JPH05206679A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
- Publication number
- JPH05206679A JPH05206679A JP3278684A JP27868491A JPH05206679A JP H05206679 A JPH05206679 A JP H05206679A JP 3278684 A JP3278684 A JP 3278684A JP 27868491 A JP27868491 A JP 27868491A JP H05206679 A JPH05206679 A JP H05206679A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- integrated circuit
- hybrid integrated
- circuit device
- insulating metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱特性を損なうことなく、高調波ノイズの
漏洩を防止することを目的とする。 【構成】 混成集積回路装置は二枚の絶縁金属基板(20)
(22)上であって、樹脂製ケース(32)で封止される空間に
形成される。シールドケース(40)は混成集積回路装置の
外部リードが設けられる面を除く全ての面を覆う構造で
あり、プレス加工の難易を考慮して、二枚の金属材料か
ら形成される。このシールドケース(40)の両側面には問
題となるノイズの波長の略１／１０以下のサイズの複数
の放熱孔(44)が形成されており、混成集積回路装置の放
熱とノイズシールドの問題が同時に解決される。
漏洩を防止することを目的とする。 【構成】 混成集積回路装置は二枚の絶縁金属基板(20)
(22)上であって、樹脂製ケース(32)で封止される空間に
形成される。シールドケース(40)は混成集積回路装置の
外部リードが設けられる面を除く全ての面を覆う構造で
あり、プレス加工の難易を考慮して、二枚の金属材料か
ら形成される。このシールドケース(40)の両側面には問
題となるノイズの波長の略１／１０以下のサイズの複数
の放熱孔(44)が形成されており、混成集積回路装置の放
熱とノイズシールドの問題が同時に解決される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はデイジタルＴＶ用の混成
集積回路装置に関し、詳細には、その漏洩ノイズを低減
する技術に関する。
集積回路装置に関し、詳細には、その漏洩ノイズを低減
する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】デイジタルＴＶは高画質が達成できる
点、画像の加工が容易である点、無調整で高信頼回路が
得られる点、さらには回路のＩＣ化が容易である点でア
ナログ方式に勝っている。図８および図９を参照してデ
イジタルＴＶおよびデイジタルＴＶ用の混成集積回路装
置を説明する。
点、画像の加工が容易である点、無調整で高信頼回路が
得られる点、さらには回路のＩＣ化が容易である点でア
ナログ方式に勝っている。図８および図９を参照してデ
イジタルＴＶおよびデイジタルＴＶ用の混成集積回路装
置を説明する。
【０００３】図８を参照すると、デイジタルＴＶは５０
ＭＨZ〜１ＧＨZのＴＶ電波を復調して略４．５ＭＨZの
帯域を有する輝度信号Ｙと色差信号Ｒ−Ｙ、Ｂ−Ｙを出
力するチューナ(50)、所定の標本化周波数で動作する６
〜１０ビットのＡ／Ｄ変換回路(52)、画像メモリ(54)、
演算回路(56)、Ｄ／Ａ変換回路(58)、ビデオ出力回路(6
0)およびＣＲＴ(62)から構成される。
ＭＨZ〜１ＧＨZのＴＶ電波を復調して略４．５ＭＨZの
帯域を有する輝度信号Ｙと色差信号Ｒ−Ｙ、Ｂ−Ｙを出
力するチューナ(50)、所定の標本化周波数で動作する６
〜１０ビットのＡ／Ｄ変換回路(52)、画像メモリ(54)、
演算回路(56)、Ｄ／Ａ変換回路(58)、ビデオ出力回路(6
0)およびＣＲＴ(62)から構成される。
【０００４】図９は本件出願人の提案になるデイジタル
ＴＶ用混成集積回路装置（以下、単に混成集積回路装置
と称する）を示す。この混成集積回路装置は図８の破線
内のＡ／Ｄ変換回路(52)、画像メモリ(54)、演算回路(5
6)、Ｄ／Ａ変換回路(58)を混成集積回路化したものであ
る。
ＴＶ用混成集積回路装置（以下、単に混成集積回路装置
と称する）を示す。この混成集積回路装置は図８の破線
