JPH05213887A - 1,2,3,4−テトラヒドロ−2−イソキノリン誘導体の製造方法 - Google Patents

1,2,3,4−テトラヒドロ−2−イソキノリン誘導体の製造方法

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JPH05213887A
JPH05213887A JP4270769A JP27076992A JPH05213887A JP H05213887 A JPH05213887 A JP H05213887A JP 4270769 A JP4270769 A JP 4270769A JP 27076992 A JP27076992 A JP 27076992A JP H05213887 A JPH05213887 A JP H05213887A
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    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D217/00Heterocyclic compounds containing isoquinoline or hydrogenated isoquinoline ring systems
    • C07D217/22Heterocyclic compounds containing isoquinoline or hydrogenated isoquinoline ring systems with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to carbon atoms of the nitrogen-containing ring
    • C07D217/26Carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen

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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【構成】 下記式 のフエネチルアミン誘導体をホルムアミドとの反応によ
り環化しそしてアミノ保護基(Z)を除去して下記式 の1,2,3,4−テトラヒドロ−2−イソキノリン誘
導体を製造するに際して該反応を硫酸の存在下に酢酸中
約室温〜50℃の温度下で実施する方法。〔式中、Zは
ベンジルオキシカルボニルであり、R″,Rはヒドロキ
シ、低級アルキルアミノ、低級アルコキシまたはフェニ
ル−低級アルコキシであり、前記フェニル−低級アルコ
キシはフェニル環上に1個またはそれ以上の低級アルキ
ルまたは低級アルコキシ置換基を有することができ
る。〕 【効果】 ラセミ化を伴うことなくかつプロセス上及び
安全上の問題なく優れた収率で上記イソキノリン誘導体
を製造することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、一般式
【0002】
【化4】
【0003】式中、Rはヒドロキシ、低級アルキルアミ
ノ、低級アルコキシまたはフェニル−C2−C6アルコキ
シであり、前記フェニル−C2−C6アルコキシはフェニ
ル環上に1個またはそれ以上の低級アルキルまたは低級
アルコキシ置換基を有することができる、の1,2,
3,4−テトラヒドロ−2−イソキノリン誘導体を製造
するための新規な方法に関する。
【0004】用語「低級アルキル」は、ここで使用する
とき、単独であるいは組み合わせで、1〜6、好ましく
は1〜4個の炭素原子を有する直鎖状および分枝鎖状の
アルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチル、イソブチル、sec−ブチル、te
