JPH0520890B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0520890B2 JPH0520890B2 JP62280964A JP28096487A JPH0520890B2 JP H0520890 B2 JPH0520890 B2 JP H0520890B2 JP 62280964 A JP62280964 A JP 62280964A JP 28096487 A JP28096487 A JP 28096487A JP H0520890 B2 JPH0520890 B2 JP H0520890B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- pattern
- mirrors
- semiconductor substrate
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置を製造するための投影露光
装置に関する。
装置に関する。
従来、半導体装置を製造する際のフオトリソグ
ラフイ工程に使用される投影露光装置は、フオト
レジストの塗布された半導体基板上に１枚のマス
クのパターンを縮小して投影露光し、かつこの半
導体基板を移動させながら繰り返し露光する構成
がとられている。
ラフイ工程に使用される投影露光装置は、フオト
レジストの塗布された半導体基板上に１枚のマス
クのパターンを縮小して投影露光し、かつこの半
導体基板を移動させながら繰り返し露光する構成
がとられている。
ところで、この種の投影露光に際しては、同一
の半導体基板上に半導体装置のパターンを露光す
るとともに、諸特性確認用のパターンを露光する
必要があり、あるいは周辺部における不用なフオ
トレジストを除去するために半導体基板の周辺部
に対する露光が必要とされることがある。
の半導体基板上に半導体装置のパターンを露光す
るとともに、諸特性確認用のパターンを露光する
必要があり、あるいは周辺部における不用なフオ
トレジストを除去するために半導体基板の周辺部
に対する露光が必要とされることがある。
このように、半導体装置のパターンに加えて他
のパターンを露光する場合の露光方法として、従
来では２通りの方法が提案されている。一つの方
法は、マスク上に２種類のパターンを作つてお
き、これらのパターンを遮蔽板で交互に覆うこと
により２種類のパターンを別々に露光する方法で
ある。他の方法は、基板上の一の部分に一つのマ
スクのパターンを露光した後、マスクを交換して
露光がされていない領域に交換したマスクのパタ
ーンを露光する方法である。
のパターンを露光する場合の露光方法として、従
来では２通りの方法が提案されている。一つの方
法は、マスク上に２種類のパターンを作つてお
き、これらのパターンを遮蔽板で交互に覆うこと
により２種類のパターンを別々に露光する方法で
ある。他の方法は、基板上の一の部分に一つのマ
スクのパターンを露光した後、マスクを交換して
露光がされていない領域に交換したマスクのパタ
ーンを露光する方法である。
上述した従来の２通りの方法の内、マスク上に
２種類のパターンを形成してこれを選択的に遮蔽
板で覆う前者の方法は、遮蔽板を覆う際の位置決
め余裕をマスクのパターン間に設ける必要があ
り、半導体装置を形成するための有効領域を小さ
くしてしまう問題がある。
２種類のパターンを形成してこれを選択的に遮蔽
板で覆う前者の方法は、遮蔽板を覆う際の位置決
め余裕をマスクのパターン間に設ける必要があ
り、半導体装置を形成するための有効領域を小さ
くしてしまう問題がある。
一方、マスクを交換する方法では、マスクの交
換と同時に半導体基板基板の露光装置に対するロ
ードとアンロードを行う必要があり、スループツ
トが低下するという問題がある。
換と同時に半導体基板基板の露光装置に対するロ
ードとアンロードを行う必要があり、スループツ
トが低下するという問題がある。
本発明は、半導体装置の有効領域を低減すこと
なく、しかもスループツトを低下することなく２
種類のパターンを露光することが可能な投影露光
装置を提供することを目的としている。
なく、しかもスループツトを低下することなく２
種類のパターンを露光することが可能な投影露光
装置を提供することを目的としている。
本発明の投影露光装置は、光源により照明され
た第１マスクを投影レンズにより半導体基板に投
影露光する投影露光装置において、前記第１マス
クに隣接する位置に第２マスクを配置し、この第
２マスクの上下に夫々ミラーを設けるとともに、
前記第１マスクの上下に夫々ミラーを進退可能に
構成し、これらミラーにより前記光源の光通路を
前記第１マスクと第２マスクとの間で切替え得る
ように構成し、ミラーを進退させるのみで投影パ
ターンの切替えを可能な構成としている。
