JPH0520887B2 - - Google Patents
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- JPH0520887B2 JPH0520887B2 JP20704184A JP20704184A JPH0520887B2 JP H0520887 B2 JPH0520887 B2 JP H0520887B2 JP 20704184 A JP20704184 A JP 20704184A JP 20704184 A JP20704184 A JP 20704184A JP H0520887 B2 JPH0520887 B2 JP H0520887B2
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Landscapes
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- Glass Compositions (AREA)
Description
本発明は、特定の電導性高分子化合物を固体電
解質として用いた性能の良好な固体電解コンデン
サに関する。 従来の固体電解コンデンサ、例えばアルミニウ
ム電解コンデンサは、エツチング処理した比表面
積の大きい多孔質アルミニウム箔の上に誘導体で
ある酸化アルミニウム層を設け、陰極箔との間の
電解紙に液状の電解液を含浸させた構造からなつ
ているが、この電解液が液状であることは液漏れ
等の問題を惹起し好ましいものではなく、従つ
て、この電解層を固体電解質で代替する試みがな
されている。これらの固体電解コンデンサは陽極
酸化皮膜を有するアルミニウム、タンタルなどの
皮膜形成金属に固体電解質を付着した構造を有し
たものであり、この種の固体コンデンサの固体電
解質には主に硝酸マンガンの熱分解により形成さ
れる二酸化マンガンが用いられている。しかし、
この熱分解の際に要する高熱と発生するNOXガ
スの酸化作用などによつて、誘電体であるアルミ
ニウム、タンタルなどの金属酸化皮膜の損傷があ
り、そのため耐電圧は低下し、漏れ電流が大きく
なり、誘電特性を劣化させるなど極めて大きな欠
点がある。また、再化成という工程も必要であ
る。 これらの欠点を補うため、高熱を付加せずに固
体電解質層を形成する方法、つまり高電導性の有
機導体材料を固体電解質とする方法が試みられて
いる。その例としては、特開昭52−79255号公報
に記載されている7,7,8,8−テトラシアノ
キノジメタン(TCNQ)錯塩を含む電導性高重
合体組成物を固体電解質として含む固体電解コン
デンサ、特開昭58−17609号公報に記載されてい
るN−n−プロピルイソキノリンと7,7,8,
8−テトラシアノキノジメタンからなる錯塩を固
体電解質として含む固体電解コンデンサが知られ
ている。これらTCNQ錯塩化合物は、陽極酸化
皮膜との付着性に劣り、電導度も10-3〜10-2S・
cm-1と不十分であるため、コンデンサの容量値は
小さく、誘電損失も大きい。また熱的経時的な安
定性も劣り信頼性が低い。 本発明の目的は、上述した従来の欠点を解決
し、電導度が高く、誘電体皮膜との付着性のよい
有機半導体を固体電解質に用いた固体電解コンデ
ンサを提供することにある。 この目的は、固体電解質として特定の電導性高
分子化合物を用いることにより達成されることを
見出した。 即ち、本発明は、下式 (式中、Zはキノン類である) で表わされる繰り返し単位を有する電導性高分子
化合物を固体電解質とすることを特徴とする固体
電解コンデンサに関する。 本発明により得られる固体電解コンデンサは、
従来の無機酸化半導体や有機半導体を用いた固体
電解コンデンサに比して、容量、誘電損失、経時
安定性において著しく優れた性能を有している。 また、本発明の固体電解コンデンサは、従来公
知の固体電解コンデンサに比較して下記の利点を
有している。 高温加熱することなしに電解質層を形成でき
るので陽極の酸化被膜の損傷がなく、補修のた
めの陽極酸化(再化成)を行なう必要がない。
そのため、定格電圧を従来の数倍にでき、同容
量、同定格電圧のコンデンサを得るのに、形状
を小形化できる。 漏れ電流が小さい。 高耐圧のコンデンサを作製できる。 電解質の電導度が10-2〜10-2S・cm-1と十分
に高いため、グラフイトなどの導電層を設ける
必要がない。そのため工程が簡略化され、コス
ト的にも有利となる。 本発明の固体電解コンデンサに用いられる電解
質は、前記の式(1)で表わされる繰り返し単位を有
する電導性高分子化合物である。 式(1)で表わされる繰り返し単位を有する電導性
高分子化合物の代表例としては、ポリピリジニウ
ムクロラニル、ポリピリジニウムキノン、ポリピ
リジニウムナフトキノン、ポリピリジニウムジク
ロロジシアノキノン等があげられる。これらの電
