JPH055368B2 - - Google Patents
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- JPH055368B2 JPH055368B2 JP62260224A JP26022487A JPH055368B2 JP H055368 B2 JPH055368 B2 JP H055368B2 JP 62260224 A JP62260224 A JP 62260224A JP 26022487 A JP26022487 A JP 26022487A JP H055368 B2 JPH055368 B2 JP H055368B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 48
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
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- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
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- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスクとウエハのプリアライメント方
法、特に、Ｘ線露光装置に適用しうるマスクとウ
エハのプリアライメント方法に関する。
法、特に、Ｘ線露光装置に適用しうるマスクとウ
エハのプリアライメント方法に関する。
近年の半導体はDRAMに代表されるように高
集積化が進む傾向にあり、超LSIのパターンの最
小線幅もミクロンからサブミクロンの領域へ突入
しようとしている。このような状況において、従
来の紫外線のｇ線、ｉ線を用いた光学式の半導体
露光装置では、光の波長による解像度の限界が
0.5μｍ程度と言われており、0.5μｍ以下のパター
ンに対応できる次世代の露光装置が強く望まれて
いる。この次世代の露光装置として、現在、Ｘ線
露光装置が有望視されており、研究・開発が進め
られている。
集積化が進む傾向にあり、超LSIのパターンの最
小線幅もミクロンからサブミクロンの領域へ突入
しようとしている。このような状況において、従
来の紫外線のｇ線、ｉ線を用いた光学式の半導体
露光装置では、光の波長による解像度の限界が
0.5μｍ程度と言われており、0.5μｍ以下のパター
ンに対応できる次世代の露光装置が強く望まれて
いる。この次世代の露光装置として、現在、Ｘ線
露光装置が有望視されており、研究・開発が進め
られている。
一般に、Ｘ線露光装置では発散Ｘ線が用いら
れ、投影レンズなどの光学系を構成することがで
きないため、露光方式はブロキシミテイ露光であ
る。マスクとウエハのブロキシミテイギヤツプは
半影ぼけを小さくするために10〜50μｍと小さ
く、ランナウト誤差を小さくするためにギヤツプ
設定を厳しく制御する必要がある。したがつて、
Ｘ線露光装置におけるアライメントは、マスクと
ウエハの横方向の位置合わせに加え、ギヤツプと
あおりを正確に設定しなければならず、そのため
のアライメント方法が各種提案されている。
れ、投影レンズなどの光学系を構成することがで
きないため、露光方式はブロキシミテイ露光であ
る。マスクとウエハのブロキシミテイギヤツプは
半影ぼけを小さくするために10〜50μｍと小さ
く、ランナウト誤差を小さくするためにギヤツプ
設定を厳しく制御する必要がある。したがつて、
Ｘ線露光装置におけるアライメントは、マスクと
ウエハの横方向の位置合わせに加え、ギヤツプと
あおりを正確に設定しなければならず、そのため
のアライメント方法が各種提案されている。
従来の技術としては、例えば、日経マイクロデ
バイス1986年４月号等に紹介されている米マイク
ロニクス社のＸ線ステツパ「MX−1600」があ
る。「MX−1600」におけるマスクとウエハのア
ライメントは、マスク用マークとしてリニア・フ
レネル・ゾーン・プレート（LFZP）と呼ばれる
光の回折を利用した集光レンズを用い、ウエハ用
マークとして線状回折格子を用いて行う。このア
ライメント方法についてはB.Fayらにより
Journal of Vacuum Science Technology
Vol.16(6)pp.1954−1958.Nov／Dec.1979の
