JPH05207647A - サージ吸収回路 - Google Patents
サージ吸収回路Info
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- JPH05207647A JPH05207647A JP20495791A JP20495791A JPH05207647A JP H05207647 A JPH05207647 A JP H05207647A JP 20495791 A JP20495791 A JP 20495791A JP 20495791 A JP20495791 A JP 20495791A JP H05207647 A JPH05207647 A JP H05207647A
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- circuit
- voltage
- surge
- series
- mov
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 サージ電圧が印加されたときだけに導通し、
常時には電流を通さないサージ吸収回路の提供。 【構成】 トライアック10とメタルオキサイドバリス
タ(MOV)とが直列に接続され、トライアック10の
ゲート端子にはチェナーダイオード16,17と抵抗1
8とが直列に接続されている。チェナーダイオード16
と17とは互いに逆極性に接続されている。チェナーダ
イオード16,17のチェナー電圧以上のサージ電圧が
印加されると、トライアック10にゲート電流が流れ、
トライアック10が導通し、MOV13にサージ電圧が
印加される。 【効果】 MOV13に厳しい規格が要求されない。ま
た、常時にはMOVに電源電圧が印加されない。
常時には電流を通さないサージ吸収回路の提供。 【構成】 トライアック10とメタルオキサイドバリス
タ(MOV)とが直列に接続され、トライアック10の
ゲート端子にはチェナーダイオード16,17と抵抗1
8とが直列に接続されている。チェナーダイオード16
と17とは互いに逆極性に接続されている。チェナーダ
イオード16,17のチェナー電圧以上のサージ電圧が
印加されると、トライアック10にゲート電流が流れ、
トライアック10が導通し、MOV13にサージ電圧が
印加される。 【効果】 MOV13に厳しい規格が要求されない。ま
た、常時にはMOVに電源電圧が印加されない。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、サージ電圧を吸収する
ことにより、負荷に過渡的な過大電圧が印加されるのを
防ぐサージ吸収回路に関する。
ことにより、負荷に過渡的な過大電圧が印加されるのを
防ぐサージ吸収回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図10は従来のサージ吸収回路を示す回
路図である。このサージ吸収回路は、多結晶焼結体であ
るメタルオキサイドバリス(MOV)13を負荷に並列
に接続してなる。MOVに対する要求特性としては、常
時使用する電圧値では、できるだけリーク電流が少な
く、サージ電圧が印加された場合には、このサージ電圧
を吸収するためできるだけMOVに電流を流すという非
線形特性が要求される。
路図である。このサージ吸収回路は、多結晶焼結体であ
るメタルオキサイドバリス(MOV)13を負荷に並列
に接続してなる。MOVに対する要求特性としては、常
時使用する電圧値では、できるだけリーク電流が少な
く、サージ電圧が印加された場合には、このサージ電圧
を吸収するためできるだけMOVに電流を流すという非
線形特性が要求される。
【0003】しかし、MOVについては、多結晶焼結体
の性質として、非線形特性の厳密な制御が困難であり、
これを余り強く要求すると製品歩留りが悪くなり、ひい
てはMOVが高価になるという欠点があった。また、予
想以上のエネルギーのサージが入力した場合には、MO
Vに定格電力以上の電力が印加され、特性が劣化するこ
とがあった。MOVの特性が劣化すれば、常時の印加電
圧値でも大きなリーク電流が流れ、これによってMOV
が発熱しさらに劣化が進むという悪循環が起き、遂には
自己発熱により発火等に至ることがしばしばあった。
の性質として、非線形特性の厳密な制御が困難であり、
これを余り強く要求すると製品歩留りが悪くなり、ひい
てはMOVが高価になるという欠点があった。また、予
想以上のエネルギーのサージが入力した場合には、MO
Vに定格電力以上の電力が印加され、特性が劣化するこ
とがあった。MOVの特性が劣化すれば、常時の印加電
圧値でも大きなリーク電流が流れ、これによってMOV
が発熱しさらに劣化が進むという悪循環が起き、遂には
自己発熱により発火等に至ることがしばしばあった。
【0004】MOVのこの欠点を補うには、定格電圧で
はMOVを動作させず、またサージ電圧のような定格電
圧以上の電圧が印加されたときのみ、MOVを動作させ
る二方向サイリスタをMOVに直列に接続すればよく、
その回路を図11に示す。
はMOVを動作させず、またサージ電圧のような定格電
圧以上の電圧が印加されたときのみ、MOVを動作させ
る二方向サイリスタをMOVに直列に接続すればよく、
その回路を図11に示す。
【0005】二方向サイリスタは、図7に示す特性を有
する二方向対称スイッチ素子であり、シリコンシンメト
リカルスイッチ(SSS)、ダイアック、サイダック、
バイスイッチ等の名称で市販されているものである。
する二方向対称スイッチ素子であり、シリコンシンメト
リカルスイッチ(SSS)、ダイアック、サイダック、
バイスイッチ等の名称で市販されているものである。
【0006】二方向サイリスタの動作については、二方
向が対称であるので片方向について説明する。図7に示
すように、二方向サイリスタの両端に電圧が印加される
とブレークオーバ電圧Vbまではオフであるが、印加電
圧VがVbを越えると、二方向サイリスタは急激にオン
となる。このオンのときの二方向サイリスタの電圧、す
なわちオン電圧は約1Vである。このオンの状態は電流
Iが保持電流Ih以下になればオフとなる。二方向サイ
リスタは前述のように対称的な動作を行なうので、両端
の電圧の極性が逆になれば、ブレークオーバ電圧Vbお
よび保持電流Ihは、それぞれ−Vb,−Ihである対
称的な動作曲線となる。
向が対称であるので片方向について説明する。図7に示
すように、二方向サイリスタの両端に電圧が印加される
とブレークオーバ電圧Vbまではオフであるが、印加電
圧VがVbを越えると、二方向サイリスタは急激にオン
となる。このオンのときの二方向サイリスタの電圧、す
なわちオン電圧は約1Vである。このオンの状態は電流
Iが保持電流Ih以下になればオフとなる。二方向サイ
リスタは前述のように対称的な動作を行なうので、両端
の電圧の極性が逆になれば、ブレークオーバ電圧Vbお
よび保持電流Ihは、それぞれ−Vb,−Ihである対
称的な動作曲線となる。
【0007】図10の回路におけるMOVに代えて二方
向サイリスタを用いて構成したサージ吸収回路を図12
に示す。本図の回路においてサージ電圧が発生すると、
二方向サイリスタ12が導通し、サージ電圧が吸収され
る。
向サイリスタを用いて構成したサージ吸収回路を図12
に示す。本図の回路においてサージ電圧が発生すると、
二方向サイリスタ12が導通し、サージ電圧が吸収され
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】図10の従来のサージ
吸収回路には、既に述べたように、厳しい規格で歩留り
の悪いMOVを必要としたり、或いはMOV特性劣化が
起り易いといった欠点がある。図11の従来のサージ吸
収回路では、図10の回路の欠点は解消する。しかし、
図11の回路は、ns以下という短い時間に立上るサー
ジ電圧を受けると、急峻な立上り部分のサージ電圧を十
分には吸収できない。図12の従来のサージ吸収回路も
図10の回路の欠点を解決する。しかし、図12の回路
では、二方向サイリスタ12が導通すると、電源電圧が
低下するまで電流が無制限に流れ、二方向サイリスタ1
2が破壊されたり、或いは負荷14に印加される電圧が
低下してしまう。
吸収回路には、既に述べたように、厳しい規格で歩留り
の悪いMOVを必要としたり、或いはMOV特性劣化が
起り易いといった欠点がある。図11の従来のサージ吸
収回路では、図10の回路の欠点は解消する。しかし、
図11の回路は、ns以下という短い時間に立上るサー
ジ電圧を受けると、急峻な立上り部分のサージ電圧を十
分には吸収できない。図12の従来のサージ吸収回路も
図10の回路の欠点を解決する。しかし、図12の回路
では、二方向サイリスタ12が導通すると、電源電圧が
低下するまで電流が無制限に流れ、二方向サイリスタ1
2が破壊されたり、或いは負荷14に印加される電圧が
低下してしまう。
【0009】このように、従来のサージ吸収回路には、
信頼性、サージ電圧吸収能力、歩留りなどに関し解決す
べき課題があった。
信頼性、サージ電圧吸収能力、歩留りなどに関し解決す
