JPH05209719A - 走査型レーザ変位計 - Google Patents
走査型レーザ変位計Info
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- JPH05209719A JPH05209719A JP962292A JP962292A JPH05209719A JP H05209719 A JPH05209719 A JP H05209719A JP 962292 A JP962292 A JP 962292A JP 962292 A JP962292 A JP 962292A JP H05209719 A JPH05209719 A JP H05209719A
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- laser
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
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- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】走査型レーザ変位計で反射率変動や形状変化に
伴う光量変動の大きい対象物に対して、ほぼ一定の受光
量で安定して高いＳＩＮ比で高さを計測する。 【構成】一軸ステージを有する測定台１と、半導体レー
ザ２のレーザ光をビーム拡大器３、スキャナ４、ｆθレ
ンズ５および反射ミラー６とで走査する走査光学系と、
集光レンズ７，８と光位置検出素子９とで構成される受
光光学系と、光位置検出素子９の受光位置から高さを求
める高さ演算回路１１および光量データから半導体レー
ザ２のパワーを制御するパワー変調回路１２とで構成さ
れる信号処理回路１０とを備えている。 【効果】一走査前の光量データをもとに次の走査におけ
る半導体レーザのパワーを変調することにより、光量が
ランダムに変動する対象物に対してもほぼ一定の光量レ
ベルで安定して高精度で高さ測定できる。
伴う光量変動の大きい対象物に対して、ほぼ一定の受光
量で安定して高いＳＩＮ比で高さを計測する。 【構成】一軸ステージを有する測定台１と、半導体レー
ザ２のレーザ光をビーム拡大器３、スキャナ４、ｆθレ
ンズ５および反射ミラー６とで走査する走査光学系と、
集光レンズ７，８と光位置検出素子９とで構成される受
光光学系と、光位置検出素子９の受光位置から高さを求
める高さ演算回路１１および光量データから半導体レー
ザ２のパワーを制御するパワー変調回路１２とで構成さ
れる信号処理回路１０とを備えている。 【効果】一走査前の光量データをもとに次の走査におけ
る半導体レーザのパワーを変調することにより、光量が
ランダムに変動する対象物に対してもほぼ一定の光量レ
ベルで安定して高精度で高さ測定できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、走査型レーザ変位計に
関し、特に反射率変動の大きい測定物用の走査型レーザ
変位計に関する。
関し、特に反射率変動の大きい測定物用の走査型レーザ
変位計に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の走査型レーザ変位計は、図６に示
すように １．一軸ステージを有し測定対象物６１を裁置する測定
台５０ ２．レーザ５１と、このレーザ光のビーム径を所要のビ
ーム径に拡大するビーム拡大器５２と、レーザ光を測定
台１の送り方向６０と直交する方向に走査するためのガ
ルバノミラー５３と、ガルバノミラー５３で走査された
レーザ光を測定台５０の測定面上で所要のビーム径に収
束しかつ走査速度を一定にするｆθレンズ５４と、ｆθ
レンズ５４を通過したレーザ光を測定台５０の真上から
鉛直下方に走査軌跡が測定台５０の送り方向６０と直交
するように反射する反射ミラー５５とで構成される走査
光学系 ３．測定台５０の斜め上方から測定対象物６１からのレ
ーザ光の反射光を集光する集光レンズ５６と、集光レン
ズ５６を通過した光を走査方向に集光するシリンドリカ
ルレンズ５７と、集光レンズ５６とシリンドリカルレン
ズ５７の焦点位置に置かれ光を受光する光位置検出素子