rt−ブチル、ペンチル、ヘキシルなどを意味する。用
語「低級アルコキシ」は、用語「アルキル」が上の意味
を有する、低級アルキルエーテル基、例えば、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキ
シ、イソブトキシ、sec−ブトキシ、tert−ブト
キシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシなどを意味す
る。同様に、用語「C2−C6アルコキシ」は、前述した
2〜6個の炭素原子を有するアルキルエーテル基を意味
する。
【0005】Rが低級アルキルアミノ、好ましくはイソ
ブチルアミノまたはtert−ブチルアミノ、とくにt
ert−ブチルアミノである式Iの化合物の製造は好ま
しい。
【0006】式Iのテトラヒドロイソキノリン誘導体
は、一般式
【0007】
【化5】
【0008】式中、R’はヒドロキシ、低級アルキルア
ミノ、低級アルコキシまたはシクロヘキシル−C2−C6
アルコキシであり、前記シクロヘキシル−C2−C6アル
コキシはシクロヘキシル環上に1個またはそれ以上の低
級アルキルまたは低級アルコキシ置換基を有することが
できる、の対応するデカヒドロイソキノリン誘導体に水
素化することができる。これらのデカヒドロイソキノリ
ン誘導体は、プロテアーゼ阻害剤、例えば、欧州特許出
願(EP−A)第0,346,847号および欧州特許
出願(EP−A)第0,432,695号に記載されて
いるものの合成における、価値ある中間体である。とく
に、式IIのデカヒドロイソキノリン誘導体の1つ、す
なわち、N−t−ブチル−デカヒドロ−(4aS,8a
S)−イソキノリン−3(S)−カルボキシアミドは、
一般式
【0009】
【化6】
【0010】式中、R1はベンジルオキシカルボニルま
たは2−キノリルカルボニルである、のプロテアーゼ阻
害剤、これらは欧州特許出願(EP−A)第0,43
2,695号に記載されている、の製造に適当である。
【0011】式IIのデカヒドロイソキノリン誘導体の
プロテアーゼ阻害剤への転化は、また、前述の両者の欧
州特許出願に記載されている。
【0012】フェネチルアミン誘導体およびホルムアル
デヒドから出発して塩酸の存在下にピクテット−スペン
グラー(Pictet−Spengler)方法により
テトラヒドロイソキノリン誘導体を調製することは、文
献から知られており、そして今日このクラスの物質の調
製に実際に受け入れる唯一の方法である〔参照、米国特
許第3,836,536号および米国特許第3,90
6,009号、これらのすべては同一の文献を言及して
いる、すなわち、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミ
カル・ソサイアティー(J.Am.Chem.So
c.)、70、182(1948);参照、また、欧州
特許発行第0,018,104号、欧州特許発行第0,
039,804号および欧州特許発行第0,104,5
46号ならびにヘテロサイクルス(Heterocyc
les)、29、6(1989)1179−1183〕
が、2つの極端に発癌性のα−ハロエーテルクロロメチ
ルメチルエーテル(CMME)およびビス(クロロメチ
ル)メチルエーテル(BCME)が、ピクテット−スペ
ングラー(Pictet−Spengler)反応にお
いて、ホルムアルデヒドへの塩酸の作用により副生物と
して形成することは、科学の世界において一般に知られ
ている〔ケミカル・リビュー(Chem.Rev.)
(1955)、314〕。これらの2つのα−ハロエ
ーテル、ことにBCMEの発癌性は非常に大きいので、
今日これらの化合物が副生物として形成するいずれの方
法も安全性の基準で工業的評価のためにもはや考慮され
なくなった。ピクテット−スペングラー(Pictet
−Spengler)合成のそれ以上の欠点は、非活性
化キラルフェネチルアミン誘導体の環化において、部分
的ラセミ化は厳しい反応条件に関して考慮しなくてはな
らないという事実にある;こうして、Chem.Pha
rm.Bull.Japan 31、312(198
3)に従うと、ラセミ化がL−フェニレンアラニンの場
合において約32%に起こる。
【0013】Chem.Pharm.Bull.Jap
an 25、1732(1977)に従うと、非活性化
系、例えば、2−フェネチルアミンは、非常に温和な条
件下に、三臭化ホウ素の存在下にホルムアルデヒドを使
用してアシル誘導体(例えば、トシル誘導体)の形態で
環化することができる。われわれ自身の実験は、しばら
くして、N−トシル−(L)−フェニルアラニルベンジ
ルエステルが三臭化ホウ素の存在下にホルムアルデヒド
を使用して、ラセミ化なしに、対応するテトラヒドロイ
ソキノリン誘導体に環化することができることを示した
が、環化生成物中のトシル基の切り放しは調製的程度に
起こらない。また、L−フェニルアラニンの他のアシル
誘導体、すなわち、N−ベンジルオキシカルボニル−L
−フェニルアラニンを、三臭化ホウ素の存在下にホルム
アルデヒドを使用して、ラセミ化なしに、ベンジル3
(S)−(t−ブチルカルバモイル)−1,2,3,4
−テトラヒドロ−2−イソキノリンカルボキシレートに
環化することができ、次いでベンジルオキシ基を加水素
分解的に切り放すことができた;しかしながら、三臭化
ホウ素は、工業的規模で問題がある、ジエチルエーテル
との錯体として、あるいは酢酸との錯体として存在し、
1.5〜2倍の過剰量で環化のために使用しなくてはな
らないので、環化が完結した後、ホウ素化合物の除去ま
たは回収に関して問題が生ずる。
【0014】本発明によれば、今回、一般式
【0015】
【化7】
【0016】式中、Zはベンジルオキシカルボニルであ
り、そしてR”はヒドロキシ、低級アルキルアミノ、低
級アルコキシまたはフェニル−低級アルコキシであり、
前記フェニル−低級アルコキシはフェニル環上に1個ま
たはそれ以上の低級アルキルまたは低級アルコキシ置換
基を有することができる、のフェネチルアミン誘導体
は、反応を硫酸の存在下に酢酸中で実施すると、ホルム
アルデヒドを使用して、すぐれた収率で、ラセミ化なし
にかつプロセスの技術および安全性に関する問題なし
に、対応する一般式
【0017】
【化8】
【0018】式中、R”およびZは上記の意味を有す
る、のテトラヒドロイソキノリン誘導体に環化すること
ができることが見出された。したがって、本発明による
方法は、式IVのフェネチルアミン誘導体をホルムアル
デヒドと硫酸の存在下に酢酸中で、約室温と約50℃と
の間の温度において反応させ、そして式Vの化合物中の
基Zを切り放すことからなる。
【0019】パラホルムアルデヒドまたは適当なホルム
アルデヒドのアセタール、ことにジ−低級アルキルアセ
タール、例えば、ジメトキシメタンを、ホルムアルデヒ
ドまたは水性ホルムアルデヒド溶液の代わりにを使用す
ることができる。反応温度は、ホルムアルデヒドまたは
パラホルムアルデヒドを使用するとき、約室温〜50
℃、好ましくは45℃〜50℃である。ジメトキシメタ
ンを使用するとき、反応温度は40℃(ジメトキシメタ
ンの沸点:41〜42℃)を越えるべきではない。反応
は反応条件下にに不活性である溶媒、例えば、溶媒中
で、あるいは過剰の酢酸中で、好ましくはトルエン中で
実施する。正確な反応条件に依存して、反応は約7〜約
24時間を要する。式IVのフェネチルアミン誘導体を
トルエン中で3モル当量のジメトキシメタンおよび2モ
ル当量の7.2モルの硫酸と酢酸中で40℃において2
4〜25時間の間反応させるとき、最良の結果が得られ
る。
【0020】式Vの環化生成物からのベンジルオキシカ
ルボニル基(Z)の切り放しは、加水素分解的に、例え
ば、パラジウム触媒(例えば、10%のパラジウム−炭
素)の存在下に、反応条件下に不活性である溶媒、例え
ば、低級アルカノール、例えば、エタノールなど中で水
素化することによって、便利に実施され、R”がベンジ
ルオキシである場合、ベンジル基は同様に切り放され、
そしてRがヒドロキシである、式Iの対応する化合物が
得られる。
【0021】本発明に従い得られた式Iのテトラヒドロ
イソキノリン誘導体を、価値ある中間体として有用な式
IIの対応するデカヒドロイソキノリン誘導体に還元す
ることは、このような水素化に適当な触媒、例えば、ロ
ジウム(便利にはアロックス(Alox)などの存在下
にかつ反応条件下に不活性である有機溶媒、例えば、酢
酸エチルなどの中で水素化により実施し、これにより残
基Rの中に存在しうるフェニル環は同様に水素化され
る。
【0022】式IVの出発物質は既知であるか、あるい
は一般に既知の方法に従い容易に得ることができる;そ
のうえ、実施例1は以後このような出発物質の調製に関
する詳細な情報を含有する。
【0023】次の実施例は本発明を例示するが、いかな
る方法においても本発明の範囲を限定せず、これらの実
施例のすべてにおいて、すべての温度はセ氏度である。
【0024】
【実施例】実施例1 A、1000gのN−ベンジルオキシカルボニル−L−
フェニルアラニンを6400mlの酢酸エチル中に溶解
した。この溶液を−2℃(内部温度)に冷却し、そして
438gの97%のN−エチルモルホリンでアルゴン雰
囲気下に撹拌しながら45分以内に滴々処理し、これに
より内部温度を−1.8℃〜−0.6℃の範囲に保持し
た。200mlの酢酸エチルを添加しそして10分間撹
拌した後、529gの95%のイソブチルクロロホルメ
ートを70分以内にかつ−1.8℃〜−0.6℃の内部
温度において滴々添加し、これにより沈澱物が形成し
た。200mlの酢酸エチルの添加後、生ずる懸濁液を
−2℃の内部温度において30分間撹拌し、次いで35
3gのt−ブチルアミンを80分以内に滴々処理し、こ
こで内部温度を−1.6℃〜−0.4℃の範囲に保持し
た。200mlの酢酸エチルの添加後、この混合物を−
2℃の内部温度においてさらに30分間撹拌し、次いで
懸濁液を1時間以内に室温に加温した。
【0025】1400mlの水を添加しそして室温にお
いて15分間撹拌した後、2つの透明な層が生じそし
て、15分間放置した後、黄色がかった水性相(pH7
〜8)を除去した。100mlの半飽和重炭酸ナトリウ
ム溶液を有機相に添加し、次いでそれを15分間強く撹
拌した。層を15分間放置して分離させ、水性相を除去
し、有機相を1000mlの水で処理し、15分間撹拌
し、そして層を15分間放置して分離させ、次いで水性
相(pH≒7)を除去した。濁った有機相を−15℃の
浴中で冷却し、その間ゆっくり撹拌して、残留物湿分を
凍結した;約−7℃の内部温度において、氷の結晶化が
開始し、そして有機相は透明になった;−8℃〜−9℃
の内部温度において5分間撹拌した後、氷を急速に濾過
し、そして透明な酢酸エチル相(約9000ml)が得
られ、これを減圧下に濃縮した。ほぼ6000mlの酢
酸エチルを蒸留した後、粘性黄色油が現れ始めた、次い
でアルゴン雰囲気を加え始め、そして内部温度を34〜
40℃に増加した。
【0026】8000mlのヘキサンを43〜45℃の
内部温度で滴々添加し、ここで透明なわずかに黄色がか
った溶液が形成した。これを−5℃にゆっくり(5℃/
時間)冷却し、合計16時間の間冷却した後、無色の固
体を−5℃において吸引濾過した。1500mlのヘキ
サンを使用してフィルターケークを洗浄し、そして結晶
化を実施したフラスコをリンスした。フィルターケーク
を40℃の炉内で真空乾燥した後、910g(77%)
のN−ベンジルオキシカルボニル−L−フェニルアラニ
ンt−ブチルアミンが得られた、融点99−100℃、
純度(HPLCによる)99.6%、〔α〕D 20=4.
9°(c=1、メタノール中)。
【0027】母液を濃縮することによって、黄色油が得
られ、これを100mlのt−ブチルメチルエーテルお
よび500mlのヘキサンから結晶化し、濾過し、そし
て50mlのヘキサン/t−ブチルメチルエーテルで洗
浄した;83g(7.3%)のN−ベンジルオキシカル
ボニル−L−フェニルアラニンt−ブチルアミンが得ら
れた、融点98−100℃、純度(HPLCによる)9
9.0%。N−ベンジルオキシカルボニル−L−フェニ
ルアラニンt−ブチルアミンの合計の収率は84.3%
である。
【0028】B.850.8gの分を室温において30
00mlのトルエン中に溶解した。240mlの95〜
97%の硫酸および636mlの99.5%の酢酸の前
以て調製した混合物をこの濁った溶液に撹拌しながら4
0分以内に滴々添加し、次いで547gのジメトキシメ
タンを30分以内に添加し、そしてなお濁った溶液を4
0℃(内部温度)に24時間加温した。
【0029】1800mlのトルエンの添加後、反応混
合物を15℃に冷却し、そして850mlの25%の水
性アンモニアで15〜20℃において50分以内に処理
して、この系を緩衝化(pH8〜8.5に)した。50
0mlの水を添加して、分離したアンモニウム塩を溶解
し、次いでこの混合物を室温において10分間撹拌し、
そして20分間放置した。水性相を除去し、次いで有機
相を1000mlの水で処理し、この混合物を室温にお
いて15分間置換し、そして20分間放置した。水性相
(pH7〜7.5)を除去した後、有機相を減圧下に濃
縮した。ほぼ4200mlのトルエンを蒸留した後、粘
度油が残り、次いでアルゴン雰囲気を加え、そして内部
温度を45℃に増加した。
【0030】70℃の一定の内部温度において、200
0mlのヘキサンを内部温度が常に50〜55℃である
ような方法で添加した。次いで、生ずる透明な黄色溶液
を急速過ぎない速度(20℃/時間)で−10℃に冷却
し、そして−10℃において1時間撹拌し、次いで分離
した結晶を吸引濾過した。フラスコ内に残る物質を除去
するために、1000mlのヘキサンを添加し、そして
−10℃において激しく撹拌した;この冷懸濁液を使用
してフィルターケークを洗浄した。578g(66%)
のベンジル3(S)−(t−ブチルカルバモイル)−
1,2,3,4−テトラヒドロ−2−イソキノリンカル
ボキシレートが白みがかった結晶の形態で得られた、融
点105−106℃、純度(HPLCによる)99.0
%、〔α〕D 20=−34.2°(c=1、メタノール
中)。
【0031】実施例2 5.7kgのベンジル3(S)−(t−ブチルカルバモ
イル)−1,2,3,4−テトラヒドロ−2−イソキノ
リンカルボキシレートを40リットルのエタノール中に
溶解し、そしてオートクレーブ内で1.1kgの10%
のパラジウム−炭素の存在下に10バールの圧力および
20〜25℃の内部温度において水素化した。ほぼ2時
間後、水素の吸収は停止し、次いでオートクレーブの内
容物を濾過し、オートクレーブおよび濾液残留物の各々
を各回20リットルのエタノールでリンスし、そして一
緒にした濾液を蒸発させ、これによりほぼ3.6kgの
粗製のN−t−ブチル−1,2,3,4−テトラヒドロ
−3(S)−イソキノリンカルボキシアミドがベージュ
色の結晶として得られた。
【0032】40リットルのヘキサンをこの粗生成物に
添加し、この混合物を撹拌し、ほぼ65℃(内部温度)
に加熱し、濾過し、そして15リットルの熱(60℃)
ヘキサンで各回2回洗浄した。引き続いて、ほぼ35リ
ットルのヘキサンを蒸留し、次いでこの混合物を放置し
て室温に一夜冷却し、分離した結晶を吸引濾過し、そし
て合計10リットルのヘキサンおよび10リットルのペ
ンタンで少しずつ洗浄した。40℃において真空乾燥し
た後、2.9kg(79%)のN−t−ブチル−1,
2,3,4−テトラヒドロ−3(S)−イソキノリンカ
ルボキシアミドが白色結晶の形態で得られた、融点95
−96℃、純度(GCによる)99.6%、〔α〕D 20
=−109.5°(c=1、メタノール中)。
【0033】実施例3 15kgのN−t−ブチル−1,2,3,4−テトラヒ
ドロ−3(S)−イソキノリンカルボキシアミドを10
0リットルの酢酸エチルの中に懸濁させ、そして3kg
のロジウム/アロックス(Alox)(5%)の存在下
に、撹拌しながら80バールの圧力および80℃内部温
度において水素化した。ほぼ4時間後、水素の吸収は停
止し、次いで反応混合物を濾過し、濾過残留物を40リ
ットルの酢酸エチルで洗浄し、そして一緒にした濾液を
真空中で蒸発乾固した。残留物を40リットルのヘキサ
ンの中に取り、粉砕し、そして蒸発させると、15.3
kgの粗製のN−t−ブチル−デカヒドロ−(4aS,
8aS)−イソキノリン−3(S)−カルボキシアミド
が黄色結晶の形態で得られた。
【0034】45リットルのヘキサンをこの粗生成物に
添加し、この混合物を撹拌し、65℃(内部温度)に加
熱し、濾過し、そして最初に20リットル、次いで10
リットルの熱(60℃)ヘキサンでリンスした。引き続
いて、ほぼ30リットルのヘキサンを蒸留し、次いでこ
の混合物を0℃に一夜冷却し、分離した結晶を遠心によ
り除去し、そして10リットルの冷(0℃)ヘキサンで
リンスした。生ずる湿った生成物(12kg)を110
リットルのヘキサンで処置い、次いでそれを撹拌し、6
5℃(内部温度)に加熱し、濾過し、次いで0℃に一夜
に冷却した。分離した結晶を遠心により除去し、10リ
ットルの冷(0℃)ヘキサンでリンスし、そして40℃
において真空乾燥した。9.1gk(59%)のN−t
−ブチル−デカヒドロ−(4aS,8aS)−イソキノ
リン−3(S)−カルボキシアミドが白色結晶の形態で
得られた、融点112−114℃、純度(GCによる)
ほぼ100%、〔α〕D 20=−73〜−74.2°(c
=0.5、メタノール中)。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式 【化1】 式中、 Zはベンジルオキシカルボニルであり、そしてR”はヒ
    ドロキシ、低級アルキルアミノ、低級アルコキシまたは
    フェニル−低級アルコキシであり、前記フェニル−低級
    アルコキシはフェニル環上に1個またはそれ以上の低級
    アルキルまたは低級アルコキシ置換基を有することがで
    きる、のフェネチルアミン誘導体をホルムアルデヒドと
    硫酸の存在下に酢酸中で約室温と約50℃との間の温度
    において反応させ、そして生ずる一般式 【化2】 式中、 R”およびZは上記の意味を有する、の環化生成物中の
    ベンジルオキシカルボニル(Z)を切り放すことを特徴
    とする一般式 【化3】 式中、 Rはヒドロキシ、低級アルキルアミノ、低級アルコキシ
    またはフェニル−C2−C6アルコキシであり、前記フェ
    ニル−C2−C6アルコキシはフェニル環上に1個または
    それ以上の低級アルキルまたは低級アルコキシ置換基を
    有することができる、の1,2,3,4−テトラヒドロ
    −2−イソキノリン誘導体の製造方法。
  2. 【請求項2】 Rが低級アルキルアミノである請求項1
    記載の方法。
  3. 【請求項3】 ホルムアルデヒドを水性ホルムアルデヒ
    ド溶液の形態で使用するか、パラホルムアルデヒドの形
    態で使用するか、あるいはジ−低級−アルキルアセター
    ルの形態で使用する請求項1または2記載の方法。
  4. 【請求項4】 ジメトキシメタンを使用する請求項3記
    載の方法。
  5. 【請求項5】 トルエンまたは過剰の酢酸を溶媒として
    使用する請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
  6. 【請求項6】 トルエンを溶媒として使用する請求項5
    記載の方法。
  7. 【請求項7】 式IVのフェネチルアミン誘導体をトル
    エン中で3モル当量のジメトキシメタンおよび3モル当
    量の7.2Mの硫酸と酢酸中で24〜25時間の間約4
    0℃において反応させる請求項1〜5のいずれかに記載
    の方法。
  8. 【請求項8】 ベンジルオキシカルボニル基(Z)を環
    化生成物から加水素分解的に切り放す請求項1〜7のい
    ずれかに記載の方法。
  9. 【請求項9】 式Vの環化生成物をパラジウム触媒の存
    在下に水素化する請求項8記載の方法。
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