べき課題があった。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、ゲート電流をサージ電圧により制御する回路がゲー
ト端子に接続してあるトライアックと、メタルオキサイ
ドバリスタとを直列に接続してなることを特徴とするサ
ージ吸収回路である。
は、ゲート電流をサージ電圧により制御する回路がゲー
ト端子に接続してあるトライアックと、メタルオキサイ
ドバリスタとを直列に接続してなることを特徴とするサ
ージ吸収回路である。
【0011】請求項2に記載の発明は、ツェナーダイオ
ード、抵抗及びトランジスタのベースを直列に接続し、
そのトランジスタのコレクタに直列にメタルオキサイド
バリスタを接続してなる直流回路用サージ吸収回路であ
る。
ード、抵抗及びトランジスタのベースを直列に接続し、
そのトランジスタのコレクタに直列にメタルオキサイド
バリスタを接続してなる直流回路用サージ吸収回路であ
る。
【0012】請求項3に記載の発明は、2つのツェナー
ダイオードを互いに逆向きで直列に接続した第1の回路
と、二方向サイリスタ及びメタルオキサイドバリスタを
直列に接続した第2の回路とを並列に接続してなること
を特徴とするサージ吸収回路である。
ダイオードを互いに逆向きで直列に接続した第1の回路
と、二方向サイリスタ及びメタルオキサイドバリスタを
直列に接続した第2の回路とを並列に接続してなること
を特徴とするサージ吸収回路である。
【0013】請求項4に記載の発明は、二方向サイリス
タ及びメタルオキサイドバリスタを直列に接続してなる
回路にツェナーダイオードを並列に接続して構成したこ
とを特徴とする直流回路用サージ吸収回路である。
タ及びメタルオキサイドバリスタを直列に接続してなる
回路にツェナーダイオードを並列に接続して構成したこ
とを特徴とする直流回路用サージ吸収回路である。
【0014】請求項5に記載の発明は、第一のコンデン
サと第一の抵抗との並列接続回路に第一のダイオードを
直列に接続した第一の放電回路と、第二のコンデンサと
第二の抵抗との並列に接続回路に第二のダイオードを前
記第一のダイオードと逆極性に直列に接続した第二の放
電回路と、二方向サイリスタとを備え、前記第一および
第二の放電回路を並列に接続し、これら両放電回路の接
続点に前記二方向サイリスタを直列に接続したことを特
徴とするサージ吸収回路である。
サと第一の抵抗との並列接続回路に第一のダイオードを
直列に接続した第一の放電回路と、第二のコンデンサと
第二の抵抗との並列に接続回路に第二のダイオードを前
記第一のダイオードと逆極性に直列に接続した第二の放
電回路と、二方向サイリスタとを備え、前記第一および
第二の放電回路を並列に接続し、これら両放電回路の接
続点に前記二方向サイリスタを直列に接続したことを特
徴とするサージ吸収回路である。
【0015】
【実施例】次に実施例を挙げ本願の発明を一層詳しく説
明する。
明する。
【0016】図1は請求項1に記載した発明の第1の実
施例を示す図、図2は図1の回路におけるトライアック
10の端子、電流および印加電圧を示す図である。図1
の実施例の説明を容易にするために、まず図2を参照し
てトライアックの動作を説明する。
施例を示す図、図2は図1の回路におけるトライアック
10の端子、電流および印加電圧を示す図である。図1
の実施例の説明を容易にするために、まず図2を参照し
てトライアックの動作を説明する。
【0017】端子T1 に対し端子T2 に正の電圧が印加
されているとき、G→T1 にゲートトリガ電流が流れれ
ばトライアックはONになる。また端子T2 に対し端子
T1 に正の電圧が印加されているときに、T1 →Gにゲ
ートトリガ電流が流れればトライアックはONになる。
ONの状態は、電流Iが保持電流以下になれば、OFF
になる。
されているとき、G→T1 にゲートトリガ電流が流れれ
ばトライアックはONになる。また端子T2 に対し端子
T1 に正の電圧が印加されているときに、T1 →Gにゲ
ートトリガ電流が流れればトライアックはONになる。
ONの状態は、電流Iが保持電流以下になれば、OFF
になる。
【0018】図1の実施例について説明する。11は電
源であり、ここでは交流電源であるが、図3のように直
流電源でもよい。10はスイッチ素子のトライアックで
あり、そのゲートにはツェナーダイオード16,17と
ゲート電流制限用の抵抗器18を直列に接続している。
ツェナーダイオード16と17の極性は逆向きとなって
いる。14は負荷である。図1の回路において、トライ
アック10のピークオフ電圧を、電源11の出力電圧の
許容最高値以上に設定し、さらにツェナーダイオード1