５８とで構成される受光光学系 ４．走査同期検出手段（一般には２分割センサ等を走査
開始位置に設置）のトリガ一信号に同期し、一走査ごと
に所定のサンプリング時間で光位置検出素子５８の出力
を取り込み、受光位置から高さを求める高さ演算回路を
含む信号処理回路５９ とを備えている。
すように １．一軸ステージを有し測定対象物６１を裁置する測定
台５０ ２．レーザ５１と、このレーザ光のビーム径を所要のビ
ーム径に拡大するビーム拡大器５２と、レーザ光を測定
台１の送り方向６０と直交する方向に走査するためのガ
ルバノミラー５３と、ガルバノミラー５３で走査された
レーザ光を測定台５０の測定面上で所要のビーム径に収
束しかつ走査速度を一定にするｆθレンズ５４と、ｆθ
レンズ５４を通過したレーザ光を測定台５０の真上から
鉛直下方に走査軌跡が測定台５０の送り方向６０と直交
するように反射する反射ミラー５５とで構成される走査
光学系 ３．測定台５０の斜め上方から測定対象物６１からのレ
ーザ光の反射光を集光する集光レンズ５６と、集光レン
ズ５６を通過した光を走査方向に集光するシリンドリカ
ルレンズ５７と、集光レンズ５６とシリンドリカルレン
ズ５７の焦点位置に置かれ光を受光する光位置検出素子
５８とで構成される受光光学系 ４．走査同期検出手段（一般には２分割センサ等を走査
開始位置に設置）のトリガ一信号に同期し、一走査ごと
に所定のサンプリング時間で光位置検出素子５８の出力
を取り込み、受光位置から高さを求める高さ演算回路を
含む信号処理回路５９ とを備えている。
【０００３】図７は、高さ測定原理を説明するための平
面図である。測定対象物６１’に真上からレーザ光６３
を当て、レーザの入射方向から角度θ傾いた方向におけ
る測定対象物６１’の反射光を集光レンズ５６を介して
光位置検出素子５８で受光する。集光レンズ５６の倍率
をｍとすると、測定対象物６１’の高さｈと、光位置検
出素子５８上での変位量ｄとの関係は、ｈ＝ｄ／（ｍｓ
ｉｎθ）で与えられる。
面図である。測定対象物６１’に真上からレーザ光６３
を当て、レーザの入射方向から角度θ傾いた方向におけ
る測定対象物６１’の反射光を集光レンズ５６を介して
光位置検出素子５８で受光する。集光レンズ５６の倍率
をｍとすると、測定対象物６１’の高さｈと、光位置検
出素子５８上での変位量ｄとの関係は、ｈ＝ｄ／（ｍｓ
ｉｎθ）で与えられる。
【０００４】また、光位置検出素子５８上の変位量ｄは
光位置検出素子５８の受光量に比例する２つの出力Ａ，
Ｂを用いて（Ａ−Ｂ）／（Ａ＋Ｂ）の演算を行う高さ演
算回路６２により求まる。
光位置検出素子５８の受光量に比例する２つの出力Ａ，
Ｂを用いて（Ａ−Ｂ）／（Ａ＋Ｂ）の演算を行う高さ演
算回路６２により求まる。
【０００５】従って光位置検出素子５８の受光量が小さ
い場合には、微小出力で割算を行うためノイズの影響で
演算出力が大きくばらつき正確に高さを求めることがで
きない。一方、光位置検出素子５８の出力を増幅するア
ンプのゲインを上げると光量の大きい所で出力の飽和が
起こり正確な割算を行うことができない。
い場合には、微小出力で割算を行うためノイズの影響で
演算出力が大きくばらつき正確に高さを求めることがで
きない。一方、光位置検出素子５８の出力を増幅するア
ンプのゲインを上げると光量の大きい所で出力の飽和が
起こり正確な割算を行うことができない。
【０００６】以上の理由で、反射率変動の大きい測定物
の高さは、従来の走査型レーザ変位計では測定困難であ
る。
の高さは、従来の走査型レーザ変位計では測定困難であ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来の走査型レー
ザ変位計では、一定のレーザ光出力で走査しているため
測定対象物の反射率変動により光位置検出素子の受光量
がばらつき、安定して高いＳ／Ｎ比で高さを測定できな
いという問題点があった。
ザ変位計では、一定のレーザ光出力で走査しているため
測定対象物の反射率変動により光位置検出素子の受光量
がばらつき、安定して高いＳ／Ｎ比で高さを測定できな
いという問題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の走査型レーザ変
位計は、１．一軸ステージを有し測定対象物を載置する
測定台 ２．半導体レーザと、前記半導体レーザのビーム径を所
要のビーム径に拡大するビーム拡大器と、前記ビーム拡
大器で拡大されたレーザ光を前記測定台の送り方向と直
交する方向に走査するスキャナと、前記スキャナで走査
されたレーザ光を前記測定台の測定面上で所要のビーム
径に収束しかつ一定の走査速度で走査軌跡が前記測定台
の送り方向と直交するように配置されたｆθレンズとで
構成される走査光学系 ３．前記測定台の斜め上方から前記測定対象物からの反
射光を集光する集光レンズと、前記集光レンズで集光さ
れたレーザ光を焦点位置で受光する光位置検出素子とで
構成される受光光学系 ４．所定のサンプリング時間で前記光位置検出素子の出
力を取り込み、受光位置から高さを求める高さ演算回路
と、一走査前の前記光位置検出素子の受光量である光量
データＰ（ｉ）および前記半導体レーザの駆動電流であ
るＬＤ駆動電流データＩ（ｉ）をもとに基準光量をＰ
ｏ、前記半導体レーザのしきい電流値をＩｔｈとして
Ｉ’（ｉ）＝Ｐｏ／Ｐ（ｉ）×（Ｉ（ｉ）−Ｉｔｈ）＋
Ｉｔｈ（但し、Ｉ’（ｉ）は前記半導体レーザの許容駆
動電流以下）から求まるＬＤ駆動電流Ｉ’（ｉ）で前記
半導体レーザの出力をパワー変調する半導体レーザ変調
回路とで構成される信号処理回路 とを備える。
位計は、１．一軸ステージを有し測定対象物を載置する
測定台 ２．半導体レーザと、前記半導体レーザのビーム径を所
要のビーム径に拡大するビーム拡大器と、前記ビーム拡
大器で拡大されたレーザ光を前記測定台の送り方向と直
交する方向に走査するスキャナと、前記スキャナで走査
されたレーザ光を前記測定台の測定面上で所要のビーム
径に収束しかつ一定の走査速度で走査軌跡が前記測定台
の送り方向と直交するように配置されたｆθレンズとで
構成される走査光学系 ３．前記測定台の斜め上方から前記測定対象物からの反
射光を集光する集光レンズと、前記集光レンズで集光さ
れたレーザ光を焦点位置で受光する光位置検出素子とで
構成される受光光学系 ４．所定のサンプリング時間で前記光位置検出素子の出
力を取り込み、受光位置から高さを求める高さ演算回路
と、一走査前の前記光位置検出素子の受光量である光量
データＰ（ｉ）および前記半導体レーザの駆動電流であ
るＬＤ駆動電流データＩ（ｉ）をもとに基準光量をＰ
ｏ、前記半導体レーザのしきい電流値をＩｔｈとして
Ｉ’（ｉ）＝Ｐｏ／Ｐ（ｉ）×（Ｉ（ｉ）−Ｉｔｈ）＋
Ｉｔｈ（但し、Ｉ’（ｉ）は前記半導体レーザの許容駆
動電流以下）から求まるＬＤ駆動電流Ｉ’（ｉ）で前記
半導体レーザの出力をパワー変調する半導体レーザ変調
回路とで構成される信号処理回路 とを備える。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１０】図１は本発明の一実施例の斜視図である。
【００１１】１．一軸ステージを有する測定台１ ２．半導体レーザ２と、半導体レーザ２のビーム径を所
要のビーム径に拡大するビーム拡大器３と、レーザ光を
測定台１の送り方向１３と直交する方向に走査するため
のガルバノミラー４と、ガルバノミラー４で走査された
レーザ光を測定台１の測定面上で所要のビーム径に収束
しかつ走査速度を一定にするｆθレンズ５と、ｆθレン
ズ５を通過したレーザ光を測定台１の真上から鉛直下方
に走査軌跡が測定台１の送り方向１３と直交するように
反射する反射ミラー６とで構成される走査光学系 ３．測定台１の斜め上方から測定対象物１４からのレー
ザ光の反射光を集光する集光レンズ７と、集光レンズ７
を通過した光を走査方向に集光するシリンドリカルレン
ズ８と、集光レンズ７とシリンドリカルレンズ８の焦点
位置に置かれ光を受光する光位置検出素子９とで構成さ
れる受光光学系 ４．走査同期検出手段（一般には２分割センサ等を走査
開始位置に設置）のトリガ一信号に同期し、一走査ごと
に所定のサンプリング時間で光位置検出素子９の出力を
取り込み、受光位置から高さを求める高さ演算回路１１
と、一走査前の光量データをもとに次の走査における光
量レベルがほぼ一定になるように半導体レーザ２の出力
をパワー制御するパワー変調回路１２とで構成される信
号処理回路１０ とを備えている。
要のビーム径に拡大するビーム拡大器３と、レーザ光を
測定台１の送り方向１３と直交する方向に走査するため
のガルバノミラー４と、ガルバノミラー４で走査された
