JPH052134B2 - - Google Patents
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- JPH052134B2 JPH052134B2 JP60043886A JP4388685A JPH052134B2 JP H052134 B2 JPH052134 B2 JP H052134B2 JP 60043886 A JP60043886 A JP 60043886A JP 4388685 A JP4388685 A JP 4388685A JP H052134 B2 JPH052134 B2 JP H052134B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- polydiacetylene
- bond
- optical
- recording
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
３−１ 産業上の利用分野
本発明は光記録媒体に関するものであり、光学
的外場を印加して情報を記録してなる光記録媒体
に関する。
的外場を印加して情報を記録してなる光記録媒体
に関する。
３−２ 従来技術
光学的性質の変化を利用する光記録媒体には、
一般に次のような性質が要求される。(i)記録に要
するエネルギーが小さく、高速にできること、(ii)
高密度に記録ができること、(ii)記録部と未記録部
の光学的コントラストが大きいこと、(iv)書換がで
きること、(v)媒体が安定で長時間の保存や使用に
耐えること、(vi)毒性や危険性のないこと、などで
ある。
一般に次のような性質が要求される。(i)記録に要
するエネルギーが小さく、高速にできること、(ii)
高密度に記録ができること、(ii)記録部と未記録部
の光学的コントラストが大きいこと、(iv)書換がで
きること、(v)媒体が安定で長時間の保存や使用に
耐えること、(vi)毒性や危険性のないこと、などで
ある。
現在までに検討されている光記録媒体には次の
ようなものがある。(i)Te、Seなどの低融点金属
及びそれらの合金薄膜(ii)TeOxなどの金属化合物
薄膜(iii)フルオレセイン、シアニンなどの染料・色
素等の有機薄膜(iv)フオトクロミツク化合物薄膜な
どである。
ようなものがある。(i)Te、Seなどの低融点金属
及びそれらの合金薄膜(ii)TeOxなどの金属化合物
薄膜(iii)フルオレセイン、シアニンなどの染料・色
素等の有機薄膜(iv)フオトクロミツク化合物薄膜な
どである。
有機物系においては有機色素を用いるヒートモ
ード型、あるいはフオトクロミツク化合物を用い
るホトンモード型のものなど多数提案されてい
る。しかしながら、感度が不充分であり、コント
ラストも小さくＳ／Ｎ比を向上させることも困難
であり、また記録後の安定性を欠くなどの欠点を
有し実用上満足しうるものではない。非有機物系
においても多数提案されているが、その中でTe
−Ｃ、TeOxなどのTe系化合物を用いる追記型
光デイスクメモリの実用化が開始されている。さ
らに最近ではTeOxの結晶・非晶間の相転移を利
用するなどの書換型光デイスクメモリの開発も活
発である。
ード型、あるいはフオトクロミツク化合物を用い
るホトンモード型のものなど多数提案されてい
る。しかしながら、感度が不充分であり、コント
ラストも小さくＳ／Ｎ比を向上させることも困難
であり、また記録後の安定性を欠くなどの欠点を
有し実用上満足しうるものではない。非有機物系
においても多数提案されているが、その中でTe
−Ｃ、TeOxなどのTe系化合物を用いる追記型
光デイスクメモリの実用化が開始されている。さ
らに最近ではTeOxの結晶・非晶間の相転移を利
用するなどの書換型光デイスクメモリの開発も活
発である。
しかしながら、例えばTeOxの結晶・非晶間の
相転移を利用する場合、未記録部の反射率は約15
〜20％で、記録部は約30〜40％である。その差は
約15〜20％であり充分とはいえない。またこのよ
うな相転移を利用する場合には記録の高速化には
限界がある。さらにTe系媒体は毒性に関し問題
があり、低毒化・無毒化が望まれる。
相転移を利用する場合、未記録部の反射率は約15
〜20％で、記録部は約30〜40％である。その差は
約15〜20％であり充分とはいえない。またこのよ
うな相転移を利用する場合には記録の高速化には
限界がある。さらにTe系媒体は毒性に関し問題
があり、低毒化・無毒化が望まれる。
今後は、上述の(i)〜(v)の性質を飛躍的に向上さ
せた媒体を開発し、いつそうの大容量化、記録の
高速化、Ｓ／Ｎ比の本質的向上によるエラー率の
減少などが強く望まれる。
せた媒体を開発し、いつそうの大容量化、記録の
高速化、Ｓ／Ｎ比の本質的向上によるエラー率の