6,17のツェナー電圧を、印加されるサージ電圧の抑
制電圧値に設定する。電源電圧のみであればツェナーダ
イオードによりゲート電流は流れず、トライアック10
はOFFの状態を維持する。ここで、サージ電圧が電源
電圧に重畳され、その電圧がツェナーダイオード16,
17のツェナー電圧以上であれば、トライアック10の
ゲートにゲート電流が流れ、トライアック10はONと
なり、そのON電圧は1V程度であるから回路的にはM
OV13が電源に直接接続されたようになってサージを
吸収する。その後トライアック10のゲート電流が、保
持電流以下になれば、トライアック10はOFFにな
り、MOV13は全く動作せず、MOV13にはトライ
アック10のリーク電流のみが流れる。即ちMOV13
はサージ電圧が印加されたときのみ動作して、通常は動
作しない。
源であり、ここでは交流電源であるが、図3のように直
流電源でもよい。10はスイッチ素子のトライアックで
あり、そのゲートにはツェナーダイオード16,17と
ゲート電流制限用の抵抗器18を直列に接続している。
ツェナーダイオード16と17の極性は逆向きとなって
いる。14は負荷である。図1の回路において、トライ
アック10のピークオフ電圧を、電源11の出力電圧の
許容最高値以上に設定し、さらにツェナーダイオード1
6,17のツェナー電圧を、印加されるサージ電圧の抑
制電圧値に設定する。電源電圧のみであればツェナーダ
イオードによりゲート電流は流れず、トライアック10
はOFFの状態を維持する。ここで、サージ電圧が電源
電圧に重畳され、その電圧がツェナーダイオード16,
17のツェナー電圧以上であれば、トライアック10の
ゲートにゲート電流が流れ、トライアック10はONと
なり、そのON電圧は1V程度であるから回路的にはM
OV13が電源に直接接続されたようになってサージを
吸収する。その後トライアック10のゲート電流が、保
持電流以下になれば、トライアック10はOFFにな
り、MOV13は全く動作せず、MOV13にはトライ
アック10のリーク電流のみが流れる。即ちMOV13
はサージ電圧が印加されたときのみ動作して、通常は動
作しない。
【0019】なお図3には請求項1に記載した発明の第
2の実施例であるサージ吸収回路を示す。この実施例で
は、ツェナーダイオード16,17の代わりにダイアッ
ク27を接続し、交流電源11の代わりに直流電源15
を用いているが、その動作は図1の実施例と同様であ
る。
2の実施例であるサージ吸収回路を示す。この実施例で
は、ツェナーダイオード16,17の代わりにダイアッ
ク27を接続し、交流電源11の代わりに直流電源15
を用いているが、その動作は図1の実施例と同様であ
る。
【0020】図4は請求項2に記載した発明の第1の実
施例を示す回路図である。図4において15は直流電源
であり、25はツェナーダイオード(ZD)でZDのカ
ソード側を直流電源15のプラス側に接続してある。2
0は抵抗で23はコンデンサでZD25のアノード側に
接続されている。21はトランジスタであり、そのコレ
クタにはMOV13が接続され、14は負荷である。こ
こでZD25の動作電圧は、吸収されるサージ電圧に合
わせた電圧にして、サージ電圧が印加されないときはZ
D25には電流が流れない電圧値にしておく。
施例を示す回路図である。図4において15は直流電源
であり、25はツェナーダイオード(ZD)でZDのカ
ソード側を直流電源15のプラス側に接続してある。2
0は抵抗で23はコンデンサでZD25のアノード側に
接続されている。21はトランジスタであり、そのコレ
クタにはMOV13が接続され、14は負荷である。こ
こでZD25の動作電圧は、吸収されるサージ電圧に合
わせた電圧にして、サージ電圧が印加されないときはZ
D25には電流が流れない電圧値にしておく。
【0021】サージ電圧が印加されれば電流は、ZD2
5→抵抗20→トランジスタ21のベース→トランジス
タ21のエミッタの経路で流れ、トランジスタ21は導
通するのでMOV13は電源15に接続されたことにな
り、サージ電圧を抑制して負荷14を保護する。コンデ
ンサ23は基本回路とては必要でないが、サージ電圧に
おける急峻な立上り部分がZD25→コンデンサ23の
回路で電圧を抑制することができ、またサージ波形の終
わりの部分は、コンデンサ23にチャージされた電荷が
コンデンサ23→抵抗20→トランジスタ21のベース
→トランジスタ21のエミッタの経路で流れトランジス
タ21がその間ONされるのでMOV13を長時間接続
することが出来る。以上に述べた様に、MOV13はサ
ージ電圧が印加されたときのみ動作して、通常は動作し