た第１マスクを投影レンズにより半導体基板に投
影露光する投影露光装置において、前記第１マス
クに隣接する位置に第２マスクを配置し、この第
２マスクの上下に夫々ミラーを設けるとともに、
前記第１マスクの上下に夫々ミラーを進退可能に
構成し、これらミラーにより前記光源の光通路を
前記第１マスクと第２マスクとの間で切替え得る
ように構成し、ミラーを進退させるのみで投影パ
ターンの切替えを可能な構成としている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の正面構成図であ
る。図において、１はフオトレジストが塗布され
た半導体基板であり、２はこの半導体基板に半導
体装置を形成するためのパターン（ここではパタ
ーンを“Ａ”で示す）を形成した第１のマスク、
２ａは特性チエツク用の専用パターン（ここでは
パターン“Ｂ”で示す）を形成した第２のマスク
である。そして、前記第１のマスク２は半導体基
板１の直上に位置させるとともに、この直下には
１／５の縮小投影レンズ３を配置し、かつ直上には
図外の光源を配置している。また、前記第２のマ
スク２ａは第１のマスク２の隣位置に配置してい
る。
る。図において、１はフオトレジストが塗布され
た半導体基板であり、２はこの半導体基板に半導
体装置を形成するためのパターン（ここではパタ
ーンを“Ａ”で示す）を形成した第１のマスク、
２ａは特性チエツク用の専用パターン（ここでは
パターン“Ｂ”で示す）を形成した第２のマスク
である。そして、前記第１のマスク２は半導体基
板１の直上に位置させるとともに、この直下には
１／５の縮小投影レンズ３を配置し、かつ直上には
図外の光源を配置している。また、前記第２のマ
スク２ａは第１のマスク２の隣位置に配置してい
る。
更に、前記第１のマスクの２直上と直下には、
夫々45゜傾斜されたミラー４，５を図外の駆動手
段によつて進出配置可能に構成している。また第
２のマスク２ａの直上と直下にはミラー６，７を
45゜傾斜して固定的に配置している。
夫々45゜傾斜されたミラー４，５を図外の駆動手
段によつて進出配置可能に構成している。また第
２のマスク２ａの直上と直下にはミラー６，７を
45゜傾斜して固定的に配置している。
この構成によれば、半導体装置を形成するため
のパターンを露光する場合には、第１図のように
ミラー４，５を第１のマスク２の直上及び直下か
ら退避させ、縮小投影レンズ３を用いて半導体基
板１上にパターン“Ａ”を露光する。この露光を
繰り返し行うことにより、第２図に示すパターン
の露光が実行できる。
のパターンを露光する場合には、第１図のように
ミラー４，５を第１のマスク２の直上及び直下か
ら退避させ、縮小投影レンズ３を用いて半導体基
板１上にパターン“Ａ”を露光する。この露光を
繰り返し行うことにより、第２図に示すパターン
の露光が実行できる。
次いで、特性チエツク用のパターンを露光する
場合には、第３図に示すように、第１マスク２の
直上と直下に夫々ミラー４，５を進出位置させる
ことにより、光源からの光はミラー４及び６で反
射されて第２のマスク２ａを照射し、そのパター
ンはミラー７及び５で反射されて縮小投影レンズ
３により半導体基板に投影露光される。これによ
り、第４図に示すように、パターン“Ａ”が露光
されていない所要領域にパターン“Ｂ”が露光さ
れることになる。
場合には、第３図に示すように、第１マスク２の
直上と直下に夫々ミラー４，５を進出位置させる
ことにより、光源からの光はミラー４及び６で反
射されて第２のマスク２ａを照射し、そのパター
ンはミラー７及び５で反射されて縮小投影レンズ
３により半導体基板に投影露光される。これによ
り、第４図に示すように、パターン“Ａ”が露光
されていない所要領域にパターン“Ｂ”が露光さ
れることになる。
このため、この露光に際しては、半導体基板１
は固定したままで単にミラー４，５を進退させる
のみで２種類の露光を行うことができるので、半
導体基板１のアンロード、ロードをやり直す必要
がなく、スループツトを向上できる。また、マス
クに遮蔽板の位置決めのための余裕を設ける必要
もないために半導体装置を形成するための有効領
域を低減させることもない。
は固定したままで単にミラー４，５を進退させる
のみで２種類の露光を行うことができるので、半
導体基板１のアンロード、ロードをやり直す必要
がなく、スループツトを向上できる。また、マス
クに遮蔽板の位置決めのための余裕を設ける必要
もないために半導体装置を形成するための有効領
域を低減させることもない。
ここで、本発明の露光装置を使用すれば、第２
のマスク２ａのパターンとして、内部にパターン
がなくその周辺部で光を通すパターンを採用すれ
ば、第５図に示すように、半導体基板１に露光し
たパターンの周辺部全域１ａを露光することがで