“Optical Alignment System for Submicron
Ｘ−ray Lithography”に報告されている。ここ
でその原理について図面を参照して説明する。
バイス1986年４月号等に紹介されている米マイク
ロニクス社のＸ線ステツパ「MX−1600」があ
る。「MX−1600」におけるマスクとウエハのア
ライメントは、マスク用マークとしてリニア・フ
レネル・ゾーン・プレート（LFZP）と呼ばれる
光の回折を利用した集光レンズを用い、ウエハ用
マークとして線状回折格子を用いて行う。このア
ライメント方法についてはB.Fayらにより
Journal of Vacuum Science Technology
Vol.16(6)pp.1954−1958.Nov／Dec.1979の
“Optical Alignment System for Submicron
Ｘ−ray Lithography”に報告されている。ここ
でその原理について図面を参照して説明する。
第３図はLFZPを用いたアライメント方法を示
す説明図である。ウエハ２１には回折格子２２が
刻印されており、ウエハ２１の上には所定のギヤ
ツプだけ離れてマスク２３が対向している。マス
ク２３には焦点距離がマスクとウエハのギヤツプ
量に等しいLFZP２４が描かれている。第４図は
マスク用マークのLFZPの構造を示す説明図であ
る。LFZPはいろいろな幅や間隔の縞はマークの
中心からの距離をrnとするとr2n＝nfλ2＋ｎλ2／４で 表わされる。ここで、ｆは焦点距離、λはアライ
メントに用いるレーザの波長である。また、第５
図はウエハ用マークの回折格子を示す説明図であ
る。回折格子は大きさの等しい長方形が等間隔に
並んだ構造になつており、回折格子のピツチｄに
よつて回折角度が決まる。
す説明図である。ウエハ２１には回折格子２２が
刻印されており、ウエハ２１の上には所定のギヤ
ツプだけ離れてマスク２３が対向している。マス
ク２３には焦点距離がマスクとウエハのギヤツプ
量に等しいLFZP２４が描かれている。第４図は
マスク用マークのLFZPの構造を示す説明図であ
る。LFZPはいろいろな幅や間隔の縞はマークの
中心からの距離をrnとするとr2n＝nfλ2＋ｎλ2／４で 表わされる。ここで、ｆは焦点距離、λはアライ
メントに用いるレーザの波長である。また、第５
図はウエハ用マークの回折格子を示す説明図であ
る。回折格子は大きさの等しい長方形が等間隔に
並んだ構造になつており、回折格子のピツチｄに
よつて回折角度が決まる。
第３図においてマスク２３の上方から入射され
た平行レーザビーム２５はLFZP２４により集光
され、ウエハ２１面上で焦点を結びスリツト状の
像をつくる。この結像したスリツトとウエハ２１
面上の回折格子２２が一直線上に重なると、レー
ザビームは回折し再びLFZP２４を通り平行光と
なつて位置決め信号として検出される。
た平行レーザビーム２５はLFZP２４により集光
され、ウエハ２１面上で焦点を結びスリツト状の
像をつくる。この結像したスリツトとウエハ２１
面上の回折格子２２が一直線上に重なると、レー
ザビームは回折し再びLFZP２４を通り平行光と
なつて位置決め信号として検出される。
前述のＸ線ステツパ「MX1600」では、閉ルー
プ自動位置合わせを行うために、マスク用マーク
のLFZP２４へのレーザビーム２５の横方向の入
射角を変化させる。これによつて、結像したスリ
ツトは直線状の回折格子２２を走査し、アライメ
ントマークのずれ量を電気的に検出することがで
きる。このとき、ウエハ２１面上でのスリツトの
走査範囲は約2μｍなので、アライメントマーク
のずれ量の検出範囲も約2μｍである。
プ自動位置合わせを行うために、マスク用マーク
のLFZP２４へのレーザビーム２５の横方向の入
射角を変化させる。これによつて、結像したスリ
ツトは直線状の回折格子２２を走査し、アライメ
ントマークのずれ量を電気的に検出することがで
きる。このとき、ウエハ２１面上でのスリツトの
走査範囲は約2μｍなので、アライメントマーク
のずれ量の検出範囲も約2μｍである。
上述した従来のアライメント方法は、位置ずれ
の検出範囲が約2μｍと狭いため、マスクとウエ
ハをステージに装着する際には、ある程度の重ね
合わせ精度をもつようにプリアライメントを行う
必要がある。従来のマスクとウエハのプリアライ
メントは、それぞれの外形を基準に機械的に突き
当てて位置決めすることによつて行つているの
で、プリアライメントの重ね合わせ精度はマスク
とウエハの外形とパターンの位置精度に大きく左
右される。そのため、マスクの製作にあたり、マ
スクのパターンを外形に対して位置精度を良くし
なければならないので、マスクの製作が困難にな
るという欠点があつた。
の検出範囲が約2μｍと狭いため、マスクとウエ
ハをステージに装着する際には、ある程度の重ね
合わせ精度をもつようにプリアライメントを行う
必要がある。従来のマスクとウエハのプリアライ
メントは、それぞれの外形を基準に機械的に突き
当てて位置決めすることによつて行つているの
で、プリアライメントの重ね合わせ精度はマスク
とウエハの外形とパターンの位置精度に大きく左
右される。そのため、マスクの製作にあたり、マ
スクのパターンを外形に対して位置精度を良くし
なければならないので、マスクの製作が困難にな
るという欠点があつた。
したがつて、プリアライメントの重ね合わせ精
度が2μｍ以上になる場合には、位置ずれ信号は
検出できず、位置ずれ信号の検出範囲内にマスク
とウエハを重ね合わせるようにステージを動か
し、位置ずれ信号を探し出す工程が必要になりア
ライメントに長い時間がかかるという欠点があつ
た。
度が2μｍ以上になる場合には、位置ずれ信号は
検出できず、位置ずれ信号の検出範囲内にマスク
とウエハを重ね合わせるようにステージを動か
し、位置ずれ信号を探し出す工程が必要になりア
ライメントに長い時間がかかるという欠点があつ
た。
本発明のマスクとウエハのプリアライメント方
法は、xyステージ上のZθステージに搭載された
マスク移替えチヤツクにプリアライメントマーク
を有するマスクを真空吸着する第１の吸着工程
と、前記xyステージを駆動してマスクのプリア
ライメントマークをテレビカメラの前に移動する
第１の移動工程と、テレビカメラでマスクのプリ
アライメントマークを観察してxyθ方向のずれを
合わせ込む第１の合わせ込み工程と、Z1Z2Z3ステ
ージとマスクチヤツクからなるマスクステージの
前にマスクを第２の移動する工程と、前記Zθス
テージのＺステージを移動し同時にマスク移替え
チヤツクとマスクチヤツクの真空状態を切換えて
マスクをマスク移替えチヤツクからマスクチヤツ
クに移替える移替え工程と、前記xyステージ上
のθステージに搭載されたウエハチヤツクにプリ
アライメントマークを有するウエハを真空吸着す
る第２の吸着工程と、xyステージを駆動してウ
エハのプリアライメントマークをテレビカメラの
前に移動する第３の移動工程と、テレビカメラで
ウエハプリアライメントマークを観察してxyθ方
向のずれを合わせ込む第２の合わせ込み工程と、
マスクステージの前にウエハを移動する第３の移
動工程とを含んで構成される。
法は、xyステージ上のZθステージに搭載された
マスク移替えチヤツクにプリアライメントマーク
を有するマスクを真空吸着する第１の吸着工程
と、前記xyステージを駆動してマスクのプリア
ライメントマークをテレビカメラの前に移動する
第１の移動工程と、テレビカメラでマスクのプリ
アライメントマークを観察してxyθ方向のずれを
合わせ込む第１の合わせ込み工程と、Z1Z2Z3ステ
ージとマスクチヤツクからなるマスクステージの
前にマスクを第２の移動する工程と、前記Zθス
テージのＺステージを移動し同時にマスク移替え
チヤツクとマスクチヤツクの真空状態を切換えて
マスクをマスク移替えチヤツクからマスクチヤツ
クに移替える移替え工程と、前記xyステージ上
のθステージに搭載されたウエハチヤツクにプリ
アライメントマークを有するウエハを真空吸着す
る第２の吸着工程と、xyステージを駆動してウ
エハのプリアライメントマークをテレビカメラの
前に移動する第３の移動工程と、テレビカメラで
ウエハプリアライメントマークを観察してxyθ方
向のずれを合わせ込む第２の合わせ込み工程と、
マスクステージの前にウエハを移動する第３の移
動工程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図であ
る。
る。
第１図に示すＸ線露光装置は、ベース１と、ベ
ース１に搭載されＸ軸方向に移動できるＸステー
ジ２と、Ｘステージ２に搭載されＹ軸方向に移動
できるＹステージ３と、Ｙステージ３に搭載され
Ｚ軸方向の移動とＺ軸を中心とした回転ができる
Zθステージ４と、Zθステージ４に搭載されたマ
スク移替えチヤツク５と、マスク移替えチヤツク
５に真空吸着されたマスク６と、Ｙステージ３に
搭載されたθステージ７と、θステージ７上のウ
エハチヤツク８と、ウエハチヤツク８に真空チヤ
ツクされたウエハ９とＸ線源１０の下方に取り付
けられＸ線源１０からのＸ線を導くヘリウムチヤ
ンバ１１と、ヘリウムチヤンバ１１の下方に取り
付けられあおりと高さを調整できるZ1Z2Z3ステー
ジ１２と、Z1Z2Z3ステージ１２に取り付けられた
マスクチヤツク１３と、ヘリウムチヤンバ１１の
側面に取り付けられ最終的なフアインアライメン
トを行うためのアライメント光学系１４とマスク
チヤツク１３の近傍にありマスク移替えチヤツク
５に装着されたマスク６およびウエハチヤツク８
に装着されたウエハ９のプリアライメントマーク
を観察できる２個のテレビカメラ１５と、Ｙステ
ージ３に搭載された直角ミラー１６と、Ｙステー
ジ３の位置を計測するレーザ測長器１７とを含ん
で構成される。
ース１に搭載されＸ軸方向に移動できるＸステー
ジ２と、Ｘステージ２に搭載されＹ軸方向に移動
できるＹステージ３と、Ｙステージ３に搭載され
Ｚ軸方向の移動とＺ軸を中心とした回転ができる
Zθステージ４と、Zθステージ４に搭載されたマ
スク移替えチヤツク５と、マスク移替えチヤツク
５に真空吸着されたマスク６と、Ｙステージ３に
搭載されたθステージ７と、θステージ７上のウ
エハチヤツク８と、ウエハチヤツク８に真空チヤ
ツクされたウエハ９とＸ線源１０の下方に取り付
けられＸ線源１０からのＸ線を導くヘリウムチヤ
ンバ１１と、ヘリウムチヤンバ１１の下方に取り
付けられあおりと高さを調整できるZ1Z2Z3ステー
ジ１２と、Z1Z2Z3ステージ１２に取り付けられた
マスクチヤツク１３と、ヘリウムチヤンバ１１の
側面に取り付けられ最終的なフアインアライメン
トを行うためのアライメント光学系１４とマスク
チヤツク１３の近傍にありマスク移替えチヤツク
５に装着されたマスク６およびウエハチヤツク８
に装着されたウエハ９のプリアライメントマーク
を観察できる２個のテレビカメラ１５と、Ｙステ
ージ３に搭載された直角ミラー１６と、Ｙステー
ジ３の位置を計測するレーザ測長器１７とを含ん
で構成される。
第２図ａ〜ｈは第１図に示すＸ線露光装置にお
けるマスクとウエハのプリアライメントの工程を
示す説明図である。
けるマスクとウエハのプリアライメントの工程を
示す説明図である。
第２図ａは、マスク６をマスク移替えチヤツク
５に真空吸着し、テレビカメラ１２で２個のプリ
アライメントマーク１８ａ，１９ｂを観察してプ
リアライメントを行う位置にＸステージ２とＹス
テージ３を移動したところ示している。２個のテ
レビカメラ１５の間隔は、プリアライメントマー
ク１８ａ，１８ｂの間隔Ｄに等しい。
５に真空吸着し、テレビカメラ１２で２個のプリ
アライメントマーク１８ａ，１９ｂを観察してプ
リアライメントを行う位置にＸステージ２とＹス
テージ３を移動したところ示している。２個のテ
レビカメラ１５の間隔は、プリアライメントマー
ク１８ａ，１８ｂの間隔Ｄに等しい。
第２図ｂは、プリアライメントマーク１８ａ，
１９ｂをテレビカメラ１５で観察したときのテレ
ビモニタの状態を示している。観察されたプリア
ライメントマーク１８ａとモニタ上の基準マーク
１９ａとのＸ方向のずれ量をΔxa、Ｙ方向のずれ
量をΔyaとし、プリアライメントマーク１８ｂと
基準マーク１８ｂとのＸ方向のずれ量をΔxb、Ｙ
方向のずれ量をΔybとすると、マスク６のXYθ
方向のずれ量Δxm、Δym、ΔθmはΔx＝（Δxa＋
Δxb）／２、Δy＝（Δya＋Δyb）／２、Δθ＝
（Δya−Δyb）／Ｄで表わされる。ただし、Ｄは
プリアライメントマーク１６ａ，１６ｂの間隔で
ある。このΔx、Δy、Δθをもとに、Ｘステージ
２、Ｙステージ３、Zθステージ４を動かし、モ
ニタ上でプリアライメントマーク１８ａ，１８ｂ
と基準マーク１９ａ，１９ｂを重ね合わせてマス
クのプリアライメントを行う。
１９ｂをテレビカメラ１５で観察したときのテレ
ビモニタの状態を示している。観察されたプリア
ライメントマーク１８ａとモニタ上の基準マーク
１９ａとのＸ方向のずれ量をΔxa、Ｙ方向のずれ
量をΔyaとし、プリアライメントマーク１８ｂと
基準マーク１８ｂとのＸ方向のずれ量をΔxb、Ｙ
方向のずれ量をΔybとすると、マスク６のXYθ
方向のずれ量Δxm、Δym、ΔθmはΔx＝（Δxa＋
Δxb）／２、Δy＝（Δya＋Δyb）／２、Δθ＝
（Δya−Δyb）／Ｄで表わされる。ただし、Ｄは
