JPH0520657B2 - - Google Patents
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- JPH0520657B2 JPH0520657B2 JP60025192A JP2519285A JPH0520657B2 JP H0520657 B2 JPH0520657 B2 JP H0520657B2 JP 60025192 A JP60025192 A JP 60025192A JP 2519285 A JP2519285 A JP 2519285A JP H0520657 B2 JPH0520657 B2 JP H0520657B2
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- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 7
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
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- Ventilation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、クリーントンネル、クリーンチユー
ブ、クリーンベンチ、クリーンブースなどのクリ
ーンルーム内の被加工物及び／又はその近傍を加
熱することにより、被加工物及び／又はその近傍
から上昇気流を形成させて、被加工物の作業者か
ら発生する微粒子等による汚染を防止する方法及
びその装置に関する。
ブ、クリーンベンチ、クリーンブースなどのクリ
ーンルーム内の被加工物及び／又はその近傍を加
熱することにより、被加工物及び／又はその近傍
から上昇気流を形成させて、被加工物の作業者か
ら発生する微粒子等による汚染を防止する方法及
びその装置に関する。
従来の室内の空気清浄方法或いはその装置を大
別すると、 (1) 機械的ろ過方式（例えばHEPAフイルター） (2) 静電的に微粒子の捕集を行う静電式フイルタ
ー方式 があるが、これらの方式には夫々次の欠点があつ
た。
別すると、 (1) 機械的ろ過方式（例えばHEPAフイルター） (2) 静電的に微粒子の捕集を行う静電式フイルタ
ー方式 があるが、これらの方式には夫々次の欠点があつ
た。
(1)の機械的ろ過装置の主な構成は、フアンとフ
イルターであるが、空気の清浄度を上げるために
は目の細かいフイルターを用いる必要がある。こ
の方式は一般に集塵効率は高いが圧損も高く、こ
のため圧損を小さくしようとしてフイルターの目
の粗いものを用いると集塵効率が低下する。ま
た、目詰りによる圧力損失の増加も著るしくフイ
ルターの寿命が短かい。例えば半導体製造工場に
おけるクリーンルームでのフイルター交換に際し
ては、その間工場がストツプし、また、復帰まで
には可成の時間を要する。
イルターであるが、空気の清浄度を上げるために
は目の細かいフイルターを用いる必要がある。こ
の方式は一般に集塵効率は高いが圧損も高く、こ
のため圧損を小さくしようとしてフイルターの目
の粗いものを用いると集塵効率が低下する。ま
た、目詰りによる圧力損失の増加も著るしくフイ
ルターの寿命が短かい。例えば半導体製造工場に
おけるクリーンルームでのフイルター交換に際し
ては、その間工場がストツプし、また、復帰まで
には可成の時間を要する。
また、空気の清浄度を上げるため換気回数を増
加すればよいが、この場合動力費が高くつく。
加すればよいが、この場合動力費が高くつく。
(2)の静電的に微粒子の捕集を行う静電式フイル
ター方式における主な構成はフアン、予備荷電
部、静電フイルターであり、予備荷電部は高圧電
源を必要とし、このため装置は大型となり安全性
の問題の外、極板上への粒子の堆積・飛散、及び
高いクリーン度を維持するのに可成の安全率を見
込んで運転するためコスト高になる等その維持管
理の複雑さ等の問題がある。
ター方式における主な構成はフアン、予備荷電
部、静電フイルターであり、予備荷電部は高圧電
源を必要とし、このため装置は大型となり安全性
の問題の外、極板上への粒子の堆積・飛散、及び
高いクリーン度を維持するのに可成の安全率を見
込んで運転するためコスト高になる等その維持管
理の複雑さ等の問題がある。
今後、産業技術の高度化に対し超高クリーン度
のクリーンルームが必要とされる状況下にある。
そしてクラス10位までの高クリーン度までは前に
述べたような方式及びその応用技術で達成しうる
と考えられるが、この場合経済性に問題がある。
また、クラス１の如き超高クリーンルームは現状
の技術では達成困難と考えられる。
のクリーンルームが必要とされる状況下にある。
そしてクラス10位までの高クリーン度までは前に
述べたような方式及びその応用技術で達成しうる
と考えられるが、この場合経済性に問題がある。
また、クラス１の如き超高クリーンルームは現状
の技術では達成困難と考えられる。
例えば、半導体業界では近い将来超高集積度
（例えば16Mビツト）の製品が必要とされるが、
これは現状のクリーンルーム技術では達成困難と