導性高分子化合物の製造方法は、特に制限される
ものではなく、例えばポリピリジニウムクロラニ
ルの場合は、4−クロロピリジンもしくは4−ブ
ロモピリジンから熱重合で得たポリピリジニウム
クロライドまたはポリピリジニウムブロマイドの
水溶液にクロラニルのリチウム塩を投入反応させ
ることによつて得られる。 上記の電導性高分子化合物は、それ字体10-2〜
10-2S・cm-1の電導性を示す。 本発明においては、電導性高分子化合物を従来
から知られている各種のドーパントドープしたも
のも電解質として用いることができる。ドーパン
トのドーピング方法は、化学的ドーピングおよび
電気化学的ドーピングのいずれの方法を採用して
もよい。 本発明における固体のコンデンサの陽極には、
アルミニウム、タンタル、ニオブ等の金属箔、ま
たはそれらの金属粉の焼結体が用いられる。金属
箔の場合には、表面をエツチングして細孔をもた
せる。金属箔または焼結体は、例えばホウ酸アン
モニウムの液中で電極酸化され、金属箔または焼
結体の上に誘電体の薄層が形成される。 本発明における電導性高分子化合物は、この誘
電体薄層と接触し、一部が細孔の中まで進入す
る。図に、本発明の一具体例である固体電解コン
デンサで金属箔を使用した場合の概略を示した。 以下、実施例および比較例をあげて、本発明を
さらに詳細に説明する。 実施例 1 厚さ100μmのアルミニウム箔(純度99.99%)
を陽極とし、直流、交流を交互使用して、箔の表
面を電気化学的にエツチングして平均細孔径が
2μmで、比表面積が12m2/gの多孔質アルミニ
ウム箔とした。次いで、このエツチング処理した
アルミニウム箔をホウ酸アンモニウムの液中に浸
漬し、液中で電気化学的にアルミニウム箔の上に
誘電体の薄層を形成した。 一方、反応容器に4−クロロピリジンを熱重合
して得たポリピリジニウムクロライド0.1モルを
水20mlに溶解した溶液を仕込み、これにリチウム
とクロラニルとの反応物であるリチウムクロラニ
ル0.1モルの水溶液を混合して60℃で10時間反応
させた。反応終了後、0℃で放置した。得られた
ポリピリジニウムクロラニルの結晶を水で充分に
洗浄した後、減圧乾燥した。得られたポリピリジ
ニウムクロラニルの電導度は0.4S・cm-1であつ
た。 このポリピリジニウムクロラニル2gをアセト
ン100mlに溶解して前記誘電体層に塗布し、減圧
脱気を繰り返し充分細孔まで溶液を満たした後、
アセトンをドライアツプした。陰極にアルミニウ
ム箔を使用し、樹脂封口して、ポリピリジニウム
クロラニルを固体電解質層とした固体電解コンデ
ンサを作成した。 実施例 2 実施例1において、ポリピリジニウムクロラニ
ルの代りに、リチウムキノンとポリピリジニウム
クロライドから製造したポリピリジニウムキノン
を使用した以外は、実施例1と同様にして固体電
解コンデンサを作成した。なお、使用したポリピ
リジニウムキノンの電導度は0.1S・cm-1であつ
た。 比較例 1 実施例1と同じ誘電体層を有するアルミニウム
箔を使用し、従来の二酸化マンガンを固体電解質
とし、陰極をアルミニウム箔とした固体電解コン
デンサを作成した。 実施例 3 タンタル粉末の焼結体をリン酸水溶液中で陽極
酸化して、焼結体の上に誘電体皮膜を形成させた
後、タンタル素子をポリピリジニウムクロラニル
のアセトン溶液に浸漬し、乾燥させた。この浸漬
乾燥の操作を3回繰り返した。このようにして固
体電解質層を形成し、次いで、銀ケースで囲つて
陰極とし、陽極とのつなぎ部を樹脂封口して、固
体電解コンデンサを作成した。 比較例 2 従来の二酸化マンガン固体電解質からなるタン
タル粉末焼結体を使用した固体電解コンデンサを
作成した。 以上の実施例および比較例の固体電解コンデン
サの特性を比較したものを表に示した。
解質として用いた性能の良好な固体電解コンデン
サに関する。 従来の固体電解コンデンサ、例えばアルミニウ
ム電解コンデンサは、エツチング処理した比表面
積の大きい多孔質アルミニウム箔の上に誘導体で
ある酸化アルミニウム層を設け、陰極箔との間の
電解紙に液状の電解液を含浸させた構造からなつ
ているが、この電解液が液状であることは液漏れ
等の問題を惹起し好ましいものではなく、従つ
て、この電解層を固体電解質で代替する試みがな
されている。これらの固体電解コンデンサは陽極
酸化皮膜を有するアルミニウム、タンタルなどの
皮膜形成金属に固体電解質を付着した構造を有し
たものであり、この種の固体コンデンサの固体電
解質には主に硝酸マンガンの熱分解により形成さ
れる二酸化マンガンが用いられている。しかし、
この熱分解の際に要する高熱と発生するNOXガ
スの酸化作用などによつて、誘電体であるアルミ
ニウム、タンタルなどの金属酸化皮膜の損傷があ
り、そのため耐電圧は低下し、漏れ電流が大きく
