JPH0520657A - 浮上式複合型磁気ヘツド - Google Patents
浮上式複合型磁気ヘツドInfo
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- JPH0520657A JPH0520657A JP17095991A JP17095991A JPH0520657A JP H0520657 A JPH0520657 A JP H0520657A JP 17095991 A JP17095991 A JP 17095991A JP 17095991 A JP17095991 A JP 17095991A JP H0520657 A JPH0520657 A JP H0520657A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ギャップを形成する非磁性層のトラック
両端近傍における応力集中を軽減して、クラックの発生
を防止し、ヘッド特性を向上する。 【構成】 一対のＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトコア片の
対向面に金属磁性薄膜２３、２３’と、磁気ギャップと
を形成した磁気ヘッドコアを、非磁性のスライダ−のエ
アベアリングに設けたスリットに埋設、固着したコンポ
ジット型の浮上式複合型磁気ヘッドである。磁気ギャッ
プを構成する非磁性層は、中央部からトラック幅の両端
近傍にかけての少なくともＳｉＯ2膜２２、２２とガラ
ス膜２３との非磁性層と、トラック幅の両端近傍におけ
るＳｉＯ2膜を含まない非磁性層２４との複合構造を有
している。
両端近傍における応力集中を軽減して、クラックの発生
を防止し、ヘッド特性を向上する。 【構成】 一対のＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトコア片の
対向面に金属磁性薄膜２３、２３’と、磁気ギャップと
を形成した磁気ヘッドコアを、非磁性のスライダ−のエ
アベアリングに設けたスリットに埋設、固着したコンポ
ジット型の浮上式複合型磁気ヘッドである。磁気ギャッ
プを構成する非磁性層は、中央部からトラック幅の両端
近傍にかけての少なくともＳｉＯ2膜２２、２２とガラ
ス膜２３との非磁性層と、トラック幅の両端近傍におけ
るＳｉＯ2膜を含まない非磁性層２４との複合構造を有
している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置に使用
され、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトコア片の対向面に、
ＳｉＯ2 膜を含む非磁性層よりなる磁気ギャップを形成
した磁気ヘッドコアを用いたコンポジット型の浮上式磁
気ヘッドに関するものである。
され、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトコア片の対向面に、
ＳｉＯ2 膜を含む非磁性層よりなる磁気ギャップを形成
した磁気ヘッドコアを用いたコンポジット型の浮上式磁
気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置に使用される浮上式磁
気ヘッドには、Ｍｎ−Ｚｎ多結晶フェライト等をスライ
ダ−に用いたモノリシック型磁気ヘッドと、ＣａＴｉＯ
3等の非磁性材料をスライダ−とし、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶
フェライト等で形成した磁気ヘッドコアを、スライダ−
のスリットに保持したコンポジット型の磁気ヘッドがあ
る。Ｍｎ−Ｚｎフェライトは飽和磁束密度が５０００Ｇ
程度であり、フェライトのみで構成した磁気ヘッドコア
では、高周波、高密度化に対応するために１０００〜１
５００Ｏｅと高保磁力化が進んだ磁気ディスクを飽和磁
化させるのに、十分な磁界強度を発生できない。そのた
めに、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトコア片の少なくとも
一方の対向面に、金属磁性薄膜を成膜した複合型の磁気
