JPH02799B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブルメモリ素子の試験方式、特
に試験時間を短縮させた磁気バブルメモリ素子の
機能試験方式に関するものである。

一般に、磁気バブルを転送する転送回路として
パーマロイ等の軟強磁性薄膜パタンを上記磁気バ
ブル磁性薄膜上に形成し、このパタンを、パタン
面内で回転する回転磁界で磁化するいわゆるフイ
ールドアクセス方式と言われる周知の方式が用い
られている。そして、このフイールドアクセス方
式は情報のアクセス時間を短くするために、メイ
ジヤマイナループ方式と呼ばれる公知の回路構成
方法が用いられている。

第１図は、このメイジヤマイナループ方式のメ
モリチツプの一例を示す構成図であり、また、本
発明の試験方法が適用されるメモリチツプの一例
でもある。同図において、１はメイジヤループで
あり、このメイジヤループ１は、例えば1a，１
ｂ，１ｃ，……１ｎなる複数個のシエブロンと
Ｔ・Ｉパタンからなる複数個のビツトが連続して
形成された閉ループである。２はマイナループで
あり、このマイナループ２は、複数ビツトのバブ
ルドメイン転送トラツクで閉ループを形成してお
り、例えばＴ・Ｉパタンの連続したループが多数
並列に配置されて構成されている。そして、この
マイナループ２は、それぞれその一端がメイジヤ
ループ１にトランスフアゲート（Ｔ）３を介して
１ビツト毎に結合されてトランスフア指令（パル
ス電流による局部磁界により、バブルドメインの
トラツクを切換えるようになつている）によつ
て、メイジヤループ１とマイナループ２間で入出
力のデータブロツクのやりとりが行なわれる。こ
こで、メイジヤループ１とマイナループ２上の丸
印〇はシフトレジスタのビツト位置を表わし、矢
印はシフト方向を表わしている。また、このメイ
ジヤループ１の一端には、それぞれ情報“１”、
“０”などのデータブロツクに対応して書込み信
号Ｇ、消滅信号Ａを送出して磁気バブルを発生、
消滅させるバブル発生・消滅器と、バブルドメイ
ンの存在を検出して検出信号（Ｓ）として取出す
磁気バブル検出器５と、メイジヤループ１中のバ
ブルドメインを上記磁気バブル検出器５に送るた
め、バブルを分割するためのリプリケート信号
（Ｒ）を送出するリプリケータ６とがそれぞれ接
続されている。

このように構成された磁気バブルメモリ装置に
おいて、情報の書込みは、まず、磁気バブル発
生・消滅器４に書込み信号Ｇと消滅信号Ａとを１
個のコンダクタｕで動作させて新しい情報をコン
ダクタｕによりメイジヤループ１上に１ビツト毎
に書込ませている。そして、書込まれた情報はメ
イジヤループ１上を転送されてトランスフアゲー
ト（Ｔ）３のゲート動作（トランスフアインと呼
ばれる）により、メイジヤループ１上からマイナ
ループ２に移され、この情報は黒丸印で示したよ
うにマイナループ２の各ビツトに貯蔵されること
になる。次に、このマイナループ２中に貯えられ
た情報の読出しは、例えば黒丸印で示した情報
は、まず、マイナループ２中を矢印の方向に転送
されてトランスフアゲート（Ｔ）３のゲート動作
（トランスフアアウトと呼ばれる）により、メイ
ジヤループ１に移される。そして、メイジヤルー
プ１に移された情報はそのループ上に転送されて
リプリケータ６のリプリケータ信号（Ｒ）により
検出器５に送られ、検出器５を通過する際、外部
に読み出されることになる。そして、このメイジ
ヤループ１の情報は再びトランスフアゲート
（Ｔ）３を介してマイナループ２の元の位置へ貯
えられる。そして、次に、マイナループ２内に書
込まれた情報信号が不要となつて新規に新しい情
報信号を書込む場合、新しい情報信号Ｇを書込む
直前に古い情報信号に該当するビツトに消滅信号
Ａを供給して古い情報信号を消滅させた後、新し
い情報を書込んでいた。つまり、この状態を第２
図に示した電流タイミング図を用いて説明する
と、今、新しい情報“１”、“１”、“０”を書込む
場合、磁気バブル発生・消滅器４のバブル発生器
から１ビツト毎にビツト番号１ａ，１ｃに情報
“１”、“１”に対応する情報信号Ｇのパルス電流
igが供給され、また、情報“０”に対しててビツ
ト番号１ｅはパルス電流igが供給されない状態と
なつて情報が書込まれる。このときに、磁気バブ
ル発生・消滅器４の消滅器からはビツト番号１
ａ，１ｃ，１ｅにそれぞれ古い情報を消滅させる
パルス電流iaが上記情報信号Ｇのパルス電流igが
供給される直前に送出させて新しい情報を書込む
直前に古い情報を消滅させる構成となつている。