考えられる。そして、高クリーン度になると作業
者からの発塵の影響が大きく、例えば現状におけ
る最高レベルのダウンフロー型のクリーンルーム
で被加工物の作業者からの影響を除く為には、少
くとも作業者をウエーハから70cm〜1m隔離する
必要がある。
（例えば16Mビツト）の製品が必要とされるが、
これは現状のクリーンルーム技術では達成困難と
考えられる。そして、高クリーン度になると作業
者からの発塵の影響が大きく、例えば現状におけ
る最高レベルのダウンフロー型のクリーンルーム
で被加工物の作業者からの影響を除く為には、少
くとも作業者をウエーハから70cm〜1m隔離する
必要がある。
本発明は、被加工物或いはその近傍を空気の清
浄度クラス100以下に、容易に保ちうる空気清浄
方法及びその装置を提供することを目的とする。
浄度クラス100以下に、容易に保ちうる空気清浄
方法及びその装置を提供することを目的とする。
本発明は、
クリーンルーム内の作業台上の被加工物及び／
又はその近傍を加熱することにより、被加工物及
び／又はその近傍から上昇気流を形成させること
を特徴とする被加工物の汚染を防止する方法。
又はその近傍を加熱することにより、被加工物及
び／又はその近傍から上昇気流を形成させること
を特徴とする被加工物の汚染を防止する方法。
及び
クリーンルーム内の作業台上の被加工物及び／
又はその近傍に上昇気流を発生させるために、該
被加工物及び／又はその近傍を加熱する加熱部を
設けてなる被加工物の汚染を防止する装置。
又はその近傍に上昇気流を発生させるために、該
被加工物及び／又はその近傍を加熱する加熱部を
設けてなる被加工物の汚染を防止する装置。
である。
以下、図面に基いて本発明を詳しく説明する。
実施例として、半導体を製造するクリーンルー
ムにおけるクリーントンネル併用方式（作業を行
う部分のみを高清浄度に保つ方式）の概略図を第
１図に示す。第１図は、従来のメカニカルフイル
ターによりクリーンルーム１内を中程度の清浄度
に保ち、作業場のみを本発明方法により高清浄度
に保つものである。クリーンルーム１の空気は、
外気２中の粗粒子をプレフイルター３にて除いた
空気及びクリーンルーム１の空気を空気取出口４
から取出した空気を、フアン５を介して空気調和
装置６にて調和（温度、湿度の制御）した後、
HEPAフイルター７により微粒子を除去して供
給され、清浄度（クラス）100000程度に保持され
る。
ムにおけるクリーントンネル併用方式（作業を行
う部分のみを高清浄度に保つ方式）の概略図を第
１図に示す。第１図は、従来のメカニカルフイル
ターによりクリーンルーム１内を中程度の清浄度
に保ち、作業場のみを本発明方法により高清浄度
に保つものである。クリーンルーム１の空気は、
外気２中の粗粒子をプレフイルター３にて除いた
空気及びクリーンルーム１の空気を空気取出口４
から取出した空気を、フアン５を介して空気調和
装置６にて調和（温度、湿度の制御）した後、
HEPAフイルター７により微粒子を除去して供
給され、清浄度（クラス）100000程度に保持され
る。
一方、作業場はフアン部８、ULPAフイルター
部９、赤外線照射及び作業物体の表面温度測定部
１０、作業台１２、より成るクリーントンネル１
１であり、被加工物表面及びその近傍は清浄度ク
ラス１程度に保持される。クリーントンネル１１
では、クリーンルーム１内の清浄度（クラス）
100000の空気がフアン８により吸引され、ULPA
フイルターにより更に微粒子が除去され、清浄度
クラス10にまで清浄度が高められる。
部９、赤外線照射及び作業物体の表面温度測定部
１０、作業台１２、より成るクリーントンネル１
１であり、被加工物表面及びその近傍は清浄度ク
ラス１程度に保持される。クリーントンネル１１
では、クリーンルーム１内の清浄度（クラス）
100000の空気がフアン８により吸引され、ULPA
フイルターにより更に微粒子が除去され、清浄度
クラス10にまで清浄度が高められる。
作業台上の被加工物を加工するに際しては、被
加工物１３及び／又はその近傍が、温度センサー
１０によりモニターされ、適温になるように加熱
される。そして、被加工物及び／又はその近傍に
熱泳動作用により主として上昇気流が生じ、作業
者により発生した微粒子による被加工物が直接汚
染されるのを、エアーカーテンと同様な作用によ
り、防止されるので、被加工物の表面近傍はクリ
ーンルームの清浄度に保たれる。
加工物１３及び／又はその近傍が、温度センサー
１０によりモニターされ、適温になるように加熱
される。そして、被加工物及び／又はその近傍に
熱泳動作用により主として上昇気流が生じ、作業
者により発生した微粒子による被加工物が直接汚
染されるのを、エアーカーテンと同様な作用によ
り、防止されるので、被加工物の表面近傍はクリ
ーンルームの清浄度に保たれる。
被加工物及び／又はその近傍の表面温度は、周
辺の温度に比べ0.1〜20℃、好ましくは１〜５℃
高く保持（例えば2.0±0.1℃）され、0.03cm〜0.3
cm／秒程度の上昇気流が生ずる。
辺の温度に比べ0.1〜20℃、好ましくは１〜５℃
高く保持（例えば2.0±0.1℃）され、0.03cm〜0.3