プリアライメントマーク１６ａ，１６ｂの間隔で
ある。このΔx、Δy、Δθをもとに、Ｘステージ
２、Ｙステージ３、Zθステージ４を動かし、モ
ニタ上でプリアライメントマーク１８ａ，１８ｂ
と基準マーク１９ａ，１９ｂを重ね合わせてマス
クのプリアライメントを行う。
第２図ｃは、マスクのプリアライメント完了
後、Ｘステージ２とＹステージ３をマスクチヤツ
ク１３の下方に移動させたときの状態を示してい
る。ステージの位置の計測は、プリアライメント
完了した位置を原点とし、その位置からの変異を
レーザ測長器１７で計測することによつて行う。
後、Ｘステージ２とＹステージ３をマスクチヤツ
ク１３の下方に移動させたときの状態を示してい
る。ステージの位置の計測は、プリアライメント
完了した位置を原点とし、その位置からの変異を
レーザ測長器１７で計測することによつて行う。
第２図ｄは、マスク６をマスク移替えチヤツク
５からマスクチヤツク１３に移し替えるときの状
態を示している。Zθステージ４がマスク６を装
着したマスク移替えチヤツク５をＺ方向に押し上
げマスク６をマスクチヤツク１３に密着させる
と、マスクチヤツク１３はマスク６を真空吸着す
る。マスク６がマスクチヤツク１３真空吸着され
たのち、マスク移替えチヤツク５の真空を切り、
マスク６の移し替えを行う。
５からマスクチヤツク１３に移し替えるときの状
態を示している。Zθステージ４がマスク６を装
着したマスク移替えチヤツク５をＺ方向に押し上
げマスク６をマスクチヤツク１３に密着させる
と、マスクチヤツク１３はマスク６を真空吸着す
る。マスク６がマスクチヤツク１３真空吸着され
たのち、マスク移替えチヤツク５の真空を切り、
マスク６の移し替えを行う。
第２図ｅは、マスク６の移し替えが完了し、
Zθステージ４が通常の位置にもどつたときの状
態を示している。このとき、マスク６はテレビカ
メラ１５対して正確に位置決めされた状態でマス
クチヤツク１３に真空吸着されている。
Zθステージ４が通常の位置にもどつたときの状
態を示している。このとき、マスク６はテレビカ
メラ１５対して正確に位置決めされた状態でマス
クチヤツク１３に真空吸着されている。
第２図ｆは、ウエハ９をθステージ７上のウエ
ハチヤツク８に真空吸着し、テレビカメラ１５で
２個のプリアライメントマーク２０ａ，２０ｂを
観察してプリアライメントを行う位置にＸステー
ジ２とＹステージ３を移動したところを示してい
る。ウエハ９上のプリアライメントマーク２０
ａ，２０ｂの間隔もマスク６上のプリアライメン
トマーク１８ａ，１９ｂの間隔に等しくしてお
く。
ハチヤツク８に真空吸着し、テレビカメラ１５で
２個のプリアライメントマーク２０ａ，２０ｂを
観察してプリアライメントを行う位置にＸステー
ジ２とＹステージ３を移動したところを示してい
る。ウエハ９上のプリアライメントマーク２０
ａ，２０ｂの間隔もマスク６上のプリアライメン
トマーク１８ａ，１９ｂの間隔に等しくしてお
く。
第２図ｇは、プリアライメントマーク２０ａ，
２０ｂをテレビカメラ１５で観察したときのテレ
ビモニタを状態を示している。前述のマスクの場
合と同様に、ウエハ９のXYθ方向のずれ量Δxw、
Δyw、Δθwを求め、Ｘステージ２、Ｙステージ
３、ZΔステージ４を動かし、モニタ上でプリア
ライメントマーク２０ａ，２０ｂと基準マーク１
９ａ，１９ｂを重ね合わせプリアライメントを行
う。
２０ｂをテレビカメラ１５で観察したときのテレ
ビモニタを状態を示している。前述のマスクの場
合と同様に、ウエハ９のXYθ方向のずれ量Δxw、
Δyw、Δθwを求め、Ｘステージ２、Ｙステージ
３、ZΔステージ４を動かし、モニタ上でプリア
ライメントマーク２０ａ，２０ｂと基準マーク１
９ａ，１９ｂを重ね合わせプリアライメントを行
う。
第２図ｈは、ウエハ９のプリアライメント完了
後、Ｘステージ２とＹステージ３を最初の露光位
置に移動させたときの状態を示している。テレビ
カメラ１２に対するウエハ９の位置は、マスク６
の場合と同様に、レーザ測長器で正確に計測する
ことができる。マスク６はすでにテレビカメラ１
５に対して正確に位置決めされているので、マス
ク６とウエハ９を高い重ね合わせ精度でプリアラ
イメントすることが可能となる。
後、Ｘステージ２とＹステージ３を最初の露光位
置に移動させたときの状態を示している。テレビ
カメラ１２に対するウエハ９の位置は、マスク６
の場合と同様に、レーザ測長器で正確に計測する
ことができる。マスク６はすでにテレビカメラ１
５に対して正確に位置決めされているので、マス
ク６とウエハ９を高い重ね合わせ精度でプリアラ
イメントすることが可能となる。
マスクとウエハのプリアライメントが完了した
ら、アライメント光学系１４により最終的なフア
インアライメントを行い露光を開始する。
ら、アライメント光学系１４により最終的なフア
インアライメントを行い露光を開始する。
本発明のマスクとウエハのプリアライメント方
法は、真空吸着したマスクをマスクステージに移
し替えることのできるウエハステージを設けるこ
とにより、マスクとウエハをウエハステージ上で
プリアライメントできるため、重ね合わせ精度の
良いプリアライメントができるという効果があ
る。その結果、最終的なフアインアライメントの
負担が軽くなるという効果がある。
法は、真空吸着したマスクをマスクステージに移
し替えることのできるウエハステージを設けるこ
とにより、マスクとウエハをウエハステージ上で
プリアライメントできるため、重ね合わせ精度の
良いプリアライメントができるという効果があ
る。その結果、最終的なフアインアライメントの
負担が軽くなるという効果がある。
また、マスクの外形を基準としてプリアライメ
ントを行うかわりに、マスクをウエハステージに
装着しウエハステージを動かして合わせ込みを行
うため、マスクの外形とマスクパターンの位置精
度を出す必要がなく、マスクの製作が比較的容易
になるという効果がある。
ントを行うかわりに、マスクをウエハステージに
装着しウエハステージを動かして合わせ込みを行
うため、マスクの外形とマスクパターンの位置精
度を出す必要がなく、マスクの製作が比較的容易
になるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２
図ａ〜ｈは本発明のマスクとウエハのプリアライ
メントの工程を示す説明図、第３図は従来のアラ
イメント方法を示す説明図、第４図は第３図に示
すアライメント方法におけるマスク用マークであ
るリニア・フレネル・ゾーン・プレートを示す平
面図、第５図は第３図に示すアライメント方法に
おけるウエハ用マークである回折格子を示す平面
図。 １……ベース、２……Ｘステージ、３……Ｙス
テージ、４……Zθステージ、５……マスク移替
えチヤツク、６……マスク、７……θステージ、
８……ウエハチヤツク、９……ウエハ、１０……
Ｘ線源、１１……へリウムチヤンバ、１２……
Z1Z2Z3ステージ、１３……マスクチヤツク、１４
……アライメント光学系、１５……テレビカメ
ラ、１６……直角ミラー、１７……レーザ測長
器、１８ａ，１８ｂ……マスクのプリアライメン
トマーク、１９ａ，１９ｂ……基準マーク、２０
ａ，２０ｂ……ウエハのプリアライメントマー
ク、２１……ウエハ、２２……回折格子、２３…
…マスク、２４……リニア・フレネル・ゾーン・
プレート、２５……レーザビーム、Δxa，Δxb…
…プリアライメントマークと基準マークのＸ方向
のずれ量、Δya，Δya……プリアライメントマー
クと基準マークのＹ方向のずれ量、ｄ……回折格
子のピツチ。
図ａ〜ｈは本発明のマスクとウエハのプリアライ
メントの工程を示す説明図、第３図は従来のアラ
イメント方法を示す説明図、第４図は第３図に示
すアライメント方法におけるマスク用マークであ
るリニア・フレネル・ゾーン・プレートを示す平
面図、第５図は第３図に示すアライメント方法に
おけるウエハ用マークである回折格子を示す平面
図。 １……ベース、２……Ｘステージ、３……Ｙス
テージ、４……Zθステージ、５……マスク移替
えチヤツク、６……マスク、７……θステージ、
８……ウエハチヤツク、９……ウエハ、１０……
Ｘ線源、１１……へリウムチヤンバ、１２……
Z1Z2Z3ステージ、１３……マスクチヤツク、１４
……アライメント光学系、１５……テレビカメ
ラ、１６……直角ミラー、１７……レーザ測長
器、１８ａ，１８ｂ……マスクのプリアライメン
トマーク、１９ａ，１９ｂ……基準マーク、２０
ａ，２０ｂ……ウエハのプリアライメントマー
ク、２１……ウエハ、２２……回折格子、２３…
…マスク、２４……リニア・フレネル・ゾーン・
プレート、２５……レーザビーム、Δxa，Δxb…
…プリアライメントマークと基準マークのＸ方向
のずれ量、Δya，Δya……プリアライメントマー
クと基準マークのＹ方向のずれ量、ｄ……回折格
子のピツチ。
Claims (1)
- １ xyステージ上のZθステージに搭載されたマ
スク移替えチヤツクにプリアライメントマークを
有するマスクを真空吸着する第１の吸着工程と、
前記xyステージを駆動してマスクのプリアライ
メントマークをテレビカメラの前に移動する第１
の移動工程と、テレビカメラでマスクのプリアラ
イメントマークを観察してxyθ方向のずれを合わ
せ込む第１の合わせ込み工程と、Z1Z2Z3ステージ
とマスクチヤツクからなるマスクステージの前に
マスクを第２の移動する工程と、前記Zθステー
ジのＺステージを移動し同時にマスク移替えチヤ
ツクとマスクチヤツクの真空状態を切換えてマス
クをマスク移替えチヤツクからマスクチヤツクに
移替える移替え工程と、前記xyステージ上のθ
ステージに搭載されたウエハチヤツクにプリアラ
イメントマークを有するウエハを真空吸着する第
２の吸着工程と、xyステージを駆動してウエハ
のプリアライメントマークをテレビカメラの前に
移動する第３の移動工程と、テレビカメラでウエ
ハプリアライメントマークを観察してxyθ方向の
ずれを合わせ込む第２の合わせ込み工程と、マス
クステージの前にウエハを移動する第３の移動工
程とを含むことを特徴とするマスクとウエハのプ
リアライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260224A JPH01101629A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | マスクとウェハのプリアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260224A JPH01101629A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | マスクとウェハのプリアライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01101629A JPH01101629A (ja) | 1989-04-19 |
| JPH055368B2 true JPH055368B2 (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=17345075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62260224A Granted JPH01101629A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | マスクとウェハのプリアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01101629A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0683276U (ja) * | 1993-05-12 | 1994-11-29 | 株式会社日立ビルシステムサービス | プリント板取外し治具 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH098103A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| JP2005340315A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Nikon Corp | 位置合わせ装置、露光装置、位置合わせ方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法及び較正用（工具）レチクル |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62260224A patent/JPH01101629A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0683276U (ja) * | 1993-05-12 | 1994-11-29 | 株式会社日立ビルシステムサービス | プリント板取外し治具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01101629A (ja) | 1989-04-19 |
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