き、これによりフオトレジストの現象後に周辺の
レジストを除去することができ、基板の搬送中に
おける周辺レジストの剥がれによる異物の発生等
を未然に防止することが可能となる。
のマスク２ａのパターンとして、内部にパターン
がなくその周辺部で光を通すパターンを採用すれ
ば、第５図に示すように、半導体基板１に露光し
たパターンの周辺部全域１ａを露光することがで
き、これによりフオトレジストの現象後に周辺の
レジストを除去することができ、基板の搬送中に
おける周辺レジストの剥がれによる異物の発生等
を未然に防止することが可能となる。
以上説明したように本発明は、第１マスクに隣
接する位置に配設した第２マスクの上下に夫々ミ
ラーを設けるとともに、第１マスクの上下に夫々
ミラーを進退可能に構成し、これらミラーにより
光源の光通路を第１マスクと第２マスクとの間で
切替え得るように構成しているので、ミラーを進
退させるのみで投影パターンの切替えを行うこと
ができ、半導体装置の有効領域を低減することな
く、しかもスループツトを大幅に向上した投影露
光を実現できる効果がある。
接する位置に配設した第２マスクの上下に夫々ミ
ラーを設けるとともに、第１マスクの上下に夫々
ミラーを進退可能に構成し、これらミラーにより
光源の光通路を第１マスクと第２マスクとの間で
切替え得るように構成しているので、ミラーを進
退させるのみで投影パターンの切替えを行うこと
ができ、半導体装置の有効領域を低減することな
く、しかもスループツトを大幅に向上した投影露
光を実現できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の模式的正面図で第
１マスクを用いた露光状態を示す図、第２図は露
光された第１マスクのパターン図、第３図は第２
マスクを用いた露光状態を示す模式的正面図、第
４図は露光された第２マスクのパターン図、第５
図は他の例における露光パターン図である。 １……半導体基板、２……第１のマスク、２ａ
……第２のマスク、３……縮小投影レンズ、４〜
７……ミラー。
１マスクを用いた露光状態を示す図、第２図は露
光された第１マスクのパターン図、第３図は第２
マスクを用いた露光状態を示す模式的正面図、第
４図は露光された第２マスクのパターン図、第５
図は他の例における露光パターン図である。 １……半導体基板、２……第１のマスク、２ａ
……第２のマスク、３……縮小投影レンズ、４〜
７……ミラー。
Claims (1)
- １ 光源により照明される第１マスクを投影レン
ズにより半導体基板に投影露光する投影露光装置
において、前記第１マスクに隣接する位置に第２
マスクを配置し、この第２マスクの上下に夫々ミ
ラーを設けるとともに、前記第１マスクの上下に
夫々ミラーを進退可能に構成し、これらミラーに
より前記光源の光通路を前記第１マスクと第２マ
スクとの間で切替え得るように構成したことを特
徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62280964A JPH01123419A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62280964A JPH01123419A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01123419A JPH01123419A (ja) | 1989-05-16 |
| JPH0520890B2 true JPH0520890B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=17632341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62280964A Granted JPH01123419A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01123419A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2003253819A1 (en) | 2002-07-22 | 2004-02-09 | Comair Rotron, Inc. | Energy store circuit for controlling rotor rotation |
-
1987
- 1987-11-09 JP JP62280964A patent/JPH01123419A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01123419A (ja) | 1989-05-16 |
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