ないのでMOV13のリーク電流規格、制限電圧規格等
が厳しく要求されない、或いは常時にはMOV13に電
圧が印加されないので、MOVの劣化がなく発火の心配
はない、また抑制電圧が低いMOVでも使用できるな
ど、本実施例には多大な効果がある。
5→抵抗20→トランジスタ21のベース→トランジス
タ21のエミッタの経路で流れ、トランジスタ21は導
通するのでMOV13は電源15に接続されたことにな
り、サージ電圧を抑制して負荷14を保護する。コンデ
ンサ23は基本回路とては必要でないが、サージ電圧に
おける急峻な立上り部分がZD25→コンデンサ23の
回路で電圧を抑制することができ、またサージ波形の終
わりの部分は、コンデンサ23にチャージされた電荷が
コンデンサ23→抵抗20→トランジスタ21のベース
→トランジスタ21のエミッタの経路で流れトランジス
タ21がその間ONされるのでMOV13を長時間接続
することが出来る。以上に述べた様に、MOV13はサ
ージ電圧が印加されたときのみ動作して、通常は動作し
ないのでMOV13のリーク電流規格、制限電圧規格等
が厳しく要求されない、或いは常時にはMOV13に電
圧が印加されないので、MOVの劣化がなく発火の心配
はない、また抑制電圧が低いMOVでも使用できるな
ど、本実施例には多大な効果がある。
【0022】なおトランジスタ21は、図4ではNPN
トランジスタで記入されているが、多少の変更でPNP
トランジスタも使用可能であり、またダーリントントラ
ンジスタも使用可能である。
トランジスタで記入されているが、多少の変更でPNP
トランジスタも使用可能であり、またダーリントントラ
ンジスタも使用可能である。
【0023】また図5はトランジスタ21,22を縦続
に接続して2段増幅回路とした例を示し、請求項2の発
明の第2の実施例のサージ吸収回路である。
に接続して2段増幅回路とした例を示し、請求項2の発
明の第2の実施例のサージ吸収回路である。
【0024】図6は、請求項3に記載した発明の一実施
例を示す回路図、図7は図6の実施例における二方向サ
イリスタ12の特性図である。二方向サイリスタ12の
動作は従来技術に関連して説明したとおりである。
例を示す回路図、図7は図6の実施例における二方向サ
イリスタ12の特性図である。二方向サイリスタ12の
動作は従来技術に関連して説明したとおりである。
【0025】図6において、11は交流電源であり、2
8,29はZDであって逆向きに直列に接続してある。
12は二方向サイリスタであって13のMOVに直列に
接続されており、14は負荷である。ここでZD28,
29の動作電圧はMOV13の動作電圧より多少高めに
設定しておく。ここでサージ電圧が印加されれば二方向
サイリスタ12はONとなるが、ZD28,29の動作
電圧はMOV13の動作電圧より多少高めに設定してあ
るから、印加されるサージ電圧はMOV13の抑制電圧
値により抑制される。しかし立ち上がりの急激な波形の
ときは(ns以下)、その立ち上がり部分を応答特性の
悪いMOV13のみでは十分には抑制できないので、応
答特性の良いZD28,29にて抑制する。即ち、ZD
28,29を逆向きに直列に接続した回路と、二方向サ
イリスタ12及びMOV13を直列に接続した回路とを
並列に接続すれば、立ち上がりの急激な波形はZD2
8,29で、また平坦な波形はMOV13でそれぞれサ
ージ電圧を抑制することが出来る。なお、二方向サイリ
スタ12とMOV13とを直列に接続した回路は、二方
向サイリスタ12に流れる電流がその保持電流以下にな
れば、二方向サイリスタ12はOFFになり、MOV1
3は全く動作せず二方向サイリスタ12のリーク電流の
みが流れる。即ちMOV13はサージ電圧が印加された
ときだけ動作し、その他の期間には動作しない。
8,29はZDであって逆向きに直列に接続してある。
12は二方向サイリスタであって13のMOVに直列に
接続されており、14は負荷である。ここでZD28,
29の動作電圧はMOV13の動作電圧より多少高めに
設定しておく。ここでサージ電圧が印加されれば二方向
サイリスタ12はONとなるが、ZD28,29の動作
電圧はMOV13の動作電圧より多少高めに設定してあ
るから、印加されるサージ電圧はMOV13の抑制電圧
値により抑制される。しかし立ち上がりの急激な波形の
ときは(ns以下)、その立ち上がり部分を応答特性の
悪いMOV13のみでは十分には抑制できないので、応
答特性の良いZD28,29にて抑制する。即ち、ZD
28,29を逆向きに直列に接続した回路と、二方向サ
イリスタ12及びMOV13を直列に接続した回路とを