cm／秒程度の上昇気流が生ずる。
なお、作業台上で作業を行う場合、作業台のあ
るクリーントンネル１１からクリーンルーム１内
への排出口からクリーンルーム１内の汚れた空気
が逆流して来ない程度に加圧されているので、ク
リーントンネル内における作業台上へ下降する空
気の流れは殆んどない状態である。温度制御は被
加工物の表面温度を温度センサーで検知し、赤外
線照射出力制御回路部に伝達することにより行
い、温度が設定値に比べ低い場合は照射出力が高
められ、又逆の場合は出力を低くすることにより
一定温度範囲（通常±0.1℃）内に保持される。
るクリーントンネル１１からクリーンルーム１内
への排出口からクリーンルーム１内の汚れた空気
が逆流して来ない程度に加圧されているので、ク
リーントンネル内における作業台上へ下降する空
気の流れは殆んどない状態である。温度制御は被
加工物の表面温度を温度センサーで検知し、赤外
線照射出力制御回路部に伝達することにより行
い、温度が設定値に比べ低い場合は照射出力が高
められ、又逆の場合は出力を低くすることにより
一定温度範囲（通常±0.1℃）内に保持される。
温度センサーは、被加工物表面及び／又はその
近傍を測定できるものであればいずれでも良い
が、被加工物の作業性などから非接触型温度計、
例えば赤外線温度計、光フアイバー温度計、エコ
ー水晶温度計が実用上好ましい。
近傍を測定できるものであればいずれでも良い
が、被加工物の作業性などから非接触型温度計、
例えば赤外線温度計、光フアイバー温度計、エコ
ー水晶温度計が実用上好ましい。
被加工物の加熱は、被加工物を加熱できるもの
であればいずれでも良いが、温度精度及び制御の
容易性、操作性、作業性などから赤外線による加
熱、レーザ光線による加熱が好ましく、これらが
単一で又は複合して用いられる。又加熱は、反射
板や集光レンズを用いることで効率良く行うこと
が出来る。
であればいずれでも良いが、温度精度及び制御の
容易性、操作性、作業性などから赤外線による加
熱、レーザ光線による加熱が好ましく、これらが
単一で又は複合して用いられる。又加熱は、反射
板や集光レンズを用いることで効率良く行うこと
が出来る。
被加工物の表面及びその近傍の温度は、装置の
型式（例：クリーントンネルかクリーンチユーブ
か）、作業の種類、作業内容、作業形態、作業規
模、微粒子の粒径や密度などにより異なる。又、
被加工物表面及びその近傍の清浄度も作業の種類
（例：半導体製造における作業内容）等により異
なる。
型式（例：クリーントンネルかクリーンチユーブ
か）、作業の種類、作業内容、作業形態、作業規
模、微粒子の粒径や密度などにより異なる。又、
被加工物表面及びその近傍の清浄度も作業の種類
（例：半導体製造における作業内容）等により異
なる。
１ 被加工物及び／又はその近傍を周辺温度より
高温にすることによつて被加工物表面及びその
近傍を超高清浄度（スーパークリーン）に保ち
うる。
高温にすることによつて被加工物表面及びその
近傍を超高清浄度（スーパークリーン）に保ち
うる。
２ メカニカルフイルターによる従来法と本法を
組合せることで、超高清浄度の環境を比較的容
易、かつ経済的に達成できた。
組合せることで、超高清浄度の環境を比較的容
易、かつ経済的に達成できた。
３ 粒子径が極微細（例：＜0.1μm）な程有効で
あり、半導体工業のように今後技術の発展とと
もに超極微細粒子の制御が必要となる分野で極
めて有効である（例：半導体工業において、
4Mビツトの製造環境では0.05μmの極微粒子の
制御が必要）。
あり、半導体工業のように今後技術の発展とと
もに超極微細粒子の制御が必要となる分野で極
めて有効である（例：半導体工業において、
4Mビツトの製造環境では0.05μmの極微粒子の
制御が必要）。
４ 従来技術例えばメカニカルフイルター方式で
は粒子が極微細（例：＜0.1μm）になるとその
除去は原理的に困難であつたが、本発明によれ
ば逆に極微細粒子程有効である。
は粒子が極微細（例：＜0.1μm）になるとその
除去は原理的に困難であつたが、本発明によれ
ば逆に極微細粒子程有効である。
５ 超高清浄度（例：クラス10）になると、作業
を行う人及び作業機器からの発塵の影響が大き
い（例：半導体製造におけるウエハーに付着す
るごみの50％前後が作業者からの発塵によると
言われる）が、本発明においては、作業物体表
面及びその近傍を内部から清浄にするので（作
業物体表面から上部に向けて微粒子が遠ざか
る）、周辺で急激な発塵が生じてもその影響が
少ない。
を行う人及び作業機器からの発塵の影響が大き
い（例：半導体製造におけるウエハーに付着す
るごみの50％前後が作業者からの発塵によると
言われる）が、本発明においては、作業物体表
面及びその近傍を内部から清浄にするので（作
業物体表面から上部に向けて微粒子が遠ざか
る）、周辺で急激な発塵が生じてもその影響が
少ない。
６ 従来法で用いるフイルターは、しばしばピン
ホールがあるため、従来法により高清浄度を得
る場合はその工程の維持管理が面倒であつた
が、本発明方法と組合せることにより、維持管
理が容易となり超高清浄度が安定に長期間得ら
れる。
ホールがあるため、従来法により高清浄度を得
る場合はその工程の維持管理が面倒であつた
が、本発明方法と組合せることにより、維持管
理が容易となり超高清浄度が安定に長期間得ら
れる。
第１図は、本発明の方法及び装置を説明するた
めの概略図である。 １……クリーンルーム、２……外気導入管、３
……プレフイルター、４……空気取出口、５……
フアン、６……空気調和装置、７……HEPAフ
イルター、８……フアン、９……ULPAフイルタ
ー、１０……赤外線照射装置及び温度センサー、
１１……クリーントンネル、１２……作業台、１
３……作業物体。
めの概略図である。 １……クリーンルーム、２……外気導入管、３
……プレフイルター、４……空気取出口、５……
フアン、６……空気調和装置、７……HEPAフ
イルター、８……フアン、９……ULPAフイルタ
ー、１０……赤外線照射装置及び温度センサー、
１１……クリーントンネル、１２……作業台、１
３……作業物体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ クリーンルーム内の作業台上の被加工物及
び／又はその近傍を加熱することにより、被加工
物及び／又はその近傍から上昇気流を形成させる
ことを特徴とする被加工物の汚染を防止する方
法。 ２ 加熱源が赤外線及び／又はレーザー光線であ
る特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 赤外線及び／又はレーザー光線を被加工物及
び／又はその近傍に集光する特許請求の範囲第２
項記載の方法。 ４ 赤外線及び／又はレーザー光線の集光に際
し、反射板及び／又は集光レンズを使用する特許
請求の範囲第３項記載の方法。 ５ 加熱上昇温度が0.1℃〜20℃である特許請求
の範囲第１項乃至第４項の何れかに記載の方法。 ６ メカニカルフイルターによる空気清浄方法と
被加工物及び／又はその近傍を加熱する方法を組
み合わせることにより清浄度の高い空気とする特
許請求の範囲第１項乃至第５項の何れかに記載の
方法。 ７ クリーンルーム内の作業台上の被加工物及
び／又はその近傍に上昇気流を発生させるため
に、該被加工物及び／又はその近傍を加熱する加
熱部を設けてなる被加工物の汚染を防止する装
置。 ８ クリーンルーム内の作業台上の被加工物及
び／又はその近傍に上昇気流を発生させるため
に、該被加工物及び／又はその近傍を加熱する加
熱部を設けると共に、クリーンルームから排出さ
れ循環される空気から微粒子を除去するためのメ
カニカルフイルターを設けてなる特許請求の範囲
第７項記載の被加工物の汚染を防止する装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60025192A JPS61186744A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 空気清浄方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60025192A JPS61186744A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 空気清浄方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61186744A JPS61186744A (ja) | 1986-08-20 |
| JPH0520657B2 true JPH0520657B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=12159098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60025192A Granted JPS61186744A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 空気清浄方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61186744A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5081527B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2012-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 気体清浄化装置及び気体清浄化方法 |
| JP5442818B2 (ja) * | 2012-09-03 | 2014-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 気体清浄化装置 |
-
1985
- 1985-02-14 JP JP60025192A patent/JPS61186744A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61186744A (ja) | 1986-08-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |