JPH05214533A - マイクロ波或いは交流／直流放電により補助された燃焼炎式ｃｖｄダイヤモンド析出方法 - Google Patents

マイクロ波或いは交流／直流放電により補助された燃焼炎式ｃｖｄダイヤモンド析出方法

Info

Publication number
JPH05214533A
JPH05214533A JP4282115A JP28211592A JPH05214533A JP H05214533 A JPH05214533 A JP H05214533A JP 4282115 A JP4282115 A JP 4282115A JP 28211592 A JP28211592 A JP 28211592A JP H05214533 A JPH05214533 A JP H05214533A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
combustion flame
discharge
diamond
cvd
dielectric heating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4282115A
Other languages
English (en)
Inventor
Thomas R Anthony
トーマス・リチャード・アントニー
James F Fleischer
ジェームス・フルトン・フレッシャー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JPH05214533A publication Critical patent/JPH05214533A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/25—Diamond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/277—Diamond only using other elements in the gas phase besides carbon and hydrogen; using other elements besides carbon, hydrogen and oxygen in case of use of combustion torches; using other elements besides carbon, hydrogen and inert gas in case of use of plasma jets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 酸素の存在下において、炭化水素／水素の気
体状混合物を燃焼炎に供することにより上記気体状混合
物を少なくとも部分的に分解してＣＶＤダイヤモンドを
形成せしめる、ダイヤモンド合成の為の化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）方法において、炭素の利用率(utilization rate)を
高める。 【構成】 上記燃焼炎に、誘電加熱、直流放電、或い
は、交流放電の内のひとつ或いはそれ以上のものを加え
る。これにより、炭素利用率は改善される。上記誘電加
熱は、マイクロ波周波数放電或いは無線周波数放電の内
のひとつ或いはそれ以上のものとされる。従来の炭素利
用率が極めて低かった（０．０１％）ことから、炭素利
用率の僅かな改善は、燃焼炎技術によるＣＶＤダイヤモ
ンド形成方法における相当の費用節約に繋がる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、燃焼炎(combustion fl
ame)技術を用いてダイヤモンドを製造する化学蒸着（Ｃ
ＶＤ）法に関し、より詳細には、斯かる技術の炭素利用
割合(utilization rate)を改善する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドの種々の特性の内の硬度特
性及び熱的特性に依り、ダイヤモンドは種々の工業要素
として有用である。先ず、天然ダイヤモンドは種々の研
磨用途に用いられてきた。又、ダイヤモンドの合成は、
ダイヤモンドが熱的に安定な炭素相である条件下におい
て触媒／焼結助剤を活用する高圧／高温技術により行な
われ、これにより、更に多くの種類のダイヤモンド製品
が市場で好評を博している。この点、多くの場合に於い
て円筒状乃至環状の炭化タングステン支持体により支持
される多結晶質のダイヤモンド成形体(compact) は、ダ
イヤモンド製品の限界を更に広げてきた。しかし乍ら、
高圧及び高温の要件は、例えば製品の形状を制限するも
のであった。
【０００３】最近、ダイヤモンドが準安定な低圧でダイ
ヤモンド成長を行うという工業的試みが相当に行なわれ
ている。と言うのも、低圧合成技術によりダイヤモンド
製造を行ない得ることは数十年も前から知られていた
が、成長速度が極めて低い等の欠点に依り、商業的には
広く受入れられなかった。ところが、最近では、成長速
度が一層高められて来たことから、この分野に対する工
業的関心が高まったのである。更に、斯かる最近の努力
の成果として、”ダイヤモンド状”炭素及び炭化水素
（ＤＬＣ膜）として知られる、完全に新しい種類の固体
が発見されている。尚、ＣＶＤ方法に関する更なる詳細
は、Angus et al の"Low-Pressure,Metastable Growth
of Diamond and ´Diamondlike´ Phases",Science, vo
l.241, 第９１３頁〜９２１頁、及び、Bachmann et al
の"Diamond Thin Films",Chemical and Engineering Ne
ws, 第２４〜３９頁(May 15,1989) に見ることが出来
る。
【０００４】この分野に於いてダイヤモンドの低圧成長
は”化学蒸着”或いは”ＣＶＤ”と呼称されて来た。文
献において適切とされたのは２つの優れたＣＶＤ技術で
ある。そのひとつは、（典型的にはメタンである）炭化
水素ガスと水素ガスとの希薄混合物を用い、通常的には
炭化水素の含有量を合計体積流の略０．１％〜２．５％
の間で変化せしめる技術であり、上記混合ガスは、高温
タングステンフィラメントの直上に配置された石英管を
介して導入されており、上記タングステンフィラメント
は電気的に約１，７５０℃〜２，４００℃に加熱されて
いる。この高温フィラメントの表面上で上記混合ガスは
解離し、該フィラメントの直下に載置されて加熱された
基体上にダイヤモンドが凝縮する。上記基体は、抵抗加
熱された（モリブデンであることが多い）舟形容器内に
保持されるとともに、約５００℃〜１，１００℃に加熱
される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】もうひとつの技術は、
上記フィラメントにプラズマ放電を印加する技術であ
る。プラズマ放電は核生成密度及び成長速度を増大する
ものであり、又、ダイヤモンドの分離粒子よりも”膜”
の形成を増大せしめるものと考えられている。この領域
で用いられてきたプラズマシステムには、３種類の基本
的システムが在る。第１のものはマイクロ波によるプラ
ズマシステムであり、第２のものは（誘電的に或いは静
電容量的に結合された）ＲＦプラズマシステムであり、
第３のものは直流プラズマシステムである。これらの
内、ＲＦプラズマシステム及びマイクロ波プラズマシス
テムは比較的に複雑で高価な設備を使用しており、斯か
る設備は、電気エネルギを結合してプラズマを発生する
為に複雑なチューニング或いは回路網の整合を要するの
が普通である。更に、両技術のいずれにおいても、ダイ
ヤモンド成長速度は極めて小さいものである。
【０００６】一方、上記の内の第３のものは文献により
評価されておらず、又、酸素の存在下で、炭化水素／水
素の気体状混合物から燃焼炎(combustion flame)を発生
させるものである。この技術の欠点は、炭素の利用率(u
tilization rate)が極めて低い（０．０１％）ことであ
る。但し、この様に利用率が低いことから、炭素利用率
を僅かでも改善すれば（例えば、僅か１％まで高めたと
しても）、燃焼炎式方法の操作費用及び投資費用は２桁
（即ち百倍）も減少されることになり、従って、その様
に燃焼炎式方法が改変されたとすれば、例えば炭素利用
率が約３０％の高温フィラメント式方法とも経済面で競
合し得ることとなる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】広範囲に述べれば、本発
明は、酸素の存在下で炭化水素／水素のガス状混合物を
燃焼炎に供し、該ガス状混合物を少なくとも部分的に分
解してＣＶＤダイヤモンドを形成するというＣＶＤダイ
ヤモンド合成方法を改良する。斯かる合成方法の改良点
としては、上記燃焼炎に、誘電加熱、直流放電、或い
は、交流放電の内のひとつ或いはそれ以上のものを加え
る段階を備えて成る。誘電加熱は、燃焼炎をマイクロ波
（ＭＷ）周波数の放電或いは無線周波数（ＲＦ）放電を
加えることにより達成される。燃焼炎に対し、誘電加熱
或いは直流／交流放電によるプラズマ発生を重畳印加す
ることにより、燃焼炎式方法における炭素利用率は相当
に改善される。上述の如く、燃焼炎技術における炭素の
低利用率に鑑みれば、炭素利用率の僅かな向上が、該技
術によるＣＶＤダイヤモンド生成における相当の費用節
約に繋がる。
【０００８】
【実施例】燃焼炎の炎端にはイオン化されたプラズマが
存在することから、電界は該プラズマと結合して該プラ
ズマにエネルギを供給する。斯かる電界は、マイクロ
波、ＲＦ、或いは、直流電源により発生され得る。斯か
るエネルギ源により燃焼炎工程を補助することにより、
燃焼炎の温度を下げること無く、該燃焼炎の気体供給中
心に更に多くの水素及び炭化水素が付加される。もし１
〜２％だけ多い炭化水素が付加されてダイヤモンドに変
換されるとすれば、燃焼炎工程における炭素の利用率は
量的に数桁の増大を見る。
【０００９】蒸気相によるダイヤモンド合成の為の燃焼
炎技術の代表的なものが、米国特許第４，９３８，９４
０号及び第４，９８１，６７１号（援用する）に示され
ている。当業者が熟知している様に、炭化水素／水素の
気体状混合物は制御された量の酸素の存在下で燃焼炎に
供され、これにより気体状混合物は少なくとも部分的に
解離され、約５００℃〜１１００℃のＣＶＤダイヤモン
ド形成温度に保たれた基体上にダイヤモンドが成長／析
出する。しかし乍ら、上述の如く、その様な燃焼炎工程
における炭素利用率は極めて低い。
【００１０】燃焼炎工程に於ける炭素利用率を増大せし
めるべく、誘電加熱或いは電気的放電補助を行なった。
図１を参照するに、基体１４上にＣＶＤダイヤモンドを
成長／析出させる為に、トーチ(torch) １２から燃焼炎
１０が発生される。マイクロ波発生器１６は、マイクロ
波範囲の周波数を発生するマイクロ波送出器及び適宜な
アンテナから構成される。適切な形状とされた導波管１
７は、習用の手法により、マイクロ波周波数の電磁波を
自信の丈に沿って伝播する。該電磁波は、燃焼炎１０と
交差すると共に該燃焼炎に作用し、炭素利用率を改善せ
しめる。
【００１１】次に図２を参照するに、送出器１８はＲＦ
範囲の電磁波を発生すると共に、導線２２及び２４を介
し、アンテナの役割を果たすコイル２０に接続されてい
る。ここでも、炭素利用率を改善すべく、燃焼炎１０に
ＲＦ周波数の電磁波が重畳印加されている。図３はＲＦ
発生器の代替実施例を示すものであり、送出器１８には
導線２８により環状アンテナ２６が接続され、基体１４
は導線３０により送出器１８に接続されている。
【００１２】最後に、図４Ａ及び図４Ｂは、電気放電に
より補助された燃焼炎の２つの装置構成を夫々示してい
る。図４Ａに関し、電極３２及び３４は、夫々、導線３
６及び３８を介して電源４０に接続されている。図４Ｂ
に於いては、トーチ１２は導線４０を介して電源４０に
接続され、且つ、基体１４は導線４４を介して電源４０
に接続されている。
【００１３】尚、図示された補助技術自体が、これまで
も、ＣＶＤダイヤモンドの成長／析出を行なう為のプラ
ズマを発生する目的で個々に用いられてきたことは理解
されよう。しかし乍ら、これらの技術は、ＣＶＤダイヤ
モンドの析出／成長を行なう上での燃焼炎の炭素利用率
を改善すべく、燃焼炎を増幅或いは補助することを目的
として用いられたことは無かったのである。
【００１４】尚、上記送出器１６或いは１８は、典型的
には２〜２００ＭＨｚの加熱用ＲＦ範囲の周波数発生を
行なう３極式発振器(triode oscillator) 、或いは、典
型的には約３００〜３０，０００ＭＨｚの加熱用マイク
ロ波を発生するマグネトロン(magnetron) 或いはクリス
トロン(klystron)たり得る。約９１５〜２４５０ＭＨｚ
の周波数は、通常、加熱の目的で使用される。直流放電
或いは無線周波数の電磁放射によるプラズマ発生に関す
る更なる情報は、米国特許第４，７４９，５８７号、
４，７６７，６０８号及び４，８３０，７０２号に見る
ことが出来、又、マイクロ波に関しては米国特許第４，
４３４，１８８号に見ることが出来る。一方、米国特許
第４，７４０，２６３号に依れば、ＣＶＤ分解工程の
間、基体は電子により衝撃を加えられ得ることが示され
ている。
【図面の簡単な説明】
【図１】誘電加熱がマイクロ波発生器及び導波器により
行なわれる、燃焼炎による基体上へのＣＶＤダイヤモン
ド生成法の模式的概略図である
【図２】図１と同様だが、無線周波数コイル（アンテ
ナ）により補助された燃焼炎式析出法の模式的概略図で
ある
【図３】図１と同様だが、燃焼炎に対してＲＦ周波数放
電を印加する環状アンテナを示す模式的概略図である
【図４】図４Ａは図１と同様だが、燃焼炎によるＣＶＤ
ダイヤモンド析出を補助する交流放電を行なう装置構成
を示す模式的概略図である 図４Ｂは図１と同様だが、燃焼炎によるＣＶＤダイヤモ
ンド析出を補助する直流放電を行なう装置構成を示す模
式的概略図である
【符号の説明】
１０ 燃焼炎 １２ トーチ １４ 基体 １６ マイクロ波発生器 １７ 導波管 １８ 送出器 ２０ コイル（アンテナ） ２２ 導線 ２４ 導線 ２６ 環状アンテナ ２８ 導線 ３０ 導線 ３２ 電極 ３４ 電極 ３６ 導線 ３８ 導線 ４０ 電源 ４２ 導線 ４４ 導線

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 酸素の存在下において、炭化水素／水素
    の気体状混合物を燃焼炎に供することにより上記気体状
    混合物を少なくとも部分的に分解してＣＶＤダイヤモン
    ドを形成せしめる、ダイヤモンド合成の為の化学蒸着
    （ＣＶＤ）方法において、 上記燃焼炎に、誘電加熱、直流放電、或いは、交流放電
    の内のひとつ或いはそれ以上のものを加える段階から成
    る改良。
  2. 【請求項２】 前記誘電加熱は、マイクロ波周波数放電
    或いは無線周波数放電の内のひとつ或いはそれ以上のも
    のである、請求項１のＣＶＤ方法。
  3. 【請求項３】 前記誘電加熱はマイクロ波周波数放電に
    依るものである、請求項２のＣＶＤ方法。
  4. 【請求項４】 前記マイクロ波周波数放電は導波管によ
    り伝達される、請求項３のＣＶＤ方法。
  5. 【請求項５】 前記誘電加熱は無線周波数放電に依るも
    のである、請求項２のＣＶＤ方法。
  6. 【請求項６】 前記ＣＶＤダイヤモンドは、ＣＶＤダイ
    ヤモンド形成温度に保たれた基体上に形成される、請求
    項１のＣＶＤ方法。
JP4282115A 1991-10-25 1992-10-21 マイクロ波或いは交流／直流放電により補助された燃焼炎式ｃｖｄダイヤモンド析出方法 Withdrawn JPH05214533A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US78268191A 1991-10-25 1991-10-25
US782681 1991-10-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05214533A true JPH05214533A (ja) 1993-08-24

Family

ID=25126846

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4282115A Withdrawn JPH05214533A (ja) 1991-10-25 1992-10-21 マイクロ波或いは交流／直流放電により補助された燃焼炎式ｃｖｄダイヤモンド析出方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5464665A (ja)
EP (1) EP0539050B1 (ja)
JP (1) JPH05214533A (ja)
KR (1) KR930007805A (ja)
AT (1) ATE127535T1 (ja)
CA (1) CA2077773A1 (ja)
DE (1) DE69204618T2 (ja)
ZA (1) ZA927791B (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6413589B1 (en) 1988-11-29 2002-07-02 Chou H. Li Ceramic coating method
JPH0827576A (ja) * 1994-07-18 1996-01-30 Canon Inc ダイヤモンド膜の形成方法
US5542961A (en) * 1995-03-28 1996-08-06 Norton Company Dielectric curing
US6286206B1 (en) 1997-02-25 2001-09-11 Chou H. Li Heat-resistant electronic systems and circuit boards
US5937514A (en) 1997-02-25 1999-08-17 Li; Chou H. Method of making a heat-resistant system
US6676492B2 (en) 1998-12-15 2004-01-13 Chou H. Li Chemical mechanical polishing
US6458017B1 (en) 1998-12-15 2002-10-01 Chou H. Li Planarizing method
US6976904B2 (en) * 1998-07-09 2005-12-20 Li Family Holdings, Ltd. Chemical mechanical polishing slurry
US6344149B1 (en) 1998-11-10 2002-02-05 Kennametal Pc Inc. Polycrystalline diamond member and method of making the same
US6503366B2 (en) * 2000-12-07 2003-01-07 Axcelis Technologies, Inc. Chemical plasma cathode
KR100583500B1 (ko) * 2003-11-14 2006-05-24 한국가스공사 마이크로웨이브 플라즈마 반응기를 이용한 카본블랙 및수소의 제조공정
US20140295094A1 (en) * 2013-03-26 2014-10-02 Clearsign Combustion Corporation Combustion deposition systems and methods of use
GB201912659D0 (en) 2019-09-03 2019-10-16 Univ Bristol Chemical vapor deposition process for producing diamond

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3677799A (en) * 1970-11-10 1972-07-18 Celanese Corp Vapor phase boron deposition by pulse discharge
GB1592063A (en) * 1978-05-08 1981-07-01 Chloride Silent Power Ltd Sodium sulphur cells
US4434188A (en) * 1981-12-17 1984-02-28 National Institute For Researches In Inorganic Materials Method for synthesizing diamond
DE3574997D1 (de) * 1984-03-03 1990-02-01 Stc Plc Pulsierendes plasmaverfahren.
JPS60221395A (ja) * 1984-04-19 1985-11-06 Yoshio Imai ダイヤモンド薄膜の製造方法
CH664768A5 (de) * 1985-06-20 1988-03-31 Balzers Hochvakuum Verfahren zur beschichtung von substraten in einer vakuumkammer.
US4673589A (en) * 1986-02-18 1987-06-16 Amoco Corporation Photoconducting amorphous carbon
US4859490A (en) * 1986-07-23 1989-08-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for synthesizing diamond
JPS63107898A (ja) * 1986-10-23 1988-05-12 Natl Inst For Res In Inorg Mater プラズマを用いるダイヤモンドの合成法
ZA877921B (en) * 1986-12-22 1988-04-21 General Electric Company Condensate diamond
US5015528A (en) * 1987-03-30 1991-05-14 Crystallume Fluidized bed diamond particle growth
US4985227A (en) * 1987-04-22 1991-01-15 Indemitsu Petrochemical Co., Ltd. Method for synthesis or diamond
US4830702A (en) * 1987-07-02 1989-05-16 General Electric Company Hollow cathode plasma assisted apparatus and method of diamond synthesis
JP2597497B2 (ja) * 1988-01-14 1997-04-09 洋一 広瀬 気相法ダイヤモンドの合成法
JPH0668152B2 (ja) * 1988-01-27 1994-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜形成装置
US5087434A (en) * 1989-04-21 1992-02-11 The Pennsylvania Research Corporation Synthesis of diamond powders in the gas phase
US5215788A (en) * 1990-07-06 1993-06-01 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Combustion flame method for forming diamond films
EP0491521B1 (en) * 1990-12-15 1997-03-12 Fujitsu Limited Process for producing diamond film

Also Published As

Publication number Publication date
KR930007805A (ko) 1993-05-20
US5464665A (en) 1995-11-07
EP0539050A1 (en) 1993-04-28
CA2077773A1 (en) 1993-04-26
EP0539050B1 (en) 1995-09-06
ZA927791B (en) 1993-07-19
DE69204618D1 (de) 1995-10-12
DE69204618T2 (de) 1996-03-21
ATE127535T1 (de) 1995-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Mitsuda et al. Development of a new microwave plasma torch and its application to diamond synthesis
JPH05214533A (ja) マイクロ波或いは交流／直流放電により補助された燃焼炎式ｃｖｄダイヤモンド析出方法
JPS63107898A (ja) プラズマを用いるダイヤモンドの合成法
JPH0478592B2 (ja)
JPH0672306B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US20210002759A1 (en) Diamond-like carbon synthesized by atmospheric plasma
US5720808A (en) Method for forming diamond film
JPH04958B2 (ja)
JP7749173B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
JPH11228290A (ja) マイクロ波を利用したダイヤモンド成長装置
JPH08337497A (ja) ダイヤモンド薄膜の気相合成法
JPH0420984B2 (ja)
JPS60122794A (ja) ダイヤモンドの低圧気相合成法
JP3161788B2 (ja) ダイヤモンド膜合成装置
JPS63265890A (ja) ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法
JPS6265997A (ja) ダイヤモンド合成方法およびその装置
JPS6395200A (ja) 硬質窒化ホウ素膜の製造方法
JP2617539B2 (ja) 立方晶窒化ほう素膜の製造装置
JP5176051B2 (ja) プラズマ発生装置およびダイヤモンド生成方法
JP2805506B2 (ja) マイクロ波プラズマｃｖｄ法によるダイヤモンド膜合成装置
JP2719929B2 (ja) マイクロ波プラズマｃｖｄ法によるダイヤモンド膜合成装置
JPH0449518B2 (ja)
JPH10259482A (ja) 硬質炭素被膜の形成方法
WO2025009325A1 (ja) ダイヤモンド薄膜の製造方法及びダイヤモンド薄膜製造装置
JPH0940493A (ja) ダイヤモンドの合成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20000104