なり、誘電特性を劣化させるなど極めて大きな欠
点がある。また、再化成という工程も必要であ
る。 これらの欠点を補うため、高熱を付加せずに固
体電解質層を形成する方法、つまり高電導性の有
機導体材料を固体電解質とする方法が試みられて
いる。その例としては、特開昭52−79255号公報
に記載されている7,7,8,8−テトラシアノ
キノジメタン(TCNQ)錯塩を含む電導性高重
合体組成物を固体電解質として含む固体電解コン
デンサ、特開昭58−17609号公報に記載されてい
るN−n−プロピルイソキノリンと7,7,8,
8−テトラシアノキノジメタンからなる錯塩を固
体電解質として含む固体電解コンデンサが知られ
ている。これらTCNQ錯塩化合物は、陽極酸化
皮膜との付着性に劣り、電導度も10-3〜10-2S・
cm-1と不十分であるため、コンデンサの容量値は
小さく、誘電損失も大きい。また熱的経時的な安
定性も劣り信頼性が低い。 本発明の目的は、上述した従来の欠点を解決
し、電導度が高く、誘電体皮膜との付着性のよい
有機半導体を固体電解質に用いた固体電解コンデ
ンサを提供することにある。 この目的は、固体電解質として特定の電導性高
分子化合物を用いることにより達成されることを
見出した。 即ち、本発明は、下式 (式中、Zはキノン類である) で表わされる繰り返し単位を有する電導性高分子
化合物を固体電解質とすることを特徴とする固体
電解コンデンサに関する。 本発明により得られる固体電解コンデンサは、
従来の無機酸化半導体や有機半導体を用いた固体
電解コンデンサに比して、容量、誘電損失、経時
安定性において著しく優れた性能を有している。 また、本発明の固体電解コンデンサは、従来公
知の固体電解コンデンサに比較して下記の利点を
有している。 高温加熱することなしに電解質層を形成でき
るので陽極の酸化被膜の損傷がなく、補修のた
めの陽極酸化(再化成)を行なう必要がない。
そのため、定格電圧を従来の数倍にでき、同容
量、同定格電圧のコンデンサを得るのに、形状
を小形化できる。 漏れ電流が小さい。 高耐圧のコンデンサを作製できる。 電解質の電導度が10-2〜10-2S・cm-1と十分
に高いため、グラフイトなどの導電層を設ける
必要がない。そのため工程が簡略化され、コス
ト的にも有利となる。 本発明の固体電解コンデンサに用いられる電解
質は、前記の式(1)で表わされる繰り返し単位を有
する電導性高分子化合物である。 式(1)で表わされる繰り返し単位を有する電導性
高分子化合物の代表例としては、ポリピリジニウ
ムクロラニル、ポリピリジニウムキノン、ポリピ
リジニウムナフトキノン、ポリピリジニウムジク
ロロジシアノキノン等があげられる。これらの電
導性高分子化合物の製造方法は、特に制限される
ものではなく、例えばポリピリジニウムクロラニ
ルの場合は、4−クロロピリジンもしくは4−ブ
ロモピリジンから熱重合で得たポリピリジニウム
クロライドまたはポリピリジニウムブロマイドの
水溶液にクロラニルのリチウム塩を投入反応させ
ることによつて得られる。 上記の電導性高分子化合物は、それ字体10-2〜
10-2S・cm-1の電導性を示す。 本発明においては、電導性高分子化合物を従来
から知られている各種のドーパントドープしたも
のも電解質として用いることができる。ドーパン
トのドーピング方法は、化学的ドーピングおよび
電気化学的ドーピングのいずれの方法を採用して
もよい。 本発明における固体のコンデンサの陽極には、
アルミニウム、タンタル、ニオブ等の金属箔、ま
たはそれらの金属粉の焼結体が用いられる。金属
箔の場合には、表面をエツチングして細孔をもた
せる。金属箔または焼結体は、例えばホウ酸アン
モニウムの液中で電極酸化され、金属箔または焼
結体の上に誘電体の薄層が形成される。 本発明における電導性高分子化合物は、この誘
電体薄層と接触し、一部が細孔の中まで進入す
る。図に、本発明の一具体例である固体電解コン
デンサで金属箔を使用した場合の概略を示した。 以下、実施例および比較例をあげて、本発明を
さらに詳細に説明する。 実施例 1 厚さ100μmのアルミニウム箔(純度99.99%)
を陽極とし、直流、交流を交互使用して、箔の表
面を電気化学的にエツチングして平均細孔径が
2μmで、比表面積が12m2/gの多孔質アルミニ
ウム箔とした。次いで、このエツチング処理した
アルミニウム箔をホウ酸アンモニウムの液中に浸
漬し、液中で電気化学的にアルミニウム箔の上に
誘電体の薄層を形成した。 一方、反応容器に4−クロロピリジンを熱重合
して得たポリピリジニウムクロライド0.1モルを
水20mlに溶解した溶液を仕込み、これにリチウム
とクロラニルとの反応物であるリチウムクロラニ
ル0.1モルの水溶液を混合して60℃で10時間反応
させた。反応終了後、0℃で放置した。得られた
ポリピリジニウムクロラニルの結晶を水で充分に