並列に接続すれば、立ち上がりの急激な波形はZD2
8,29で、また平坦な波形はMOV13でそれぞれサ
ージ電圧を抑制することが出来る。なお、二方向サイリ
スタ12とMOV13とを直列に接続した回路は、二方
向サイリスタ12に流れる電流がその保持電流以下にな
れば、二方向サイリスタ12はOFFになり、MOV1
3は全く動作せず二方向サイリスタ12のリーク電流の
みが流れる。即ちMOV13はサージ電圧が印加された
ときだけ動作し、その他の期間には動作しない。
【0026】図8は、請求項4に記載した発明の一実施
例を示す回路図である。本実施例では二方向サイリスタ
12及びMOV13を直列に接続した回路に並列にチェ
ナーダイオード29を接続してなる。この実施例の動作
は図6の実施例と同様であるが、チェナーダイオードが
1つだけであるから、本実施例は直流電源の回路だけに
適用でき、交流電源の回路には適用できない。
例を示す回路図である。本実施例では二方向サイリスタ
12及びMOV13を直列に接続した回路に並列にチェ
ナーダイオード29を接続してなる。この実施例の動作
は図6の実施例と同様であるが、チェナーダイオードが
1つだけであるから、本実施例は直流電源の回路だけに
適用でき、交流電源の回路には適用できない。
【0027】図9は請求項5に記載した発明の一実施例
を示す回路図である。本実施例のサージ吸収回路は、交
流電源11に接続した負荷14に並列に接続され、二方
向サイリスタ12と、二方向サイリスタ12に直列に接
続された二つの放電回路3,4とを備えて構成されてい
る。
を示す回路図である。本実施例のサージ吸収回路は、交
流電源11に接続した負荷14に並列に接続され、二方
向サイリスタ12と、二方向サイリスタ12に直列に接
続された二つの放電回路3,4とを備えて構成されてい
る。
【0028】二つの放電回路3,4、は互いに並列に接
続されている。放電回路3ではコンデンサC1と抵抗R
1とが並列接続され、これにダイオードD1が直列に接
続されている。放電回路4ではコンデンサC2と抵抗R
2とが並列接続され、これに直列にダイオードD1に対
し逆極性にダイオードD2が接続されている。
続されている。放電回路3ではコンデンサC1と抵抗R
1とが並列接続され、これにダイオードD1が直列に接
続されている。放電回路4ではコンデンサC2と抵抗R
2とが並列接続され、これに直列にダイオードD1に対
し逆極性にダイオードD2が接続されている。
【0029】次に、本実施例の動作について説明する。
【0030】まず、正方向のサージ電圧が印加されると
二方向サイリスタ12がオンとなり、サージ電流が放電
回路3のダイオードD1を通り、コンデンサC1と抵抗
R1とからなる回路網でサージのエネルギーを吸収す
る。ここで、コンデンサC1の値は、サージ電圧の幅、
振幅等により設定すればよい。また、抵抗R1はコンデ
ンサC1のチャージを放電するための放電抵抗であり、
その値はサージの間隔、コンデンサC1との時定数等に
より決まるものである。
二方向サイリスタ12がオンとなり、サージ電流が放電
回路3のダイオードD1を通り、コンデンサC1と抵抗
R1とからなる回路網でサージのエネルギーを吸収す
る。ここで、コンデンサC1の値は、サージ電圧の幅、
振幅等により設定すればよい。また、抵抗R1はコンデ
ンサC1のチャージを放電するための放電抵抗であり、
その値はサージの間隔、コンデンサC1との時定数等に
より決まるものである。
【0031】サージ電圧が逆方向の場合は、二方向サイ
リスタ12がオンとなり、サージ電流が放電回路4のダ
イオードD2を通り、コンデンサC2と抵抗R2とから
なる回路網でサージのエネルギーを吸収する。
リスタ12がオンとなり、サージ電流が放電回路4のダ
イオードD2を通り、コンデンサC2と抵抗R2とから
なる回路網でサージのエネルギーを吸収する。
【0032】ここで、二方向サイリスタ12は、サージ
電圧が印加されたときだけにオンとなるようにブレーク
オーバ電圧Vbを設定しておけば、図9の回路は、当
然、サージ電圧が印加されたときのみ動作し、通常時に
は動作しない。
電圧が印加されたときだけにオンとなるようにブレーク
オーバ電圧Vbを設定しておけば、図9の回路は、当
然、サージ電圧が印加されたときのみ動作し、通常時に
は動作しない。
【0033】以上述べたように、図9サージ吸収回路
は、交流電源回路に重畳されるサージ電圧の吸収に非常
に適した回路であるといえる。
は、交流電源回路に重畳されるサージ電圧の吸収に非常
に適した回路であるといえる。
【0034】
【発明の効果】請求項1〜5に記載した本願発明のサー
