JPH05206357A - 中間基材のボンディング方法 - Google Patents
中間基材のボンディング方法Info
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- JPH05206357A JPH05206357A JP4013801A JP1380192A JPH05206357A JP H05206357 A JPH05206357 A JP H05206357A JP 4013801 A JP4013801 A JP 4013801A JP 1380192 A JP1380192 A JP 1380192A JP H05206357 A JPH05206357 A JP H05206357A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 中間基材の電極を基板の電極に一定の高さ
で、しかもしっかりとボンディングすることができるボ
ンディング方法を提供する。 【構成】 中間基材２の電極６に、ワイヤボンディング
装置のキャピラリツールから導出されたワイヤ１４の下
端部のボールをボンディングした後、このボール１４ａ
から上方にワイヤ１４を延出させて切断することにより
所定高さＨのスペーサ１４’を形成し、次いでこのスペ
ーサ１４’をクリーム半田１８が塗布された基板３の電
極７に着地させて、このクリーム半田１８を加熱処理す
る。
で、しかもしっかりとボンディングすることができるボ
ンディング方法を提供する。 【構成】 中間基材２の電極６に、ワイヤボンディング
装置のキャピラリツールから導出されたワイヤ１４の下
端部のボールをボンディングした後、このボール１４ａ
から上方にワイヤ１４を延出させて切断することにより
所定高さＨのスペーサ１４’を形成し、次いでこのスペ
ーサ１４’をクリーム半田１８が塗布された基板３の電
極７に着地させて、このクリーム半田１８を加熱処理す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は中間基材のボンディング
方法に係り、詳しくは、中間基材の電極にワイヤボンデ
ィング手段により半田部の高さを規定するスペーサを形
成し、このスペーサを基板の電極に着地させてボンディ
ングするようにしたものである。
方法に係り、詳しくは、中間基材の電極にワイヤボンデ
ィング手段により半田部の高さを規定するスペーサを形
成し、このスペーサを基板の電極に着地させてボンディ
ングするようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩなどの電子部品に使用され
る半導体チップ（以下、単にチップという）の電極は、
高集積化の要請から、近年、益々多数化且つ狭ピッチ化
しており、チップによっては、電極の数は数１００以上
にも達することから、チップの電極を基板の電極に合致
させてボンディングすることは、次第に困難になってき
ている。このような問題点を解決するために、チップを
プレート状の中間基材を介して、基板にボンディングす
ることが知られている。
る半導体チップ（以下、単にチップという）の電極は、
高集積化の要請から、近年、益々多数化且つ狭ピッチ化
しており、チップによっては、電極の数は数１００以上
にも達することから、チップの電極を基板の電極に合致
させてボンディングすることは、次第に困難になってき
ている。このような問題点を解決するために、チップを
プレート状の中間基材を介して、基板にボンディングす
ることが知られている。
【０００３】図１２はその従来手段を示すものであっ
て、１はチップであり、このチップ１の下面の電極４
は、中間基材２の上面の第１の電極５に、ワイヤボンデ
ィング手段により形成されたバンプ８ａおよびクリーム
半田８ｂを介してボンディングされている。また、この
中間基材２の下面にマトリクス状に形成された第２の電
極６は、基板３の上面にマトリクス状に形成された電極
７に、バンプ９ａおよびクリーム半田９ｂを介してボン
ディングされている。また中間基材２の上面の電極５と
下面の電極６は、導電材１９により接続されている。
て、１はチップであり、このチップ１の下面の電極４
は、中間基材２の上面の第１の電極５に、ワイヤボンデ
ィング手段により形成されたバンプ８ａおよびクリーム
半田８ｂを介してボンディングされている。また、この
中間基材２の下面にマトリクス状に形成された第２の電
極６は、基板３の上面にマトリクス状に形成された電極
７に、バンプ９ａおよびクリーム半田９ｂを介してボン
ディングされている。また中間基材２の上面の電極５と
下面の電極６は、導電材１９により接続されている。
【０００４】この中間基材２の基板３へのボンディング
は、バンプ９ａをクリーム半田９ｂが塗布された電極７
に着地させ、次いでバンプ９ａおよびクリーム半田９ｂ
をリフローにより加熱溶融することにより行われる。
は、バンプ９ａをクリーム半田９ｂが塗布された電極７
に着地させ、次いでバンプ９ａおよびクリーム半田９ｂ
をリフローにより加熱溶融することにより行われる。
【０００５】ところでバンプ９ａおよびクリーム半田９
ｂは、電極６，７間の接合が良好なように比較的多量に
使用されている。このため、バンプ９ａとクリーム半田
９ｂは、加熱溶融されて一体化し、図１３の実線に示す
ように外凸状に膨出する略球形の半田部９になりやす
い。しかしながらこのような外凸状では、半田部９の基
端部ｆの接着力が弱く、半田部９が電極６，７から剥が
れやすいという問題点があった。
ｂは、電極６，７間の接合が良好なように比較的多量に
使用されている。このため、バンプ９ａとクリーム半田
９ｂは、加熱溶融されて一体化し、図１３の実線に示す
ように外凸状に膨出する略球形の半田部９になりやす
い。しかしながらこのような外凸状では、半田部９の基
端部ｆの接着力が弱く、半田部９が電極６，７から剥が
れやすいという問題点があった。
【０００６】そこで、これを解消する従来手段として、
略球形の半田部９を図１３鎖線に示すような内凹状のつ
づみ形に整形して、基端部ｆを上方の電極６と下方の電
極７にしっかり固着させることが知られている。この整
形は以下のようにして行われる。すなわちリフロー中に
おいて、中間基材２を矢印のように若干上方へ引き上げ
て、加熱溶融状態の半田部９をつづみ形に引き伸し整形
し、この状態のままリフローを進行させて、半田部９を
完全に溶融させた後、冷却して固化させる。
略球形の半田部９を図１３鎖線に示すような内凹状のつ
づみ形に整形して、基端部ｆを上方の電極６と下方の電
極７にしっかり固着させることが知られている。この整
形は以下のようにして行われる。すなわちリフロー中に
おいて、中間基材２を矢印のように若干上方へ引き上げ
て、加熱溶融状態の半田部９をつづみ形に引き伸し整形
し、この状態のままリフローを進行させて、半田部９を
完全に溶融させた後、冷却して固化させる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来手段に
おける半田部９の高さは、中間基材２の引き上げ幅ｈに
よって決定されるが、この中間基材２を一定の幅だけ引
き上げて加熱処理が終了するまでその高さを維持するの
は難しく、形成された半田部９の高さにばらつきが生じ
やすいという問題点があった。
おける半田部９の高さは、中間基材２の引き上げ幅ｈに
よって決定されるが、この中間基材２を一定の幅だけ引
き上げて加熱処理が終了するまでその高さを維持するの
は難しく、形成された半田部９の高さにばらつきが生じ
やすいという問題点があった。
【０００８】そこで本発明は、中間基材の電極を基板の
電極に一定の高さで、しかもしっかりとボンディングで
きる方法を提供することを目的とする。
電極に一定の高さで、しかもしっかりとボンディングで
きる方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、中
間基材の第２の電極に、ワイヤボンディング装置のキャ
ピラリツールから導出されたワイヤの下端部のボールを
ボンディングした後、このボールから上方にワイヤを延
出させて切断することにより所定高さのスペーサを形成
し、次いでこのスペーサをクリーム半田が塗布された基
板の電極に着地させて、このクリーム半田を加熱処理す
るようにした。
間基材の第２の電極に、ワイヤボンディング装置のキャ
ピラリツールから導出されたワイヤの下端部のボールを
ボンディングした後、このボールから上方にワイヤを延
出させて切断することにより所定高さのスペーサを形成
し、次いでこのスペーサをクリーム半田が塗布された基
板の電極に着地させて、このクリーム半田を加熱処理す
るようにした。
【００１０】
【作用】上記構成によれば、ワイヤボンディングの手法
により、一定高さのスペーサを簡単に形成できる。しか
もリフローによりクリーム半田を溶融させると、溶融し
た半田はスペーサに沿って吸い上げられ、中間基材の電
極と基板の電極をしっかりボンディングできる。
により、一定高さのスペーサを簡単に形成できる。しか
もリフローによりクリーム半田を溶融させると、溶融し
た半田はスペーサに沿って吸い上げられ、中間基材の電
極と基板の電極をしっかりボンディングできる。
【００１１】
【実施例】（実施例１）次に、図面を参照しながら、本
発明の実施例を説明する。図１は基板と、この基板にボ
ンディングされる中間基材およびチップの全体斜視図で
ある。１はチップ、２は中間基材、３は基板である。チ
ップ１の下面には、電極４がその側縁部に沿って千鳥状
に形成されている。また中間基材２の上面には、チップ
１の電極４に対応するように、第１の電極５が千鳥状に
形成されている。また中間基材２の下面には、第２の電
極６がマトリクス状に形成されている。また基板３の上
面には、この電極６に対応する電極７が同一ピッチでマ
トリクス状に形成されている。
発明の実施例を説明する。図１は基板と、この基板にボ
ンディングされる中間基材およびチップの全体斜視図で
ある。１はチップ、２は中間基材、３は基板である。チ
ップ１の下面には、電極４がその側縁部に沿って千鳥状
に形成されている。また中間基材２の上面には、チップ
１の電極４に対応するように、第１の電極５が千鳥状に
形成されている。また中間基材２の下面には、第２の電
極６がマトリクス状に形成されている。また基板３の上
面には、この電極６に対応する電極７が同一ピッチでマ
トリクス状に形成されている。
【００１２】図２において、８ａはチップ１の電極４に
形成されたバンプであり、中間基材２の電極５にボンデ
ィングされる。８ｂは電極５の表面に塗布されたクリー
ム半田である。本実施例では、チップ１の電極４に、ワ
イヤボンディングによりバンプ８ａを形成し、このバン
プ８ａを中間基材２の電極５に着地させる。次いで加熱
手段により、バンプ８ａやクリーム半田８ｂを加熱して
溶融させ、電極４と電極５をボンディングする。
形成されたバンプであり、中間基材２の電極５にボンデ
ィングされる。８ｂは電極５の表面に塗布されたクリー
ム半田である。本実施例では、チップ１の電極４に、ワ
イヤボンディングによりバンプ８ａを形成し、このバン
プ８ａを中間基材２の電極５に着地させる。次いで加熱
手段により、バンプ８ａやクリーム半田８ｂを加熱して
溶融させ、電極４と電極５をボンディングする。
【００１３】次に、図３に示すように中間基材２を表裏
反転させたうえで、図４に示すように中間基材２の第２
の電極６に、ワイヤボンディング装置１０のキャピラリ
ツール１３から導出されたワイヤ１４により、アーチ形
のスペーサ１４’を形成する。なお図３において、８は
加熱溶融されて一体化したバンプ８ａとクリーム半田８
ｂである。１１はワイヤボンディング装置１０の駆動
部、１２は先端部にキャピラリツール１３が保持された
ホーンであり、駆動部１１の駆動により上下方向に揺動
する。
反転させたうえで、図４に示すように中間基材２の第２
の電極６に、ワイヤボンディング装置１０のキャピラリ
ツール１３から導出されたワイヤ１４により、アーチ形
のスペーサ１４’を形成する。なお図３において、８は
加熱溶融されて一体化したバンプ８ａとクリーム半田８
ｂである。１１はワイヤボンディング装置１０の駆動
部、１２は先端部にキャピラリツール１３が保持された
ホーンであり、駆動部１１の駆動により上下方向に揺動
する。
【００１４】図５はスペーサ１４’の形成方法を示して
いる。このスペーサ１４’は、ＱＦＰやＳＯＰなどの電
子部品の製造工程において行われているワイヤボンディ
ングと同様の手法により、以下のようにして形成され
る。ａ位置にあるキャピラリツール１３の下方にトーチ
１５を接近させ、電気的スパークを発生させて、ワイヤ
１４の下端部にボール１４ａを形成する。次にトーチ１
５を側方へ退去させて、キャピラリツール１３をｂ位置
まで下降させ、ボール１４ａを電極６の一側部にボンデ
ィングする。次いで、キャピラリツール１３を斜め上方
のｃ位置まで若干上昇させて、ワイヤ１４を上方へ延出
させた後、ｄ位置まで下降させて、アーチ形に湾曲され
たワイヤ１４の基端部１４ｂを電極６の他側部にボンデ
ィングする。
いる。このスペーサ１４’は、ＱＦＰやＳＯＰなどの電
子部品の製造工程において行われているワイヤボンディ
ングと同様の手法により、以下のようにして形成され
る。ａ位置にあるキャピラリツール１３の下方にトーチ
１５を接近させ、電気的スパークを発生させて、ワイヤ
１４の下端部にボール１４ａを形成する。次にトーチ１
５を側方へ退去させて、キャピラリツール１３をｂ位置
まで下降させ、ボール１４ａを電極６の一側部にボンデ
ィングする。次いで、キャピラリツール１３を斜め上方
のｃ位置まで若干上昇させて、ワイヤ１４を上方へ延出
させた後、ｄ位置まで下降させて、アーチ形に湾曲され