減少などが強く望まれる。
３−３ 目的
光学的外場を印加により高速に高密度に情報を
記録してなる記録部と未記録部の光学的コントラ
ストの大きい有機系光記録媒体を提供することを
目的とする。本発明においては光記録とは記録さ
れた情報を光学的に読み取ることを総称する。従
つて、光記録媒体とは、光学的読み取りが可能な
状態に記録された媒体を意味する。
記録してなる記録部と未記録部の光学的コントラ
ストの大きい有機系光記録媒体を提供することを
目的とする。本発明においては光記録とは記録さ
れた情報を光学的に読み取ることを総称する。従
つて、光記録媒体とは、光学的読み取りが可能な
状態に記録された媒体を意味する。
３−４ 発明の具体的説明
本発明者らは鋭意技術的検討を行つた結果、ポ
リジアセチレンの光学的外場の印加による主鎖構
造の変化を利用して情報を記録しうることを見い
出し本発明に至つた。本発明でいうポリジアセチ
レンの主鎖構造には、Ａ型結合とＢ型結合があ
り、Ａ型結合はアセチレン結合、Ｂ型結合はブタ
トリエン型結合であると推定され（第１図参照）、
各型には夫々平面型と非平面型の立体配置があ
る。
リジアセチレンの光学的外場の印加による主鎖構
造の変化を利用して情報を記録しうることを見い
出し本発明に至つた。本発明でいうポリジアセチ
レンの主鎖構造には、Ａ型結合とＢ型結合があ
り、Ａ型結合はアセチレン結合、Ｂ型結合はブタ
トリエン型結合であると推定され（第１図参照）、
各型には夫々平面型と非平面型の立体配置があ
る。
本発明は、Ａ型結合とＢ型結合間の構造変化を
主体とし、これに平面、非平面が加わつて光記録
が生じるものと推定される。
主体とし、これに平面、非平面が加わつて光記録
が生じるものと推定される。
なお、本光記録媒体は、読み取りの他、追記
型、及び書換型として利用できるものも得ること
ができる。
型、及び書換型として利用できるものも得ること
ができる。
以下第一にポリジアセチレン、第二にポリジア
セチレン薄膜、第三に主鎖構造の変化、第四に吸
収スペクトル及び反射スペクトル、第五に外場印
加、第六に記録・再生・消去について具体的に説
明する。
セチレン薄膜、第三に主鎖構造の変化、第四に吸
収スペクトル及び反射スペクトル、第五に外場印
加、第六に記録・再生・消去について具体的に説
明する。
３−４−１ ポリジアセチレン
本発明に用いるポリジアセチレンは、ジアセチ
レンモノマーの重合体であつて、外場の印加によ
り主鎖構造にＡ型結合とＢ型結合間の変化を生じ
させ得るものであれば特に限定するものではな
い。ただし、ジアセチレンモノマーとは共役ジア
セチレン結合を有する化合物の総称であつて、そ
の各種誘導体を含む。
レンモノマーの重合体であつて、外場の印加によ
り主鎖構造にＡ型結合とＢ型結合間の変化を生じ
させ得るものであれば特に限定するものではな
い。ただし、ジアセチレンモノマーとは共役ジア
セチレン結合を有する化合物の総称であつて、そ
の各種誘導体を含む。
好ましいポリジアセチレンは、カルボン酸、ス
ルホン酸などの酸類及びこれらのエステル、アミ
ド並びに塩類、アルコール類及びこれらのカルボ
ン酸、スルホン酸、スルフイン酸、イソシアン酸
並びにカルバミン酸等のエステル類を側鎖に有す
るジアセチレンモノマーの重合体である。例えば
一般式が次のように表されるジアセチレンモノマ
ーの重合体を用いることができる。
ルホン酸などの酸類及びこれらのエステル、アミ
ド並びに塩類、アルコール類及びこれらのカルボ
ン酸、スルホン酸、スルフイン酸、イソシアン酸
並びにカルバミン酸等のエステル類を側鎖に有す
るジアセチレンモノマーの重合体である。例えば
一般式が次のように表されるジアセチレンモノマ
ーの重合体を用いることができる。
CH3（CH2）n-1−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（CH2）
nCOOH RNHOCO（CH2）n−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（CH2）
nOCONHR RSO3O（OH2）n−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（CH2）
nOSO2R （置換基Ｒは特に限定するものではない） 本発明に用いるポリジアセチレンは必要に応じ
て二種以上のジアセチレンモノマーの共重合体、
あるいは二種以上のポリジアセチレンの混合物で
あつてもよい。さらにポリジアセチレンと低分子
量または高分子量の有機物との混合物であつても
よい。
nCOOH RNHOCO（CH2）n−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（CH2）
nOCONHR RSO3O（OH2）n−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（CH2）
nOSO2R （置換基Ｒは特に限定するものではない） 本発明に用いるポリジアセチレンは必要に応じ
て二種以上のジアセチレンモノマーの共重合体、
あるいは二種以上のポリジアセチレンの混合物で
あつてもよい。さらにポリジアセチレンと低分子
量または高分子量の有機物との混合物であつても
よい。
３−４−２ ポリジアセチレン薄膜
本発明に用いるポリジアセチレン薄膜は次の方
法で形成する。第一にジアセチレンモノマーを真
空蒸着法溶液塗布法などにより基板上に薄膜を形
成し、熱、光、ガンマ線等で重合する。膜厚は特
に限定するものではないが、通常100Å〜10μｍ
である。
法で形成する。第一にジアセチレンモノマーを真
空蒸着法溶液塗布法などにより基板上に薄膜を形
成し、熱、光、ガンマ線等で重合する。膜厚は特
に限定するものではないが、通常100Å〜10μｍ
である。
基板としては、所望の光源の光波特性に適した
透明性を有するものが感度の向上をはかるうえで
好ましい。この際、入射光の約90％以上の透過率
を一応の透明性の目安とすることができる。かか
る基板としてはガラスなどの無機材料またはポリ
エステル、ポリプロピレン、ポリカーボネート、
ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、ポ
リメチルメタクレートなどのポリマーあるいはこ
れらの変成ポリマー、コポリマー、ブレンド物な
どの有機材料からなる円板状、テープ状、フイル
ム状またはシート状などをあげることができる。
一方基板の反対側から情報記録光を入射させて記
録する場合には、上記の透明基板の外に、その無
機材料または有機材料に色素、染料、顔料、強化
剤などを添加した円板状、テープ状、フイルム状
またはシート状など、あるいはアルミニウム合金
などの金属板を基板として用いることができる。
透明性を有するものが感度の向上をはかるうえで
好ましい。この際、入射光の約90％以上の透過率
を一応の透明性の目安とすることができる。かか
る基板としてはガラスなどの無機材料またはポリ
エステル、ポリプロピレン、ポリカーボネート、
ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、ポ
リメチルメタクレートなどのポリマーあるいはこ
れらの変成ポリマー、コポリマー、ブレンド物な
どの有機材料からなる円板状、テープ状、フイル
ム状またはシート状などをあげることができる。
一方基板の反対側から情報記録光を入射させて記
録する場合には、上記の透明基板の外に、その無
機材料または有機材料に色素、染料、顔料、強化
剤などを添加した円板状、テープ状、フイルム状
またはシート状など、あるいはアルミニウム合金
などの金属板を基板として用いることができる。
真空蒸着は、一般的な方法に準拠し次のように
行う。ジアセチレンモノマーをＷ、Mo、Taなど
のコイルあるいはボートで直接加熱して蒸発させ
るか、石英、アルミナ、ベリリアなどのルツボ中
で間接加熱して蒸発させる。この時、加熱法とし
て抵抗加熱、高周波加熱などを用いて、ジアセチ
レンモノマーの特性により選定される温度、通常
は融点以上に加熱する。また圧力は通常10-3torr
以下とする。
行う。ジアセチレンモノマーをＷ、Mo、Taなど
のコイルあるいはボートで直接加熱して蒸発させ
るか、石英、アルミナ、ベリリアなどのルツボ中
で間接加熱して蒸発させる。この時、加熱法とし
て抵抗加熱、高周波加熱などを用いて、ジアセチ
レンモノマーの特性により選定される温度、通常
は融点以上に加熱する。また圧力は通常10-3torr
以下とする。
ジアセチレンモノマーの溶液からスプレー法、
スピンナー法等により基板へ塗布する。この時用
いる溶媒、濃度は特に限定するものではない。薄
膜の均一性を考慮すると溶解度の高い溶媒を用い
るのが望ましく、代表的なものとしてはアセト
ン、メチルエチルケトンのごときケトン類、クロ
ロホルム、塩化メチレンのごときハロゲン化合
物、酢酸エチルのごときエステル類、ジメチルア
セトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
−２ピロリドンのごときアミド類、アセトニトリ
ルのごときニトリル類である。
スピンナー法等により基板へ塗布する。この時用
いる溶媒、濃度は特に限定するものではない。薄
膜の均一性を考慮すると溶解度の高い溶媒を用い
るのが望ましく、代表的なものとしてはアセト
ン、メチルエチルケトンのごときケトン類、クロ
ロホルム、塩化メチレンのごときハロゲン化合
物、酢酸エチルのごときエステル類、ジメチルア
セトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