ジ吸収回路には、サージ電圧が印加されたときだけに電
流が流れる。そこで、MOVを用いる請求項1〜4の発
明においては、MOVのリーク電流規格、制限電流規格
が従来のサージ吸収回路におけるよりも格段に緩和さ
れ、ひいてはMOVの製造歩留りが向上し、MOVの製
造価格を低減できる。また、常時にはMOVに電圧が印
加されないから、MOVの経時劣化がなく、自己発熱に
よる発火を防止できるし、抑制電圧値の低いMOVを使
用できる。
ジ吸収回路には、サージ電圧が印加されたときだけに電
流が流れる。そこで、MOVを用いる請求項1〜4の発
明においては、MOVのリーク電流規格、制限電流規格
が従来のサージ吸収回路におけるよりも格段に緩和さ
れ、ひいてはMOVの製造歩留りが向上し、MOVの製
造価格を低減できる。また、常時にはMOVに電圧が印
加されないから、MOVの経時劣化がなく、自己発熱に
よる発火を防止できるし、抑制電圧値の低いMOVを使
用できる。
【0035】請求項3及び4に記載した発明ではチェナ
ーダイオードを備えるので急峻な立上り部分のサージ電
圧も効率的に吸収できる。
ーダイオードを備えるので急峻な立上り部分のサージ電
圧も効率的に吸収できる。
【0036】請求項5に記載の発明では、予想されるサ
ージ電圧の時間幅や振幅に応じてコンデンサと抵抗の値
を選択することにより、最適時定数の回路を構成して最
も適切にサージ電圧を吸収できるし、小型軽量で安価な
サージ吸収回路を提供できる。
ージ電圧の時間幅や振幅に応じてコンデンサと抵抗の値
を選択することにより、最適時定数の回路を構成して最
も適切にサージ電圧を吸収できるし、小型軽量で安価な
サージ吸収回路を提供できる。
【図1】請求項1に記載した発明の第1の実施例を示す
図。
図。
【図2】図1の回路におけるトライアック10の端子と
電流と印加電圧とを示す図。
電流と印加電圧とを示す図。
【図3】請求項1に記載した発明の第2の実施例を示す
図。
図。
【図4】請求項2に記載した発明の第1の実施例を示す
図。
図。
【図5】請求項2に記載した発明の第2の実施例を示す
図。
図。
【図6】請求項3に記載した発明の一実施例を示す図。
【図7】図6における二方向サイリスタ12の特性図。
【図8】請求項4に記載した発明の一実施例を示す図。
【図9】請求項5に記載した発明の一実施例を示す図。
【図10】メタルオキサイドバリスタでなる従来のサー
ジ吸収回路を示す図。
ジ吸収回路を示す図。
【図11】メタルオキサイドバリスタと二方向サイリス
タとを直列に接続してなる従来のサージ吸収回路を示す
図。
タとを直列に接続してなる従来のサージ吸収回路を示す
図。
【図12】二方向サイリスタでなる従来のサージ吸収回
路を示す図。
路を示す図。
3,4 放電回路 10 トライアック 11 交流電源 12 二方向サイリスタ 13 メタルオキサイドバリスタ(MOV) 14 負荷 15 直流電源 16,17,25,26,28,29 ツェナーダイ
オード 18,19,20,27 抵抗 21,22 トランジスタ 23,24 コンデンサ 27 ダイアック
オード 18,19,20,27 抵抗 21,22 トランジスタ 23,24 コンデンサ 27 ダイアック
Claims (5)
- 【請求項1】 ゲート電流をサージ電圧により制御する
回路がゲート端子に接続してあるトライアックと、メタ
ルオキサイドバリスタとを直列に接続してなることを特
徴とするサージ吸収回路。 - 【請求項2】 ツェナーダイオード、抵抗及びトランジ
スタのベースを直列に接続し、そのトランジスタのコレ
クタに直列にメタルオキサイドバリスタを接続してなる
直流回路用サージ吸収回路。 - 【請求項3】 2つのツェナーダイオードを互いに逆向
きで直列に接続した第1の回路と、二方向サイリスタ及
びメタルオキサイドバリスタを直列に接続した第2の回
路とを並列に接続してなることを特徴とするサージ吸収
回路。 - 【請求項4】 二方向サイリスタ及びメタルオキサイド
バリスタを直列に接続してなる回路にツェナーダイオー
ドを並列に接続して構成したことを特徴とする直流回路
用サージ吸収回路。 - 【請求項5】 第一のコンデンサと第一の抵抗との並列
接続回路に第一のダイオードを直列に接続した第一の放
電回路と、 第二のコンデンサと第二の抵抗との並列接続回路に第二
のダイオードを前記第一のダイオードと逆極性に直列に
接続した第二の放電回路と、 二方向サイリスタと、 を備え、 前記第一および第二の放電回路を並列に接続し、これら
両放電回路の接続点に前記二方向サイリスタを直列に接