内のＡ／Ｄ変換回路(52)、画像メモリ(54)、演算回路(5
6)、Ｄ／Ａ変換回路(58)を混成集積回路化したものであ
る。
【０００５】図９を参照すると、二枚の絶縁金属基板(7
0)(72)には、放熱特性および加工性を考慮して、表面を
陽極酸化処理した略２ｍｍ厚のアルミニウムが使用され
る。そして、この絶縁金属基板の所定位置に捨孔を形成
した後、ポリイミド樹脂等の接着性を有する熱硬化性絶
縁樹脂と略３５μｍ厚の銅箔とのクラッド材をホットプ
レスし、この銅箔をホトエッチングする等して、パッ
ド、導電路等が所定パターンに形成される。なお、前記
熱硬化性絶縁樹脂はホットプレス後略３５μｍ厚の絶縁
層となる。
0)(72)には、放熱特性および加工性を考慮して、表面を
陽極酸化処理した略２ｍｍ厚のアルミニウムが使用され
る。そして、この絶縁金属基板の所定位置に捨孔を形成
した後、ポリイミド樹脂等の接着性を有する熱硬化性絶
縁樹脂と略３５μｍ厚の銅箔とのクラッド材をホットプ
レスし、この銅箔をホトエッチングする等して、パッ
ド、導電路等が所定パターンに形成される。なお、前記
熱硬化性絶縁樹脂はホットプレス後略３５μｍ厚の絶縁
層となる。
【０００６】この後、絶縁金属基板の前記捨孔のブリッ
ジ部を切断して、二枚の絶縁金属基板(70)(72)に分割す
ることにより、ブリッジ部において相互の回路パターン
が導電路で接続された二枚の絶縁金属基板が得られる。
Ａ／Ｄ変換回路(52)、画像メモリ(54)、演算回路(56)、
Ｄ／Ａ変換回路(58)を構成する集積回路素子等の半導体
素子はチップ形状で所定のパッドに銀ペースト等を使用
して固着され、チップ抵抗等の異型部品は半田固着され
る（何れも図９には示されていない）。
ジ部を切断して、二枚の絶縁金属基板(70)(72)に分割す
ることにより、ブリッジ部において相互の回路パターン
が導電路で接続された二枚の絶縁金属基板が得られる。
Ａ／Ｄ変換回路(52)、画像メモリ(54)、演算回路(56)、
Ｄ／Ａ変換回路(58)を構成する集積回路素子等の半導体
素子はチップ形状で所定のパッドに銀ペースト等を使用
して固着され、チップ抵抗等の異型部品は半田固着され
る（何れも図９には示されていない）。
【０００７】そして、この回路素子を実装した絶縁金属
基板(70)(72)を接着性樹脂を使用して金属製のケース(7
4)および蓋(76)で封止し、さらにこれら全体構造が、樹
脂接着部を覆うような枠形状のシールドケース(78)に挿
入される。
基板(70)(72)を接着性樹脂を使用して金属製のケース(7
4)および蓋(76)で封止し、さらにこれら全体構造が、樹
脂接着部を覆うような枠形状のシールドケース(78)に挿
入される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のデイジタルＴＶ
用混成集積回路装置は小型、安価にデイジタルＴＶを提
供できるものの、アンテナが付属するＴＶセット等、特
殊構造のＴＶセットでは画像の乱れが確認された。そし
て、本件発明者等の基礎的研究により、この原因が混成
集積回路装置内部で発生するデイジタル信号の高調波ノ
イズ分が外部リードおよび絶縁金属基板とシールドケー
スとの僅かな接着間隙から漏洩し、アンテナ回路に混入
することに原因することが解明された。即ち、絶縁金属
基板と金属製ケースの接着間隙、絶縁金属基板とシール
ドケースの間隙は発生ノイズ、特に問題となるノイズを
漏洩させるに充分なスパンを有していることが解明され
た。そこで、本発明の目的は放熱特性を損なうことなく
外部リードおよび絶縁金属基板とシールドケースとの間
隙からのノイズ漏洩を防止できる混成集積回路構造を提
供することにある。
用混成集積回路装置は小型、安価にデイジタルＴＶを提
供できるものの、アンテナが付属するＴＶセット等、特
殊構造のＴＶセットでは画像の乱れが確認された。そし
て、本件発明者等の基礎的研究により、この原因が混成
集積回路装置内部で発生するデイジタル信号の高調波ノ
イズ分が外部リードおよび絶縁金属基板とシールドケー
スとの僅かな接着間隙から漏洩し、アンテナ回路に混入
することに原因することが解明された。即ち、絶縁金属
基板と金属製ケースの接着間隙、絶縁金属基板とシール
ドケースの間隙は発生ノイズ、特に問題となるノイズを
漏洩させるに充分なスパンを有していることが解明され
た。そこで、本発明の目的は放熱特性を損なうことなく
外部リードおよび絶縁金属基板とシールドケースとの間
隙からのノイズ漏洩を防止できる混成集積回路構造を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、長径が発生ノ