このように構成された磁気バブルメモリ素子は
最終工程で機能、動作試験が行なわれる。バブル
メモリの使用において、最も厳しい動作条件、即
ち動作マージンが最も厳しいモードは、バブルメ
モリの使用を開始したときと使用を停止したと
き、言い換えれば磁気バブルの転送のスタート及
びストツプ時である。従つて、動作試験はメモリ
チツプ内の磁気バブルの転送をスタート・ストツ
プ動作を繰り返しながら行なわれる。

従来の機能試験方式は、各マイナループ２の特
定ビツト（特定ページ）に試験データの書込みを
行ない、次に所定のタイミングでバブルの転送を
停止し、一定時間後バブルの転送を開始し、しか
る後マイナループから上記特定ページのデータの
読み出しを行い正誤の確認をするという一連の動
作を全ページ範囲で繰り返すという方式であつ
た。この試験方式は書き込み、バブルの転送のス
トツプ・スタート、読み出し、及び正誤確認の動
作を繰り返すためテスト時間が長いという欠点が
あつた。

したがつて本発明は、上記従来の欠点を改善し
た磁気バブルメモリ素子の機能試験方式を提供す
ることを目的としている。本発明によれば、まず
試験データが全ページに亘つて（マイナループの
全ビツトに）書き込まれる。具体的には、１ペー
ジのデータがバブル発生器４からメイジヤループ
１に直列に転送され、所定のタイミングでトラン
スフアーゲート３により、メイジヤループの１ペ
ージのデータが各マイナループ２の第１ページ目
のビツト位置（アドレス）に並列に転送され、こ
のような動作が繰り返されて全ページに亘つて試
験データが書き込まれる。しかる後バブルの転送
停止と開始が毎ビツト連続的に行なわれ、しかる
後記憶データを読み出し試験する方式が提供され
る。なお、記憶データの読み出しは、前述の書き
込みと逆となり、マイナループ２の第１ページ目
のアドレスのデータが所定のタイミングでメイジ
ヤループ１に並列に転送され、メイジヤループ１
の１ページのデータが検出器５によつて直列に読
み出され、このような動作が繰り返されることに
よつて全ページに亘つて試験データの読み出しが
完了する。書き込みデータと読み出しデータの照
合はホストコンピユータで行なわれる。この方法
によれば、試験時間の短縮やパターン依存性の試
験が可能となる。以下、図面を用いて本発明を詳
細に説明する。

第３図は本発明による磁気バブルメモリ素子の
試験方式の一例を説明するための磁気バブルメモ
リチツプの要部構成図であり、前述の図と同記号
は同一要素となるのでその説明は省略する。同図
において、本方式はスタート・ストツプの繰り返
し期間中は、マイナループとメイジヤループとの
間でデータのやり取りを行なわず、スタート・ス
トツプ動作時において、磁気バブルＢを転送する
毎にストツプさせ、一定時間後にスタートさせる
動作を繰り返す。

このような試験方式によると、例えば、一つの
マイナループ２のビツト数が535ビツト、磁気バ
ブルＢを１ビツト転送する時間を10μsec、スター
ト・ストツプ時のストツプ時間を10μsecとする
と、従来方式では全アドレス・ライト、全アドレ
ス・リード試験時間は約11.5秒を要するが、本発
明では試験時間は約2.9秒となり、約1/4倍に試験
時間を短縮することができた。

以上説明したように本発明による磁気バブルメ
モリ素子の試験方式によれば、連続してスター
ト・ストツプ動作を行うので試験時間を大幅に短
縮することができるなどの極めて優れた効果が得
られる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は磁気バブルメモリ素子の一例
を説明するための図、第３図は本発明による磁気
バブルメモリ素子の試験方式を説明するための図
である。 １……メイジヤループ、１ａ，１ｂ，１ｃ〜１
ｎ……ビツト、２……マイナループ、３……トラ
ンスフアゲート、４……磁気バブル発生、消滅
器、５……検出器、６……リプリケータ、７……
消滅器。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 情報信号に対応して磁気バブルを記憶媒体と
   して記憶保持させる複数のマイナループを少なく
   とも備えた磁気バブルメモリ素子の試験方式であ
   つて、各マイナループの全ビツトに試験データを
   書き込むステツプと、各マイナループ内の上記試
   験データを１ビツト転送させる毎に磁気バブルの
   転送を停止および開始を繰り返すステツプと、し
   かる後上記マイナループから記憶情報を読み出し
   て試験するステツプとを具備して成ることを特徴
   とした磁気バブルメモリ素子の試験方式。