JPH0520917B2 - - Google Patents
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- JPH0520917B2 JPH0520917B2 JP63204873A JP20487388A JPH0520917B2 JP H0520917 B2 JPH0520917 B2 JP H0520917B2 JP 63204873 A JP63204873 A JP 63204873A JP 20487388 A JP20487388 A JP 20487388A JP H0520917 B2 JPH0520917 B2 JP H0520917B2
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- Japan
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- hole
- plasma
- holes
- contaminants
- ions
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0055—After-treatment, e.g. cleaning or desmearing of holes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/09—Treatments involving charged particles
- H05K2203/095—Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
- H05K2203/105—Using an electrical field; Special methods of applying an electric potential
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/429—Plated through-holes specially for multilayer circuits, e.g. having connections to inner circuit layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
この発明は、穴、特に回路板及び回路カードに
設けた穴からの汚染物質の除去に関するものであ
る。この発明は特に、加工品を気体プラズマに当
てることによる、汚染物質の除去に関するもので
ある。この発明により、穴の外縁をオーバーエツ
チすることなく、穴の内部の所定位置の近傍か
ら、選択的に汚染物質を除去することができる。
設けた穴からの汚染物質の除去に関するものであ
る。この発明は特に、加工品を気体プラズマに当
てることによる、汚染物質の除去に関するもので
ある。この発明により、穴の外縁をオーバーエツ
チすることなく、穴の内部の所定位置の近傍か
ら、選択的に汚染物質を除去することができる。
Ｂ 従来技術及びその問題点
プリント回路板及びカードの製造の際、誘電体
シート材料が基板として用いられる。導電性の回
路パターンが、基板の主表面の片側または両側に
設けられる。
シート材料が基板として用いられる。導電性の回
路パターンが、基板の主表面の片側または両側に
設けられる。
多層カードまたはボードは、一般に多数の銅性
導体パターンの層を、誘電体プラスチツクの層で
分離して構成する。これらの構造は、積層技術に
より形成できる。
導体パターンの層を、誘電体プラスチツクの層で
分離して構成する。これらの構造は、積層技術に
より形成できる。
層間を電気的に接続するため、回路板及びボー
ドに「スルーホール」と称する穴を設けた後、銅
などの導電性コーテイングでメツキを行なう。
ドに「スルーホール」と称する穴を設けた後、銅
などの導電性コーテイングでメツキを行なう。
しかし、穴あけ工程中に、常にある量の汚染物
質が穴の内部及び縁部周辺に生じる。
質が穴の内部及び縁部周辺に生じる。
たとえば、エポキシ材料などから製造した誘電
体基板に穴をあけると、穴あけにより、いわゆる
「エポキシ・スミア」が穴の内部及び穴の縁部周
辺に生じる。したがつて、穴を電気メツキする前
に、汚染物質をできるだけ除去しなかればならな
い。このような汚染物質を除去するため、基板の
気体プラズマ処理を含めて各種の処理法が提案さ
れている。しかし、多くの気体プラズマ方式は、
穴の縁部近傍の汚染物質除去には効果的である
が、穴の内部、特に穴の中間面近傍の汚染物質除
去には、はるかに効果が薄いことがわかつてい
る。
体基板に穴をあけると、穴あけにより、いわゆる
「エポキシ・スミア」が穴の内部及び穴の縁部周
辺に生じる。したがつて、穴を電気メツキする前
に、汚染物質をできるだけ除去しなかればならな
い。このような汚染物質を除去するため、基板の
気体プラズマ処理を含めて各種の処理法が提案さ
れている。しかし、多くの気体プラズマ方式は、
穴の縁部近傍の汚染物質除去には効果的である
が、穴の内部、特に穴の中間面近傍の汚染物質除
去には、はるかに効果が薄いことがわかつてい
る。
穴の中間面とは、穴内部の銅の導体層が存在す
る位置を表わす。
る位置を表わす。
プラズマ・エツチングによつて穴から汚染物質
を除去する際の面倒な問題の１つは、穴の内部か
ら汚染物質を十分に除去するのに十分な時間エツ
チングを続けると、穴の外縁部がオーバーエツチ
されてしまうことである。これらの問題は、特に
アスペクト比の大きい穴を処理する場合に顕著で
ある。アスペクト比とは、穴の深さと直径の比で
ある。
を除去する際の面倒な問題の１つは、穴の内部か
ら汚染物質を十分に除去するのに十分な時間エツ
チングを続けると、穴の外縁部がオーバーエツチ
されてしまうことである。これらの問題は、特に
アスペクト比の大きい穴を処理する場合に顕著で
ある。アスペクト比とは、穴の深さと直径の比で
ある。
上述の問題は、この問題を解決するための１つ
の特定の方法とともに、米国特許第4654115号明
細書に開示されている。
の特定の方法とともに、米国特許第4654115号明
細書に開示されている。
この発明の目的は、穴から汚染物質を除去する
方法を提供することにある。
方法を提供することにある。
特に、この発明の目的は、気体プラズマ中でエ
ツチングを行なうことにより、穴の内部の所定位
置の近傍から汚染物質を選択的に除去する方法を
提供することにある。
ツチングを行なうことにより、穴の内部の所定位
置の近傍から汚染物質を選択的に除去する方法を
提供することにある。
Ｃ 問題点を解決するための手段
この発明によれば、シース電圧の値を選定また
は制御することにより、プラズマのイオンを、穴
の内部の予め選択または予め決定した位置の近傍
に接触するよう選択的に指向させることができる
ことが判明した。シース電圧とは、基板とプラズ
マの間の穴の外側に存在する電圧である。
は制御することにより、プラズマのイオンを、穴
の内部の予め選択または予め決定した位置の近傍
に接触するよう選択的に指向させることができる
ことが判明した。シース電圧とは、基板とプラズ
マの間の穴の外側に存在する電圧である。
Ｄ 実施例
この発明の方法は、穴からの汚染物質の除去に
関するもので、特に電子回路板及び回路カードで
用いられる誘電体基板に設けた穴から汚染物質を
除去する方法に関するものである。
関するもので、特に電子回路板及び回路カードで
用いられる誘電体基板に設けた穴から汚染物質を
除去する方法に関するものである。
この発明は特に、穴の中間面の近傍等穴の内部
の所定位置からの汚染物質の除去に関するもので
ある。回路板または回路カードの各種の層中にあ
る導体パターンとの十分な電気的接続を行なうた
め、穴内の中間面近傍から汚染物質を除去するこ
とは特に重要である。
の所定位置からの汚染物質の除去に関するもので
ある。回路板または回路カードの各種の層中にあ
る導体パターンとの十分な電気的接続を行なうた
め、穴内の中間面近傍から汚染物質を除去するこ
とは特に重要である。
熱可塑性及び熱硬化性樹脂製の基板を含めて各
種の誘電体基板に設けた穴が、この発明の方法に
よつて処理することができる。
種の誘電体基板に設けた穴が、この発明の方法に
よつて処理することができる。
代表的な熱硬化性重合体材料には、エポキシ樹
脂、フエノール系樹脂材料、ポリイミド類及びポ
リアミド類がある。誘電体材料は、ガラス繊維充
填エポキシ樹脂やフエノール系樹脂のように、充
填材または補強材あるいはその両方を含有する重
合体の成形品とすることができる。フエノール系
樹脂の例として、フエノール、レゾルシノール、
クレゾールの共重合体がある。適当な熱可塑性重
合体材料には、ポリプロピレン等のポリオレフイ
ン類、ポリスルホン類、ポリカーボネート類、ニ
トリル・ゴム、及びABC樹脂等がある。
脂、フエノール系樹脂材料、ポリイミド類及びポ
リアミド類がある。誘電体材料は、ガラス繊維充
填エポキシ樹脂やフエノール系樹脂のように、充
填材または補強材あるいはその両方を含有する重
合体の成形品とすることができる。フエノール系
樹脂の例として、フエノール、レゾルシノール、
クレゾールの共重合体がある。適当な熱可塑性重
合体材料には、ポリプロピレン等のポリオレフイ
ン類、ポリスルホン類、ポリカーボネート類、ニ
トリル・ゴム、及びABC樹脂等がある。
代表的なエポキシ樹脂には、ビスフエノールＡ
とエピクロロヒドリンを原料とするビスフエノー
ルＡ型樹脂、フエノール等のフエノール系材料と
ホルムアルデヒド等のアルデヒドを原料とするノ
ボラツク樹脂をエピクロロヒドリンでエポキシ化
した樹脂状材料、テトラグリシジルジアミノジフ
エニルメタン等の多官能性エポキシ樹脂、アジピ
ン酸ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロ
ヘキサメチル）等の脂環式エポキシ樹脂等があ
る。最も好ましいエポキシ樹脂はビスフエノール
Ａ型のものである。
とエピクロロヒドリンを原料とするビスフエノー
ルＡ型樹脂、フエノール等のフエノール系材料と
ホルムアルデヒド等のアルデヒドを原料とするノ
ボラツク樹脂をエピクロロヒドリンでエポキシ化
した樹脂状材料、テトラグリシジルジアミノジフ
エニルメタン等の多官能性エポキシ樹脂、アジピ
ン酸ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロ
ヘキサメチル）等の脂環式エポキシ樹脂等があ
る。最も好ましいエポキシ樹脂はビスフエノール
Ａ型のものである。
また、当技術分野で周知のように、樹脂状エポ
キシ組成物に反応促進剤及び硬化剤を含有させて
もよい。適当な硬化剤の例には、ポリアミン類、
第１、第２、第３アミン類、ポリアミド類、ポリ
スルホン類、ユリア・フエノール・ホルムアルデ
ヒド樹脂、酸及び酸無水物がある。また、適当な
硬化剤には、BF3やその錯塩等のルイス酸触媒が
ある。
キシ組成物に反応促進剤及び硬化剤を含有させて
もよい。適当な硬化剤の例には、ポリアミン類、
第１、第２、第３アミン類、ポリアミド類、ポリ
スルホン類、ユリア・フエノール・ホルムアルデ
ヒド樹脂、酸及び酸無水物がある。また、適当な
硬化剤には、BF3やその錯塩等のルイス酸触媒が
ある。
誘電体基板は、通常ガラス繊維等の充填剤また
は補強用繊維あるいはその両方を含有する。この
ような繊維類を含有する組成物は、通常繊維にエ
ポキシ樹脂組成物を含浸させて製造する。繊維と
配合するエポキシ組成物の量は、エポキシ組成物
とガラス繊維との固形分全量に対して通常約30な
いし約70重量％、好ましくは約55ないし約65重量
％である。
は補強用繊維あるいはその両方を含有する。この
ような繊維類を含有する組成物は、通常繊維にエ
ポキシ樹脂組成物を含浸させて製造する。繊維と
配合するエポキシ組成物の量は、エポキシ組成物
とガラス繊維との固形分全量に対して通常約30な
いし約70重量％、好ましくは約55ないし約65重量
％である。
組成物を補強用繊維と配合した後、Ｂ状態に硬
化し、一般にプリプレグと呼ばれているシート等
の、所要の形状に成形する。シートを用いる場合
は、厚みは通常約0.04ないし約0.2mm、好ましく
は約0.05ないし0.08mmとする。Ｂ状態への硬化
は、一般に約80℃ないし約110℃の温度で、約３
分ないし10分行なう。
化し、一般にプリプレグと呼ばれているシート等
の、所要の形状に成形する。シートを用いる場合
は、厚みは通常約0.04ないし約0.2mm、好ましく
は約0.05ないし0.08mmとする。Ｂ状態への硬化
は、一般に約80℃ないし約110℃の温度で、約３
分ないし10分行なう。
プリプレグを成形した後、約3.5ないし約55Kg
ｆ／cm2、通常約14ないし約35Kgｆ／cm2の圧力、約
150℃ないし約200℃の温度で、約30分ないし約５
時間という積層条件を用いて、銅または他の導電
材料を１層または２層以上のプリプレグに積層す
る。次に、周知の技術を用いて回路を導電層まで
エツチングし、回路ボードを製造することができ
る。多層板及びカードは、このような板を所要の
数だけ積層することにより製造する。
ｆ／cm2、通常約14ないし約35Kgｆ／cm2の圧力、約
150℃ないし約200℃の温度で、約30分ないし約５
時間という積層条件を用いて、銅または他の導電
材料を１層または２層以上のプリプレグに積層す
る。次に、周知の技術を用いて回路を導電層まで
エツチングし、回路ボードを製造することができ
る。多層板及びカードは、このような板を所要の
数だけ積層することにより製造する。
誘電体基板の両面上の回路を電気的に接続する
ため、誘電板基板にスルーホールを設けて、続い
て銅等の導体を設ける必要がある。これらのスル
ーホールは、穴あけ、打抜き等の機械的操作、ま
たはレーザ加工等の処理により、あけることがで
きる。しかし、穴の形成により、穴の内部及び穴
の縁部近傍の周囲に、一般に「スミア」と呼ばれ
る汚染物質が生じる。この汚染物質の大部分は基
板の誘導体材料からのもので、たとえば、誘電体
がエポキシ樹脂の場合、汚染物質の大部分はエポ
キシ・スミアである。
ため、誘電板基板にスルーホールを設けて、続い
て銅等の導体を設ける必要がある。これらのスル
ーホールは、穴あけ、打抜き等の機械的操作、ま
たはレーザ加工等の処理により、あけることがで
きる。しかし、穴の形成により、穴の内部及び穴
の縁部近傍の周囲に、一般に「スミア」と呼ばれ
る汚染物質が生じる。この汚染物質の大部分は基
板の誘導体材料からのもので、たとえば、誘電体
がエポキシ樹脂の場合、汚染物質の大部分はエポ
キシ・スミアである。
スルーホールを確実にメツキするには、汚染物
質をできるだけ多く除去することが不可欠であ
る。穴の内部の所定位置の近傍にある汚染物質
は、この発明の方法により選択的に除去すること
ができる。すなわち、気体プラズマ中でエツチン
グを行なうことにより、汚染物質を除去する。
質をできるだけ多く除去することが不可欠であ
る。穴の内部の所定位置の近傍にある汚染物質
は、この発明の方法により選択的に除去すること
ができる。すなわち、気体プラズマ中でエツチン
グを行なうことにより、汚染物質を除去する。
気体プラズマ中に置いた加工物に、プラズマに
対して負のバイアスを与える。このバイアスによ
り、加工物に正のイオンが衝突する。このことに
ついては、たとえば、チヤツプマン（Chapman）
著の“グロー放電加工（Glow Discharge
Processes）”、ウイリー（Wiley）社発行、に記
載されている。これらのイオンお穴の内部の所定
位置に接触させるために、この発明によれば、シ
ース電圧を適切に制御して、イオンが所定位置に
向かうための屈曲した経路を形成させる、この屈
曲した経路は、穴の軸と、中間面などの穴の内部
の所定位置との間に生じる放射状の電界に関係す
る。この電界は、下記の既知の式で表わされる。
対して負のバイアスを与える。このバイアスによ
り、加工物に正のイオンが衝突する。このことに
ついては、たとえば、チヤツプマン（Chapman）
著の“グロー放電加工（Glow Discharge
Processes）”、ウイリー（Wiley）社発行、に記
載されている。これらのイオンお穴の内部の所定
位置に接触させるために、この発明によれば、シ
ース電圧を適切に制御して、イオンが所定位置に
向かうための屈曲した経路を形成させる、この屈
曲した経路は、穴の軸と、中間面などの穴の内部
の所定位置との間に生じる放射状の電界に関係す
る。この電界は、下記の既知の式で表わされる。
Ｅ＝Ｑ／2πεpRL
この式で、Ｑは穴中のイオンの全電荷
εpは自由空間の誘電率
Ｒは穴の半径
Ｌは穴の長さである。
この電界Ｅによりイオンが曲がつて穴の内部の
壁面に向かう。
壁面に向かう。
この発明によれば、シース電圧を制御して、プ
ラズマのイオンが穴の内部の所定位置に接触する
ようにその方向を調節する。
ラズマのイオンが穴の内部の所定位置に接触する
ようにその方向を調節する。
イオンの速度（軸流速度）は、イオンが穴の内
部の所定位置を行き過ぎることも、そこに到達し
ないこともないようにしなければならない。たと
えば、イオンの軸流速度が大きすぎると、イオン
は所定位置の壁面に接触せずに、穴を通り抜けて
しまう。イオンの軸流速度が小さすぎると、イオ
ンは穴の入口近傍で穴の内部に接触する。
部の所定位置を行き過ぎることも、そこに到達し
ないこともないようにしなければならない。たと
えば、イオンの軸流速度が大きすぎると、イオン
は所定位置の壁面に接触せずに、穴を通り抜けて
しまう。イオンの軸流速度が小さすぎると、イオ
ンは穴の入口近傍で穴の内部に接触する。
シース電圧は、異なるいくつかの方法で制御す
ることができる。シース電圧を制御する方法に
は、プラズマへの高周波電力の制御、プラズマへ
の高周波電力の周波数の制御、系内に分離した独
立の電極を設けてこの電極に適当な電圧を印加す
る方法、プラズマに供給する高周波電力と回路板
またはカードに直接供給する高周波電力とのプラ
ズマ差を生成させる方法、回路板またはカードに
電極を設けて穴の内部の所定位置内に電力を発生
させる方法などがある。
ることができる。シース電圧を制御する方法に
は、プラズマへの高周波電力の制御、プラズマへ
の高周波電力の周波数の制御、系内に分離した独
立の電極を設けてこの電極に適当な電圧を印加す
る方法、プラズマに供給する高周波電力と回路板
またはカードに直接供給する高周波電力とのプラ
ズマ差を生成させる方法、回路板またはカードに
電極を設けて穴の内部の所定位置内に電力を発生
させる方法などがある。
どの方法を用いる場合も、当業者ならこの発明
の開示を知れば、特定の条件を求めて過度の実験
を行なわなくても、特定のシース電圧を選択する
ことができる。シース電圧、及びシース電圧の制
御については、たとえば、ケラー（Keller）等の
論文“高周波スパツタリング・システムの電気的
特性（Electrical Properties of RF Sputtering
Systems）”、IBMジヤーナル・オブ・リサーチ・
アンド・デイベロツプメント（IBM Journal of
Research and Development）、Vo1、23、
No.1、1979年１月発行、に記載されている。
の開示を知れば、特定の条件を求めて過度の実験
を行なわなくても、特定のシース電圧を選択する
ことができる。シース電圧、及びシース電圧の制
御については、たとえば、ケラー（Keller）等の
論文“高周波スパツタリング・システムの電気的
特性（Electrical Properties of RF Sputtering
Systems）”、IBMジヤーナル・オブ・リサーチ・
アンド・デイベロツプメント（IBM Journal of
Research and Development）、Vo1、23、
No.1、1979年１月発行、に記載されている。
シース電圧を制御することにより、穴の内部の
複数箇所をプラズマに接触させることができる。
そうするには、たとえば可変DC電圧源などを用
いて、ある所定位置から別の所定位置へ電圧を走
査し、それを最初の所定位置に対するある値か
ら、次の所定位置に対する次の値へ走査または変
更すればよい。
複数箇所をプラズマに接触させることができる。
そうするには、たとえば可変DC電圧源などを用
いて、ある所定位置から別の所定位置へ電圧を走
査し、それを最初の所定位置に対するある値か
ら、次の所定位置に対する次の値へ走査または変
更すればよい。
この発明の理解を容易にするため、図を参照し
て説明を行なう。１は基板で、穴２及び中間面
３，４を有する。基板１は、図ではプラズマ生成
装置の電極５上に配置されており、プラズマ生成
装置は可変直流電圧６に接続されている。プラズ
マの生成に際し、基板とプラズマの間に、矢印
８，８で示すように、シース電圧７が発生する。
直流電圧を変化させるなどの方法により、シース
電圧を適切に変化させると、プラズマのイオンを
まず中間面３に、次に中間面４に接触させること
ができる。
て説明を行なう。１は基板で、穴２及び中間面
３，４を有する。基板１は、図ではプラズマ生成
装置の電極５上に配置されており、プラズマ生成
装置は可変直流電圧６に接続されている。プラズ
マの生成に際し、基板とプラズマの間に、矢印
８，８で示すように、シース電圧７が発生する。
直流電圧を変化させるなどの方法により、シース
電圧を適切に変化させると、プラズマのイオンを
まず中間面３に、次に中間面４に接触させること
ができる。
この発明は特にアスペクト比が約３：１以上、
一般には約９：１以上というような比較的アスペ
クト比の高い穴の内部から汚染物質を除去するの
に有利である。
一般には約９：１以上というような比較的アスペ
クト比の高い穴の内部から汚染物質を除去するの
に有利である。
シース電圧は一般に約15Vないし約750V、通
常は約50Vないし約250Vとする。
常は約50Vないし約250Vとする。
気体プラズマは酸素含有気体及びフツ素化合物
から生成させる。この酸素含有気体とフツ素化合
物の相対量は、所定位置近傍の穴の内部から汚染
物質が除去できるように選定する。
から生成させる。この酸素含有気体とフツ素化合
物の相対量は、所定位置近傍の穴の内部から汚染
物質が除去できるように選定する。
好ましい酸素含有気体は酸素そのものである。
適当なフツ素化合物には、CF4、C2F6、CFCl3、
CF3Cl、SF6、CCl2F2、NF3等があるが、最も好
ましいフツ素化合物はCF4である。
適当なフツ素化合物には、CF4、C2F6、CFCl3、
CF3Cl、SF6、CCl2F2、NF3等があるが、最も好
ましいフツ素化合物はCF4である。
酸素含有気体とフツ素化合物の相対量は、使用
するフツ素化合物と誘電体基板材料の種類によつ
て変わる。しかし、この量は、最大エツチ速度と
各種原料気体の組成の関係を求めるだけで、過度
の実験を行なうことなく、容易に決定することが
できる。特定の条件に対してその量を決定すれ
ば、下記に説明するような範囲が使用できる。
するフツ素化合物と誘電体基板材料の種類によつ
て変わる。しかし、この量は、最大エツチ速度と
各種原料気体の組成の関係を求めるだけで、過度
の実験を行なうことなく、容易に決定することが
できる。特定の条件に対してその量を決定すれ
ば、下記に説明するような範囲が使用できる。
たとえば、フツ素化合物にCF4を用いた場合、
このエツチング工程で、エポキシ誘電体基板につ
いては、O2とCF4のモル比は60：40ないし90：10
が適当である。代表的なO2とCF4のモル比は70：
30である。一方、フツ素化合物としてSF6を使用
する同様の系では、O2／SF6のモル比は約95：５
ないし80：20である。
このエツチング工程で、エポキシ誘電体基板につ
いては、O2とCF4のモル比は60：40ないし90：10
が適当である。代表的なO2とCF4のモル比は70：
30である。一方、フツ素化合物としてSF6を使用
する同様の系では、O2／SF6のモル比は約95：５
ないし80：20である。
この方法におけるエツチング工程は、一般に約
５分ないし約45分、通常は約10分ないし25分で完
了し、一般に室温から誘電体基板の劣化温度まで
の温度、通常は約50℃ないし約130℃で行なう。
気体の滞留時間は、一般に約１秒ないし約５分、
通常は約１秒ないし約１分である。
５分ないし約45分、通常は約10分ないし25分で完
了し、一般に室温から誘電体基板の劣化温度まで
の温度、通常は約50℃ないし約130℃で行なう。
気体の滞留時間は、一般に約１秒ないし約５分、
通常は約１秒ないし約１分である。
使用する圧力は通常約0.1mmHgないし約0.5mm
Hgである。代表的な電力は、処理する誘電体基
板の主表面１cm2当たり約0.05Wないし約2Wであ
る。
Hgである。代表的な電力は、処理する誘電体基
板の主表面１cm2当たり約0.05Wないし約2Wであ
る。
この発明の方法を実施するのに適したプラズマ
反応器は市販されており、詳細に説明する必要は
ない。この発明の実施に適した市販の代表的なプ
ラズマ反応器は、ブランソン（Branson）社の
IPCパラレル・プレート・リアクタ（IPC
Parallel Plate Reactor）74−15型、コクサイ
（Koksai）社のインライン・プラズマ装置、アプ
ライド・プラズマ・システム（Applied Plasma
System）社のプラズマ反応器、及びテクニクス
（Technics）社のプラズマ反応器である。
反応器は市販されており、詳細に説明する必要は
ない。この発明の実施に適した市販の代表的なプ
ラズマ反応器は、ブランソン（Branson）社の
IPCパラレル・プレート・リアクタ（IPC
Parallel Plate Reactor）74−15型、コクサイ
（Koksai）社のインライン・プラズマ装置、アプ
ライド・プラズマ・システム（Applied Plasma
System）社のプラズマ反応器、及びテクニクス
（Technics）社のプラズマ反応器である。
Ｅ 発明の効果
この発明の方法は、穴の内部の所定位置からの
不要なエツチバツクまたはオーバーエツチングを
最小にして、穴の内部から汚染物を選択的にエツ
チングする方法を提供する。さらに、この発明に
よれば、工程全体の速度を高めることが可能にな
り、このため、産業上の利点が得られる。
不要なエツチバツクまたはオーバーエツチングを
最小にして、穴の内部から汚染物を選択的にエツ
チングする方法を提供する。さらに、この発明に
よれば、工程全体の速度を高めることが可能にな
り、このため、産業上の利点が得られる。
第１図は、スルーホール及びプラズマ近傍の概
略図である。 １……基盤、２……穴、３，４……中間面、５
……電極。
略図である。 １……基盤、２……穴、３，４……中間面、５
……電極。
Claims (1)
- １ 部材の穴の内部の予定領域から汚染物質を選
択的に除去するため、上記予定領域の近傍の上記
穴の内部に接触するようにプラズマのイオンを屈
曲指向させるため、シース電圧の値を制御して、
上記穴を気体プラズマ中でエツチングすることを
特徴とする部材の穴から汚染物質を除去する方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/114,941 US4853081A (en) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | Process for removing contaminant |
| US114941 | 1987-10-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01155682A JPH01155682A (ja) | 1989-06-19 |
| JPH0520917B2 true JPH0520917B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=22358380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63204873A Granted JPH01155682A (ja) | 1987-10-30 | 1988-08-19 | 汚染物質を徐去する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4853081A (ja) |
| EP (1) | EP0313855A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01155682A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03261138A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置のクリーニング方法およびクリーニング装置 |
| US5221425A (en) * | 1991-08-21 | 1993-06-22 | International Business Machines Corporation | Method for reducing foreign matter on a wafer etched in a reactive ion etching process |
| US5487810A (en) * | 1992-03-26 | 1996-01-30 | Bayer Ag | Process for pretreating surfaces of plastic items |
| US5498311A (en) * | 1994-06-15 | 1996-03-12 | Quatro Corporation | Process for manufacture of printed circuit boards |
| US5814155A (en) * | 1996-06-26 | 1998-09-29 | Vlsi Technology, Inc. | Plasma ashing enhancement |
| US5863447A (en) * | 1997-04-08 | 1999-01-26 | International Business Machines Corporation | Method for providing a selective reference layer isolation technique for the production of printed circuit boards |
| US7045020B2 (en) * | 2003-05-22 | 2006-05-16 | Applied Materials, Inc. | Cleaning a component of a process chamber |
| EP1570921A1 (de) * | 2004-03-02 | 2005-09-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Plasmareinigung eines Bauteils |
| GB2417251A (en) * | 2004-08-18 | 2006-02-22 | Nanofilm Technologies Int | Removing material from a substrate surface using plasma |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4012307A (en) * | 1975-12-05 | 1977-03-15 | General Dynamics Corporation | Method for conditioning drilled holes in multilayer wiring boards |
| US4162932A (en) * | 1977-10-26 | 1979-07-31 | Perstorp, Ab | Method for removing resin smear in through holes of printed circuit boards |
| US4328081A (en) * | 1980-02-25 | 1982-05-04 | Micro-Plate, Inc. | Plasma desmearing apparatus and method |
| US4425210A (en) * | 1980-11-04 | 1984-01-10 | Fazlin Fazal A | Plasma desmearing apparatus and method |
| US4392932A (en) * | 1981-11-12 | 1983-07-12 | Varian Associates, Inc. | Method for obtaining uniform etch by modulating bias on extension member around radio frequency etch table |
| EP0126171B1 (de) * | 1983-05-19 | 1987-01-07 | Ibm Deutschland Gmbh | Verfahren zur ganzflächigen Nacharbeitung von Mehrlagenschaltungen mit fehlerhaften äusseren Kupferleiterzügen |
| JPS59225525A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 反応性イオンビ−ムエツチング装置 |
| US4496420A (en) * | 1984-04-06 | 1985-01-29 | Bmc Industries, Inc. | Process for plasma desmear etching of printed circuit boards and apparatus used therein |
| US4544439A (en) * | 1984-07-26 | 1985-10-01 | International Business Machines Corporation | System for repairing electrical short circuits between parallel printed circuits |
| US4615763A (en) * | 1985-01-02 | 1986-10-07 | International Business Machines Corporation | Roughening surface of a substrate |
| JPS61241997A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | 株式会社日立製作所 | 多層プリント基板のスルホ−ルスミア除去方法 |
| US4599134A (en) * | 1985-06-10 | 1986-07-08 | Ibm Corporation | Plasma etching with tracer |
| US4667058A (en) * | 1985-07-01 | 1987-05-19 | Solarex Corporation | Method of fabricating electrically isolated photovoltaic modules arrayed on a substrate and product obtained thereby |
| EP0208012B1 (de) * | 1985-07-12 | 1991-09-25 | Ibm Deutschland Gmbh | Verfahren zum Herstellen von verschmierungsfreien Bohrungen |
| US4654115A (en) * | 1986-04-08 | 1987-03-31 | International Business Machines Corporation | Process for removing contaminant |
-
1987
- 1987-10-30 US US07/114,941 patent/US4853081A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-08-19 JP JP63204873A patent/JPH01155682A/ja active Granted
- 1988-09-30 EP EP19880116159 patent/EP0313855A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0313855A2 (en) | 1989-05-03 |
| EP0313855A3 (en) | 1990-10-10 |
| US4853081A (en) | 1989-08-01 |
| JPH01155682A (ja) | 1989-06-19 |
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