−２ピロリドンのごときアミド類、アセトニトリ
ルのごときニトリル類である。
本発明のポリジアセチレン薄膜に保護層を設け
たり、二枚貼り合わせたりする公知の技術の適用
は可能である。
たり、二枚貼り合わせたりする公知の技術の適用
は可能である。
３−４−３ 主鎖構造の変化
ポリジアセチレンの主鎖構造にはＡ型結合とＢ
型結合などの結合構造（第１図）があり、さらに
これらに対応して平面型と非平面型などの立体配
置の存在が推定される。またはこれらの主鎖構造
はブルー型、レツド型またはイエロー型などと呼
ばれることもある。これらの主鎖構造は吸収スペ
クトル、反射スペクトル、共鳴ラマンスペクト
ル、Ｘ線回折などによつて固定される（Gregory
J.Exarhosetal、J.A.C.S.、98 481（1976））。
型結合などの結合構造（第１図）があり、さらに
これらに対応して平面型と非平面型などの立体配
置の存在が推定される。またはこれらの主鎖構造
はブルー型、レツド型またはイエロー型などと呼
ばれることもある。これらの主鎖構造は吸収スペ
クトル、反射スペクトル、共鳴ラマンスペクト
ル、Ｘ線回折などによつて固定される（Gregory
J.Exarhosetal、J.A.C.S.、98 481（1976））。
従来、Ａ型結合とＢ型結合間の変化について
は、TCDU（ポリ（５，７−ドデカジイン−１，
12−ジオール−ビス・フエニル・ウレタン）単結
晶 が応力に誘起されてＢ型結合よりＡ型結合への変
化が生じること（H.Mu‥ller et al.、Mol.
Cryst.Liq.Cryst.、45、313（1978））、ETCD（ポリ
（５，７−ドデカジイン−１，12−ジオールビ
ス・エチル・ウレタン）単結晶（側鎖＝−
（CH2）4−OCONH−C2H5）が約70℃以下でＡ型
結合を、約120℃以上でＢ型結合を有し、その中
間温度でヒステレシスを有するサーモクロニズム
を示すこと（R.R.Chance et al.、J.Chem.
Phys.、67、3616（1977））などが報告されている。
は、TCDU（ポリ（５，７−ドデカジイン−１，
12−ジオール−ビス・フエニル・ウレタン）単結
晶 が応力に誘起されてＢ型結合よりＡ型結合への変
化が生じること（H.Mu‥ller et al.、Mol.
Cryst.Liq.Cryst.、45、313（1978））、ETCD（ポリ
（５，７−ドデカジイン−１，12−ジオールビ
ス・エチル・ウレタン）単結晶（側鎖＝−
（CH2）4−OCONH−C2H5）が約70℃以下でＡ型
結合を、約120℃以上でＢ型結合を有し、その中
間温度でヒステレシスを有するサーモクロニズム
を示すこと（R.R.Chance et al.、J.Chem.
Phys.、67、3616（1977））などが報告されている。
本発明はポリジアセチレン薄膜に局部的に光学
的外場を印加し、主鎖構造の変化、例えばＡ型結
合とＢ型結合間に変化を生じせしめて情報の記録
を行つてなる光記録媒体に係る。
的外場を印加し、主鎖構造の変化、例えばＡ型結
合とＢ型結合間に変化を生じせしめて情報の記録
を行つてなる光記録媒体に係る。
本発明においては、この主鎖構造の変化の程度
を印加外場の制御により変えることもできる。例
えばＡ型結合とＢ型結合間の変化の程度は照射す
る光学的エネルギーの制御によつて変えることが
できる。（第６図、第７図）この制御法を利用す
れば、１ビツト内において例えばＡ型結合とＢ型
結合とを“０”“１”に対応させる通常の一次元
記録の他に、さらに多次元記録も可能である。例
えばＡ型結合、Ａ−Ｂ型混合結合（ｎ個）とＢ型
結合とのｎ＋２個の結合状態を“ｎ＋２個の配
列”に対応させるような多次元記録も可能であ
る。ｎ＝２の場合にはＡ型結合、Ａ−Ｂ型混合結
合(1)、Ａ−Ｂ型混合結合(2)及びＢ型結合を用いて
４進法表記することができる。
を印加外場の制御により変えることもできる。例
えばＡ型結合とＢ型結合間の変化の程度は照射す
る光学的エネルギーの制御によつて変えることが
できる。（第６図、第７図）この制御法を利用す
れば、１ビツト内において例えばＡ型結合とＢ型
結合とを“０”“１”に対応させる通常の一次元
記録の他に、さらに多次元記録も可能である。例
えばＡ型結合、Ａ−Ｂ型混合結合（ｎ個）とＢ型
結合とのｎ＋２個の結合状態を“ｎ＋２個の配
列”に対応させるような多次元記録も可能であ
る。ｎ＝２の場合にはＡ型結合、Ａ−Ｂ型混合結
合(1)、Ａ−Ｂ型混合結合(2)及びＢ型結合を用いて
４進法表記することができる。
なお、多次元性を利用して書き換えを行うこと
もできる。例えば上記のｎ＝２の場合、Ａ型結
合、Ａ−Ｂ型混合結合(1)を“０”“１”に当てて
２進法記録を行い、書き換えは書き換え部分全体
をＡ型結合、Ａ−Ｂ型混合結合(1)又はＡ−Ｂ型混