イズ、特に問題となるノイズを漏洩させない所定のサイ
ズとした放熱孔を形成したシールドケースで外部リード
が設けられる面を除く全ての面をシールドケースで覆っ
たことを主要な特徴とする。
イズ、特に問題となるノイズを漏洩させない所定のサイ
ズとした放熱孔を形成したシールドケースで外部リード
が設けられる面を除く全ての面をシールドケースで覆っ
たことを主要な特徴とする。
【００１０】
【作用】シールドケースにその長径が発生ノイズ、特に
問題となるノイズを漏洩させない所定のサイズとした放
熱孔を形成したため、放熱特性を損なうことなくノイズ
漏洩が防止できる。
問題となるノイズを漏洩させない所定のサイズとした放
熱孔を形成したため、放熱特性を損なうことなくノイズ
漏洩が防止できる。
【００１１】
【実施例】図１乃至図７を参照して本発明のデイジタル
ＴＶ用混成集積回路装置（以下、再び混成集積回路装置
と称する）を説明する。なお、図１は本発明の一実施例
の等価回路図であり、従来例の説明に供した図８の破線
内の回路に相当するものである。また、図２は一方の集
積回路基板の斜視図、図３は一実施例の断面図、図４は
一実施例の斜視図である。
ＴＶ用混成集積回路装置（以下、再び混成集積回路装置
と称する）を説明する。なお、図１は本発明の一実施例
の等価回路図であり、従来例の説明に供した図８の破線
内の回路に相当するものである。また、図２は一方の集
積回路基板の斜視図、図３は一実施例の断面図、図４は
一実施例の斜視図である。
【００１２】図１を参照すると、本実施例ではＡ／Ｄ変
換回路(12)、画像メモリ(14)、演算回路(16)、Ｄ／Ａ変
換回路(18)が混成集積回路装置(10)として二枚の絶縁金
属基板上に分割形成され、その二枚の絶縁金属基板を対
向配置し、混成集積回路化した回路を外部回路から遮断
してノイズ漏洩防止が図られる。また、電源端子を除く
全ての外部リード端子と混成集積回路装置の内部回路間
にはチップ状のフェライトビーズコア(36)、あるいは抵
抗(38)が挿入され、混成集積回路装置の外部リード端子
からのノイズ漏洩防止も図られる。
換回路(12)、画像メモリ(14)、演算回路(16)、Ｄ／Ａ変
換回路(18)が混成集積回路装置(10)として二枚の絶縁金
属基板上に分割形成され、その二枚の絶縁金属基板を対
向配置し、混成集積回路化した回路を外部回路から遮断
してノイズ漏洩防止が図られる。また、電源端子を除く
全ての外部リード端子と混成集積回路装置の内部回路間
にはチップ状のフェライトビーズコア(36)、あるいは抵
抗(38)が挿入され、混成集積回路装置の外部リード端子
からのノイズ漏洩防止も図られる。
【００１３】図２および図３を参照すると、二枚の絶縁
金属基板(20)(22)には、放熱特性および加工性を考慮し
て、表面を陽極酸化処理した（酸化膜を符号24で示す）
略２ｍｍ厚のアルミニウムが使用される。そして、この
絶縁金属基板の所定位置に捨孔を形成した後、ポリイミ
ド樹脂等の接着性を有する熱硬化性絶縁樹脂と略３５μ
ｍ厚の銅箔とのクラッド材をホットプレスし、この銅箔
をホトエッチングする等してパッド(26)、導電路(28)等
が所定パターンに形成される。
金属基板(20)(22)には、放熱特性および加工性を考慮し
て、表面を陽極酸化処理した（酸化膜を符号24で示す）
略２ｍｍ厚のアルミニウムが使用される。そして、この
絶縁金属基板の所定位置に捨孔を形成した後、ポリイミ
ド樹脂等の接着性を有する熱硬化性絶縁樹脂と略３５μ
ｍ厚の銅箔とのクラッド材をホットプレスし、この銅箔
をホトエッチングする等してパッド(26)、導電路(28)等
が所定パターンに形成される。
【００１４】ところで、接地用外部リード端子が固着さ
れるパッドおよびその導電路(28)は絶縁金属基板(20)(2
2)の両サイドに形成され、本実施例の混成集積回路装置
を搭載するマザー基板上に形成された接地パターンによ
り、混成集積回路の接地回路と後述するシールドケース
の設置ピンが低インピーダンスで接続される。また、導
電路(28)の線幅は銅箔厚に等しい略３５μｍと微細であ
るため、電荷集中によるノイズ発生を防止するため、滑
らかな曲線模様に形成される。さらに、導電路パターン
が鋭角となる個所はアールが付与される。なお、前記熱
硬化性絶縁樹脂はホットプレス後略３５μｍ厚の絶縁層
(24)となる。
れるパッドおよびその導電路(28)は絶縁金属基板(20)(2
2)の両サイドに形成され、本実施例の混成集積回路装置
を搭載するマザー基板上に形成された接地パターンによ