ヘッドを用いたコンポジット型の浮上式磁気ヘッドも用
いられてきている。図７と図８は高周波、高密度記録の
磁気ディスク装置に使用される浮上式複合型磁気ヘッド
とその電磁変換部を構成する複合型磁気ヘッドコアの基
本構成を示す斜視図である。図７において、７１は浮上
型磁気ヘッド、７２はＣａＴｉＯ3等の非磁性材料で構
成したスライダ−である。磁気ヘッドコア７３はエアベ
アリング７６に形成されたスリット７４にモ−ルドガラ
ス７５により固定保持されている。図８において、８
２、８２’は磁気ヘッドコア８１を構成する高透磁率の
一対のＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトコア片であり、８３
はその一方のコア片の対向面に成膜された高い飽和磁束
密度を有する金属磁性薄膜であり、８４は一対のコア片
を接合する磁気ギャップとなる非磁性材、８５は接合を
補強するボンディングガラスである。
気ヘッドには、Ｍｎ−Ｚｎ多結晶フェライト等をスライ
ダ−に用いたモノリシック型磁気ヘッドと、ＣａＴｉＯ
3等の非磁性材料をスライダ−とし、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶
フェライト等で形成した磁気ヘッドコアを、スライダ−
のスリットに保持したコンポジット型の磁気ヘッドがあ
る。Ｍｎ−Ｚｎフェライトは飽和磁束密度が５０００Ｇ
程度であり、フェライトのみで構成した磁気ヘッドコア
では、高周波、高密度化に対応するために１０００〜１
５００Ｏｅと高保磁力化が進んだ磁気ディスクを飽和磁
化させるのに、十分な磁界強度を発生できない。そのた
めに、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトコア片の少なくとも
一方の対向面に、金属磁性薄膜を成膜した複合型の磁気
ヘッドを用いたコンポジット型の浮上式磁気ヘッドも用
いられてきている。図７と図８は高周波、高密度記録の
磁気ディスク装置に使用される浮上式複合型磁気ヘッド
とその電磁変換部を構成する複合型磁気ヘッドコアの基
本構成を示す斜視図である。図７において、７１は浮上
型磁気ヘッド、７２はＣａＴｉＯ3等の非磁性材料で構
成したスライダ−である。磁気ヘッドコア７３はエアベ
アリング７６に形成されたスリット７４にモ−ルドガラ
ス７５により固定保持されている。図８において、８
２、８２’は磁気ヘッドコア８１を構成する高透磁率の
一対のＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトコア片であり、８３
はその一方のコア片の対向面に成膜された高い飽和磁束
密度を有する金属磁性薄膜であり、８４は一対のコア片
を接合する磁気ギャップとなる非磁性材、８５は接合を
補強するボンディングガラスである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】面記録密度の高密度化
のために、トラック記録密度と線記録密度が高くなり、
それに対処するために、磁気ヘッドも狭トラック化と小
磁気ギャップ長化と共に、公称寸法に対しての厳しい寸
法精度が要求される。磁気ギャップ長の精度を確保する
ために、磁気ギャップ材としてＳｉＯ2 を成膜して圧着
接合したり、ＳｉＯ2 を成膜した両コア片をガラス膜を
介して接合する等、ＳｉＯ2 膜でギャップ長を規定する
方法が用いられている。図９は単結晶フェライトコア片
９１、９１’の双方に金属磁性薄膜９５、９５’を成膜
し、ＳｉＯ2 膜９３とガラス膜９２とＳｉＯ2 膜９３’
とからなる磁気ギャップを有する磁気ヘッドコアのギャ
ップ近傍を示す図である。この磁気ギャップ近傍を構成
する各要素の４００〜５５０℃近辺における熱膨張係数
は、フェライトコア片が７０×１０-7／℃前後、金属磁
性薄膜はＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系薄膜で１４０×１０-7／℃
前後、モ−ルドガラスとガラス膜が１００×１０-7／℃
前後なのに対し、ＳｉＯ2 膜の熱膨張係数は５×１０-7
／℃前後と非常に小さい。このような大きな熱膨張係数
の違いによって、スライダ−のスリットに埋設した磁気
ヘッドコアをモ−ルドガラスで固着する工程で、トラッ
ク幅側の両端近傍のＳｉＯ2膜 とガラス膜に大きな引張
応力が作用する。特にガラス膜には、８〜１０ｋｇ／ｃ
ｍ2の破壊靭性値を超える大きな引張応力が働き、ガラ
ス膜を起点として磁気ギャップにクラックが発生し易く
なり、ヘッド特性が劣化するという課題がある。
のために、トラック記録密度と線記録密度が高くなり、
それに対処するために、磁気ヘッドも狭トラック化と小
磁気ギャップ長化と共に、公称寸法に対しての厳しい寸
法精度が要求される。磁気ギャップ長の精度を確保する
ために、磁気ギャップ材としてＳｉＯ2 を成膜して圧着
接合したり、ＳｉＯ2 を成膜した両コア片をガラス膜を
介して接合する等、ＳｉＯ2 膜でギャップ長を規定する
方法が用いられている。図９は単結晶フェライトコア片
９１、９１’の双方に金属磁性薄膜９５、９５’を成膜
し、ＳｉＯ2 膜９３とガラス膜９２とＳｉＯ2 膜９３’
とからなる磁気ギャップを有する磁気ヘッドコアのギャ
ップ近傍を示す図である。この磁気ギャップ近傍を構成
する各要素の４００〜５５０℃近辺における熱膨張係数
は、フェライトコア片が７０×１０-7／℃前後、金属磁
性薄膜はＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系薄膜で１４０×１０-7／℃
前後、モ−ルドガラスとガラス膜が１００×１０-7／℃
前後なのに対し、ＳｉＯ2 膜の熱膨張係数は５×１０-7
／℃前後と非常に小さい。このような大きな熱膨張係数
の違いによって、スライダ−のスリットに埋設した磁気
ヘッドコアをモ−ルドガラスで固着する工程で、トラッ
ク幅側の両端近傍のＳｉＯ2膜 とガラス膜に大きな引張
応力が作用する。特にガラス膜には、８〜１０ｋｇ／ｃ
ｍ2の破壊靭性値を超える大きな引張応力が働き、ガラ
ス膜を起点として磁気ギャップにクラックが発生し易く
なり、ヘッド特性が劣化するという課題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のコンポジット型
の浮上式複合型磁気ヘッドは、磁気ヘッドコアを構成す
る一対のＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトコア片を対向して
配置し、コア片の少なくとも一方の対向面に金属磁性薄
膜を形成し、磁気ギャップを有する磁気ヘッドコアを非
磁性のスライダ−のエアベアリングに設けたスリットに
埋設、固着したコンポジット型の浮上式磁気ヘッドであ
って、磁気ギャップを構成する非磁性層は、トラック中
央部からトラック幅側の両端近傍にかけてのＳｉＯ2 膜
とガラス膜との非磁性層と、トラック幅側の両端近傍に
おける実質的にＳｉＯ2 膜を含まない非磁性層とよりな
る複合構造を有している。本発明は、特にＭｎ−Ｚｎ単
結晶フェライトコア片の双方のコア片の対向面に、金属
磁性薄膜を成膜した両膜の複合型磁気ヘッドコアにはよ
り効果がある。トラック幅側の両端近傍における実質的
にＳｉＯ2 膜を含まない非磁性層は、トラック幅側の両
端からの深さが０．２μｍ〜２μｍであリ、上限は、ト
ラック幅側の両端からの深さがトラック幅の２０％以下
であることが望ましい。トラック中央部からトラック幅
側の両端近傍にかけてのＳｉＯ2 膜を含む非磁性層は、
主として、ＳｉＯ2 膜とガラス膜との２層構造、また
は、主として、ＳｉＯ2 膜とガラス膜とＳｉＯ2 膜との
３層構造であり、実質的にＳｉＯ2 膜を含まない非磁性
層は、モ−ルドガラスとＳｉＯ2 膜のＳｉＯ2 とガラス
膜とが混在した状態になっている。
の浮上式複合型磁気ヘッドは、磁気ヘッドコアを構成す
る一対のＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトコア片を対向して
配置し、コア片の少なくとも一方の対向面に金属磁性薄
膜を形成し、磁気ギャップを有する磁気ヘッドコアを非
磁性のスライダ−のエアベアリングに設けたスリットに
埋設、固着したコンポジット型の浮上式磁気ヘッドであ
って、磁気ギャップを構成する非磁性層は、トラック中
央部からトラック幅側の両端近傍にかけてのＳｉＯ2 膜
とガラス膜との非磁性層と、トラック幅側の両端近傍に
おける実質的にＳｉＯ2 膜を含まない非磁性層とよりな
る複合構造を有している。本発明は、特にＭｎ−Ｚｎ単
結晶フェライトコア片の双方のコア片の対向面に、金属
磁性薄膜を成膜した両膜の複合型磁気ヘッドコアにはよ
り効果がある。トラック幅側の両端近傍における実質的
にＳｉＯ2 膜を含まない非磁性層は、トラック幅側の両
端からの深さが０．２μｍ〜２μｍであリ、上限は、ト
ラック幅側の両端からの深さがトラック幅の２０％以下
であることが望ましい。トラック中央部からトラック幅
側の両端近傍にかけてのＳｉＯ2 膜を含む非磁性層は、
主として、ＳｉＯ2 膜とガラス膜との２層構造、また
は、主として、ＳｉＯ2 膜とガラス膜とＳｉＯ2 膜との
３層構造であり、実質的にＳｉＯ2 膜を含まない非磁性
層は、モ−ルドガラスとＳｉＯ2 膜のＳｉＯ2 とガラス
膜とが混在した状態になっている。
【０００５】
【作用】図５、図６はコンポジット型の浮上式複合型磁
気ヘッドのスライダ−のスリットにモ−ルドガラスによ
り固着された状態における、磁気ヘッドコアの磁気ギャ
ップ近傍の応力分布状態のシミュレ−ションの結果を示
す図である。図５は本発明の磁気ヘッドコア、図６は従
来の磁気ヘッドコアに関するものである。図５（ａ）に
おいて、１は磁気ギャップを構成する非磁性層が磁気ギ
ャップのトラック幅側の端部近傍のガラス膜とＳｉＯ2
膜のＳｉＯ2 とモ−ルドガラスとが混在して、実質的に
ＳｉＯ2 膜を含まない領域である。２は磁気ギャップを
構成する非磁性層がＳｉＯ2 膜とガラス膜とＳｉＯ2 膜
との３層構造を有する領域である。図５（ｂ）におい
て、フェライトコア片と金属磁性薄膜と非磁性層の応力
の分布状態をみると、１、２共にフェライトコア片にか
かる応力は小さく、金属磁性薄膜には小さい引張応力が
作用している。非磁性層を比較すると、１のＳｉＯ２膜
を含まない領域では圧縮応力が作用しているが、２の３
層構造でもガラス膜には引張応力が、ＳｉＯ２ 膜にも
小さい引張応力が作用している。１、２のガラス部へ作
用している引張応力は破壊靭性値以下であり、クラック
を発生するレベルの大きさではなく、また、ＳｉＯ2 膜
に作用する引張応力もＳｉＯ2 膜の破壊靱性値までには
いたらない。このように、本発明の浮上式磁気ヘッド
は、スライダ−に組み込んだ後の磁気ヘッドコアの、磁
気ギャップのトラック幅側の両端から０．２μｍ〜２μ
ｍの範囲を、実質的にＳｉＯ2 膜を含まない、ＳｉＯ2
膜のＳｉＯ2 、ボンディングガラス、モ−ルドガラスが
混在した非磁性層とすることにより、溶融したモ−ルド
ガラスが固化する際に、ＳｉＯ2膜 とガラス膜との熱膨
張係数の違いにより生ずる引張応力が緩和され、クラッ
クの発生が抑制できると考えられる。一方、図６に示す
ように従来の磁気ヘッドでは、（ｂ）に示すようにフェ
ライトコア片と金属磁性薄膜にかかる応力状態は、本発
明の磁気ヘッドと同様でクラックが発生する危険性はな
い。しかし、トラック幅側の端部からはなれた領域２の
ガラス膜に働く引張応力は破壊靭性値以下であるが、端
部に近い１の領域のガラス膜には破壊靱性値をこえる引
張応力が働き、これがクラック発生の起点となり、この
クラックが進展拡大していく。尚、磁気ギャップの実質
的にＳｉＯ2 膜を含まない非磁性層を、トラック幅側か
らの深さを両端から０．２μｍ〜２μｍの範囲に規定し
たのは次の理由からである。０．２μｍ以下であると応
力緩和の効果が小さく、クラック発生の防止ができな
い。２μｍ以上になると磁気ギャップ長を精度良く形成
する目的で成膜したＳｉＯ2 膜の部分が少なくなって、
実質的にＳｉＯ2 膜を含まない非磁性層が多くなり、逆
に正確な磁気ギャップ長が形成出来なくなるためであ
る。また、この０．２〜２μｍという深さは、一義的に
決めるものではなく、トラック幅との相対的関係におい
て決める必要があり、特にトラック幅が狭くなると、ト
ラック幅の２０％以下にするほうが効果的である。ま
た、実開昭５７−１８９１３１号公報、実開昭５７−１
８９１３０号公報には、スパッタリング層を形成したギ
ャップ近傍の凹部に所定の段差を設けて、ギャップ近傍
の凹部に、ガラス質材をスパッタリング層にまで侵入す
るようにした構成のＶＴＲヘッドが開示されている。し
かし、開示されているＶＴＲヘッドは、本発明とは目
的、構成、作用効果を異にするものである。
気ヘッドのスライダ−のスリットにモ−ルドガラスによ
り固着された状態における、磁気ヘッドコアの磁気ギャ
ップ近傍の応力分布状態のシミュレ−ションの結果を示
す図である。図５は本発明の磁気ヘッドコア、図６は従
来の磁気ヘッドコアに関するものである。図５（ａ）に
おいて、１は磁気ギャップを構成する非磁性層が磁気ギ
ャップのトラック幅側の端部近傍のガラス膜とＳｉＯ2
膜のＳｉＯ2 とモ−ルドガラスとが混在して、実質的に
ＳｉＯ2 膜を含まない領域である。２は磁気ギャップを
構成する非磁性層がＳｉＯ2 膜とガラス膜とＳｉＯ2 膜
との３層構造を有する領域である。図５（ｂ）におい
て、フェライトコア片と金属磁性薄膜と非磁性層の応力
の分布状態をみると、１、２共にフェライトコア片にか
かる応力は小さく、金属磁性薄膜には小さい引張応力が
作用している。非磁性層を比較すると、１のＳｉＯ２膜
を含まない領域では圧縮応力が作用しているが、２の３
層構造でもガラス膜には引張応力が、ＳｉＯ２ 膜にも
小さい引張応力が作用している。１、２のガラス部へ作
用している引張応力は破壊靭性値以下であり、クラック
を発生するレベルの大きさではなく、また、ＳｉＯ2 膜
に作用する引張応力もＳｉＯ2 膜の破壊靱性値までには
いたらない。このように、本発明の浮上式磁気ヘッド
は、スライダ−に組み込んだ後の磁気ヘッドコアの、磁
気ギャップのトラック幅側の両端から０．２μｍ〜２μ
ｍの範囲を、実質的にＳｉＯ2 膜を含まない、ＳｉＯ2
膜のＳｉＯ2 、ボンディングガラス、モ−ルドガラスが
混在した非磁性層とすることにより、溶融したモ−ルド
ガラスが固化する際に、ＳｉＯ2膜 とガラス膜との熱膨
張係数の違いにより生ずる引張応力が緩和され、クラッ
クの発生が抑制できると考えられる。一方、図６に示す
ように従来の磁気ヘッドでは、（ｂ）に示すようにフェ
ライトコア片と金属磁性薄膜にかかる応力状態は、本発
明の磁気ヘッドと同様でクラックが発生する危険性はな
い。しかし、トラック幅側の端部からはなれた領域２の
ガラス膜に働く引張応力は破壊靭性値以下であるが、端
部に近い１の領域のガラス膜には破壊靱性値をこえる引
張応力が働き、これがクラック発生の起点となり、この
クラックが進展拡大していく。尚、磁気ギャップの実質
的にＳｉＯ2 膜を含まない非磁性層を、トラック幅側か
らの深さを両端から０．２μｍ〜２μｍの範囲に規定し
たのは次の理由からである。０．２μｍ以下であると応
力緩和の効果が小さく、クラック発生の防止ができな
い。２μｍ以上になると磁気ギャップ長を精度良く形成
する目的で成膜したＳｉＯ2 膜の部分が少なくなって、
実質的にＳｉＯ2 膜を含まない非磁性層が多くなり、逆
に正確な磁気ギャップ長が形成出来なくなるためであ
る。また、この０．２〜２μｍという深さは、一義的に
決めるものではなく、トラック幅との相対的関係におい
て決める必要があり、特にトラック幅が狭くなると、ト
ラック幅の２０％以下にするほうが効果的である。ま
た、実開昭５７−１８９１３１号公報、実開昭５７−１
８９１３０号公報には、スパッタリング層を形成したギ
ャップ近傍の凹部に所定の段差を設けて、ギャップ近傍
の凹部に、ガラス質材をスパッタリング層にまで侵入す
るようにした構成のＶＴＲヘッドが開示されている。し
かし、開示されているＶＴＲヘッドは、本発明とは目
的、構成、作用効果を異にするものである。
【０００６】
【実施例】以下、実施例を参照しながら本発明について
さらに詳細に説明する。 （実施例１）直径７６ｍｍ、厚さ２ｍｍのＦｅ−Ａｌ−
Ｓｉ合金タ−ゲットを用い、平板状、及び、凹断面形状
のＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライト基板の双方の磁気ギャッ
プ対向面に、マグネトロンスパッタ法により、厚さ２μ
ｍのＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系の金属磁性薄膜を成膜した。ス
パッタリングは下記の条件で行った。 ＲＦパワ− ３５０Ｗ タ−ゲット基板間距離 ７０ｍｍ 基板温度 ３００℃ 到達真空度 ５×１０-4Ｐａ ガス圧力 ７×１０-1Ｐａ 次に、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系の金属磁性薄膜上にＳｉＯ2
膜を形成し、基板同志をガラス膜で溶着し、ボンディン
グガラスで接着の補強を行なった。その溶着体を切断し
て、ラップ仕上げ、トラック切欠き加工を行ない、磁気
ヘッドコアとした。この磁気ヘッドコア７３を図７に示
すように、非磁性スライダ−７２のエアベアリング７６
に形成されたスリット７４に埋設し、モ−ルドガラス４
５で固着後、記録媒体対向面等の仕上げ加工を行ない、
基本構成が同じコンポジット型の浮上式磁気ヘッドを作
製した。図２に磁気ヘッドコアの磁気ギャップ近傍の構
成を示す。尚、磁気ギャップ深さは５μｍ、ＳｉＯ2 膜
は０．２μm、ガラス膜は０．２μｍ、ギャップ長は
０．６μｍ一定狙いとし、トラック幅は１５、１０、５
μｍの３種類とした。、ボンディングガラスはＰｂＯ−
ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｎａ2Ｏ系、モ−ルドガラスはＰｂＯ
−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3Ｏ系を用いた。ＳｉＯ2膜
を含まない非磁性層の深さとクラック発生状況、磁気
ギャップ長との関係を検討するために、ボンディング温
度は６００℃±１０℃とし、モ−ルディング温度に関し
ては５００℃±５０℃の範囲で条件を変えて行なった。
また、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトの組成はＭｎＯ：２
７モル％、ＺｎＯ：１８モル％、残部実質的にＦｅ2Ｏ3
のものを用いた。
さらに詳細に説明する。 （実施例１）直径７６ｍｍ、厚さ２ｍｍのＦｅ−Ａｌ−
Ｓｉ合金タ−ゲットを用い、平板状、及び、凹断面形状
のＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライト基板の双方の磁気ギャッ
プ対向面に、マグネトロンスパッタ法により、厚さ２μ
ｍのＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系の金属磁性薄膜を成膜した。ス
パッタリングは下記の条件で行った。 ＲＦパワ− ３５０Ｗ タ−ゲット基板間距離 ７０ｍｍ 基板温度 ３００℃ 到達真空度 ５×１０-4Ｐａ ガス圧力 ７×１０-1Ｐａ 次に、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系の金属磁性薄膜上にＳｉＯ2
膜を形成し、基板同志をガラス膜で溶着し、ボンディン
グガラスで接着の補強を行なった。その溶着体を切断し
て、ラップ仕上げ、トラック切欠き加工を行ない、磁気
ヘッドコアとした。この磁気ヘッドコア７３を図７に示
すように、非磁性スライダ−７２のエアベアリング７６
に形成されたスリット７４に埋設し、モ−ルドガラス４
５で固着後、記録媒体対向面等の仕上げ加工を行ない、
基本構成が同じコンポジット型の浮上式磁気ヘッドを作
製した。図２に磁気ヘッドコアの磁気ギャップ近傍の構
成を示す。尚、磁気ギャップ深さは５μｍ、ＳｉＯ2 膜
は０．２μm、ガラス膜は０．２μｍ、ギャップ長は
０．６μｍ一定狙いとし、トラック幅は１５、１０、５
μｍの３種類とした。、ボンディングガラスはＰｂＯ−
ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｎａ2Ｏ系、モ−ルドガラスはＰｂＯ
−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3Ｏ系を用いた。ＳｉＯ2膜
を含まない非磁性層の深さとクラック発生状況、磁気
ギャップ長との関係を検討するために、ボンディング温
度は６００℃±１０℃とし、モ−ルディング温度に関し
ては５００℃±５０℃の範囲で条件を変えて行なった。
また、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトの組成はＭｎＯ：２
７モル％、ＺｎＯ：１８モル％、残部実質的にＦｅ2Ｏ3
のものを用いた。
【０００７】（実施例１）表１にクラック発生状況の結
果を示す。 表１に示すように、ＳｉＯ2膜 を含まない非磁性層の
深さが０．２μｍ以上であれば、磁気ギャップにクラッ
クが発生しないことがわかった。
果を示す。 表１に示すように、ＳｉＯ2膜 を含まない非磁性層の
深さが０．２μｍ以上であれば、磁気ギャップにクラッ
クが発生しないことがわかった。
【０００８】（実施例２）実施例１でクラックの発生し
なかた磁気ヘッドコアの磁気ギャップ長の精度について
観察を行なった。 表２にその結果をしめす。 表２よりＳｉＯ2膜 を含まない非磁性層の深さが２μ
ｍ以下であれば、実用的に支障のないレベルのギャップ
精度を得ることができる。
なかた磁気ヘッドコアの磁気ギャップ長の精度について
観察を行なった。 表２にその結果をしめす。 表２よりＳｉＯ2膜 を含まない非磁性層の深さが２μ
ｍ以下であれば、実用的に支障のないレベルのギャップ
精度を得ることができる。
【０００９】
【発明の効果】本発明の浮上式磁気ヘッドは、磁気ギャ
ップを形成する非磁性層のトラック幅側の両端近傍の応
力集中を緩和することにより、非磁性層に発生するクラ
ックの発生を低減し、ヘッド特性を向上することができ
る。
ップを形成する非磁性層のトラック幅側の両端近傍の応
力集中を緩和することにより、非磁性層に発生するクラ
ックの発生を低減し、ヘッド特性を向上することができ
る。
【００１０】
【図１】本発明のコンポジット型の浮上式型磁気ヘッド
の電磁変換部を示す斜視図である。
の電磁変換部を示す斜視図である。
【図２】本発明の金属磁性薄膜を成膜した両膜の複合型
磁気ヘッドコアの磁気ギャップ部の図１のＡ部拡大図で
ある。
磁気ヘッドコアの磁気ギャップ部の図１のＡ部拡大図で
ある。
【図３】本発明の金属磁性薄膜を成膜した形膜の複合型
磁気ヘッドコアの磁気ギャップ部の拡大図である。
磁気ヘッドコアの磁気ギャップ部の拡大図である。
【図４】磁気ヘッドコアをスライダ−のスリットに埋設
し、モ−ルドガラスで固着する状態を示す斜視図であ
る。
し、モ−ルドガラスで固着する状態を示す斜視図であ
る。
【図５】本発明の磁気ヘッドコアの磁気ギャップ部の応
力分布のシミュレションの結果を示す図である。
力分布のシミュレションの結果を示す図である。
【図６】従来の磁気ヘッドコアの磁気ギャップ部の応力
分布のシミュレションの結果を示す図である。
分布のシミュレションの結果を示す図である。
【図７】基本的構成のコンポジット型浮上式複合型磁気
ヘッドの斜視図である。
ヘッドの斜視図である。
【図８】基本的構成の複合型磁気ヘッドコアの斜視図で
ある。
ある。
【図９】従来の磁気ヘッドコアの磁気ギャップ部の拡大
図である。
図である。
１１ コンポジット型浮上式磁気ヘッド
１２ スライダ−
１３ 複合型磁気ヘッドコア
１４ スリット
１５ モ−ルドガラス
１６ エアベアリング
２１ Ｍｎ−Ｚｎ単結晶コア片
２２ ガラス膜
２３ ＳｉＯ2膜
２４ ＳｉＯ2膜を含まない非磁性層
２５ 金属磁性薄膜
３１ Ｍｎ−Ｚｎ単結晶コア片
３２ ガラス膜
３３ ＳｉＯ2膜
３４ ＳｉＯ2膜を含まない非磁性層
３５ 金属磁性薄膜
Ｇｌ ギャップ長さ
Ｔｗ トラック幅
Ｌ ＳｉＯ2膜を含まない非磁性層トラック幅側の端部
からの深さ
からの深さ
Claims (5)
- 【請求項１】 磁気ヘッドコアを構成する一対のＭｎ−
Ｚｎ単結晶フェライトコア片が対向して配置され、前記
コア片の少なくとも一方の対向面に金属磁性薄膜が形成
され、磁気ギャップを有する複合型磁気ヘッドコアが非
磁性のスライダ−のエアベアリングに設けられたスリッ
トに埋設、固着されたコンポジット型の浮上式磁気ヘッ
ドであって、 前記磁気ギャップを構成する非磁性層は、トラック中央
部からトラック幅側の両端近傍にかけてのＳｉＯ2 膜と
ガラス膜よりなる非磁性層と、トラック幅側の両端近傍
における実質的にＳｉＯ2 膜を含まない非磁性層とより
なる複合構造を有していることを特徴とするコンポジッ
ト型の浮上式磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記磁気ヘッドコアは、一対のＭｎ−Ｚ
ｎ単結晶フェライトコア片の双方の対向面に、金属磁性
薄膜が成膜された両膜の複合型磁気ヘッドコアであるこ
とを特徴とする請求項１に記載のコンポジット型の浮上
式磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記トラック幅側の両端近傍における実
質的にＳｉＯ2 膜を含まない非磁性層は、トラック幅側
の両端からの深さが０．２μｍ〜２μｍであることを特
徴とする請求項１、または、２に記載のコンポジット型
の浮上式磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記トラック幅側の両端近傍における実
質的にＳｉＯ2 膜を含まない非磁性層は、トラック幅側
の両端からの深さがトラック幅の２０％以下であること
を特徴とする請求項３記載のコンポジット型の浮上式磁
気ヘッド。 - 【請求項５】 前記トラック中央部からトラック幅側の
両端近傍にかけてのＳｉＯ2 膜とガラス膜とよりなる非
磁性層は、主として、ＳｉＯ2膜とガラス膜との２層構
造、または、主として、ＳｉＯ2 膜とガラス膜とＳｉＯ
2 膜との３層構造であることを特徴とする請求項１ない
し４の何れかに記載のコンポジット型の浮上式磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17095991A JPH0520657A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 浮上式複合型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17095991A JPH0520657A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 浮上式複合型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0520657A true JPH0520657A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15914560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17095991A Pending JPH0520657A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 浮上式複合型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0520657A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61214111A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘツドにおけるギヤツプスペ−サ形成方法 |
| JPH01102706A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Hitachi Metals Ltd | 複合型磁気ヘッド |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP17095991A patent/JPH0520657A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61214111A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘツドにおけるギヤツプスペ−サ形成方法 |
| JPH01102706A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Hitachi Metals Ltd | 複合型磁気ヘッド |
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