JPH05208949A - アルカリ可溶性ニトロン化合物及び光脱色性材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】 次式（１）で表されるアルカリ可溶性ニトロ
ン化合物及び該化合物を含有する光脱色性材料。 （式中Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³はアルキル基、アリール基又は水
素原子、Ｒ⁴乃至Ｒ⁸はアルキル基、水素原子又はカルボ
キシ基であるが、Ｒ⁴乃至Ｒ⁸の少なくとも１つはカルボ
キシ基である。ＸはＲ⁹Ｏ−で表されるアルコキシ基、
Ｒ¹⁰Ｒ¹¹Ｎ−で表されるジアルキルアミノ基又は水素原
子であり、Ｒ⁹はアルキル基、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹はアルキル
基である。ｎは０，１又は２の値を有する。） 【効果】 波長３００〜４５０ｎｍの光に対して、ニト
ロン化合物を主成分とした水溶性のコントラスト増強用
光脱色性材料を与える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体集積回路
の製造における写真食刻工程用のマスクのように被写体
の像のコントラストを増強させるための光脱色性材料の
主成分として好適な新規なニトロン化合物及び該ニトロ
ン化合物を含有する光脱色性材料に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】リソグ
ラフィー技術において、ホトレジストを所望のパターン
形状に露光し、現像してできるレジスト像は、露光像の
コントラストが大きいほど垂直に近い壁をもつ形状にな
るものであるが、非常に高い解像度の露光を行なう場
合、露光像のコントラストが低下し、鮮明なレジスト像
を得ることができなくなるという問題がある。

【０００３】そこで、解像度及びパターン形状の解像を
図る方法として、波長３００〜４５０ｎｍの光に対して
吸収極大をもつコントラスト増強用の光脱色性層（特公
昭６２−４０６９７号公報、特開昭６２−２３４１４８
号公報参照）を用いたレジストパターン形成方法等が提
案されており、その光脱色性材料の主成分であるニトロ
ン化合物は、下記のような構造を有する。

【０００４】

【化２】

【０００５】しかしながら、上記ニトロン化合物は非水
溶性であり、有機溶剤にしか溶解しないことから、上記
ニトロン化合物を主成分とした光脱色性材料は水溶性と
なり得ない。このため、ホトレジストの現像工程前に有
機溶剤による光脱色性層の除去工程が必要になり、ある
いは介在層を用いた場合には、介在層と光脱色性層を純
水を用いてはじきとばす工程が必要になる。前者の有機
溶剤による除去工程は、現行の設備で対応できず、工程
の複雑化を招き、また、後者の介在層と共に純水ではじ
きとばす方法は、光脱色性層が完全にはじきとばされず
に残って、スカムの発生があるという問題を有する。従
って、工程の複雑化を招かず、純水による溶解が可能で
ある光脱色性材料（ＣＥＭ：Ｃｏｎｔｒａｓｔ Ｅｎｈ
ａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）の主成分として有用
なニトロン化合物が求められている。

【０００６】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
純水による溶解が可能となるコントラスト増強用の光脱
色性材料の主成分として有用な新規なアルカリ可溶性ニ
トロン化合物及び該ニトロン化合物を含有する光脱色性
材料を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、例えば下記
一般式（２）で示されるアルキルニトロ安息香酸の水素
添加を行なった後、これに下記一般式（３）で示される
化合物を反応させることにより、下記一般式（１）で示
される新規なアルカリ可溶性のニトロン化合物が得られ
ると共に、この化合物がコントラスト増強用の光脱色性
材料の主成分として有用であり、波長３００〜４５０ｎ
ｍの光でのコントラスト増強リソグラフィーにおいて大
いに威力を発揮し得ることを見い出した。

【０００８】

【化３】 （但し、式中Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³は互いに同一又は異種のア
ルキル基、アリール基又は水素原子、Ｒ⁴乃至Ｒ⁸は互い
に同一又は異種のアルキル基、水素原子又はカルボキシ
基であるが、Ｒ⁴乃至Ｒ⁸の少なくとも１つはカルボキシ
基である。ＸはＲ⁹Ｏ−で表されるアルコキシ基、Ｒ¹⁰
Ｒ¹¹Ｎ−で表されるジアルキルアミノ基又は水素原子で
あり、Ｒ⁹はアルキル基、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は互いに同一又
は異種のアルキル基である。ｎは０，１又は２の値を有
する。）

【０００９】即ち、上記（１）式の新規なニトロン化合
物は、アルカリ可溶性であり、波長３００〜４５０ｎｍ
の光に対して光脱色性を有すると共に、既知ニトロン化
合物では不可能であった水溶性の光脱色性材料を提供す
ることを可能とするもので、光脱色性層を有機溶剤では
なく水によっても除去することができ、現行の設備で対
応できるので、工程の複雑化を招くことがないと共に、
介在層を用いた際に起こるスカムの発生がない。それ
故、（１）式のニトロン化合物を用いて光脱色性材料を
調製し、ｇ線（波長４３６ｎｍの光）又はｉ線（波長３
６５ｎｍの光）でのコントラスト増強リソグラフィーを
行なうと、高コントラスト、高解像度、高精度で微細な
レジストパターンを形成することができることを知見
し、本発明をなすに至ったものである。

【００１０】以下、本発明につき更に詳細に説明する
と、本発明の新規なニトロン化合物は下記一般式（１）
で示されるニトロン化合物である。

【００１１】

【化４】

【００１２】ここで、上記（１）式中のＲ¹，Ｒ²及びＲ
³は、アルキル基、アリール基又は水素原子である。ア
ルキル基としては、例えば、メチル基，エチル基，プロ
ピル基，イソプロピル基，ブチル基，ｓｅｃ−ブチル
基，ｔｅｒｔ−ブチル基，シクロヘキシル基等の炭素数
１〜８のものが好適であり、中でもメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基がより好ましく用いられる。
アリール基としては、例えば、フェニル基，置換フェニ
ル基，ナフチル基，置換ナフチル基等の炭素数６〜１５
のものが好適であり、中でもフェニル基、メチルフェニ
ル基、エチルフェニル基がより好ましく用いられる。Ｒ
⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁶，Ｒ⁷及びＲ⁸は互いに同一又は異種のアル
キル基、水素原子又はカルボキシ基であるが、Ｒ⁴，
Ｒ⁵，Ｒ⁶，Ｒ⁷及びＲ⁸のうち少なくとも１つはカルボキ
シ基である。この場合のアルキル基としてはＲ¹，Ｒ²，
Ｒ³で例示したものと同様のものを挙げることができ
る。ＸはＲ⁹Ｏ−で表されるアルコキシ基、Ｒ¹⁰Ｒ¹¹Ｎ
−で表されるジアルキルアミノ基又は水素原子であり、
Ｒ⁹はアルキル基、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は互いに同一又は異種
のアルキル基である。この場合のアルキル基としてはＲ
¹，Ｒ²，Ｒ³で例示したものと同様のものを挙げること
ができる。また、ｎは０、１又は２の値を有し、好まし
くは０又は１である。

【００１３】このような（１）式のニトロン化合物とし
ては、下記式のニトロン化合物を含む。

【００１４】

【化５】 （但し、ｍ＝１又は２）

【００１５】上記（１）式のニトロン化合物を具体的に
例示すると、α−［ｐ−（ジメチルアミノ）フェニル］
−Ｎ−（４−カルボキシフェニル）ニトロン、α−［ｐ
−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（４−カルボキ
シフェニル）ニトロン、α−［ｐ−（ジブチルアミノ）
フェニル］−Ｎ−（４−カルボキシフェニル）ニトロ
ン、α−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−
（３−カルボキシフェニル）ニトロン、α−［ｐ−（ジ
エチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（２−カルボキシフェ
ニル）ニトロン、α−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニ
ル］−Ｎ−（２−メチル−４−カルボキシフェニル）ニ
トロン、α−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ
−（２−メチル−３−カルボキシフェニル）ニトロン、
α−（ｐ−メトキシフェニル）−Ｎ−（４−カルボキシ
フェニル）ニトロン、α−（ｐ−エトキシフェニル）−
Ｎ−（４−カルボキシフェニル）ニトロン、α−（ｏ−
メトキシフェニル）−Ｎ−（４−カルボキシフェニル）
ニトロン、α−（ｐ−メトキシフェニル）−Ｎ−（３−
カルボキシフェニル）ニトロン、α−（ｐ−メトキシフ
ェニル）−Ｎ−（２−カルボキシフェニル）ニトロン、
α−（ｐ−メトキシフェニル）−Ｎ−（２−メチル−４
−カルボキシフェニル）ニトロン、α−（ｐ−エトキシ
フェニル）−Ｎ−（３−メチル−２−カルボキシフェニ
ル）ニトロン、α−［ｐ−（ジメチルアミノ）スチリ
ル］−Ｎ−（４−カルボキシフェニル）ニトロン、α−
［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−Ｎ−（４−カル
ボキシフェニル）ニトロン、α−［ｐ−（ジメチルアミ
ノ）スチリル］−Ｎ−（３−カルボキシフェニル）ニト
ロン、α−［ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル］−Ｎ−
（２−カルボキシフェニル）ニトロン、α−［ｐ−（ジ
メチルアミノ）スチリル］−Ｎ−（２−メチル−４−カ
ルボキシフェニル）ニトロン、α−［ｐ−（ジエチルア
ミノ）スチリル］−Ｎ−（４−メチル−２−カルボキシ
フェニル）ニトロン、α−（ｏ−メトキシスチリル）−
Ｎ−（４−カルボキシフェニル）ニトロン、α−（ｏ−
メトキシスチリル）−Ｎ−（３−カルボキシフェニル）
ニトロン、α−（ｐ−メトキシスチリル）−Ｎ−（４−
カルボキシフェニル）ニトロン、α−（ｐ−メトキシス
チリル）−Ｎ−（３−カルボキシフェニル）ニトロン、
α−（ｏ−メトキシスチリル）−Ｎ−（２−メチル−４
−カルボキシフェニル）ニトロン、α−（ｐ−メトキシ
スチリル）−Ｎ−（２−メチル−３−カルボキシフェニ
ル）ニトロンなどが挙げられる。

【００１６】本発明の（１）式のニトロン化合物は、工
業的にも入手容易な下記一般式（２）で示されるアルキ
ルニトロ安息香酸を原料とし、下記反応式に示されるよ
うに（２）式のアルキルニトロ安息香酸に水素添加を行
なって下記一般式（４）で示される化合物を得た後、こ
れに下記一般式（３）で示される化合物を反応させるこ
とにより合成することができる。

【００１７】

【化６】

【００１８】この場合、上記反応はメタノール等の有機
溶媒中で行なうことが好ましい。また、（２）式のアル
キルニトロ安息香酸への水素添加は、アルキルニトロ安
息香酸に対して１．７〜２．３当量の水素を１〜１０ｋ
ｇ／ｃｍ²の圧力で充填し、触媒量の炭素担持白金等の
触媒存在下で室温で行なうことができる。

【００１９】更に、水素添加アルキルニトロ安息香酸に
（３）式の化合物を反応させる際は、アルキルニトロ安
息香酸１モルに対して（３）式の化合物を０．８〜１．
２モルの割合で添加し、酢酸等の酸の存在下で行なうこ
とが望ましい。なお、その反応条件は２０〜５０℃で３
〜８時間とすることが好適である。反応終了後は析出し
た結晶を濾別し、結晶を適当な溶剤で洗浄することによ
り、目的とする（１）式のニトロン化合物を得ることが
できる。

【００２０】本発明の光脱色性材料は上記（１）式のニ
トロン化合物を含有するもので、このニトロン化合物を
結合剤、有機塩基、界面活性剤などと共に水もしくは有
機溶剤もしくは水−有機溶剤混合液に溶解して混合し、
回転注型可能な光脱色性材料として用いることができ
る。この光脱色性材料は、（Ａ）水０〜１００部（重量
部、以下同じ）、好ましくは５０〜１００部、（Ｂ）有
機溶剤０〜１００部、好ましくは０〜５０部、（Ｃ）水
溶性重合体結合剤１〜３０部、好ましくは１〜１５部、
（Ｄ）上記ニトロン化合物１〜３０部、好ましくは１〜
１５部、（Ｅ）有機塩基１〜３０部、好ましくは１〜１
５部及び（Ｆ）界面活性剤０〜２部、好ましくは０〜１
部を混合したものが好適である。

【００２１】ここで、（Ｂ）成分の有機溶剤としては、
エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール等の
アルコール類、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサ
ン等のエーテル類等が挙げられる。

【００２２】（Ｃ）成分の結合剤としては、酢酸ビニル
重合体の部分ケン化物、ポリビニルアルコール、水溶性
セルロースエーテルやセルロースエステル類、ポリビニ
ルピロリドン単独重合体又は共重合体、プルラン類等が
挙げられる。

【００２３】（Ｅ）成分の有機塩基としては、水酸化テ
トラメチルアンモニウム溶液、水酸化テトラブチルアン
モニウム溶液、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタ
ン、２，２’，２”−ニトリロトリエタノール、ピリジ
ン、トリエチルアミン等が挙げられる。

【００２４】（Ｆ）成分の界面活性剤としては、フッ素
含有の界面活性剤等が挙げられる。

【００２５】本発明の光脱色性材料を用いたレジストパ
ターンを形成するには、図１及び図２に示すリソグラフ
ィー工程により行なうことができる。図１はホトレジス
ト層の上に光脱色性層を直接形成した例を示す。まず、
ケイ素ウエハー等の基板１上にスピンコート等の方法で
ホトレジスト層２を形成し、このホトレジスト層２の上
に本発明の光脱色性材料をスピンコート等の方法で塗布
して光脱色性層３を形成し、光脱色性層３に所定波長の
紫外線４を縮小投影法により所望のパターン形状に露光
し、即ち図１においてＡ部分を露光し、水により光脱色
性層３を除去し、現像液を用いて現像する方法によりレ
ジストパターン５を形成することができる。

【００２６】図２は光脱色性層をホトレジスト層から隔
離するために両者の間にポリビニルアルコール等の中性
物質からなる薄い介在層６を設けた例を示す。この場
合、本発明の光脱色性材料は水溶性であるので、光脱色
性層３と介在層６を水で同時に洗い流すことができ、ス
カムが発生することがない。

【００２７】

【発明の効果】本発明の上記（１）式のニトロン化合物
は、特にｇ線及びｉ線に対して光脱色性を有すると共
に、アルカリ可溶性であり、高コントラスト、高解像
度、高精度で微細なレジストパターンを形成し得る水溶
性の光脱色性材料を提供することができ、それ故、微細
なレジストパターンの形成が可能となるコントラスト増
強用の水溶性の光脱色性材料の主成分として有用であ
る。

【００２８】

【実施例】以下、実施例を示して本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではな
い。

【００２９】［実施例１］１リットルのオートクレーブ
にｐ−ニトロ安息香酸１２２．２ｇ（７３１ｍｍｏ
ｌ）、ジメチルスルホキシド１１．３ｇ、５％白金担持
触媒２．０ｇ、メタノール２６０ｇを加え、この系に水
素を約４ｋｇ／ｃｍ²の圧力で充填し、ｐ−ニトロ安息
香酸に対して当量の水素が反応し終るまで室温で撹拌し
た。反応混合液を濾過し、触媒を除去した後、更に、４
−ジエチルアミノベンズアルデヒド１２０．０ｇ（６７
７ｍｍｏｌ）、酢酸３０．０ｇ、メタノール１００ｇを
加え、室温で５時間撹拌した。析出した結晶を濾別後、
メタノールにより洗浄を行ない黄色い結晶を得、乾燥し
て収量１８７．６ｇ（収率８８．７％）、純度９６％の
α−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（４−
カルボキシフェニル）ニトロンを単離した。得られたα
−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（４−カ
ルボキシフェニル）ニトロンの質量スペクトル（Ｍ
Ｓ）、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、赤外線スペク
トル（ＩＲ）及び元素分析値の結果を下記に示す。

【００３０】〈 ＭＳ：ｍ／ｅ（スペクトル強度比）〉 ３１２（１６．５）、２９７（８．１）、２９６（１
５．１）、２８１（２４．６）、１７６（１００．
０）、３２（３１．５）

【００３１】

【化７】

【００３２】〈ＩＲ：（ｃｍ^-1）〉 ３４３７、２９７６、２９００、１７０５、１６０５、
１５７２、１５２３、１４１０、１２７５、１１８０、
１１５５、１１２２、１０８０、１０３６、１０１１、
８７９、８６０、８１７

【００３３】〈元素分析値：（％）Ｃ₁₈Ｈ₂₀Ｎ₂Ｏ₃〉 理論値 Ｃ：６９．２ Ｈ：６．４ Ｎ：
９．０ 実測値 Ｃ：６８．１ Ｈ：６．２ Ｎ：
８．５

【００３４】［実施例２］ｐ−ニトロ安息香酸の代わり
に、３−メチル−４−ニトロ安息香酸１３２．４ｇ（７
３１ｍｍｏｌ）を用いる以外は実施例１と同様にして合
成を行なったところ収量２１１．３ｇ（収率９５．６
％）、純度９５％のα−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェ
ニル］−Ｎ−（２−メチル−４−カルボキシフェニル）
ニトロンを単離した。得られた化合物の分析結果を下記
に示す。

【００３５】〈 ＭＳ：ｍ／ｅ（スペクトル強度比）〉 ３２６（２０．３）、３１１（１５．３）、３１０
（６．７）、２９５（８．９）、１７６（１００．
０）、３２（２６．０）

【００３６】

【化８】

【００３７】〈ＩＲ：（ｃｍ^-1）〉 ３４３５、３０５３、２９７４、２９０２、１７０３、
１５９１、１５２４、１４０８、１２７３、１１７６、
１１５５、１１２２、１０７８、１０３９、１００９、
８７７、８５４、８１７

【００３８】〈元素分析値：（％）Ｃ₁₉Ｈ₂₂Ｎ₂Ｏ₃〉 理論値 Ｃ：６９．９ Ｈ：６．７ Ｎ：
８．６ 実測値 Ｃ：６７．４ Ｈ：６．４ Ｎ：
８．０

【００３９】［実施例３］４−ジエチルアミノベンズア
ルデヒドの代わりにｐ−アニスアルデヒド９２．２ｇ
（６７７ｍｍｏｌ）を用いる以外は実施例１と同様にし
て合成を行なったところ、収量１６２．０ｇ（収率８
８．２％）、純度９６％のα−（ｐ−メトキシフェニ
ル）−Ｎ−（４−カルボキシフェニル）ニトロンを単離
した。得られた化合物の分析結果を下記に示す。

【００４０】

【化９】

【００４１】〈ＩＲ：（ｃｍ^-1）〉 ３４５６、３１０９、３１５７、２９６８、２８４１、
２６７３、２５５１、１７０３、１６８６、１６０３、
１５０８、１４３１、１３２３、１２９２、１２５１、
１１６９、１０７０、 １０２８、８７０、８４１、８
０６

【００４２】〈元素分析値：（％）Ｃ₁₅Ｈ₁₃Ｎ Ｏ₄〉 理論値 Ｃ：６６．４ Ｈ：４．８ Ｎ：
５．２ 実測値 Ｃ：６６．１ Ｈ：４．９ Ｎ：
４．８

【００４３】［実施例４］ｐ−ニトロ安息香酸の代わり
に３−メチル−４−ニトロ安息香酸１３２．４ｇ（７３
１ｍｍｏｌ）、４−ジエチルアミノベンズアルデヒドの
代わりに４−ジメチルアミノシンナムアルデヒド１１
８．６ｇ（６７７ｍｍｏｌ）を用いる以外は実施例１と
同様にして合成を行なったところ、収量２１３．８ｇ
（収率９７．４％）、純度９６％のα−［ｐ−（ジメチ
ルアミノ）スチリル］−Ｎ−（２−メチル−４−カルボ
キシフェニル）ニトロンを単離した。得られた化合物の
分析結果を下記に示す。

【００４４】

【化１０】

【００４５】〈ＩＲ：（ｃｍ^-1）〉 ３４４６、３０３７、２８９１、２８１２、１７０１、
１５９３、１５２４、１４８７、１４３５、１３６７、
１３２９、１２７５、１２３４、１２３２、１１６５、
１１２６、１１０５、１０１８、９８４、９４５、９２
４、９２０、８６０、８４１、８１０

【００４６】〈元素分析値：（％）Ｃ₁₉Ｈ₂₀Ｏ₃Ｎ₂〉 理論値 Ｃ：７０．４ Ｈ：６．２ Ｎ：
８．６ 実測値 Ｃ：６９．９ Ｈ：６．３ Ｎ：
８．４

【００４７】［実施例５］光脱色性材料としてα−［ｐ
−（ジエチルアミノフェニル］−Ｎ−（４−カルボキシ
フェニル）ニトロン４．５％、分子量約３，０００で成
分比６：４のポリビニルピロリドン−酢酸ビニル共重合
体３．５％、１０％水酸化テトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウム溶液３８．０％及びフロラードＦＣ−４３０（住友
スリーエム（株）製）０．２５％の水溶液を用い、図１
に示すリソグラフィー工程に従ってレジストパターンを
形成した。まずケイ素ウエハーからなる基板１にＳ−１
８１３（シップレー社製、ポジレジスト）をスピンコー
トしてレジスト層２を形成し（図１（ａ））、次にレジ
ス層２上に上記光脱色性材料をスピンコートして光脱色
性層３を形成し（図１（ｂ））、縮小投影法によりＡ部
分に選択的に４３６ｎｍの紫外線４を露光した（図１
（ｃ））。その後、光脱色性層３を純水を用いて除去
し、アルカリ現像液を用いて現像を行ない、レジストパ
ターン５を形成した（図１（ｄ））。得られたレジスト
パターンはコントラストが増強された０．５μｍ解像の
ものであった。

【００４８】［実施例６］光脱色性材料としてα−［ｐ
−（ジエチルアミノフェニル］−Ｎ−（２−メチル−４
−カルボキシフェニル）ニトロン４．５％、分子量約
３，０００で成分比６：４のポリビニルピロリドン−酢
酸ビニル共重合体３．５％、トリス（ヒドロキシメチ
ル）アミノメタン２．０％及びフロラードＦＣ−４３０
（住友スリーエム（株）製）０．２５％の水溶液を用
い、図１に示すリソグラフィー工程に従ってレジストパ
ターンを形成した。まずケイ素ウエハーからなる基板１
にＴＨＭＲ−ｉＰ１８００（東京応化学工業（株）製、
ポジレジスト）をスピンコートしてレジスト層２を形成
し（図１（ａ））、次にレジス層２上に上記光脱色性材
料をスピンコートして光脱色性層３を形成し（図１
（ｂ））、縮小投影法によりＡ部分に選択的に３６５ｎ
ｍの紫外線４を露光した（図１（ｃ））。その後、光脱
色性層３を純水を用いて除去し、アルカリ現像液を用い
て現像を行ない、レジストパターン５を形成した（図１
（ｄ））。得られたレジストパターンはコントラストが
増強された０．３６μｍ解像のものであった。

【００４９】［実施例７］α−［ｐ−（ジエチルアミ
ノ）フェニル］−Ｎ−（２−メチル−４−カルボキシフ
ェニル）ニトロンの代わりにα−（ｐ−メトキシフェニ
ル）−Ｎ−（４−カルボキシフェニル）ニトロンを用い
る以外は実施例６と同様にして、レジストパターンを形
成したところ、得られたレジストパターンはコントラス
トが増強された０．４μｍ解像のものであった。

【００５０】［実施例８］光脱色性材料としてα−［ｐ
−（ジメチルアミノ）スチリル］−Ｎ−（２−メチル−
４−カルボキシフェニル）ニトロン４．５％、分子量約
３，０００で成分比６：４のポリビニルピロリドン、酢
酸ビニル共重合体３．５％、トリス（ヒドロキシメチ
ル）アミノメタン２．０％及びフロラードＦＣ−４３０
（住友スリーエム（株）製）０．２５％の純水−１−プ
ロパノール溶液（重量成分比６５：３５）を用いて実施
例５と同様にしてレジストパターンを形成したところ、
得られたレジストパターンはコントラストが増強された
０．５μｍ解像のものであった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光脱色性材料を用いたリソグラフィー
工程の一例を示す工程図である。

【図２】本発明の光脱色性材料を用いたリソグラフィー
工程の他の例を示す工程図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ ホトレジスト層 ３ 光脱色性層 ４ 紫外線 ５ レジストパターン ６ 介在層 ７ 光脱色性層

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成４年３月１６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１４】

【化５】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 健一 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で表されるアルカリ可
   溶性ニトロン化合物。 【化１】 （但し、式中Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³は互いに同一又は異種のア
   ルキル基、アリール基又は水素原子、Ｒ⁴乃至Ｒ⁸は互い
   に同一又は異種のアルキル基、水素原子又はカルボキシ
   基であるが、Ｒ⁴乃至Ｒ⁸の少なくとも１つはカルボキシ
   基である。ＸはＲ⁹Ｏ−で表されるアルコキシ基、Ｒ¹⁰
   Ｒ¹¹Ｎ−で表されるジアルキルアミノ基又は水素原子で
   あり、Ｒ⁹はアルキル基、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は互いに同一又
   は異種のアルキル基である。ｎは０，１又は２の値を有
   する。）
2. 【請求項２】 請求項１記載のアルカリ可溶性ニトロン
   化合物を含有する光脱色性材料。