レーザ光を測定台１の測定面上で所要のビーム径に収束
しかつ走査速度を一定にするｆθレンズ５と、ｆθレン
ズ５を通過したレーザ光を測定台１の真上から鉛直下方
に走査軌跡が測定台１の送り方向１３と直交するように
反射する反射ミラー６とで構成される走査光学系 ３．測定台１の斜め上方から測定対象物１４からのレー
ザ光の反射光を集光する集光レンズ７と、集光レンズ７
を通過した光を走査方向に集光するシリンドリカルレン
ズ８と、集光レンズ７とシリンドリカルレンズ８の焦点
位置に置かれ光を受光する光位置検出素子９とで構成さ
れる受光光学系 ４．走査同期検出手段（一般には２分割センサ等を走査
開始位置に設置）のトリガ一信号に同期し、一走査ごと
に所定のサンプリング時間で光位置検出素子９の出力を
取り込み、受光位置から高さを求める高さ演算回路１１
と、一走査前の光量データをもとに次の走査における光
量レベルがほぼ一定になるように半導体レーザ２の出力
をパワー制御するパワー変調回路１２とで構成される信
号処理回路１０ とを備えている。
【００１２】図２は、図１におけるパワー変調回路１２
の構成を示すブロック図である。所定のサンプリング時
間で光位置検出素子９の受光量Ｐ（ｉ）を記憶する光量
メモリ回路１５と、所定のサンプリング時間で半導体レ
ーザ２の駆動電流Ｉ（ｉ）を記憶するＬＤ駆動電流メモ
リ回路１６と、各光量データＰ（ｉ）およびＬＤ駆動電
流Ｉ（ｉ）から基準光量をＰｏ、ＬＤのしきい電流値を
Ｉｔｈとして次の走査におけるＬＤ駆動電流Ｉ’（ｉ）
をＩ’（ｉ）＝Ｐｏ／Ｐ（ｉ）×（Ｉ（ｉ）−Ｉｔｈ）
＋Ｉｔｈ（但し、Ｉ’（ｉ）はＬＤの許容駆動電流以
下）として求めるＬＤ駆動電流演算回路１７と、ＬＤド
ライバ１８とを備えている。
の構成を示すブロック図である。所定のサンプリング時
間で光位置検出素子９の受光量Ｐ（ｉ）を記憶する光量
メモリ回路１５と、所定のサンプリング時間で半導体レ
ーザ２の駆動電流Ｉ（ｉ）を記憶するＬＤ駆動電流メモ
リ回路１６と、各光量データＰ（ｉ）およびＬＤ駆動電
流Ｉ（ｉ）から基準光量をＰｏ、ＬＤのしきい電流値を
Ｉｔｈとして次の走査におけるＬＤ駆動電流Ｉ’（ｉ）
をＩ’（ｉ）＝Ｐｏ／Ｐ（ｉ）×（Ｉ（ｉ）−Ｉｔｈ）
＋Ｉｔｈ（但し、Ｉ’（ｉ）はＬＤの許容駆動電流以
下）として求めるＬＤ駆動電流演算回路１７と、ＬＤド
ライバ１８とを備えている。
【００１３】図３，図４および図５はパワー変調回路１
２によるレーザパワー変調の一例を説明するための平面
図である。
２によるレーザパワー変調の一例を説明するための平面
図である。
【００１４】図３に示す走査位置２１におけるＩＣ１９
のリード２０の高さを測定するとする。図４（ａ），
（ｂ），（ｃ）はレーザのパワー変調を行わない場合の
半導体レーザ２の駆動電流（レーザ出力に比例）、光位
置検出素子９の受光量および高さ演算回路１１の出力の
特徴を表したものである。一般にリードエッジ部では受
光量が小さくなり、高さはリードエッジ部で極端に高く
なるか低くなる傾向を示す（図４では高くなる一例を表
示）。
のリード２０の高さを測定するとする。図４（ａ），
（ｂ），（ｃ）はレーザのパワー変調を行わない場合の
半導体レーザ２の駆動電流（レーザ出力に比例）、光位
置検出素子９の受光量および高さ演算回路１１の出力の
特徴を表したものである。一般にリードエッジ部では受
光量が小さくなり、高さはリードエッジ部で極端に高く
なるか低くなる傾向を示す（図４では高くなる一例を表
示）。
【００１５】図５（ａ），（ｂ），（ｃ）は光量データ
をもとにパワー変調した場合の特徴を表したものであ
る。一走査前の各走査位置における光量メモリ回路１５
から読み出した光量Ｐ（ｉ）と基準光量Ｐｏとの比をと
り、さらにＬＤ駆動電流メモリ回路１６に記憶した一走
査前の駆動電流Ｉ（ｉ）を用いてＰｏ／Ｐ（ｉ）×（Ｉ
（ｉ）−Ｉｔｈ）＋Ｉｔｈからレーザ駆動電流を求め
る。基準光量Ｐｏと等しい受光量箇所における駆動電流
は基準の駆動電流Ｉｏに等しいが、等しくない箇所の駆
動電流は上述の演算式に基づき駆動電流を増減する。ま
た光量が極端に少なく（演算結果）≧Ｉｍａｘ（ＬＤ許
容駆動電流の最大値）となる箇所はすべてＩｍａｘとす
る。この原理に基づき半導体レーザの駆動電流を変えパ