合結合(2)とした後にＡ−Ｂ型混合結合(2)又はＢ型
結合で再度書き込みを行うことができる。
もできる。例えば上記のｎ＝２の場合、Ａ型結
合、Ａ−Ｂ型混合結合(1)を“０”“１”に当てて
２進法記録を行い、書き換えは書き換え部分全体
をＡ型結合、Ａ−Ｂ型混合結合(1)又はＡ−Ｂ型混
合結合(2)とした後にＡ−Ｂ型混合結合(2)又はＢ型
結合で再度書き込みを行うことができる。
ポリジアセチレンのＡ型結合とＢ型結合間の変
化を例にとつて記録の機構を説明する。
化を例にとつて記録の機構を説明する。
ポリジアセチレンのＡ型結合とＢ型結合に関す
るポテンシヤルエネルギー曲線は第２図イのよう
に想定できる。図中の曲線ｇは基低状態を、曲線
ａ及びｂは電子励起状態を、ΔEa及びΔEbはそれ
ぞれｇ→ａ、ｇ→ｂへの励起エネルギーを、ΔEA
＊及びΔEB *はそれぞれＡ→Ｂ、Ｂ→Ａへの変化の
活性化エネルギーを表わす。
るポテンシヤルエネルギー曲線は第２図イのよう
に想定できる。図中の曲線ｇは基低状態を、曲線
ａ及びｂは電子励起状態を、ΔEa及びΔEbはそれ
ぞれｇ→ａ、ｇ→ｂへの励起エネルギーを、ΔEA
＊及びΔEB *はそれぞれＡ→Ｂ、Ｂ→Ａへの変化の
活性化エネルギーを表わす。
使用温度（記録の保存、再生を行うときの光記
録媒体の温度を云う。Ａ型結合とＢ型結合間の変
化が起きるエネルギー照射部位の温度は一般的に
使用温度より高い）にて安定にＡ型結合を有する
ポリジアセチレンに、ΔEbのエネルギーを有する
光を照射するとｇ状態よりｂ状態へ励起する。曲
線ｂに沿つて振動緩和しつつｂ状態におけるＢ型
結合に達する。次に再びｇ状態に戻り使用温度に
て安定なＢ型結合への変化（破線）を完了する。
また光学的外場印加により局所的ひずみを介して
Ａ型結合とＢ型結合の安定、準安定状態を入れか
えることによりＢ型結合へ変化する。このような
過程を記録に利用することができる。
録媒体の温度を云う。Ａ型結合とＢ型結合間の変
化が起きるエネルギー照射部位の温度は一般的に
使用温度より高い）にて安定にＡ型結合を有する
ポリジアセチレンに、ΔEbのエネルギーを有する
光を照射するとｇ状態よりｂ状態へ励起する。曲
線ｂに沿つて振動緩和しつつｂ状態におけるＢ型
結合に達する。次に再びｇ状態に戻り使用温度に
て安定なＢ型結合への変化（破線）を完了する。
また光学的外場印加により局所的ひずみを介して
Ａ型結合とＢ型結合の安定、準安定状態を入れか
えることによりＢ型結合へ変化する。このような
過程を記録に利用することができる。
また使用温度にて安定にＢ型結合を有する記録
部にΔEaのエネルギーを有する光を照射すればｇ
状態よりａ状態へ励起する。曲線ａに沿つて振動
緩和しつつａ状態におけるＡ型結合に達する。次
に再びｇ状態に戻り使用温度にて安定なＡ型結合
へ変化（実線）を完了する。あるいは、ΔEB *以
上の熱エネルギーを照射すると、又は冷却すると
曲線ｇに沿つてＡ型結合へ変化（破線）する。ま
た、光学的な外場の印加により局所的歪を介して
Ｂ型結合とＡ型結合の安定、準安定を入れかえる
ことによりＡ型結合へ変化する。このような過程
を記録の消去に利用することができる。
部にΔEaのエネルギーを有する光を照射すればｇ
状態よりａ状態へ励起する。曲線ａに沿つて振動
緩和しつつａ状態におけるＡ型結合に達する。次
に再びｇ状態に戻り使用温度にて安定なＡ型結合
へ変化（実線）を完了する。あるいは、ΔEB *以
上の熱エネルギーを照射すると、又は冷却すると
曲線ｇに沿つてＡ型結合へ変化（破線）する。ま
た、光学的な外場の印加により局所的歪を介して
Ｂ型結合とＡ型結合の安定、準安定を入れかえる
ことによりＡ型結合へ変化する。このような過程
を記録の消去に利用することができる。
本発明において電子励起状態ｂを使用する場合
には非晶・結晶間層転移を利用する場合に比べて
極めて高速に記録できる。
には非晶・結晶間層転移を利用する場合に比べて
極めて高速に記録できる。
本発明は第２図イに限定するものではない。例
えばＡ型とＢ型のポテンシヤルエネルギー曲線の
大小関係がＡ＞Ｂ、Ａ＝Ｂにあるものであつて
も、上述の説明のＡとＢを入れ換えても同様に説
明できる。
えばＡ型とＢ型のポテンシヤルエネルギー曲線の
大小関係がＡ＞Ｂ、Ａ＝Ｂにあるものであつて
も、上述の説明のＡとＢを入れ換えても同様に説
明できる。
３−４−４ 吸収スペクトル・反射スペクトル
ポリジアセチレンのＡ型結合及びＢ型結合の紫
外から近赤外領域におけるＡ型結合とＢ型結合の
スペクトルはそれぞれ638nｍ、535nｍ付近にピ
ークを有し、その差は約103nｍと大きく、スペ
クトル間の重なりも小さい。それ故Ａ型結合とＢ
型結合間の変化による光学的コントラスト（吸収
係数、反射率）の変化も極めて大きく記録・再生
におけるＳ／Ｎ比向上にとつて極めて有利であ