洗浄した後、減圧乾燥した。得られたポリピリジ
ニウムクロラニルの電導度は0.4S・cm-1であつ
た。 このポリピリジニウムクロラニル2gをアセト
ン100mlに溶解して前記誘電体層に塗布し、減圧
脱気を繰り返し充分細孔まで溶液を満たした後、
アセトンをドライアツプした。陰極にアルミニウ
ム箔を使用し、樹脂封口して、ポリピリジニウム
クロラニルを固体電解質層とした固体電解コンデ
ンサを作成した。 実施例 2 実施例1において、ポリピリジニウムクロラニ
ルの代りに、リチウムキノンとポリピリジニウム
クロライドから製造したポリピリジニウムキノン
を使用した以外は、実施例1と同様にして固体電
解コンデンサを作成した。なお、使用したポリピ
リジニウムキノンの電導度は0.1S・cm-1であつ
た。 比較例 1 実施例1と同じ誘電体層を有するアルミニウム
箔を使用し、従来の二酸化マンガンを固体電解質
とし、陰極をアルミニウム箔とした固体電解コン
デンサを作成した。 実施例 3 タンタル粉末の焼結体をリン酸水溶液中で陽極
酸化して、焼結体の上に誘電体皮膜を形成させた
後、タンタル素子をポリピリジニウムクロラニル
のアセトン溶液に浸漬し、乾燥させた。この浸漬
乾燥の操作を3回繰り返した。このようにして固
体電解質層を形成し、次いで、銀ケースで囲つて
陰極とし、陽極とのつなぎ部を樹脂封口して、固
体電解コンデンサを作成した。 比較例 2 従来の二酸化マンガン固体電解質からなるタン
タル粉末焼結体を使用した固体電解コンデンサを
作成した。 以上の実施例および比較例の固体電解コンデン
サの特性を比較したものを表に示した。
【表】
表から明らかなように、本発明による電導性高
分子化合物を電解質とする固体電解コンデンサ
は、従来の二酸化マンガンを電解質とする固体電
解コンデンサに比して、誘電損失漏れ電流が小さ
く、定格電圧が高く、高耐電圧の固体電解コンデ
ンサを作成することができる。また、本発による
固体電解コンデンサの容量×定格電圧の値は、二
酸化マンガンを用いた固体電解コンデンサに比し
て、大きく、同じ形状ならば大容量を得ることが
できる。
分子化合物を電解質とする固体電解コンデンサ
は、従来の二酸化マンガンを電解質とする固体電
解コンデンサに比して、誘電損失漏れ電流が小さ
く、定格電圧が高く、高耐電圧の固体電解コンデ
ンサを作成することができる。また、本発による
固体電解コンデンサの容量×定格電圧の値は、二
酸化マンガンを用いた固体電解コンデンサに比し
て、大きく、同じ形状ならば大容量を得ることが
できる。
図は、本発明による固体電解コンデンサの一具
体例を示す断面図である。 1……陽極リード線、2……陽極、3……酸化
皮膜、4……陰極、5……陰極リード線、6……
電導性高分子化合物、7……樹脂。
体例を示す断面図である。 1……陽極リード線、2……陽極、3……酸化
皮膜、4……陰極、5……陰極リード線、6……
電導性高分子化合物、7……樹脂。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下式 (式中、Zはキノン類である) で表わされる繰り返し単位を有する電導性高分子
化合物を固体電解質とすることを特徴とする固体
電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20704184A JPS6185813A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20704184A JPS6185813A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6185813A JPS6185813A (ja) | 1986-05-01 |
| JPH0520887B2 true JPH0520887B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=16533225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20704184A Granted JPS6185813A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6185813A (ja) |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP20704184A patent/JPS6185813A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6185813A (ja) | 1986-05-01 |
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