り、混成集積回路の接地回路と後述するシールドケース
の設置ピンが低インピーダンスで接続される。また、導
電路(28)の線幅は銅箔厚に等しい略３５μｍと微細であ
るため、電荷集中によるノイズ発生を防止するため、滑
らかな曲線模様に形成される。さらに、導電路パターン
が鋭角となる個所はアールが付与される。なお、前記熱
硬化性絶縁樹脂はホットプレス後略３５μｍ厚の絶縁層
(24)となる。
【００１５】この後、絶縁金属基板の前記捨孔のブリッ
ジ部を切断して、二枚の絶縁金属基板(20)(22)に分割す
ることにより、ブリッジ部において相互の回路パターン
が導電路で接続された二枚の絶縁金属基板(20)(22)が得
られる。しかしながら、二枚の絶縁金属基板(20)(22)を
個々に形成し適宜の接続手段によりそれぞれの回路を接
続することも可能である。
ジ部を切断して、二枚の絶縁金属基板(20)(22)に分割す
ることにより、ブリッジ部において相互の回路パターン
が導電路で接続された二枚の絶縁金属基板(20)(22)が得
られる。しかしながら、二枚の絶縁金属基板(20)(22)を
個々に形成し適宜の接続手段によりそれぞれの回路を接
続することも可能である。
【００１６】二枚の絶縁金属基板(20)(22)上に形成した
所定のパッド(26)に、前記のＡ／Ｄ変換回路(12)、画像
メモリ(14)、演算回路(16)、Ｄ／Ａ変換回路(18)を構成
する集積回路素子等の半導体素子、チップ抵抗、チップ
コンデンサー等の回路素子、および端子ノイズを抑制す
るフェライトビーズコア(36)あるいは抵抗(38)等の異型
部品が半田等のろう材で固着接続される。
所定のパッド(26)に、前記のＡ／Ｄ変換回路(12)、画像
メモリ(14)、演算回路(16)、Ｄ／Ａ変換回路(18)を構成
する集積回路素子等の半導体素子、チップ抵抗、チップ
コンデンサー等の回路素子、および端子ノイズを抑制す
るフェライトビーズコア(36)あるいは抵抗(38)等の異型
部品が半田等のろう材で固着接続される。
【００１７】そして、所定の回路をワイアボンディング
接続し、外部リード(30)を半田固着した二枚の絶縁金属
基板(20)(22)を接着性シートを使用して、その実装素子
が対向するように、枠形状の樹脂ケース(32)で固着一体
化する。二枚の絶縁金属基板(20)(22)の回路接続部が
（折曲げ部）は図３に示す如く、両基板(20)(22)の終端
部内に配置される構造となる。
接続し、外部リード(30)を半田固着した二枚の絶縁金属
基板(20)(22)を接着性シートを使用して、その実装素子
が対向するように、枠形状の樹脂ケース(32)で固着一体
化する。二枚の絶縁金属基板(20)(22)の回路接続部が
（折曲げ部）は図３に示す如く、両基板(20)(22)の終端
部内に配置される構造となる。
【００１８】図５は本発明に特徴的なシールドケースの
一例の展開図である。本発明で使用されるシールドケー
ス(40)は混成集積回路装置の外部リード(30)が設けられ
る面を除く全ての面を覆う構造であり、前記したよう
に、混成集積回路装置を搭載するマザー基板上に形成さ
れた接地パターンにより、混成集積回路の接地回路とこ
のシールドケース(40)を低インピーダンスで接続するた
めの接地端子(42)を備えると共に絶縁金属基板(20)(22)
からの放熱を妨げないように複数の放熱孔(44)が形成さ
れる。実施例は円形の放熱孔を示すが、長径が発生ノイ
ズ、特に問題となるノイズ周波数の略１／１０以下であ
れば任意の形状とすることができる。本実施例では放熱
孔(44)はケース材の側面に、マトリックス状に形成され
ているが、基板上に搭載される回路素子等の位置関係を
考慮してチドリ配置あるいは放熱が必要と思われる領域
に部分的に形成してもよい。かかる、シールドケース(4
0)は溶接により接合、形成される。しかし、シールドケ
ース(40)を完全結合すると、接合コストが高くなり、且
つ、作素性が低下するため、本実施例では、シールドケ
ース(40)の重畳部にスポット溶接を行っている。前述し
たように発生ノイズの波長の略１／１０以下の間隔でス
ポット溶接される（図４にスポット溶接部を符号46で示
す）。
一例の展開図である。本発明で使用されるシールドケー
ス(40)は混成集積回路装置の外部リード(30)が設けられ
る面を除く全ての面を覆う構造であり、前記したよう
に、混成集積回路装置を搭載するマザー基板上に形成さ
れた接地パターンにより、混成集積回路の接地回路とこ
のシールドケース(40)を低インピーダンスで接続するた
めの接地端子(42)を備えると共に絶縁金属基板(20)(22)
からの放熱を妨げないように複数の放熱孔(44)が形成さ
れる。実施例は円形の放熱孔を示すが、長径が発生ノイ
ズ、特に問題となるノイズ周波数の略１／１０以下であ
れば任意の形状とすることができる。本実施例では放熱
孔(44)はケース材の側面に、マトリックス状に形成され
ているが、基板上に搭載される回路素子等の位置関係を
考慮してチドリ配置あるいは放熱が必要と思われる領域
に部分的に形成してもよい。かかる、シールドケース(4
0)は溶接により接合、形成される。しかし、シールドケ
ース(40)を完全結合すると、接合コストが高くなり、且
つ、作素性が低下するため、本実施例では、シールドケ
ース(40)の重畳部にスポット溶接を行っている。前述し
たように発生ノイズの波長の略１／１０以下の間隔でス
ポット溶接される（図４にスポット溶接部を符号46で示
す）。
【００１９】図６および図７に任意の外部リードで測定
した従来例と実施例の高調波ノイズ特性を示す。同図は
中心周波数５００ＭＨZ、１５０ＫＨZ／ｄｉｖ、１０ｄ
ｂ／ｄｉｖである。同図に示されるように、従来の混成
集積回路装置はノイズレベルが−２０ｄｂに達するに対
して本発明の混成集積回路装置では−４０ｄｂ以下が達
成される。なお、測定条件は１ＫΩの抵抗を被測定端子
と接地間に接続し、この抵抗に流れる電流を５ｍＶ／ｍ
Ａの効率で変換したものである。
した従来例と実施例の高調波ノイズ特性を示す。同図は
中心周波数５００ＭＨZ、１５０ＫＨZ／ｄｉｖ、１０ｄ
ｂ／ｄｉｖである。同図に示されるように、従来の混成
集積回路装置はノイズレベルが−２０ｄｂに達するに対
して本発明の混成集積回路装置では−４０ｄｂ以下が達
成される。なお、測定条件は１ＫΩの抵抗を被測定端子
と接地間に接続し、この抵抗に流れる電流を５ｍＶ／ｍ
Ａの効率で変換したものである。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように本発明の混成集積回路
装置は、外部リードが設けられる面を除く全ての面をシ
ールドケースで覆ったため絶縁金属基板とシールドケー
スとの間隙からのノイズ漏洩が防止されるばかりか、シ
ールドケースにノイズを通過させないサイズの放熱孔を
形成したため放熱特性が損なわれない。
装置は、外部リードが設けられる面を除く全ての面をシ
ールドケースで覆ったため絶縁金属基板とシールドケー
スとの間隙からのノイズ漏洩が防止されるばかりか、シ
ールドケースにノイズを通過させないサイズの放熱孔を
形成したため放熱特性が損なわれない。
【００２１】また、電源を除く全ての外部リード端子と
内部回路間にチップ形状のフェライトビースコアあるい
は抵抗を挿入したため外部リードからのノイズ漏洩が防
止される。また、全ての集積回路素子の接地回路をそれ
ぞれの集積回路素子の近傍であって、パターンインピー
ダンスが低い個所で絶縁金属基板に接続したため集積回
路素子の動作電位が安定してノイズ発生が防止される。
内部回路間にチップ形状のフェライトビースコアあるい
は抵抗を挿入したため外部リードからのノイズ漏洩が防
止される。また、全ての集積回路素子の接地回路をそれ
ぞれの集積回路素子の近傍であって、パターンインピー
ダンスが低い個所で絶縁金属基板に接続したため集積回
路素子の動作電位が安定してノイズ発生が防止される。
【００２２】また、二枚の絶縁金属基板の少なくとも両
サイドに接地パターンおよび外部リード端子を形成した
ため混成集積回路装置を搭載するマザー基板上におい
て、シールドケースが低インピータンスでその接地パタ
ーンに接続され、シールドケースの電位が安定してノイ
ズ発生が防止される。さらにまた、回路パターンを滑ら
かに形成したため電荷集中によるノイズ発生が防止され
る。
サイドに接地パターンおよび外部リード端子を形成した
ため混成集積回路装置を搭載するマザー基板上におい
て、シールドケースが低インピータンスでその接地パタ
ーンに接続され、シールドケースの電位が安定してノイ
ズ発生が防止される。さらにまた、回路パターンを滑ら
かに形成したため電荷集中によるノイズ発生が防止され
る。
【００２３】
【図１】本発明の一実施例の等価回路図。
【図２】本発明の集積回路基板の斜視図。
【図３】本発明の一実施例の断面図。
【図４】本発明の一実施例の斜視図。
【図５】本発明のシールドケースの展開図。
【図６】従来例のノイズ特性図。
【図７】本発明の実施例のノイズ特性図。
【図８】ディジタルＴＶの等価回路図。
【図９】従来例の斜視図。