ワー変調をかけることにより、リード全体をほぼ一定の
光量レベルで計測でき、エッジ部の測定誤差を小さくで
きる。
をもとにパワー変調した場合の特徴を表したものであ
る。一走査前の各走査位置における光量メモリ回路１５
から読み出した光量Ｐ（ｉ）と基準光量Ｐｏとの比をと
り、さらにＬＤ駆動電流メモリ回路１６に記憶した一走
査前の駆動電流Ｉ（ｉ）を用いてＰｏ／Ｐ（ｉ）×（Ｉ
（ｉ）−Ｉｔｈ）＋Ｉｔｈからレーザ駆動電流を求め
る。基準光量Ｐｏと等しい受光量箇所における駆動電流
は基準の駆動電流Ｉｏに等しいが、等しくない箇所の駆
動電流は上述の演算式に基づき駆動電流を増減する。ま
た光量が極端に少なく（演算結果）≧Ｉｍａｘ（ＬＤ許
容駆動電流の最大値）となる箇所はすべてＩｍａｘとす
る。この原理に基づき半導体レーザの駆動電流を変えパ
ワー変調をかけることにより、リード全体をほぼ一定の
光量レベルで計測でき、エッジ部の測定誤差を小さくで
きる。
【００１６】以上のパワー変調原理に基づき、常に比較
的反射率パターンの似ている１走査前の光量データを基
に次の走査におけるレーザの出力を変調することにより
走査方向およびこれに直交する副走査方向にランダムに
反射率が変動する測定物に対してほぼ一定の光量レベル
で安定して高さを測定できる。
的反射率パターンの似ている１走査前の光量データを基
に次の走査におけるレーザの出力を変調することにより
走査方向およびこれに直交する副走査方向にランダムに
反射率が変動する測定物に対してほぼ一定の光量レベル
で安定して高さを測定できる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、一走査前
の光量データをもとに、それにほぼ反比例する駆動電流
パターンで次の走査における半導体レーザの出力をパワ
ー変調することにより、反射率がランダムに変動する測
定物もほぼ一定の光量レベルで安定して高精度で高さ測
定できるという効果を有する。
の光量データをもとに、それにほぼ反比例する駆動電流
パターンで次の走査における半導体レーザの出力をパワ
ー変調することにより、反射率がランダムに変動する測
定物もほぼ一定の光量レベルで安定して高精度で高さ測
定できるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】図１に示したパワー変調回路１２のブロック図
である。
である。
【図３】図１中の測定対象物１４の一例のＩＣ１９の部
分平面図である。
分平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれパワー変調を行わな
い場合の半導体レーザ２の駆動電流，光位置検出素子１
９の受光量および高さ演算回路１１の出力を示す図であ
る。
い場合の半導体レーザ２の駆動電流，光位置検出素子１
９の受光量および高さ演算回路１１の出力を示す図であ
る。
【図５】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれパワー変調を行った
場合の半導体レーザ２の駆動電流，光位置検出素子１９
の受光量および高さ演算回路１１の出力を示す図であ
る。
場合の半導体レーザ２の駆動電流，光位置検出素子１９
の受光量および高さ演算回路１１の出力を示す図であ
る。
【図６】従来の走査型レーザ変位計を示す斜視図であ
る。
る。
【図７】図６に示す走査型レーザ変位計の高さ測定原理
を説明する図である。
を説明する図である。
１，５０ 測定台 ２ 半導体レーザ ３，５２ ビーム拡大器 ４，５３ ガルバノミラー ５，５４ ｆθレンズ ６，５５ 反射ミラー ７，５６ 集光レンズ ８，５７ 集光レンズ ９，５８ 光位置検出素子 １０，５９ 信号処理回路 １１，６２ 高さ演算回路 １２ パワー変調回路 １３，６０ 送り方向 １４，６１，６１’ 測定対象物 １５ 光量メモリ回路 １６ ＬＤ駆動電流メモリ回路 １７ ＬＤ駆動電流演算回路 １８ ＬＤドライバ １９ ＩＣ ２０ リード ２１ 走査位置 ６３ レーザ光
Claims (1)
- 【請求項１】 １．一軸ステージを有し測定対象物を載
置する測定台 ２．半導体レーザと、前記半導体レーザのビーム径を所
要のビーム径に拡大するビーム拡大器と、前記ビーム拡
大器で拡大されたレーザ光を前記測定台の送り方向と直
交する方向に走査するスキャナと、前記スキャナで走査
されたレーザ光を前記測定台の測定面上で所要のビーム
径に収束しかつ一定の走査速度で走査軌跡が前記測定台
の送り方向と直交するように配置されたｆθレンズとで
構成される走査光学系 ３．前記測定台の斜め上方から前記測定対象物からの反
射光を集光する集光レンズと、前記集光レンズで集光さ
れたレーザ光を焦点位置で受光する光位置検出素子とで
構成される受光光学系 ４．所定のサンプリング時間で前記光位置検出素子の出
力を取り込み、受光位置から高さを求める高さ演算回路
と、一走査前の前記光位置検出素子の受光量である光量
データＰ（ｉ）および前記半導体レーザの駆動電流であ
るＬＤ駆動電流データＩ（ｉ）をもとに基準光量をＰ
ｏ、前記半導体レーザのしきい電流値をＩｔｈとして
Ｉ’（ｉ）＝Ｐｏ／Ｐ（ｉ）×（Ｉ（ｉ）−Ｉｔｈ）＋
Ｉｔｈ（但し、Ｉ’（ｉ）は前記半導体レーザの許容駆
動電流以下）から求まるＬＤ駆動電流Ｉ’（ｉ）で前記
半導体レーザの出力をパワー変調する半導体レーザ変調
回路とで構成される信号処理回路 とを備えることを特徴とする走査型レーザ変位計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP962292A JPH05209719A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 走査型レーザ変位計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP962292A JPH05209719A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 走査型レーザ変位計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05209719A true JPH05209719A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=11725372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP962292A Withdrawn JPH05209719A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 走査型レーザ変位計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05209719A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012122893A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Mitsutoyo Corp | 形状測定システム及び形状測定方法 |
| JP2015010959A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 三菱重工業株式会社 | 検査装置、検査方法及びプログラム |
| JP2016205884A (ja) * | 2015-04-17 | 2016-12-08 | 三菱電機株式会社 | レーザレーダ装置 |
-
1992
- 1992-01-23 JP JP962292A patent/JPH05209719A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012122893A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Mitsutoyo Corp | 形状測定システム及び形状測定方法 |
| JP2015010959A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 三菱重工業株式会社 | 検査装置、検査方法及びプログラム |
| JP2016205884A (ja) * | 2015-04-17 | 2016-12-08 | 三菱電機株式会社 | レーザレーダ装置 |
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