たワイヤ１４の基端部１４ｂを電極６の他側部にボンデ
ィングする。
【００１５】次にキャピラリツール１３をｅ位置まで引
き上げ、且つワイヤ１４をクランパ（図外）によりクラ
ンプして上方へ引き上げれば、ワイヤ１４は基端部１４
ｂから切断され、上記スペーサ１４’が形成される。こ
のように、ワイヤボンディングを応用した本手段によれ
ば、ワイヤ１４により所定高さＨのスペーサ１４’を簡
単に形成することができる。なお本実施例は電極６を大
形とし、ワイヤ１４のボール１４ａと基端部１４ｂを電
極６にボンディングしているが、電極６を小形とし、ボ
ール１４ａのみをこの電極６にボンディングし、基端部
１４ｂは中間基材２の上面にボンディングしてもよい。
き上げ、且つワイヤ１４をクランパ（図外）によりクラ
ンプして上方へ引き上げれば、ワイヤ１４は基端部１４
ｂから切断され、上記スペーサ１４’が形成される。こ
のように、ワイヤボンディングを応用した本手段によれ
ば、ワイヤ１４により所定高さＨのスペーサ１４’を簡
単に形成することができる。なお本実施例は電極６を大
形とし、ワイヤ１４のボール１４ａと基端部１４ｂを電
極６にボンディングしているが、電極６を小形とし、ボ
ール１４ａのみをこの電極６にボンディングし、基端部
１４ｂは中間基材２の上面にボンディングしてもよい。
【００１６】以上のようにして、中間基材２のすべての
第２の電極６にスペーサ１４’を形成したならば、次に
図６に示すように中間基材２の表裏を反転させ、移載ヘ
ッド１６のノズル１７に吸着して、スペーサ１４’をク
リーム半田１８が塗布された基板３の電極７に着地させ
る。図７はスペーサ１４’の着地状態を示している。図
示するように、スペーサ１４’のアーチ形の下端部が電
極７に着地し、基板３と中間基材２の間隔Ｄは一定に保
たれる。図６において、１９は中間基材２の表面の電極
５と裏面の電極６を接続する導電材である。
第２の電極６にスペーサ１４’を形成したならば、次に
図６に示すように中間基材２の表裏を反転させ、移載ヘ
ッド１６のノズル１７に吸着して、スペーサ１４’をク
リーム半田１８が塗布された基板３の電極７に着地させ
る。図７はスペーサ１４’の着地状態を示している。図
示するように、スペーサ１４’のアーチ形の下端部が電
極７に着地し、基板３と中間基材２の間隔Ｄは一定に保
たれる。図６において、１９は中間基材２の表面の電極
５と裏面の電極６を接続する導電材である。
【００１７】このようにして中間基材２を基板３に搭載
したならば、次にリフロー装置により加熱処理する。図
８はリフロー後の側面図である。リフロー装置により加
熱溶融されたクリーム半田１８は、ワイヤ１４から成る
スペーサ１４’に沿って吸い上げられ、同図部分拡大図
に示すように、電極６と電極７の間に、略つづみ形をし
た内凹状の半田部２０が形成され、中間基材２は基板３
にしっかり固着される。ここで、半田部２０の高さはス
ペーサ１４’の高さＨによって規定されるため、従来手
段のような、加熱処理時に中間基材２を若干引き上げた
まま維持する方法に比べて、高さ精度の向上が図れる。
したならば、次にリフロー装置により加熱処理する。図
８はリフロー後の側面図である。リフロー装置により加
熱溶融されたクリーム半田１８は、ワイヤ１４から成る
スペーサ１４’に沿って吸い上げられ、同図部分拡大図
に示すように、電極６と電極７の間に、略つづみ形をし
た内凹状の半田部２０が形成され、中間基材２は基板３
にしっかり固着される。ここで、半田部２０の高さはス
ペーサ１４’の高さＨによって規定されるため、従来手
段のような、加熱処理時に中間基材２を若干引き上げた
まま維持する方法に比べて、高さ精度の向上が図れる。
【００１８】さらに本手段では、半田部２０の中にスペ
ーサ１４’が埋設されているため、このスペーサ１４’
の体積分だけクリーム半田１８の使用量が削減でき、し
たがってリフロー時に電極７に多量に塗布されたクリー
ム半田１８が横方向に流れ出して半田ブリッジや半田ボ
ールが発生するのを抑制できる。なお図８において、リ
フロー後にはクリーム半田１８とスペーサ１４’は完全
に溶融して一体化し、半田部２０となるが、説明の都合
上、両者１８，１４’が一体化していない状態で示して
いる。
ーサ１４’が埋設されているため、このスペーサ１４’
の体積分だけクリーム半田１８の使用量が削減でき、し
たがってリフロー時に電極７に多量に塗布されたクリー
ム半田１８が横方向に流れ出して半田ブリッジや半田ボ
ールが発生するのを抑制できる。なお図８において、リ
フロー後にはクリーム半田１８とスペーサ１４’は完全
に溶融して一体化し、半田部２０となるが、説明の都合
上、両者１８，１４’が一体化していない状態で示して
いる。
【００１９】（実施例２）図９は他の実施例に係るボン
ディング中の側面図であり、中間基材２の電極６には、
スペーサ１４’が形成されている。このスペーサ１４’
も、ワイヤボンディングと同様の手法により、次のよう
にして形成される。すなわち、ａ位置にあるキャピラリ
ツール１３をｂ位置まで下降させて、ボール１４ａを電
極６にボンディングし、次いでキャピラリツール１３を
ｃ位置まで上昇させてワイヤ１４を上方にまっすぐ延出
させ、ここでワイヤ１４をクランパによりクランプして
ｄ位置まで引き上げることにより、ワイヤ１４を切断し
てスペーサ１４’を形成する。
ディング中の側面図であり、中間基材２の電極６には、
スペーサ１４’が形成されている。このスペーサ１４’
も、ワイヤボンディングと同様の手法により、次のよう
にして形成される。すなわち、ａ位置にあるキャピラリ
ツール１３をｂ位置まで下降させて、ボール１４ａを電
極６にボンディングし、次いでキャピラリツール１３を
ｃ位置まで上昇させてワイヤ１４を上方にまっすぐ延出
させ、ここでワイヤ１４をクランパによりクランプして
ｄ位置まで引き上げることにより、ワイヤ１４を切断し
てスペーサ１４’を形成する。
【００２０】以上のようにして、中間基材２のすべての
電極６にスペーサ１４’を形成したなら、図１０に示す
ようにこのスペーサ１４’の高さを調整する高さ調整装
置のシリンダ２０のロッド２１を突出させて、スペーサ
１４’の上端部を押圧子２２によって押圧し、すべての
スペーサ１４’の高さを所定の高さＨに揃える。
電極６にスペーサ１４’を形成したなら、図１０に示す
ようにこのスペーサ１４’の高さを調整する高さ調整装
置のシリンダ２０のロッド２１を突出させて、スペーサ
１４’の上端部を押圧子２２によって押圧し、すべての
スペーサ１４’の高さを所定の高さＨに揃える。
【００２１】次いで中間基材２を表裏反転させて、図１
１に示すように、クリーム半田１８が塗布された基板３
の電極７にスペーサ１４’の下端部を着地させる。次に
リフロー装置により加熱処理すると、溶融したクリーム
半田１８はスペーサ１４’に沿って吸い上げられ、両者
１４’，１８は一体化して、略つづみ形の半田部２０が
形成される。
１に示すように、クリーム半田１８が塗布された基板３
の電極７にスペーサ１４’の下端部を着地させる。次に
リフロー装置により加熱処理すると、溶融したクリーム
半田１８はスペーサ１４’に沿って吸い上げられ、両者
１４’，１８は一体化して、略つづみ形の半田部２０が
形成される。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、中
間基材の電極を、基板の電極に一定の高さで、しかもし
っかりとボンディングできる。
間基材の電極を、基板の電極に一定の高さで、しかもし
っかりとボンディングできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１に係る基板およびこの基板に
搭載される中間基材およびチップの全体斜視図
搭載される中間基材およびチップの全体斜視図
【図２】同チップのボンディング中の側面図
【図３】同ボンディング中の側面図
【図４】同スペーサの形成中のワイヤボンディング装置
の斜視図
の斜視図
【図５】同スペーサの形成中の側面図
【図６】同中間基材のボンディング中の側面図
【図７】同スペーサの側面図
【図８】同中間基材のボンディング後の側面図
【図９】本発明の実施例２に係るスペーサ形成中の側面
図
図
【図１０】同スペーサの高さ調整中の側面図
【図１１】同スペーサの側面図
【図１２】従来手段に係る中間基材のボンディング中の
側面図
側面図
【図１３】同中間基材のボンディング中の要部側面図
１ チップ ２ 中間基材 ３ 基板 ５ 第１の電極 ６ 第２の電極 １０ ワイヤボンディング装置 １３ キャピラリツール １４ ワイヤ １４ａ ボール １４’ スペーサ １８ クリーム半田
Claims (1)
- 【請求項１】上面にチップがボンディングされる第１の
電極を有し、下面にマトリクス状の第２の電極を有する
中間基材のこの第２の電極を、基板にマトリクス状に形
成された電極にボンディングするにあたり、上記第２の
電極に、ワイヤボンディング装置のキャピラリツールか
ら導出されたワイヤの下端部のボールをボンディングし
た後、このボールから上方にワイヤを延出させて切断す
ることにより所定高さのスペーサを形成し、次いでこの
スペーサをクリーム半田が塗布された上記基板の電極に
着地させて、このクリーム半田を加熱処理することを特
徴とする中間基材のボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4013801A JP3055285B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 中間基材のボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4013801A JP3055285B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 中間基材のボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206357A true JPH05206357A (ja) | 1993-08-13 |
| JP3055285B2 JP3055285B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=11843364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4013801A Expired - Fee Related JP3055285B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 中間基材のボンディング方法 |
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| JP (1) | JP3055285B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100247716B1 (ko) * | 1996-11-19 | 2000-03-15 | 포만 제프리 엘 | 구조가강화된볼그리드어레이반도체패키지및시스템 |
| US7299966B2 (en) * | 2002-06-26 | 2007-11-27 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Initial ball forming method for wire bonding wire and wire bonding apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208756A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-27 | Sony Corp | 半導体装置のパツケ−ジの製造方法 |
| JPH02102738U (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-15 |
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1992
- 1992-01-29 JP JP4013801A patent/JP3055285B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208756A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-27 | Sony Corp | 半導体装置のパツケ−ジの製造方法 |
| JPH02102738U (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-15 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100247716B1 (ko) * | 1996-11-19 | 2000-03-15 | 포만 제프리 엘 | 구조가강화된볼그리드어레이반도체패키지및시스템 |
| US7299966B2 (en) * | 2002-06-26 | 2007-11-27 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Initial ball forming method for wire bonding wire and wire bonding apparatus |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3055285B2 (ja) | 2000-06-26 |
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