続したことを特徴とするサージ吸収回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20495791A JPH05207647A (ja) | 1990-07-20 | 1991-07-19 | サージ吸収回路 |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19196590 | 1990-07-20 | ||
| JP28815090 | 1990-10-25 | ||
| JP2-191965 | 1991-04-05 | ||
| JP7268291 | 1991-04-05 | ||
| JP2-288150 | 1991-04-05 | ||
| JP3-72682 | 1991-04-05 | ||
| JP20495791A JPH05207647A (ja) | 1990-07-20 | 1991-07-19 | サージ吸収回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05207647A true JPH05207647A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=27465499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20495791A Pending JPH05207647A (ja) | 1990-07-20 | 1991-07-19 | サージ吸収回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05207647A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6657841B1 (en) | 1999-09-03 | 2003-12-02 | Moeller Gmbh | Circuit arrangement for the overvoltage protection of a power transistor for controlling an inductive load |
| WO2014141634A1 (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | パナソニック株式会社 | 負荷制御装置 |
| US20170302067A1 (en) * | 2016-04-15 | 2017-10-19 | Stabilus Gmbh | Safety circuit for a rotary drive |
| CN112670065A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-16 | 科华恒盛股份有限公司 | 防反峰电路及补偿变压器 |
| CN116544901A (zh) * | 2023-05-18 | 2023-08-04 | 深圳市瑞隆源电子有限公司 | 浪涌防护电路、浪涌防护系统及全模浪涌防护系统 |
| CN116826660A (zh) * | 2023-06-27 | 2023-09-29 | 深圳市瑞隆源电子有限公司 | 一种浪涌保护电路及系统 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6225822A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-03 | 東芝ライテック株式会社 | サ−ジ吸収回路 |
| JPS63171120A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-14 | 日本電気株式会社 | サ−ジ保護回路 |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP20495791A patent/JPH05207647A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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| JPS6225822A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-03 | 東芝ライテック株式会社 | サ−ジ吸収回路 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19950808 |