１０ 混成集積回路装置 １２ Ａ／Ｄ変換回路 １４ 画像メモリ １６ 演算回路 １８ Ｄ／Ａ変換回路 ２０ 絶縁金属基板 ２２ 絶縁金属基板 ２４ 酸化膜 ２６ パッド ２８ 導電路 ３０ 外部リード ３２ ケース ３６ フェライトビーズコア ３８ 抵抗 ４０ シールドケース ４２ 接地ピン ４４ 放熱孔
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁金属基板に形成した回路パターン上
にＡ／Ｄ変換回路、画像メモリ、演算回路、Ｄ／Ａ変換
回路等のディジタルＴＶに必要な回路要素の少なくとも
１つを集積化した集積回路基板と、 前記絶縁金属基板上に形成した回路要素を封止するケー
ス材と、 外部リードが設けられる面を除く全ての面を覆い、かつ
複数の放熱孔を有したシールドケースとを備えたことを
特徴とする混成集積回路装置。 - 【請求項２】 前記基板上に形成された電源を除く全て
の外部リード端子と内部回路間にチップ状のフェライト
ビーズコアおよび／あるいはチップ抵抗を配置したこと
を特徴とする請求項１の混成集積回路装置。 - 【請求項３】 前記Ａ／Ｄ変換回路、画像メモリ、演算
回路、Ｄ／Ａ変換回路等の集積回路素子の接地回路をそ
れぞれの集積回路素子の近傍であって、パターンインピ
ーダンスが比較的低い個所で絶縁金属基板に接続したこ
とを特徴とする請求項１の混成集積回路装置。 - 【請求項４】 前記Ａ／Ｄ変換回路、画像メモリ、演算
回路、Ｄ／Ａ変換回路等の回路要素を二枚の絶縁金属基
板上に実装したことを特徴とする請求項１の混成集積回
路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3278684A JPH05206679A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3278684A JPH05206679A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206679A true JPH05206679A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=17600735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3278684A Pending JPH05206679A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206679A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100462785B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2004-12-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 하이브리드 ｉｃ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02799B2 (ja) * | 1980-07-09 | 1990-01-09 | Hitachi Ltd | |
| JPH0244396B2 (ja) * | 1982-12-29 | 1990-10-03 | Nippon Shoji Kk | Birirubinteiryoho |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP3278684A patent/JPH05206679A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02799B2 (ja) * | 1980-07-09 | 1990-01-09 | Hitachi Ltd | |
| JPH0244396B2 (ja) * | 1982-12-29 | 1990-10-03 | Nippon Shoji Kk | Birirubinteiryoho |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100462785B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2004-12-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 하이브리드 ｉｃ |
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