JPH0521003A - 電界放射型電極の形成方法 - Google Patents
電界放射型電極の形成方法Info
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- JPH0521003A JPH0521003A JP3172894A JP17289491A JPH0521003A JP H0521003 A JPH0521003 A JP H0521003A JP 3172894 A JP3172894 A JP 3172894A JP 17289491 A JP17289491 A JP 17289491A JP H0521003 A JPH0521003 A JP H0521003A
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- Japan
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- emitter
- tip
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Abstract
(57)【要約】
【目的】一度形成されたゲート層、エミッタチップの形
状を保ちつつ、ゲート層の形状を後処理によって修正す
ることができる電界放射型電極の形成方法を提供するに
ある。 【構成】電極部は十分にドープされたシリコンよりなる
導電性の基板２に、二酸化シリコンよりなる絶縁層３を
介して金属モリブデンよりなる導電性のゲート層４を積
層した積層体を有する。絶縁層３及びゲート層４を通し
て形成されて基板２の表面を露出させる放射孔５内には
金属モリブデンからなる円錐状のエミッタチップ１を形
成している。金属膜６は電極部全体を回転させながら、
斜め方向より蒸着されて形成されたものであり、放射孔
５の径を小さくし、またゲート層４と、エミッタチップ
１との距離を小さくする。
状を保ちつつ、ゲート層の形状を後処理によって修正す
ることができる電界放射型電極の形成方法を提供するに
ある。 【構成】電極部は十分にドープされたシリコンよりなる
導電性の基板２に、二酸化シリコンよりなる絶縁層３を
介して金属モリブデンよりなる導電性のゲート層４を積
層した積層体を有する。絶縁層３及びゲート層４を通し
て形成されて基板２の表面を露出させる放射孔５内には
金属モリブデンからなる円錐状のエミッタチップ１を形
成している。金属膜６は電極部全体を回転させながら、
斜め方向より蒸着されて形成されたものであり、放射孔
５の径を小さくし、またゲート層４と、エミッタチップ
１との距離を小さくする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電界放射型電極の形成
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は一次的に形成された電界放射型電
極を示しており、十分にドープされたシリコンよりなる
導電性の基板２に、二酸化シリコンよりなる絶縁層３を
介して金属モリブデンよりなる導電性のゲート層４を積
層した積層体を有し、絶縁層３及びゲート層４を通して
形成されて基板２の表面を露出させる放射孔５内に金属
モリブデンからなる円錐状のエミッタチップ１を形成し
ている。エミッタチップ１は電子線e - を放射孔５を通
してコレクタに向けて放射するようになっている。
極を示しており、十分にドープされたシリコンよりなる
導電性の基板２に、二酸化シリコンよりなる絶縁層３を
介して金属モリブデンよりなる導電性のゲート層４を積
層した積層体を有し、絶縁層３及びゲート層４を通して
形成されて基板２の表面を露出させる放射孔５内に金属
モリブデンからなる円錐状のエミッタチップ１を形成し
ている。エミッタチップ１は電子線e - を放射孔５を通
してコレクタに向けて放射するようになっている。
【０００３】ところでエミッタチップを形成する方法と
しては、SRI International(USA)のＤｒ．Spindt等によ
って提案されている方法が良く知られている。この方法
は基板２を形成するシリコンチップ上に斜め方向からの
蒸着を併用しながら金属モリブデンを主成分とするエミ
ッタチップを形成する方法である。
しては、SRI International(USA)のＤｒ．Spindt等によ
って提案されている方法が良く知られている。この方法
は基板２を形成するシリコンチップ上に斜め方向からの
蒸着を併用しながら金属モリブデンを主成分とするエミ
ッタチップを形成する方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記形成方法の場合斜
め蒸着は、アルミニュウムで行いその蒸着角度と蒸着速
度、また面に対して垂直方向から蒸着する金属モリブデ
ンの蒸着速度との制御によってコーンを形成するわけで
あるが、その蒸着方法は、それらの各要因の厳密な制御
が必要で、十分に均一にエミッタチップを形成すること
は難しいという問題があった。
め蒸着は、アルミニュウムで行いその蒸着角度と蒸着速
度、また面に対して垂直方向から蒸着する金属モリブデ
ンの蒸着速度との制御によってコーンを形成するわけで
あるが、その蒸着方法は、それらの各要因の厳密な制御
が必要で、十分に均一にエミッタチップを形成すること
は難しいという問題があった。
【０００５】特にこれらのエミッタチップの電子放射条
件を決定する大きな要因であるゲート層と、エミッタチ
ップとの距離と、放射孔の開口径はこの形成方法の条件
に大きく依存し、自由度が少なく、更に一度製作した電
極素子の特性を修正するための手段がなかった。本発明
は、上述の問題点に鑑みて為されたもので、その目的と
するところは一度形成されたゲート層、エミッタチップ
の形状を保ちつつ、ゲート層の形状を後処理によって修
正することができる電界放射型電極の形成方法を提供す
るにある。
件を決定する大きな要因であるゲート層と、エミッタチ
ップとの距離と、放射孔の開口径はこの形成方法の条件
に大きく依存し、自由度が少なく、更に一度製作した電
極素子の特性を修正するための手段がなかった。本発明
は、上述の問題点に鑑みて為されたもので、その目的と
するところは一度形成されたゲート層、エミッタチップ
の形状を保ちつつ、ゲート層の形状を後処理によって修
正することができる電界放射型電極の形成方法を提供す
るにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の目的を達
成するために、エミッタチップと、エミッタチップの先
端部を露出させる放射孔を有するとともにエミッタチッ
プに対して絶縁された形で配置されたゲート層とが真空
中に配設された電極部を有し、エミッタチップをゲート
層に対して負極としてショットキー効果が生じる程度の
電圧を印加することにより、エミッタチップから放射孔
を通して電子線を放射する電界放射型電極において、既
に形成された放射孔の中心軸に対して一定角度に傾斜さ
せた方向からゲート層の表面に金属膜を蒸着形成するこ
とを特徴とする。
成するために、エミッタチップと、エミッタチップの先
端部を露出させる放射孔を有するとともにエミッタチッ
プに対して絶縁された形で配置されたゲート層とが真空
中に配設された電極部を有し、エミッタチップをゲート
層に対して負極としてショットキー効果が生じる程度の
電圧を印加することにより、エミッタチップから放射孔
を通して電子線を放射する電界放射型電極において、既
に形成された放射孔の中心軸に対して一定角度に傾斜さ
せた方向からゲート層の表面に金属膜を蒸着形成するこ
とを特徴とする。
【０００７】
【作用】而して、本発明は既に形成された放射孔の中心
軸に対して一定角度に傾斜させた方向からゲート層の表
面に金属膜を蒸着形成するため、放射孔内に蒸着金属が
殆ど入り込むことなく、ゲート層の開口部である放射孔
の開口径を小さくすることができ、結果ゲート層とエミ
ッタチップとの距離を小さくすることができる。
軸に対して一定角度に傾斜させた方向からゲート層の表
面に金属膜を蒸着形成するため、放射孔内に蒸着金属が
殆ど入り込むことなく、ゲート層の開口部である放射孔
の開口径を小さくすることができ、結果ゲート層とエミ
ッタチップとの距離を小さくすることができる。
【０００８】そのため低電圧による高エミッションが得
ら、同時に電子放射開始電圧が低くなる電界放射型電極
を実現できるのである。また放射孔の開口径が小さくな
ると、エミッタチップ方向に加速されてくるイオンが、
エミッタチップの先端に衝突する確率が極めて小さくな
り、エミッタチップの寿命をも延ばすことができる。
ら、同時に電子放射開始電圧が低くなる電界放射型電極
を実現できるのである。また放射孔の開口径が小さくな
ると、エミッタチップ方向に加速されてくるイオンが、
エミッタチップの先端に衝突する確率が極めて小さくな
り、エミッタチップの寿命をも延ばすことができる。
【０００９】
【実施例】以下本発明を実施例により説明する。本発明
方法は、図４に示すように形成された電極を一次形成部
材とし、この一次形成部材を用いて２次加工を施すのも
のである。まず図２に示すようにゲート層４と、エミッ
タチップ１との間の距離Ｒは電解放射における電界強度
に大きく関係する。つまり電界強度はその距離Ｒに反比
例して大きくなり、電子放射におけるファウラーノルド
ハイムの式から電子の放射量もその電界に依存する。
方法は、図４に示すように形成された電極を一次形成部
材とし、この一次形成部材を用いて２次加工を施すのも
のである。まず図２に示すようにゲート層４と、エミッ
タチップ１との間の距離Ｒは電解放射における電界強度
に大きく関係する。つまり電界強度はその距離Ｒに反比
例して大きくなり、電子放射におけるファウラーノルド
ハイムの式から電子の放射量もその電界に依存する。
【００１０】従って、低電圧で多くのエミッションを得
ようとすれば、この距離Ｒの値が小さい方が望ましい。
また電界放射型電極のエミッタは使用環境中のガス圧
力、即ち真空状態に大きくその特性が左右される。それ
は放出した電子が大きなエネルギーをもって空気中のガ
スに衝突し、それがイオン化して逆にエミッタ自身に衝
突し、エミッタ自身を破壊することとなる。しかし図２
に示す、ベース層４の開口部つまり、放射孔５の開口径
Ｄを小さくして、電界分布を、エミッタチップ１の方向
に加速されてくるイオンの進行方向をエミッタチップ１
先端から離れる方向に向けるようにすることによりエミ
ッタチップ１先端に衝突する確率を小さくすることがで
きる。つまり放射孔５の径を小さくする方が望ましいの
である。
ようとすれば、この距離Ｒの値が小さい方が望ましい。
また電界放射型電極のエミッタは使用環境中のガス圧
力、即ち真空状態に大きくその特性が左右される。それ
は放出した電子が大きなエネルギーをもって空気中のガ
スに衝突し、それがイオン化して逆にエミッタ自身に衝
突し、エミッタ自身を破壊することとなる。しかし図２
に示す、ベース層４の開口部つまり、放射孔５の開口径
Ｄを小さくして、電界分布を、エミッタチップ１の方向
に加速されてくるイオンの進行方向をエミッタチップ１
先端から離れる方向に向けるようにすることによりエミ
ッタチップ１先端に衝突する確率を小さくすることがで
きる。つまり放射孔５の径を小さくする方が望ましいの
である。
【００１１】そこで、本実施例では既に形成されている
電極部に次のような角度θで斜め方向ｘから金属蒸着を
行った。つまり角度θはゲート層４の膜厚、放射孔５の
開口径より設定され、例えば図３に示すようにゲート層
４の膜厚が０．５μｍ、放射孔５の開口径が１．５μｍ
の場合はθ＝ｔａｎ-10.5/1.5 となる。而して図１に示
すように角度θで斜め蒸着を行うとともに図１に示すよ
うに電極部全体を回転させる。これにより蒸着金属は放
射孔５の開口より内部に殆ど入り込まず、ゲート層４表
面に金属膜６が形成される。
電極部に次のような角度θで斜め方向ｘから金属蒸着を
行った。つまり角度θはゲート層４の膜厚、放射孔５の
開口径より設定され、例えば図３に示すようにゲート層
４の膜厚が０．５μｍ、放射孔５の開口径が１．５μｍ
の場合はθ＝ｔａｎ-10.5/1.5 となる。而して図１に示
すように角度θで斜め蒸着を行うとともに図１に示すよ
うに電極部全体を回転させる。これにより蒸着金属は放
射孔５の開口より内部に殆ど入り込まず、ゲート層４表
面に金属膜６が形成される。
【００１２】尚実施例では金属モリブデンを電子ビーム
蒸着によって上記角度θで蒸着した。これにより、金属
蒸着後のゲート層４とエミッタチップ１との間距離Ｒａ
は蒸着前の距離Ｒより小さくなり、また金属蒸着後の放
射孔５の径Ｄａは蒸着前の径Ｄより小さくなる。
蒸着によって上記角度θで蒸着した。これにより、金属
蒸着後のゲート層４とエミッタチップ１との間距離Ｒａ
は蒸着前の距離Ｒより小さくなり、また金属蒸着後の放
射孔５の径Ｄａは蒸着前の径Ｄより小さくなる。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、エミッタチップと、エミッタ
チップの先端部を露出させる放射孔を有するとともにエ
ミッタチップに対して絶縁された形で配置されたゲート
層とが真空中に配設された電極部を有し、エミッタチッ
プをゲート層に対して負極としてショットキー効果が生
じる程度の電圧を印加することにより、エミッタチップ
から放射孔を通して電子線を放射する電界放射型電極に
おいて、既に形成された放射孔の中心軸に対して一定角
度に傾斜させた方向からゲート層の表面に金属膜を蒸着
形成するので、放射孔内に蒸着金属が殆ど入り込むこと
なく、ゲート層の開口部である放射孔の開口径を小さく
することができ、結果ゲート層とエミッタチップとの距
離を小さくすることができ、そのため低電圧による高エ
ミッションが得られ、同時に電子放射開始電圧を低くし
た電界放射型電極を実現でき、しかも放射孔の開口径が
小さくなるため、エミッタチップ方向に加速されてくる
イオンが、エミッタチップの先端に衝突する確率が極め
て小さくなり、エミッタチップの寿命をも延ばすことが
できるもので、一度形成されたゲート層、エミッタチッ
プの形状を保ちつつ、ゲート層の形状を後処理によって
修正することができるという効果がある。
チップの先端部を露出させる放射孔を有するとともにエ
ミッタチップに対して絶縁された形で配置されたゲート
層とが真空中に配設された電極部を有し、エミッタチッ
プをゲート層に対して負極としてショットキー効果が生
じる程度の電圧を印加することにより、エミッタチップ
から放射孔を通して電子線を放射する電界放射型電極に
おいて、既に形成された放射孔の中心軸に対して一定角
度に傾斜させた方向からゲート層の表面に金属膜を蒸着
形成するので、放射孔内に蒸着金属が殆ど入り込むこと
なく、ゲート層の開口部である放射孔の開口径を小さく
することができ、結果ゲート層とエミッタチップとの距
離を小さくすることができ、そのため低電圧による高エ
ミッションが得られ、同時に電子放射開始電圧を低くし
た電界放射型電極を実現でき、しかも放射孔の開口径が
小さくなるため、エミッタチップ方向に加速されてくる
イオンが、エミッタチップの先端に衝突する確率が極め
て小さくなり、エミッタチップの寿命をも延ばすことが
できるもので、一度形成されたゲート層、エミッタチッ
プの形状を保ちつつ、ゲート層の形状を後処理によって
修正することができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例方法による金属膜の蒸着形成
後の電極部の断面図である。
後の電極部の断面図である。
【図２】本発明の一実施例方法に用いる金属膜蒸着形成
前の電極部の断面図である。
前の電極部の断面図である。
【図３】本発明の一実施例方法の蒸着角度の説明図であ
る。
る。
【図４】電界放射型電極の従来例の断面図である。
１ エミッタチップ ２ 基板 ３ 絶縁層 ４ ゲート層 ５ 放射孔 ６ 金属膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年９月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の目的を達
成するために、エミッタチップと、エミッタチップの先
端部を露出させる放射孔を有するとともにエミッタチッ
プに対して絶縁された形で配置されたゲート層とが真空
中に配設された電極部を有し、エミッタチップをゲート
層に対して負極として電界放射効果が生じる程度の電圧
を印加することにより、エミッタチップから放射孔を通
して電子線を放射する電界放射型電極において、既に形
成された放射孔の中心軸に対して一定角度に傾斜させた
方向からゲート層の表面に金属膜を蒸着形成することを
特徴とする。
成するために、エミッタチップと、エミッタチップの先
端部を露出させる放射孔を有するとともにエミッタチッ
プに対して絶縁された形で配置されたゲート層とが真空
中に配設された電極部を有し、エミッタチップをゲート
層に対して負極として電界放射効果が生じる程度の電圧
を印加することにより、エミッタチップから放射孔を通
して電子線を放射する電界放射型電極において、既に形
成された放射孔の中心軸に対して一定角度に傾斜させた
方向からゲート層の表面に金属膜を蒸着形成することを
特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】そのため低電圧による高エミッションが得
られ、同時に電子放射開始電圧が低くなる電界放射型電
極を実現できるのである。また放射孔の開口径が小さく
なると、エミッタチップ方向に加速されてくるイオン
が、エミッタチップの先端に衝突する確率が極めて小さ
くなり、エミッタチップの寿命をも延ばすことができ
る。
られ、同時に電子放射開始電圧が低くなる電界放射型電
極を実現できるのである。また放射孔の開口径が小さく
なると、エミッタチップ方向に加速されてくるイオン
が、エミッタチップの先端に衝突する確率が極めて小さ
くなり、エミッタチップの寿命をも延ばすことができ
る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】従って、低電圧で多くのエミッションを得
ようとすれば、この距離Ｒの値が小さい方が望ましい。
また電界放射型電極のエミッタは使用環境中のガス圧
力、即ち真空状態に大きくその特性が左右される。それ
は放出した電子が大きなエネルギーをもって空気中のガ
スに衝突し、それがイオン化して逆にエミッタ自身に衝
突し、エミッタ自身を破壊することとなる。しかし図２
に示す、ゲート層４の開口部つまり、放射孔５の開口径
Ｄを小さくして、電界分布を、エミッタチップ１の方向
に加速されてくるイオンの進行方向をエミッタチップ１
先端から離れる方向に向けるようにすることによりエミ
ッタチップ１先端に衝突する確率を小さくすることがで
きる。つまり放射孔５の径を小さくする方が望ましいの
である。
ようとすれば、この距離Ｒの値が小さい方が望ましい。
また電界放射型電極のエミッタは使用環境中のガス圧
力、即ち真空状態に大きくその特性が左右される。それ
は放出した電子が大きなエネルギーをもって空気中のガ
スに衝突し、それがイオン化して逆にエミッタ自身に衝
突し、エミッタ自身を破壊することとなる。しかし図２
に示す、ゲート層４の開口部つまり、放射孔５の開口径
Ｄを小さくして、電界分布を、エミッタチップ１の方向
に加速されてくるイオンの進行方向をエミッタチップ１
先端から離れる方向に向けるようにすることによりエミ
ッタチップ１先端に衝突する確率を小さくすることがで
きる。つまり放射孔５の径を小さくする方が望ましいの
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】エミッタチップと、エミッタチップの先端
部を露出させる放射孔を有するとともにエミッタチップ
に対して絶縁された形で配置されたゲート層とが真空中
に配設された電極部を有し、エミッタチップをゲート層
に対して負極としてショットキー効果が生じる程度の電
圧を印加することにより、エミッタチップから放射孔を
通して電子線を放射する電界放射型電極において、既に
形成された放射孔の中心軸に対して一定角度に傾斜させ
た方向からゲート層の表面に金属膜を蒸着形成すること
を特徴とする電界放射型電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3172894A JPH0521003A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 電界放射型電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3172894A JPH0521003A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 電界放射型電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521003A true JPH0521003A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15950306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3172894A Withdrawn JPH0521003A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 電界放射型電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521003A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5378182A (en) * | 1993-07-22 | 1995-01-03 | Industrial Technology Research Institute | Self-aligned process for gated field emitters |
| US5831378A (en) * | 1992-02-14 | 1998-11-03 | Micron Technology, Inc. | Insulative barrier useful in field emission displays for reducing surface leakage |
| US6022256A (en) * | 1996-11-06 | 2000-02-08 | Micron Display Technology, Inc. | Field emission display and method of making same |
| CN107170657A (zh) * | 2017-05-15 | 2017-09-15 | 中国电子科技集团公司第十二研究所 | 一种无集成栅极尖锥阵列场发射阴极的制备方法 |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP3172894A patent/JPH0521003A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5831378A (en) * | 1992-02-14 | 1998-11-03 | Micron Technology, Inc. | Insulative barrier useful in field emission displays for reducing surface leakage |
| US6066507A (en) * | 1992-02-14 | 2000-05-23 | Micron Technology, Inc. | Method to form an insulative barrier useful in field emission displays for reducing surface leakage |
| US5378182A (en) * | 1993-07-22 | 1995-01-03 | Industrial Technology Research Institute | Self-aligned process for gated field emitters |
| US6022256A (en) * | 1996-11-06 | 2000-02-08 | Micron Display Technology, Inc. | Field emission display and method of making same |
| US6181060B1 (en) | 1996-11-06 | 2001-01-30 | Micron Technology, Inc. | Field emission display with plural dielectric layers |
| CN107170657A (zh) * | 2017-05-15 | 2017-09-15 | 中国电子科技集团公司第十二研究所 | 一种无集成栅极尖锥阵列场发射阴极的制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |