性があるなどの特徴からＣＤ、ＬＤ、追記型光
ディスク、ＭＯディスクなどの録音、録画などの情報記
録分野において多く利用されている。
く、可搬性があるなどの特徴からＣＤ、ＬＤ、追記型光
ディスク、ＭＯディスクなどの録音、録画などの情報記
録分野において多く利用されている。
【０００３】光ディスクは、スタンパーを射出成形機の
金型に取り付け、射出成形を行い、表面にピットやトラ
ックが転写された光ディスク用基板を作成し、この基板
上に光記録層あるいは光記録層と反射層（金属層）さら
に保護層を形成するか、あるいは射出成形により基板を
成形すると同時に情報ピットを成形し、その上に反射層
さらに必要により保護層を形成することにより製造され
る。そして記録、再生感度の良好な光ディスクを得るた
めには、基板成型時にスタンパーの微細な凹凸を忠実に
再現させることが必要である。また、このような光ディ
スク用基板には、透明性に優れていること、複屈折が少
ないこと、成形時に歪みを生じないこと、寸法安定性に
優れ成形後に反りを生じないこと、金属の蒸着性や有機
膜のぬれ性に優れること、耐熱性、耐湿性に優れること
など様々な特性が要求される。
金型に取り付け、射出成形を行い、表面にピットやトラ
ックが転写された光ディスク用基板を作成し、この基板
上に光記録層あるいは光記録層と反射層（金属層）さら
に保護層を形成するか、あるいは射出成形により基板を
成形すると同時に情報ピットを成形し、その上に反射層
さらに必要により保護層を形成することにより製造され
る。そして記録、再生感度の良好な光ディスクを得るた
めには、基板成型時にスタンパーの微細な凹凸を忠実に
再現させることが必要である。また、このような光ディ
スク用基板には、透明性に優れていること、複屈折が少
ないこと、成形時に歪みを生じないこと、寸法安定性に
優れ成形後に反りを生じないこと、金属の蒸着性や有機
膜のぬれ性に優れること、耐熱性、耐湿性に優れること
など様々な特性が要求される。
【０００４】近年、光ディスクは記憶容量をさらに大き
くすることが求められており、同一径基板で記憶容量を
増大させるためには、トラックピッチやピットピッチを
狭くするなどして記録密度を高める必要がある。このよ
うな記録密度の高い光ディスクを製造するために、上記
特性を有するとともに転写性にさらに優れた基板成形方
法が求められている。
くすることが求められており、同一径基板で記憶容量を
増大させるためには、トラックピッチやピットピッチを
狭くするなどして記録密度を高める必要がある。このよ
うな記録密度の高い光ディスクを製造するために、上記
特性を有するとともに転写性にさらに優れた基板成形方
法が求められている。
【０００５】
【発明の目的】本発明は上記のような従来技術に鑑みて
なされたものであり、4-メチル-1-ペンテン重合体また
は4-メチル-1-ペンテン共重合体からなり、転写性に優
れかつ反りの少ない光ディスク用基板の製造方法を提供
することを目的としている。
なされたものであり、4-メチル-1-ペンテン重合体また
は4-メチル-1-ペンテン共重合体からなり、転写性に優
れかつ反りの少ない光ディスク用基板の製造方法を提供
することを目的としている。
【０００６】
【発明の概要】本発明に係る光ディスク用基板の製造方
法は、（ａ）荷重５ｋｇ、温度２６０℃において、ASTM
D 1238 に準拠して測定されたメルトフローレイト（Ｍ
ＦＲ）が、２４０〜１２００ｇ／１０分であり、かつ
（ｂ）ＤＳＣによる融点が２３４〜２４０℃である4-メ
チル-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペンテン共重
合体のペレットを、シリンダの少なくとも一部の温度が
３２０〜３７０℃、金型温度が５５℃以下で射出成形す
ることを特徴としている。
法は、（ａ）荷重５ｋｇ、温度２６０℃において、ASTM
D 1238 に準拠して測定されたメルトフローレイト（Ｍ
ＦＲ）が、２４０〜１２００ｇ／１０分であり、かつ
（ｂ）ＤＳＣによる融点が２３４〜２４０℃である4-メ
チル-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペンテン共重
合体のペレットを、シリンダの少なくとも一部の温度が
３２０〜３７０℃、金型温度が５５℃以下で射出成形す
ることを特徴としている。
【０００７】このような光ディスク用基板を構成する重
合体の中では、4-メチル-1-ペンテン単独重合体また
は、4-メチル-1-ペンテンから誘導される繰り返し単位
が９４〜９９.５重量％であり、α-オレフィン（好まし
くは炭素数４〜２４のα-オレフィン）から誘導される
繰り返し単位が６〜０.５重量％からなる4-メチル-1-ペ
ンテン／α-オレフィン共重合体であることが特に好ま
しい。
合体の中では、4-メチル-1-ペンテン単独重合体また
は、4-メチル-1-ペンテンから誘導される繰り返し単位
が９４〜９９.５重量％であり、α-オレフィン（好まし
くは炭素数４〜２４のα-オレフィン）から誘導される
繰り返し単位が６〜０.５重量％からなる4-メチル-1-ペ
ンテン／α-オレフィン共重合体であることが特に好ま
しい。
【０００８】
【発明の具体的説明】以下、本発明に係る光ディスク用
基板の製造方法について説明するが、まず本発明で用い
られる4-メチル-1-ペンテン重合体および4-メチル-1-ペ
ンテン共重合体について説明する。
基板の製造方法について説明するが、まず本発明で用い
られる4-メチル-1-ペンテン重合体および4-メチル-1-ペ
ンテン共重合体について説明する。
【０００９】本発明で用いられる基板用の樹脂は、4-メ
チル-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペンテン共重
合体であり、好ましくは4-メチル-1-ペンテン単独重合
体または、4-メチル-1-ペンテンとα-オレフィン（好ま
しくは炭素数４〜２４のα-オレフィン）との共重合
体、より好ましくは4-メチル-1-ペンテンから誘導され
る繰り返し単位を９４重量％以上含む4-メチル-1-ペン
テンと炭素数４〜２４のα-オレフィンとの共重合体で
あるが、本発明の目的である転写性の優れた光ディスク
用基板を得るためには、4-メチル-1-ペンテンから誘導
される繰り返し単位が９４〜９９.５重量％、特に好ま
しくは９６〜９９.５重量％であり、炭素数４〜２４の
α-オレフィンから誘導される繰り返し単位が６〜０.５
重量％、特に好ましくは４〜０.５重量％からなる4-メ
チル-1-ペンテン／α-オレフィン共重合体が望ましい。
チル-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペンテン共重
合体であり、好ましくは4-メチル-1-ペンテン単独重合
体または、4-メチル-1-ペンテンとα-オレフィン（好ま
しくは炭素数４〜２４のα-オレフィン）との共重合
体、より好ましくは4-メチル-1-ペンテンから誘導され
る繰り返し単位を９４重量％以上含む4-メチル-1-ペン
テンと炭素数４〜２４のα-オレフィンとの共重合体で
あるが、本発明の目的である転写性の優れた光ディスク
用基板を得るためには、4-メチル-1-ペンテンから誘導
される繰り返し単位が９４〜９９.５重量％、特に好ま
しくは９６〜９９.５重量％であり、炭素数４〜２４の
α-オレフィンから誘導される繰り返し単位が６〜０.５
重量％、特に好ましくは４〜０.５重量％からなる4-メ
チル-1-ペンテン／α-オレフィン共重合体が望ましい。
【００１０】本発明において4-メチル-1-ペンテン重合
体とは、4-メチル-1-ペンテン単独重合体および、4-メ
チル-1-ペンテンと少量のα-オレフィン以外のモノマー
との共重合体を意味する。また、本発明において4-メチ
ル-1-ペンテン共重合体（4-メチル-1-ペンテン／α-オ
レフィン共重合体）とは、4-メチル-1-ペンテンとα-オ
レフィンとの共重合体および、4-メチル-1-ペンテンと
α-オレフィンと少量のα-オレフィン以外のモノマーと
の共重合体を意味する。
体とは、4-メチル-1-ペンテン単独重合体および、4-メ
チル-1-ペンテンと少量のα-オレフィン以外のモノマー
との共重合体を意味する。また、本発明において4-メチ
ル-1-ペンテン共重合体（4-メチル-1-ペンテン／α-オ
レフィン共重合体）とは、4-メチル-1-ペンテンとα-オ
レフィンとの共重合体および、4-メチル-1-ペンテンと
α-オレフィンと少量のα-オレフィン以外のモノマーと
の共重合体を意味する。
【００１１】上記のα-オレフィン以外のモノマーとし
ては、例えば、ブタジエン、ジシクロペンタジエン、エ
チリデンノルボルネン、メチルアクリレート、メチルメ
タクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレ
ートなどが挙げられる。
ては、例えば、ブタジエン、ジシクロペンタジエン、エ
チリデンノルボルネン、メチルアクリレート、メチルメ
タクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレ
ートなどが挙げられる。
【００１２】4-メチル-1-ペンテンとの共重合に用いら
れるα-オレフィンとしては、炭素数２以上のα-オレフ
ィンが用いられるが、本発明では特に炭素数４〜２４の
α-オレフィンが好ましく用いられる。炭素数２以上の
α-オレフィンとしては、エチレン、プロピレン、1-ブ
テン、1-ペンテン、1-ヘキセン、1-ヘプテン、1-オクテ
ン、1-デセン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1-オ
クタデセン、1-エイコセンなどが挙げられ、これらのう
ち炭素数４〜２４のα-オレフィンが好ましく、炭素数
６〜１８のα-オレフィンが更に好ましく、1-デセン、1
-ヘキサデセン、1-オクタデセンが最も好ましい。これ
らのα-オレフィンは単独で用いてもよく、２種以上組
み合わせて用いてもよい。
れるα-オレフィンとしては、炭素数２以上のα-オレフ
ィンが用いられるが、本発明では特に炭素数４〜２４の
α-オレフィンが好ましく用いられる。炭素数２以上の
α-オレフィンとしては、エチレン、プロピレン、1-ブ
テン、1-ペンテン、1-ヘキセン、1-ヘプテン、1-オクテ
ン、1-デセン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1-オ
クタデセン、1-エイコセンなどが挙げられ、これらのう
ち炭素数４〜２４のα-オレフィンが好ましく、炭素数
６〜１８のα-オレフィンが更に好ましく、1-デセン、1
-ヘキサデセン、1-オクタデセンが最も好ましい。これ
らのα-オレフィンは単独で用いてもよく、２種以上組
み合わせて用いてもよい。
【００１３】上記のような4-メチル-1-ペンテン重合体
または4-メチル-1-ペンテン共重合体は、たとえば従来
公知の以下のような触媒および方法を用いて製造され
る。（Ａ）高活性チタン触媒成分、（Ｂ）有機金属化合
物触媒成分、および（Ｃ）下記一般式で表される有機ケ
イ素化合物触媒成分 ＲnＳi（ＯＲ'）4-n （式中、ＲおよびＲ' は炭化水素基であり、０＜ｎ＜４
である。）から形成される重合用触媒の存在下に、約２
０〜１００℃の温度で、4-メチル-1-ペンテンを重合さ
せるか、または4-メチル-1-ペンテンと前記α-オレフィ
ンとを共重合させることによって得られる。この際に
は、例えば上記したα-オレフィン以外のモノマーを少
量共重合させてもよい。
または4-メチル-1-ペンテン共重合体は、たとえば従来
公知の以下のような触媒および方法を用いて製造され
る。（Ａ）高活性チタン触媒成分、（Ｂ）有機金属化合
物触媒成分、および（Ｃ）下記一般式で表される有機ケ
イ素化合物触媒成分 ＲnＳi（ＯＲ'）4-n （式中、ＲおよびＲ' は炭化水素基であり、０＜ｎ＜４
である。）から形成される重合用触媒の存在下に、約２
０〜１００℃の温度で、4-メチル-1-ペンテンを重合さ
せるか、または4-メチル-1-ペンテンと前記α-オレフィ
ンとを共重合させることによって得られる。この際に
は、例えば上記したα-オレフィン以外のモノマーを少
量共重合させてもよい。
【００１４】また本発明では、上記の4-メチル-1-ペン
テン重合体または4-メチル-1-ペンテン共重合体とし
て、4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペン
テン共重合体を、一部熱分解等により減成したものを用
いてもよい。また4-メチル-1-ペンテン重合体と4-メチ
ル-1-ペンテン共重合体とをブレンドした組成物を用い
ることもできる。
テン重合体または4-メチル-1-ペンテン共重合体とし
て、4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペン
テン共重合体を、一部熱分解等により減成したものを用
いてもよい。また4-メチル-1-ペンテン重合体と4-メチ
ル-1-ペンテン共重合体とをブレンドした組成物を用い
ることもできる。
【００１５】4-メチル-1-ペンテン重合体と4-メチル-1-
ペンテン共重合体とをブレンドする際には、4-メチル-1
-ペンテン重合体と4-メチル-1-ペンテン共重合体との合
計量に対し、4-メチル-1-ペンテン共重合体が０.５重量
％以上、好ましくは３０重量％以上、特に好ましくは４
０重量％以上の量で混合され、4-メチル-1-ペンテン重
合体が９９.５重量％以下、好ましくは７０重量％以
下、特に好ましくは６０重量％以下の量でブレンドする
ことが好ましい。
ペンテン共重合体とをブレンドする際には、4-メチル-1
-ペンテン重合体と4-メチル-1-ペンテン共重合体との合
計量に対し、4-メチル-1-ペンテン共重合体が０.５重量
％以上、好ましくは３０重量％以上、特に好ましくは４
０重量％以上の量で混合され、4-メチル-1-ペンテン重
合体が９９.５重量％以下、好ましくは７０重量％以
下、特に好ましくは６０重量％以下の量でブレンドする
ことが好ましい。
【００１６】このような本発明において用いる4-メチル
-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペンテン共重合体
（4-メチル-1-ペンテン／α-オレフィン共重合体）のペ
レットは、荷重５ｋｇ、温度２６０℃において、ASTM D
1238に準拠して測定されたメルトフローレイト（ＭＦ
Ｒ）が、２４０〜１２００ｇ／１０分、好ましくは２４
０〜１０００ｇ／１０分、より好ましくは３００〜９５
０ｇ／１０分、最も好ましくは３５０〜９００ｇ／１０
分の範囲であり、ＤＳＣによる融点が２３４〜２４０
℃、好ましくは２３５〜２３９℃の範囲にある。本発明
において用いる4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メ
チル-1-ペンテン共重合体の密度は０.８３０〜０.８３
５ｇ／ｃｍ3 、特に好ましくは０.８３１〜０.８３４ｇ
／ｃｍ3 の範囲であることが望ましい。また、本発明に
おいて用いる4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メチ
ル-1-ペンテン共重合体の数平均分子量（Ｍｎ）は１５
０００〜１０００００の範囲であることが望ましく、ゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ、溶
媒：o-ジクロルベンゼン、１４０℃、ポリスチレン換
算）で測定した分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２.３〜５.
０の範囲であることが望ましい。
-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペンテン共重合体
（4-メチル-1-ペンテン／α-オレフィン共重合体）のペ
レットは、荷重５ｋｇ、温度２６０℃において、ASTM D
1238に準拠して測定されたメルトフローレイト（ＭＦ
Ｒ）が、２４０〜１２００ｇ／１０分、好ましくは２４
０〜１０００ｇ／１０分、より好ましくは３００〜９５
０ｇ／１０分、最も好ましくは３５０〜９００ｇ／１０
分の範囲であり、ＤＳＣによる融点が２３４〜２４０
℃、好ましくは２３５〜２３９℃の範囲にある。本発明
において用いる4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メ
チル-1-ペンテン共重合体の密度は０.８３０〜０.８３
５ｇ／ｃｍ3 、特に好ましくは０.８３１〜０.８３４ｇ
／ｃｍ3 の範囲であることが望ましい。また、本発明に
おいて用いる4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メチ
ル-1-ペンテン共重合体の数平均分子量（Ｍｎ）は１５
０００〜１０００００の範囲であることが望ましく、ゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ、溶
媒：o-ジクロルベンゼン、１４０℃、ポリスチレン換
算）で測定した分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２.３〜５.
０の範囲であることが望ましい。
【００１７】なお、ＤＳＣによる融点は示差走査熱量計
を用いて以下の手順で行なう。すなわち、パーキンエル
マー社製ＤＳＣII型を使用し、試料約３ｍｇを４ｍｍ×
４ｍｍ、厚さ０.２ｍｍのアルミニウム板に巻回すこと
により試料の配向方法に拘束する。次いで、このアルミ
ニウム板に巻回した試料をアルミパンの中に封入し、こ
れを測定用試料とする。また、比較用試料であるリファ
レンスホルダに入れる通常空のアルミパンには、前記試
料に使用したものと同じアルミニウム板を封入し、両者
の熱バランスを取る。そして、試料を３０℃で約１分間
保持した後、１０℃／分の昇温速度で２５０℃まで昇温
する。この測定による最大吸熱ピーク位置を試料の融点
とする。
を用いて以下の手順で行なう。すなわち、パーキンエル
マー社製ＤＳＣII型を使用し、試料約３ｍｇを４ｍｍ×
４ｍｍ、厚さ０.２ｍｍのアルミニウム板に巻回すこと
により試料の配向方法に拘束する。次いで、このアルミ
ニウム板に巻回した試料をアルミパンの中に封入し、こ
れを測定用試料とする。また、比較用試料であるリファ
レンスホルダに入れる通常空のアルミパンには、前記試
料に使用したものと同じアルミニウム板を封入し、両者
の熱バランスを取る。そして、試料を３０℃で約１分間
保持した後、１０℃／分の昇温速度で２５０℃まで昇温
する。この測定による最大吸熱ピーク位置を試料の融点
とする。
【００１８】本発明により得られた4-メチル-1-ペンテ
ン重合体または4-メチル-1-ペンテン共重合体からなる
光ディスク基板は、その密度が０.８３０〜０.８３５ｇ
／ｃｍ 3 、好ましくは０.８３１〜０.８３４ｇ／ｃｍ3
であり、ASTM D 1238 に準拠して測定されたメルトフロ
ーレート（ＭＦＲ）が３００〜３０００ｇ／１０分、特
に好ましくは３５０〜２０００ｇ／１０分であることが
望ましい。また、本発明により得られた4-メチル-1-ペ
ンテン重合体または4-メチル-1-ペンテン共重合体から
なる光ディスク基板は、数平均分子量（Ｍｎ）が１００
００〜８００００であり、ゲルパーミエーションクロマ
トグラフィー（ＧＰＣ、溶媒：o-ジクロルベンゼン、１
４０℃、ポリスチレン換算）で測定した分子量分布（Ｍ
ｗ／Ｍｎ）が２〜５であることが望ましい。
ン重合体または4-メチル-1-ペンテン共重合体からなる
光ディスク基板は、その密度が０.８３０〜０.８３５ｇ
／ｃｍ 3 、好ましくは０.８３１〜０.８３４ｇ／ｃｍ3
であり、ASTM D 1238 に準拠して測定されたメルトフロ
ーレート（ＭＦＲ）が３００〜３０００ｇ／１０分、特
に好ましくは３５０〜２０００ｇ／１０分であることが
望ましい。また、本発明により得られた4-メチル-1-ペ
ンテン重合体または4-メチル-1-ペンテン共重合体から
なる光ディスク基板は、数平均分子量（Ｍｎ）が１００
００〜８００００であり、ゲルパーミエーションクロマ
トグラフィー（ＧＰＣ、溶媒：o-ジクロルベンゼン、１
４０℃、ポリスチレン換算）で測定した分子量分布（Ｍ
ｗ／Ｍｎ）が２〜５であることが望ましい。
【００１９】このような4-メチル-1-ペンテン重合体ま
たは4-メチル-1-ペンテン共重合体は耐熱性、透明性に
優れ、かつ溶融流動特性、精密成形加工性に優れ、しか
も成形加工時に歪みを生じ難いなどの特性を有してい
る。
たは4-メチル-1-ペンテン共重合体は耐熱性、透明性に
優れ、かつ溶融流動特性、精密成形加工性に優れ、しか
も成形加工時に歪みを生じ難いなどの特性を有してい
る。
【００２０】上記共重合体または組成物は、必要に応じ
て耐熱安定剤、耐候安定剤、塩酸吸収剤、帯電防止剤な
どの各種添加剤が配合されていてもよい。本発明では、
上記のような共重合体または組成物から光ディスク用基
板を成形する。
て耐熱安定剤、耐候安定剤、塩酸吸収剤、帯電防止剤な
どの各種添加剤が配合されていてもよい。本発明では、
上記のような共重合体または組成物から光ディスク用基
板を成形する。
【００２１】本発明に係る光ディスク用基板は、上記の
ような重合体または共重合体あるいは組成物を用いて、
シリンダの少なくとも一部の温度が、通常３２０〜３７
０℃、好ましくは３３０〜３５５℃、さらに好ましくは
３３０〜３５０℃、最も好ましくは３３５〜３５０℃、
金型温度が５５℃以下、好ましくは１０〜５０℃の条件
で射出成形する。
ような重合体または共重合体あるいは組成物を用いて、
シリンダの少なくとも一部の温度が、通常３２０〜３７
０℃、好ましくは３３０〜３５５℃、さらに好ましくは
３３０〜３５０℃、最も好ましくは３３５〜３５０℃、
金型温度が５５℃以下、好ましくは１０〜５０℃の条件
で射出成形する。
【００２２】また、射出成形の際の冷却時間は、好まし
くは５.０〜１１秒、より好ましくは６.０〜８.０秒で
あり、成形サイクルは、好ましくは１０.０〜１８.０
秒、より好ましくは１２.０〜１８.０秒、特に好ましく
は１３.０〜１５.０秒であることが望ましい。
くは５.０〜１１秒、より好ましくは６.０〜８.０秒で
あり、成形サイクルは、好ましくは１０.０〜１８.０
秒、より好ましくは１２.０〜１８.０秒、特に好ましく
は１３.０〜１５.０秒であることが望ましい。
【００２３】このようにして得られる光ディスク用基板
の厚さは、通常０.１〜５ｍｍ、好ましくは０.５〜１.
５ｍｍであることが望ましい。本発明により得られた光
ディスク用基板を用いて光ディスクを製造するには、例
えば基板上に、Ｆe-Ｃo-Ｔb 層、Ｆe-Ｃo-Ｇd 層などの
３ｄ遷移金属と希土類金属とを含む光磁気記録層、ある
いはＴe-Ｃ-Ｈ層、Ｔe-Ｃr 層などの追記型の光記録層
を形成し、その上に必要に応じて反射層、保護層を形成
するか、あるいは基板上に成形と同時に情報ピットを成
形し、その上に必要に応じて反射層、または反射層と保
護層を形成すればよい。（例えば、再生専用光ディス
ク）反射層としては特に制限はないがＡｌ、Ｃｒ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの金属からなる層あるいはこれらの
金属を含む合金からなる層などが例示さる。このような
反射層の層厚は５００〜１０００Å、より好ましくは８
００〜１０００Åであることが望ましい。
の厚さは、通常０.１〜５ｍｍ、好ましくは０.５〜１.
５ｍｍであることが望ましい。本発明により得られた光
ディスク用基板を用いて光ディスクを製造するには、例
えば基板上に、Ｆe-Ｃo-Ｔb 層、Ｆe-Ｃo-Ｇd 層などの
３ｄ遷移金属と希土類金属とを含む光磁気記録層、ある
いはＴe-Ｃ-Ｈ層、Ｔe-Ｃr 層などの追記型の光記録層
を形成し、その上に必要に応じて反射層、保護層を形成
するか、あるいは基板上に成形と同時に情報ピットを成
形し、その上に必要に応じて反射層、または反射層と保
護層を形成すればよい。（例えば、再生専用光ディス
ク）反射層としては特に制限はないがＡｌ、Ｃｒ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの金属からなる層あるいはこれらの
金属を含む合金からなる層などが例示さる。このような
反射層の層厚は５００〜１０００Å、より好ましくは８
００〜１０００Åであることが望ましい。
【００２４】また保護層としては紫外線硬化樹脂、エポ
キシ樹脂、メタクリル樹脂、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、炭
化硅素（ＳｉＣｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）など
からなる層が例示できる。このような保護層の層厚は３
〜７μｍ、より好ましくは５〜７μｍであることが望ま
しい。
キシ樹脂、メタクリル樹脂、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、炭
化硅素（ＳｉＣｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）など
からなる層が例示できる。このような保護層の層厚は３
〜７μｍ、より好ましくは５〜７μｍであることが望ま
しい。
【００２５】これらの記録層、反射層、保護層は例えば
蒸着法、スパッタリング法、スピンコート法など従来知
られた方法で形成することができる。本発明に係る光デ
ィスクの製造方法によれば、シリンダで高温に溶融され
た低粘度の4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メチル-
1-ペンテン共重合体が、短時間で低温に保持され金型に
充填されるため、グルーブ溝深さがディスク半径に拘ら
ず均一に深く入り、転写性が特に良好である。また、金
型温度が低い場合には成形サイクルを短くすることがで
きるので、生産性を向上させることができる。さらに、
樹脂のシリンダ内での滞留時間を短くすることができる
ので、4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペ
ンテン共重合体の熱劣化を防ぐことができ、しかも得ら
れる光ディスクは反りが生じ難く寸法安定性に優れてい
る。
蒸着法、スパッタリング法、スピンコート法など従来知
られた方法で形成することができる。本発明に係る光デ
ィスクの製造方法によれば、シリンダで高温に溶融され
た低粘度の4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メチル-
1-ペンテン共重合体が、短時間で低温に保持され金型に
充填されるため、グルーブ溝深さがディスク半径に拘ら
ず均一に深く入り、転写性が特に良好である。また、金
型温度が低い場合には成形サイクルを短くすることがで
きるので、生産性を向上させることができる。さらに、
樹脂のシリンダ内での滞留時間を短くすることができる
ので、4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペ
ンテン共重合体の熱劣化を防ぐことができ、しかも得ら
れる光ディスクは反りが生じ難く寸法安定性に優れてい
る。
【００２６】
【発明の効果】本発明に係る光ディスク用基板の製造方
法では、4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-
ペンテン共重合体、好適には4-メチル-1-ペンテン単独
重合体または4-メチル-1-ペンテンから誘導される繰り
返し単位が９４〜１００重量％、好ましくは９４〜９
９.５重量％、特に好ましくは９６〜９９.５重量％であ
り、炭素数４〜２４のα-オレフィンから誘導される繰
り返し単位が６〜０重量％、好ましくは６〜０.５重量
％、特に好ましくは４〜０.５重量％からなる4-メチル-
1-ペンテン共重合体であって、荷重５ｋｇ、温度２６０
℃において、ASTM D1238 に準拠して測定されたメルト
フローレイト（ＭＦＲ）が、２４０〜１２００ｇ／１０
分であり、ＤＳＣによる融点が２３４〜２４０℃である
4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペンテン
共重合体のペレットを原料樹脂ペレットとして用い、か
つ、シリンダの少なくとも一部の温度が３２０〜３７０
℃、金型温度５５℃以下で射出成形して形成するので、
得られた光ディスク基板はその転写性が特に良好であ
る。また、このような製造方法により成形された光ディ
スクの基板は、反りが生じ難く、寸法安定性、耐熱性に
優れ、しかもフローマークが発生せず、透明性に優れ、
複屈折が小さい。
法では、4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-
ペンテン共重合体、好適には4-メチル-1-ペンテン単独
重合体または4-メチル-1-ペンテンから誘導される繰り
返し単位が９４〜１００重量％、好ましくは９４〜９
９.５重量％、特に好ましくは９６〜９９.５重量％であ
り、炭素数４〜２４のα-オレフィンから誘導される繰
り返し単位が６〜０重量％、好ましくは６〜０.５重量
％、特に好ましくは４〜０.５重量％からなる4-メチル-
1-ペンテン共重合体であって、荷重５ｋｇ、温度２６０
℃において、ASTM D1238 に準拠して測定されたメルト
フローレイト（ＭＦＲ）が、２４０〜１２００ｇ／１０
分であり、ＤＳＣによる融点が２３４〜２４０℃である
4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペンテン
共重合体のペレットを原料樹脂ペレットとして用い、か
つ、シリンダの少なくとも一部の温度が３２０〜３７０
℃、金型温度５５℃以下で射出成形して形成するので、
得られた光ディスク基板はその転写性が特に良好であ
る。また、このような製造方法により成形された光ディ
スクの基板は、反りが生じ難く、寸法安定性、耐熱性に
優れ、しかもフローマークが発生せず、透明性に優れ、
複屈折が小さい。
【００２７】本発明に係る光ディスク用基板の製造方法
は、ＣＤ、ＭＤ、ＣＤ-ＲＯＭ、ＬＤ、ＭＯディスク、
追記型ディスクなどの透明基板の製造方法として、広く
利用することができる。
は、ＣＤ、ＭＤ、ＣＤ-ＲＯＭ、ＬＤ、ＭＯディスク、
追記型ディスクなどの透明基板の製造方法として、広く
利用することができる。
【００２８】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明の光ディスク
用基板の製造方法をさらに具体的に説明するが、本発明
はこれら実施例に限定されるものではない。
用基板の製造方法をさらに具体的に説明するが、本発明
はこれら実施例に限定されるものではない。
【００２９】なお、本発明において光ディスクの反りお
よび転写性は以下のようにして評価される。 ［反 り］図１に示すように、光ディスクの凹面側の周
縁部に接する面と基板の中心との距離（ｎ）を測定し、
光ディスクの反り（ｍｍ）とした。 ［転写性］光ディスクの変調度（Ｉ3／ＩTopおよびＩ11
／ＩTop）を測定することにより、光ディスク基板の転
写性を評価した。
よび転写性は以下のようにして評価される。 ［反 り］図１に示すように、光ディスクの凹面側の周
縁部に接する面と基板の中心との距離（ｎ）を測定し、
光ディスクの反り（ｍｍ）とした。 ［転写性］光ディスクの変調度（Ｉ3／ＩTopおよびＩ11
／ＩTop）を測定することにより、光ディスク基板の転
写性を評価した。
【００３０】すなわちピットが転写された光ディスク用
基板に、反射層、保護層を順次形成し、得られた光ディ
スクについて、再生レーザー光を照射したときに、光デ
ィスクのピットのないところで反射されて戻ってくるレ
ーザー光の光量（ＩTop）と、ピット長が最短のピット
で反射されて戻ってくるレーザー光の光量（Ｉ3）と、
ピット長が最長のピットで反射されて戻ってくるレーザ
ー光の光量（Ｉ11）とをそれぞれ測定し、Ｉ3／ＩTopお
よびＩ11／ＩTopを求めた。Ｉ3およびＩ11は、転写性が
良いほど値が高くなるため、Ｉ3／ＩTopおよびＩ11／Ｉ
Topは、値が大きいほど転写性に優れることになる。
基板に、反射層、保護層を順次形成し、得られた光ディ
スクについて、再生レーザー光を照射したときに、光デ
ィスクのピットのないところで反射されて戻ってくるレ
ーザー光の光量（ＩTop）と、ピット長が最短のピット
で反射されて戻ってくるレーザー光の光量（Ｉ3）と、
ピット長が最長のピットで反射されて戻ってくるレーザ
ー光の光量（Ｉ11）とをそれぞれ測定し、Ｉ3／ＩTopお
よびＩ11／ＩTopを求めた。Ｉ3およびＩ11は、転写性が
良いほど値が高くなるため、Ｉ3／ＩTopおよびＩ11／Ｉ
Topは、値が大きいほど転写性に優れることになる。
【００３１】なお一般に、Ｉ3／ＩTopは４０％程度であ
り、Ｉ11／ＩTopは６０％程度である。
り、Ｉ11／ＩTopは６０％程度である。
【００３２】
【実施例１】4-メチル-1-ペンテン９８重量％、n-デセ
ン（1-デセン）２重量％からなる4-メチル-1-ペンテン
／α-オレフィン重合体［ＭＦＲ：４００ｇ／１０分（A
STM D1238 に準拠、温度２６０℃）、ＤＳＣによる融点
２３５℃、数平均分子量（Ｍｎ）：４７０００、ＧＰＣ
（溶媒：o-ジクロルベンゼン、１４０℃）による分子量
分布（Ｍｗ／Ｍｎ）：２.３８］を射出成形機（住友−
ネスタール DISK5 M III住友重機械工業（株）製）にて
シリンダ最高温度３５０℃、金型温度４０℃、冷却時間
５秒、スクリュー回転数２００ｒｐｍ、成形サイクル１
３秒の条件で成形し、厚さ１.２ｍｍ、直径１２０ｍｍ
φのＣＤ用基板を製造した。
ン（1-デセン）２重量％からなる4-メチル-1-ペンテン
／α-オレフィン重合体［ＭＦＲ：４００ｇ／１０分（A
STM D1238 に準拠、温度２６０℃）、ＤＳＣによる融点
２３５℃、数平均分子量（Ｍｎ）：４７０００、ＧＰＣ
（溶媒：o-ジクロルベンゼン、１４０℃）による分子量
分布（Ｍｗ／Ｍｎ）：２.３８］を射出成形機（住友−
ネスタール DISK5 M III住友重機械工業（株）製）にて
シリンダ最高温度３５０℃、金型温度４０℃、冷却時間
５秒、スクリュー回転数２００ｒｐｍ、成形サイクル１
３秒の条件で成形し、厚さ１.２ｍｍ、直径１２０ｍｍ
φのＣＤ用基板を製造した。
【００３３】得られた基板にスパッタリング法でＡｌを
７００Åの厚みで蒸着し、次いでＡｌ層上にアクリル型
紫外線硬化樹脂（ダキュアクリアSD-17 ；大日本インキ
化学工業（株）製）の保護層をスピンコートで７μｍの
厚みで形成した。このようにして得られた光ディスクの
特性を測定した。結果を表１に示す。
７００Åの厚みで蒸着し、次いでＡｌ層上にアクリル型
紫外線硬化樹脂（ダキュアクリアSD-17 ；大日本インキ
化学工業（株）製）の保護層をスピンコートで７μｍの
厚みで形成した。このようにして得られた光ディスクの
特性を測定した。結果を表１に示す。
【００３４】
【実施例２】4-メチル-1-ペンテン９８.５重量％、n-ヘ
キサデセン（1-ヘキサデセン）１.５重量％からなる4-
メチル-1-ペンテン／α-オレフィン重合体［ＭＦＲ：４
２０ｇ／１０分（ASTM D 1238 に準拠、温度２６０
℃）、ＤＳＣによる融点２３５℃］を射出成形機（住友
−ネスタール DISK5 M III住友重機械工業（株）製）に
てシリンダ最高温度３４５℃、金型温度５０℃、冷却時
間５秒、スクリュー回転数２００ｒｐｍ、成形サイクル
１０秒の条件で成形し、厚さ１.２ｍｍ、直径１２０ｍ
ｍφのＣＤ用基板を製造した。
キサデセン（1-ヘキサデセン）１.５重量％からなる4-
メチル-1-ペンテン／α-オレフィン重合体［ＭＦＲ：４
２０ｇ／１０分（ASTM D 1238 に準拠、温度２６０
℃）、ＤＳＣによる融点２３５℃］を射出成形機（住友
−ネスタール DISK5 M III住友重機械工業（株）製）に
てシリンダ最高温度３４５℃、金型温度５０℃、冷却時
間５秒、スクリュー回転数２００ｒｐｍ、成形サイクル
１０秒の条件で成形し、厚さ１.２ｍｍ、直径１２０ｍ
ｍφのＣＤ用基板を製造した。
【００３５】得られた基板にスパッタリング法でＡｌを
７００Åの厚みで蒸着し、次いでＡｌ層上にアクリル型
紫外線硬化樹脂（ダキュアクリアSD-17 ；大日本インキ
化学工業（株）製）の保護層をスピンコートで７μｍの
厚みで形成した。このようにして得られた光ディスクの
特性を測定した。結果を表１に示す。
７００Åの厚みで蒸着し、次いでＡｌ層上にアクリル型
紫外線硬化樹脂（ダキュアクリアSD-17 ；大日本インキ
化学工業（株）製）の保護層をスピンコートで７μｍの
厚みで形成した。このようにして得られた光ディスクの
特性を測定した。結果を表１に示す。
【００３６】
【実施例３】4-メチル-1-ペンテン単独重合体［ＭＦ
Ｒ：４９０ｇ／１０分（ASTM D 1238に準拠、温度２６
０℃）、ＤＳＣによる融点２３５℃］を射出成形機（住
友−ネスタール DISK5 M III住友重機械工業（株）製）
にてシリンダ最高温度３５５℃、金型温度４３℃、冷却
時間５秒、スクリュー回転数２００ｒｐｍ、成形サイク
ル１３秒の条件で成形し、厚さ１.２ｍｍ、直径１２０
ｍｍφのＣＤ用基板を製造する。
Ｒ：４９０ｇ／１０分（ASTM D 1238に準拠、温度２６
０℃）、ＤＳＣによる融点２３５℃］を射出成形機（住
友−ネスタール DISK5 M III住友重機械工業（株）製）
にてシリンダ最高温度３５５℃、金型温度４３℃、冷却
時間５秒、スクリュー回転数２００ｒｐｍ、成形サイク
ル１３秒の条件で成形し、厚さ１.２ｍｍ、直径１２０
ｍｍφのＣＤ用基板を製造する。
【００３７】得られる基板にスパッタリング法でＡｌを
７００Åの厚みで蒸着し、次いでＡｌ層上にアクリル型
紫外線硬化樹脂（ダキュアクリアSD-17 ；大日本インキ
化学工業（株）製）の保護層をスピンコートで７μｍの
厚みで形成する。このようにして得られた光ディスクの
特性を測定する。結果を表１に示す。
７００Åの厚みで蒸着し、次いでＡｌ層上にアクリル型
紫外線硬化樹脂（ダキュアクリアSD-17 ；大日本インキ
化学工業（株）製）の保護層をスピンコートで７μｍの
厚みで形成する。このようにして得られた光ディスクの
特性を測定する。結果を表１に示す。
【００３８】
【実施例４】4-メチル-1-ペンテン９８重量％、n-デセ
ン（1-デセン）２重量％からなる4-メチル-1-ペンテン
／α-オレフィン重合体［ＭＦＲ：８００ｇ／１０分（A
STM D1238 に準拠、温度２６０℃）、ＤＳＣによる融点
２３５℃］を射出成形機（住友−ネスタール DISK5 M I
II住友重機械工業（株）製）にてシリンダ最高温度３５
０℃、金型温度４０℃、冷却時間５秒、スクリュー回転
数２００ｒｐｍ、成形サイクル１８秒の条件で成形し、
厚さ１.２ｍｍ、直径１２０ｍｍφのＣＤ用基板を製造
した。
ン（1-デセン）２重量％からなる4-メチル-1-ペンテン
／α-オレフィン重合体［ＭＦＲ：８００ｇ／１０分（A
STM D1238 に準拠、温度２６０℃）、ＤＳＣによる融点
２３５℃］を射出成形機（住友−ネスタール DISK5 M I
II住友重機械工業（株）製）にてシリンダ最高温度３５
０℃、金型温度４０℃、冷却時間５秒、スクリュー回転
数２００ｒｐｍ、成形サイクル１８秒の条件で成形し、
厚さ１.２ｍｍ、直径１２０ｍｍφのＣＤ用基板を製造
した。
【００３９】得られた基板にスパッタリング法でＡｌを
７００Åの厚みで蒸着し、次いでＡｌ層上にアクリル型
紫外線硬化樹脂（ダキュアクリアSD-17 ；大日本インキ
化学工業（株）製）の保護層をスピンコートで７μｍの
厚みで形成した。このようにして得られた光ディスクの
特性を測定した。結果を表１に示す。
７００Åの厚みで蒸着し、次いでＡｌ層上にアクリル型
紫外線硬化樹脂（ダキュアクリアSD-17 ；大日本インキ
化学工業（株）製）の保護層をスピンコートで７μｍの
厚みで形成した。このようにして得られた光ディスクの
特性を測定した。結果を表１に示す。
【００４０】
【比較例１】4-メチル-1-ペンテン樹脂［三井石油化学
工業（株）製TPX-RT18、ＭＦＲ：２６ｇ／１０分、ＤＳ
Ｃによる融点２３１℃］を、実施例１で用いたものと同
様の射出成形機を用い、シリンダ温度３００℃、金型温
度６０℃とした以外は実施例１と同様にして成形し、厚
さ１.２ｍｍ、直径１２０ｍｍφのＣＤ用基板を製造し
た。
工業（株）製TPX-RT18、ＭＦＲ：２６ｇ／１０分、ＤＳ
Ｃによる融点２３１℃］を、実施例１で用いたものと同
様の射出成形機を用い、シリンダ温度３００℃、金型温
度６０℃とした以外は実施例１と同様にして成形し、厚
さ１.２ｍｍ、直径１２０ｍｍφのＣＤ用基板を製造し
た。
【００４１】得られた基板に実施例１と同様に反射層、
保護層を被着させ光ディスクの特性を測定した。樹脂の
ＭＦＲが小さいため反りの発生が大きく、光ディスクと
して使用できなかった。結果を表１に示す。
保護層を被着させ光ディスクの特性を測定した。樹脂の
ＭＦＲが小さいため反りの発生が大きく、光ディスクと
して使用できなかった。結果を表１に示す。
【００４２】
【比較例２】ディスク用ポリカーボネート［ＭＦＲ；５
２ｇ／１０分］を、実施例１で用いたものと同様の射出
成形機を用い、シリンダ温度３３５℃、金型温度８５
℃、冷却時間５秒、スクリュー回転数２００ｒｐｍ、成
形サイクル９秒で成形し、実施例１と同様に反射層、保
護層を被着させて光ディスクの特性を測定した。結果を
表１に示す。
２ｇ／１０分］を、実施例１で用いたものと同様の射出
成形機を用い、シリンダ温度３３５℃、金型温度８５
℃、冷却時間５秒、スクリュー回転数２００ｒｐｍ、成
形サイクル９秒で成形し、実施例１と同様に反射層、保
護層を被着させて光ディスクの特性を測定した。結果を
表１に示す。
【００４３】
【表１】
【００４４】表１から明らかなように、本発明の製造方
法により得られた基板を有する光ディスクは、Ｉ3 ／Ｉ
Top 値、Ｉ11／ＩTop 値が共に高く、したがって本発明
の基板製造法は転写性に優れることが判る。
法により得られた基板を有する光ディスクは、Ｉ3 ／Ｉ
Top 値、Ｉ11／ＩTop 値が共に高く、したがって本発明
の基板製造法は転写性に優れることが判る。
【図面の簡単な説明】
【図１】光ディスクの反りの測定法を示す説明図であ
る。
る。
１ 光ディスク
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年６月１５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３３】得られた基板にスパッタリング法でＡｌを
７００Åの厚みで蒸着し、次いでＡｌ層上にアクリル型
紫外線硬化樹脂（ダイキュアクリアSD-17 ；大日本イン
キ化学工業（株）製）の保護層をスピンコートで７μｍ
の厚みで形成した。このようにして得られた光ディスク
の特性を測定した。結果を表１に示す。
７００Åの厚みで蒸着し、次いでＡｌ層上にアクリル型
紫外線硬化樹脂（ダイキュアクリアSD-17 ；大日本イン
キ化学工業（株）製）の保護層をスピンコートで７μｍ
の厚みで形成した。このようにして得られた光ディスク
の特性を測定した。結果を表１に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３５】得られた基板にスパッタリング法でＡｌを
７００Åの厚みで蒸着し、次いでＡｌ層上にアクリル型
紫外線硬化樹脂（ダイキュアクリアSD-17 ；大日本イン
キ化学工業（株）製）の保護層をスピンコートで７μｍ
の厚みで形成した。このようにして得られた光ディスク
の特性を測定した。結果を表１に示す。
７００Åの厚みで蒸着し、次いでＡｌ層上にアクリル型
紫外線硬化樹脂（ダイキュアクリアSD-17 ；大日本イン
キ化学工業（株）製）の保護層をスピンコートで７μｍ
の厚みで形成した。このようにして得られた光ディスク
の特性を測定した。結果を表１に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３７】得られる基板にスパッタリング法でＡｌを
７００Åの厚みで蒸着し、次いでＡｌ層上にアクリル型
紫外線硬化樹脂（ダイキュアクリアSD-17 ；大日本イン
キ化学工業（株）製）の保護層をスピンコートで７μｍ
の厚みで形成する。このようにして得られた光ディスク
の特性を測定する。結果を表１に示す。
７００Åの厚みで蒸着し、次いでＡｌ層上にアクリル型
紫外線硬化樹脂（ダイキュアクリアSD-17 ；大日本イン
キ化学工業（株）製）の保護層をスピンコートで７μｍ
の厚みで形成する。このようにして得られた光ディスク
の特性を測定する。結果を表１に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】得られた基板にスパッタリング法でＡｌを
７００Åの厚みで蒸着し、次いでＡｌ層上にアクリル型
紫外線硬化樹脂（ダイキュアクリアSD-17 ；大日本イン
キ化学工業（株）製）の保護層をスピンコートで７μｍ
の厚みで形成した。このようにして得られた光ディスク
の特性を測定した。結果を表１に示す。
７００Åの厚みで蒸着し、次いでＡｌ層上にアクリル型
紫外線硬化樹脂（ダイキュアクリアSD-17 ；大日本イン
キ化学工業（株）製）の保護層をスピンコートで７μｍ
の厚みで形成した。このようにして得られた光ディスク
の特性を測定した。結果を表１に示す。
Claims (3)
- 【請求項１】（ａ）荷重５ｋｇ、温度２６０℃におい
て、ASTM D 1238 に準拠して測定されたメルトフローレ
イト（ＭＦＲ）が、２４０〜１２００ｇ／１０分であ
り、かつ（ｂ）ＤＳＣによる融点が２３４〜２４０℃で
ある4-メチル-1-ペンテン重合体または4-メチル-1-ペン
テン共重合体のペレットを、 シリンダの少なくとも一部の温度が３２０〜３７０℃、
金型温度が５５℃以下で射出成形することを特徴とする
光ディスク用基板の製造方法。 - 【請求項２】上記4-メチル-1-ペンテン重合体が、4-メ
チル-1-ペンテン単独重合体である請求項１に記載の光
ディスク用基板の製造方法。 - 【請求項３】上記4-メチル-1-ペンテン共重合体が、4-
メチル-1-ペンテンと炭素数４〜２４のα-オレフィンと
の共重合体であり、 4-メチル-1-ペンテンから誘導される繰り返し単位が９
４〜９９.５重量％であり、炭素数４〜２４のα-オレフ
ィンから誘導される繰り返し単位が６〜０.５重量％で
ある請求項１に記載の光ディスク用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4146015A JPH05205326A (ja) | 1991-06-05 | 1992-06-05 | 光ディスク用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-134462 | 1991-06-05 | ||
| JP13446291 | 1991-06-05 | ||
| JP4146015A JPH05205326A (ja) | 1991-06-05 | 1992-06-05 | 光ディスク用基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05205326A true JPH05205326A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=26468575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4146015A Pending JPH05205326A (ja) | 1991-06-05 | 1992-06-05 | 光ディスク用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05205326A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6835440B1 (en) | 1998-12-07 | 2004-12-28 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Light transmitting plate |
| US7125593B2 (en) | 2003-05-29 | 2006-10-24 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
-
1992
- 1992-06-05 JP JP4146015A patent/JPH05205326A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6835440B1 (en) | 1998-12-07 | 2004-12-28 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Light transmitting plate |
| US7125593B2 (en) | 2003-05-29 | 2006-10-24 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
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