る。反射スペクトルについても同様である。
外から近赤外領域におけるＡ型結合とＢ型結合の
スペクトルはそれぞれ638nｍ、535nｍ付近にピ
ークを有し、その差は約103nｍと大きく、スペ
クトル間の重なりも小さい。それ故Ａ型結合とＢ
型結合間の変化による光学的コントラスト（吸収
係数、反射率）の変化も極めて大きく記録・再生
におけるＳ／Ｎ比向上にとつて極めて有利であ
る。反射スペクトルについても同様である。
他の主鎖構造に関する吸収スペクトル、反射ス
ペクトルについても同様に測定できる。
ペクトルについても同様に測定できる。
３−４−５ 外場印加
光学的エネルギーを用いる場合、記録のための
光の波長は、ΔEA *以上のエネルギーを与える必
要がある。好ましくは、180nｍ〜12μｍの波長光
を用いて１×10-13ジユール／μm2以上を照射す
る。
光の波長は、ΔEA *以上のエネルギーを与える必
要がある。好ましくは、180nｍ〜12μｍの波長光
を用いて１×10-13ジユール／μm2以上を照射す
る。
再生用にはＢ型結合スペクトルの短波長側のス
ペクトル端以上で、Ａ型結合スペクトルの長波長
側のスペクトル端以下の波長域の光を使用する。
このましくは350nｍ以上、700nｍ以下の波長域
の光である。
ペクトル端以上で、Ａ型結合スペクトルの長波長
側のスペクトル端以下の波長域の光を使用する。
このましくは350nｍ以上、700nｍ以下の波長域
の光である。
消去用光源としては、第２図イののΔEaのエネ
ルギーを有する光を用いることができる。
ルギーを有する光を用いることができる。
具体的光源としては、Arレーザー、He−Ne
レーザー、He−Cdレーザー、色素レーザー、半
導体レーザーなどの紫外、可視、赤外領域に発振
波長をもつレーザーや、キセノンフラツシユラン
プなどの各種短パルス発生ランプなどを用いるこ
とができる。
レーザー、He−Cdレーザー、色素レーザー、半
導体レーザーなどの紫外、可視、赤外領域に発振
波長をもつレーザーや、キセノンフラツシユラン
プなどの各種短パルス発生ランプなどを用いるこ
とができる。
３−４−６ 記録・再生・消去
光学式の情報記録再生装置については公知であ
る。
る。
記録は、通常情報信号に対応して光の強度を変
調して附与することにより行なう。照射部の反射
率、吸収計数の光学的特性の変化として記録す
る。光の照射はポリジアセチレン薄膜の表面側、
あるいは透明基板を通して薄膜の裏側からのいず
れからも可能である。
調して附与することにより行なう。照射部の反射
率、吸収計数の光学的特性の変化として記録す
る。光の照射はポリジアセチレン薄膜の表面側、
あるいは透明基板を通して薄膜の裏側からのいず
れからも可能である。
再生に際しては反射率の変化を読みとる反射式
の光信号再生により行う。また読み取り側の反対
の薄膜側に反射膜を設けて、この反射膜からの光
量変化を読み取る方式の再生も可能である。この
光量変化は薄膜の吸収係数（光学密度）の変化に
基づくものである。
の光信号再生により行う。また読み取り側の反対
の薄膜側に反射膜を設けて、この反射膜からの光
量変化を読み取る方式の再生も可能である。この
光量変化は薄膜の吸収係数（光学密度）の変化に
基づくものである。
消去は光学的、熱的または力学的な外場印加に
より行う。例えば、光照射または薄膜全体の温度
変化（冷却）により行う。光照射は薄膜の表面
側、あるいは透明基板を通して裏側からのいずれ
からも可能である。
より行う。例えば、光照射または薄膜全体の温度
変化（冷却）により行う。光照射は薄膜の表面
側、あるいは透明基板を通して裏側からのいずれ
からも可能である。
次に実施例を挙げて本発明を説明する。
３−４−７ 実施例
実施例 １
ジアセチレンモノマーとして、10，12−ジイン
ペンタコサ酸〔CH3−（CH2）11−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ
−（CH2）8−COOH〕を用いた。蒸着膜を真空蒸
着装置を用いて次のように作製した。ジアセチレ
ンモノマー約50mgをモリブデンボートに入れ２×
10-5torrの真空下で80℃に加熱し、25mm×25mmの
石英ガラスに蒸着し、厚み1.0μｍのジアセチレン
モノマー蒸着膜を作製した。
ペンタコサ酸〔CH3−（CH2）11−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ
−（CH2）8−COOH〕を用いた。蒸着膜を真空蒸
着装置を用いて次のように作製した。ジアセチレ
ンモノマー約50mgをモリブデンボートに入れ２×
10-5torrの真空下で80℃に加熱し、25mm×25mmの
石英ガラスに蒸着し、厚み1.0μｍのジアセチレン
モノマー蒸着膜を作製した。
この蒸着膜に高圧水銀ランプにバンドバスフイ
ルター（UV−D33S）を用いて得られる紫外光
（240〜240nｍ）を20ｍＷ／cm2、30分間照射し、
モノマーを重合して青色のポリジアセチレン薄膜
を形成した。このポリジアセチレンの吸収スペク
トル及び共鳴ラマンスペクトルを第３図に線ａで
示す。スペクトルよりこのポリジアセチレンはＡ
型結合であつた。
ルター（UV−D33S）を用いて得られる紫外光
（240〜240nｍ）を20ｍＷ／cm2、30分間照射し、
モノマーを重合して青色のポリジアセチレン薄膜
を形成した。このポリジアセチレンの吸収スペク
トル及び共鳴ラマンスペクトルを第３図に線ａで
示す。スペクトルよりこのポリジアセチレンはＡ
型結合であつた。
次いで紫外光（240〜240nｍ）を、さらにポリ
ジアセチレン薄膜に照射した。３×10-6ジユー
ル／μm2のエネルギーを照射したポリジアセチレ
ンは第３図に線ｂで示すようにＢ型結合へ変化し
ていた。Ａ型結合よりＢ型結合への変化は、照射
エネルギーに依存することがわかつた。7.0×
10-7ジユール／μm2より変化が開始し、2.6×
10-6ジユール／μm2で終了した（第６図）。この
時の光学密度の変化は640nｍにおいて1.1〜0.2、
552nｍにおいて0.6〜1.1であつた。
ジアセチレン薄膜に照射した。３×10-6ジユー
ル／μm2のエネルギーを照射したポリジアセチレ
ンは第３図に線ｂで示すようにＢ型結合へ変化し
ていた。Ａ型結合よりＢ型結合への変化は、照射
エネルギーに依存することがわかつた。7.0×
10-7ジユール／μm2より変化が開始し、2.6×
10-6ジユール／μm2で終了した（第６図）。この
時の光学密度の変化は640nｍにおいて1.1〜0.2、
552nｍにおいて0.6〜1.1であつた。
1.0μｍ径の紫外光（240〜400nm）のビームを
ポリジアセチレンに走査しつつ照射したところほ
ぼ1.0μｍ幅の明瞭なパターンが形成された。
ポリジアセチレンに走査しつつ照射したところほ
ぼ1.0μｍ幅の明瞭なパターンが形成された。
実施例 ２
実施例１と同様にして、10，12−ジインペンタ
コサ酸〔CH3−（CH2）11−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−
（CH2）8−COOH〕の蒸着膜を重合したポリジア
セチレン薄膜を形成した。第４図に線ａで示すよ
うにこのポリジアセチレンＡ型結合であつた。ま
た、ヒステレシスを示すことを確認した。ただし
昇温、冷却は1.0℃／minで行つた（第７図）。
コサ酸〔CH3−（CH2）11−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−
（CH2）8−COOH〕の蒸着膜を重合したポリジア
セチレン薄膜を形成した。第４図に線ａで示すよ
うにこのポリジアセチレンＡ型結合であつた。ま
た、ヒステレシスを示すことを確認した。ただし
昇温、冷却は1.0℃／minで行つた（第７図）。
Arレーザー光（488nｍ）をポリジアセチレン
薄膜に照射した。１×10-6W／μm2を照射したポ
リジアセチレンは第４図に線ｂで示すようにＡ型
結合よりＢ型結合へ変化していた。この時の光学
密度の変化は0.52であつた。1.0μｍ径のArレーザ
ー光（5145Å）ビームをポリジアセチレン薄膜に
走査しつつ照射したところほぼ1.0μｍ幅の領域が
Ｂ型結合に変化した明瞭なパターンが形成され
た。
薄膜に照射した。１×10-6W／μm2を照射したポ
リジアセチレンは第４図に線ｂで示すようにＡ型
結合よりＢ型結合へ変化していた。この時の光学
密度の変化は0.52であつた。1.0μｍ径のArレーザ
ー光（5145Å）ビームをポリジアセチレン薄膜に
走査しつつ照射したところほぼ1.0μｍ幅の領域が
Ｂ型結合に変化した明瞭なパターンが形成され
た。
３−５ 発明の効果
本発明の効果は次の通りである。
(i) 高速で書込（記録）できる。
(ii) 高密度に、二次元または多次元に記録でき
る。
る。
室温にて記録を安定に保存できる。
(ii) 記録部と未記録部の光学的コントラストが大
きい。
きい。
(iv) 書換ができる。
(v) 無毒性である。
第１図はアセチレン型結合とブタトリエン型結
合を示す説明図、第２図はポテンシヤルエネルギ
ー曲線とヒステレシス曲線を示す説明図、第３
図、第４図は夫々実施例１、実施例２で得られた
本発明の光吸収スペクトル図、第５図は実施例１
で得られた本発明の共鳴ラマン散乱スペクトル
図、第６図は照射エネルギーによるＡ型よりＢ型
への変化の様子を示すグラフ、第７図は加熱によ
るＡ型よりＢ型への変化及びそのヒステレシスを
示すグラフである。
合を示す説明図、第２図はポテンシヤルエネルギ
ー曲線とヒステレシス曲線を示す説明図、第３
図、第４図は夫々実施例１、実施例２で得られた
本発明の光吸収スペクトル図、第５図は実施例１
で得られた本発明の共鳴ラマン散乱スペクトル
図、第６図は照射エネルギーによるＡ型よりＢ型
への変化の様子を示すグラフ、第７図は加熱によ
るＡ型よりＢ型への変化及びそのヒステレシスを
示すグラフである。
Claims (1)
- １ 基板上に蒸着又は溶液塗布によつてジアセチ
レンモノマー薄層を形成し、重合せしめたポリジ
アセチレン薄膜に光学的局部的に印加することに
より、ポリジアセチレンの主鎖構造に局部的に変
化を生じせしめて情報を記録してなる光記録媒
体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043886A JPS61203448A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 光記録媒体 |
| US06/835,183 US4678736A (en) | 1985-03-05 | 1986-03-03 | Optical recording media on which information is stored and method of making same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043886A JPS61203448A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61203448A JPS61203448A (ja) | 1986-09-09 |
| JPH052134B2 true JPH052134B2 (ja) | 1993-01-11 |
Family
ID=12676186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60043886A Granted JPS61203448A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61203448A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2004030919A1 (ja) * | 2002-09-30 | 2006-02-02 | 松下電器産業株式会社 | 光情報記録担体およびそれを用いた記録再生装置 |
| JP5104532B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2012-12-19 | ソニー株式会社 | 光情報記録媒体及び２光子吸収材料 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642229A (en) * | 1979-06-25 | 1981-04-20 | University Patents Inc | New photooresist composition |
| JPS58111029A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-01 | Kureha Chem Ind Co Ltd | ジアセチレン化合物累積膜の製造方法 |
| US4562141A (en) * | 1982-09-29 | 1985-12-31 | Ciba Geigy Corporation | Polymerisable composition comprising conjugated diacetylenic compounds, material coated therewith and the use thereof |
| JPS61138236A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Agency Of Ind Science & Technol | 表示素子 |
| JPS61137781A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Agency Of Ind Science & Technol | 記録媒体 |
-
1985
- 1985-03-05 JP JP60043886A patent/JPS61203448A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61203448A (ja) | 1986-09-09 |
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| JPH02164586A (ja) | 光学情報記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |