JPH10259482A - 硬質炭素被膜の形成方法 - Google Patents
硬質炭素被膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH10259482A JPH10259482A JP9066125A JP6612597A JPH10259482A JP H10259482 A JPH10259482 A JP H10259482A JP 9066125 A JP9066125 A JP 9066125A JP 6612597 A JP6612597 A JP 6612597A JP H10259482 A JPH10259482 A JP H10259482A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- hard carbon
- forming
- plasma
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 66
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 50
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 28
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 22
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 3
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 98
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 83
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 45
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 45
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 10
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 7
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 硬質炭素被膜中の結晶成分及び非晶質成分の
割合を制御することができ、膜硬度及び表面平滑性など
の膜特性を制御することができる硬質炭素被膜の形成方
法を得る。 【解決手段】 原料ガス導入管９から導入された原料ガ
スをフィラメント１４により熱分解する膜形成方法と、
該原料ガスをプラズマ発生室４から放射されるプラズマ
により分解する膜形成方法とを併用することにより、基
板１３上に硬質炭素被膜を形成することを特徴としてい
る。
割合を制御することができ、膜硬度及び表面平滑性など
の膜特性を制御することができる硬質炭素被膜の形成方
法を得る。 【解決手段】 原料ガス導入管９から導入された原料ガ
スをフィラメント１４により熱分解する膜形成方法と、
該原料ガスをプラズマ発生室４から放射されるプラズマ
により分解する膜形成方法とを併用することにより、基
板１３上に硬質炭素被膜を形成することを特徴としてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイヤモンド薄膜
やダイヤモンド状薄膜などの硬質炭素被膜を形成する方
法に関するものである。
やダイヤモンド状薄膜などの硬質炭素被膜を形成する方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンド薄膜と呼ばれる結晶性の硬
質炭素被膜は、メタンなどの原料ガスをフィラメントな
どで熱分解することにより形成されている。この場合の
基板温度は１０００℃近くまで上昇するため、使用でき
る基板材料が限定される。また、ダイヤモンド薄膜は、
その表面の凹凸が大きく、例えば表面波弾性素子などに
用いる場合、表面を平滑にするため、ダイヤモンド薄膜
形成後に表面を研磨する必要のある場合がある。
質炭素被膜は、メタンなどの原料ガスをフィラメントな
どで熱分解することにより形成されている。この場合の
基板温度は１０００℃近くまで上昇するため、使用でき
る基板材料が限定される。また、ダイヤモンド薄膜は、
その表面の凹凸が大きく、例えば表面波弾性素子などに
用いる場合、表面を平滑にするため、ダイヤモンド薄膜
形成後に表面を研磨する必要のある場合がある。
【０００３】また、硬質炭素被膜として、非晶質成分を
主とするダイヤモンド状薄膜が知られており、このよう
なダイヤモンド状薄膜は、一般にプラズマＣＶＤ法によ
り形成され、室温程度の低い基板温度で形成することが
できる。その表面は、ダイヤモンド薄膜に比べ平滑性を
有しているが、硬度はダイヤモンド薄膜に比べ一般に劣
っている。
主とするダイヤモンド状薄膜が知られており、このよう
なダイヤモンド状薄膜は、一般にプラズマＣＶＤ法によ
り形成され、室温程度の低い基板温度で形成することが
できる。その表面は、ダイヤモンド薄膜に比べ平滑性を
有しているが、硬度はダイヤモンド薄膜に比べ一般に劣
っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、ダイヤモンド
薄膜の形成方法に関しては、低温で形成できかつ表面に
凹凸の少ないダイヤモンド薄膜の形成方法が従来より望
まれている。また、ダイヤモンド状薄膜の形成方法に関
しては、より高い硬度を有するダイヤモンド状薄膜を形
成できる方法が従来より望まれている。ダイヤモンド薄
膜とダイヤモンド状薄膜のこれらの特性をある程度自由
に制御することができれば、これらの要望を満たすこと
ができる硬質炭素被膜を形成することが可能であるが、
従来そのような方法は知られていない。
薄膜の形成方法に関しては、低温で形成できかつ表面に
凹凸の少ないダイヤモンド薄膜の形成方法が従来より望
まれている。また、ダイヤモンド状薄膜の形成方法に関
しては、より高い硬度を有するダイヤモンド状薄膜を形
成できる方法が従来より望まれている。ダイヤモンド薄
膜とダイヤモンド状薄膜のこれらの特性をある程度自由
に制御することができれば、これらの要望を満たすこと
ができる硬質炭素被膜を形成することが可能であるが、
従来そのような方法は知られていない。
【０００５】本発明の目的は、硬質炭素被膜中の結晶成
分及び非晶質成分の割合を制御することができ、膜硬度
及び表面平滑性などの膜特性を制御することができる硬
質炭素被膜の形成方法を提供することにある。
分及び非晶質成分の割合を制御することができ、膜硬度
及び表面平滑性などの膜特性を制御することができる硬
質炭素被膜の形成方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、原料ガスを分
解することにより硬質炭素被膜を形成する方法であり、
原料ガスを熱により分解する膜形成方法と、原料ガスを
プラズマにより分解する膜形成方法とを併用することに
より、形成する硬質炭素被膜の膜特性を制御することを
特徴としている。
解することにより硬質炭素被膜を形成する方法であり、
原料ガスを熱により分解する膜形成方法と、原料ガスを
プラズマにより分解する膜形成方法とを併用することに
より、形成する硬質炭素被膜の膜特性を制御することを
特徴としている。
【０００７】本発明によれば、ダイヤモンド薄膜などの
結晶性の高い硬質炭素被膜を形成しやすい熱分解による
膜形成と、ダイヤモンド状薄膜のように非晶質成分の多
い硬質炭素被膜を形成しやすいプラズマ分解による膜形
成とを組み合わせることにより、硬質炭素被膜中の結晶
成分及び非晶質成分の割合を制御し、膜硬度及び表面平
滑性などの膜特性を制御することができる。
結晶性の高い硬質炭素被膜を形成しやすい熱分解による
膜形成と、ダイヤモンド状薄膜のように非晶質成分の多
い硬質炭素被膜を形成しやすいプラズマ分解による膜形
成とを組み合わせることにより、硬質炭素被膜中の結晶
成分及び非晶質成分の割合を制御し、膜硬度及び表面平
滑性などの膜特性を制御することができる。
【０００８】熱分解による硬質炭素被膜の膜形成方法と
しては、硬質炭素被膜を形成する基板の上方にフィラメ
ントを配置し、該フィラメントを加熱して原料ガスを熱
分解する膜形成方法が挙げられる。
しては、硬質炭素被膜を形成する基板の上方にフィラメ
ントを配置し、該フィラメントを加熱して原料ガスを熱
分解する膜形成方法が挙げられる。
【０００９】プラズマ分解による硬質炭素被膜の膜形成
方法としては、一般的なプラズマＣＶＤ法による膜形成
方法が挙げられ、高周波（ＲＦ）プラズマＣＶＤ法、Ｄ
ＣプラズマＣＶＤ法などがあり、さらには電子サイクロ
トロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマＣＶＤ法が挙げられる。
大面積の硬質炭素被膜を形成するには、このＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ法が好ましい。
方法としては、一般的なプラズマＣＶＤ法による膜形成
方法が挙げられ、高周波（ＲＦ）プラズマＣＶＤ法、Ｄ
ＣプラズマＣＶＤ法などがあり、さらには電子サイクロ
トロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマＣＶＤ法が挙げられる。
大面積の硬質炭素被膜を形成するには、このＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ法が好ましい。
【００１０】本発明に従う一実施形態においては、熱分
解による膜形成後に、プラズマ分解による膜形成が行わ
れる。上述のように、熱分解による膜形成では、比較的
結晶性の高い硬質炭素被膜が形成されるので、その上に
プラズマ分解による膜形成を行うと、比較的結晶性の高
い、あるいは膜硬度の高い硬質炭素被膜を形成すること
ができる。
解による膜形成後に、プラズマ分解による膜形成が行わ
れる。上述のように、熱分解による膜形成では、比較的
結晶性の高い硬質炭素被膜が形成されるので、その上に
プラズマ分解による膜形成を行うと、比較的結晶性の高
い、あるいは膜硬度の高い硬質炭素被膜を形成すること
ができる。
【００１１】本発明に従う他の実施形態においては、熱
分解による膜形成とプラズマ分解による膜形成を同時に
行う。このように熱分解による膜形成をプラズマ分解に
よる膜形成と同時に行うことにより、プラズマ分解によ
る膜形成のみを行う場合に比べ、結晶性の高い、あるい
は膜硬度の高い硬質炭素被膜を形成することができる。
分解による膜形成とプラズマ分解による膜形成を同時に
行う。このように熱分解による膜形成をプラズマ分解に
よる膜形成と同時に行うことにより、プラズマ分解によ
る膜形成のみを行う場合に比べ、結晶性の高い、あるい
は膜硬度の高い硬質炭素被膜を形成することができる。
【００１２】本発明に従い形成される硬質炭素被膜が、
結晶質のダイヤモンド薄膜であるか、非晶質のダイヤモ
ンド状薄膜であるかは、熱分解による膜形成の条件及び
プラズマ分解による膜形成の条件により異なる。従っ
て、これらの形成条件を制御することにより、形成され
る硬質炭素被膜の膜特性を制御することができる。
結晶質のダイヤモンド薄膜であるか、非晶質のダイヤモ
ンド状薄膜であるかは、熱分解による膜形成の条件及び
プラズマ分解による膜形成の条件により異なる。従っ
て、これらの形成条件を制御することにより、形成され
る硬質炭素被膜の膜特性を制御することができる。
【００１３】また、形成された硬質炭素被膜が、結晶質
のダイヤモンド薄膜であるか、非晶質のダイヤモンド状
薄膜であるかについては、後述するように、例えばラマ
ン分光法により測定することができる。
のダイヤモンド薄膜であるか、非晶質のダイヤモンド状
薄膜であるかについては、後述するように、例えばラマ
ン分光法により測定することができる。
【００１４】本発明に従う限定された局面においては、
少なくとも第１の工程及び第２の工程の２段の工程を含
み、第１の工程が原料ガスを熱により分解する膜形成方
法を含む方法により硬質炭素被膜を形成する工程であ
り、第２の工程が、第１の工程後、原料ガスをプラズマ
により分解する膜形成方法を含む方法により硬質炭素被
膜を形成する工程である。
少なくとも第１の工程及び第２の工程の２段の工程を含
み、第１の工程が原料ガスを熱により分解する膜形成方
法を含む方法により硬質炭素被膜を形成する工程であ
り、第２の工程が、第１の工程後、原料ガスをプラズマ
により分解する膜形成方法を含む方法により硬質炭素被
膜を形成する工程である。
【００１５】第１の工程では、熱分解による膜形成方法
を含む方法により硬質炭素被膜が形成される。従って、
第１の工程では、熱分解による膜形成方法のみにより硬
質炭素被膜を形成してもよいし、熱分解による膜形成法
とプラズマ分解による膜形成等の他の膜形成法とを同時
に行う方法により硬質炭素被膜を形成してもよい。
を含む方法により硬質炭素被膜が形成される。従って、
第１の工程では、熱分解による膜形成方法のみにより硬
質炭素被膜を形成してもよいし、熱分解による膜形成法
とプラズマ分解による膜形成等の他の膜形成法とを同時
に行う方法により硬質炭素被膜を形成してもよい。
【００１６】第２の工程では、プラズマ分解による膜形
成方法を含む方法により硬質炭素被膜が形成される。従
って、第２の工程では、プラズマ分解による膜形成方法
のみにより硬質炭素被膜を形成してもよいし、プラズマ
分解による膜形成法と熱分解による膜形成等の他の膜形
成法とを同時に行い硬質炭素被膜を形成してもよい。
成方法を含む方法により硬質炭素被膜が形成される。従
って、第２の工程では、プラズマ分解による膜形成方法
のみにより硬質炭素被膜を形成してもよいし、プラズマ
分解による膜形成法と熱分解による膜形成等の他の膜形
成法とを同時に行い硬質炭素被膜を形成してもよい。
【００１７】第１の工程では、熱分解による膜形成法を
含む方法により硬質炭素被膜が形成されるので、比較的
結晶性の高い硬質炭素被膜を形成することができる。第
２の工程では、このような第１の工程より形成された結
晶性の高い硬質炭素被膜の上に、プラズマ分解による被
膜形成が行われるが、この際下地の良好な結晶性の影響
を受けて被膜が形成される。従って、膜全体としては、
比較的結晶性の高い、あるいは膜硬度の高い硬質炭素被
膜を形成することができる。また、プラズマ分解による
膜形成を含む方法で形成されるので、非晶質成分が含ま
れ、ダイヤモンド状薄膜のように、表面の平滑な硬質炭
素被膜とすることができる。
含む方法により硬質炭素被膜が形成されるので、比較的
結晶性の高い硬質炭素被膜を形成することができる。第
２の工程では、このような第１の工程より形成された結
晶性の高い硬質炭素被膜の上に、プラズマ分解による被
膜形成が行われるが、この際下地の良好な結晶性の影響
を受けて被膜が形成される。従って、膜全体としては、
比較的結晶性の高い、あるいは膜硬度の高い硬質炭素被
膜を形成することができる。また、プラズマ分解による
膜形成を含む方法で形成されるので、非晶質成分が含ま
れ、ダイヤモンド状薄膜のように、表面の平滑な硬質炭
素被膜とすることができる。
【００１８】従って、本局面によれば、結晶性のダイヤ
モンド薄膜を形成する場合、低温でダイヤモンド薄膜を
形成することができ、かつ表面平滑性に優れたダイヤモ
ンド薄膜を形成することができる。また、ダイヤモンド
状薄膜を形成する場合には、硬度の高いダイヤモンド状
薄膜を形成することができる。
モンド薄膜を形成する場合、低温でダイヤモンド薄膜を
形成することができ、かつ表面平滑性に優れたダイヤモ
ンド薄膜を形成することができる。また、ダイヤモンド
状薄膜を形成する場合には、硬度の高いダイヤモンド状
薄膜を形成することができる。
【００１９】本発明においては、原料ガス以外に水素ガ
スを導入して硬質炭素被膜の膜特性を制御することがで
きる。水素ガスの導入により、グラファイト成分を除去
することができ、選択的にダイヤモンド薄膜を形成する
ことができる。従って、水素ガスを導入することによ
り、結晶性が高く、より硬度の高いダイヤモンド薄膜を
形成することができる。
スを導入して硬質炭素被膜の膜特性を制御することがで
きる。水素ガスの導入により、グラファイト成分を除去
することができ、選択的にダイヤモンド薄膜を形成する
ことができる。従って、水素ガスを導入することによ
り、結晶性が高く、より硬度の高いダイヤモンド薄膜を
形成することができる。
【００２０】また、本発明においては、中間層を形成
し、該中間層の上に硬質炭素被膜を形成することができ
る。このような中間層を介して形成することにより、接
着性及び密着性などの特性を改善することができる。中
間層は、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅの単体または
これらの酸化物もしくは窒化物などから形成することが
できる。中間層の膜厚は特に限定されるものではない
が、一般に２０Å〜１０００Å程度の厚みが好ましい。
し、該中間層の上に硬質炭素被膜を形成することができ
る。このような中間層を介して形成することにより、接
着性及び密着性などの特性を改善することができる。中
間層は、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅの単体または
これらの酸化物もしくは窒化物などから形成することが
できる。中間層の膜厚は特に限定されるものではない
が、一般に２０Å〜１０００Å程度の厚みが好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に従う硬質炭素被
膜形成のための装置の一例を示す概略断面図である。図
１を参照して、真空チャンバ８には、プラズマ発生室４
が設けられている。プラズマ発生室４には、導波管２の
一端が取り付けられており、導波管２の他端には、マイ
クロ波供給手段１が設けられている。マイクロ波供給手
段１で発生したマイクロ波は、導波管２及びマイクロ波
導入窓３を通って、プラズマ発生室４に導かれる。プラ
ズマ発生室４には、プラズマ発生室４内にアルゴン（Ａ
ｒ）ガスなどの放電ガスを導入させるための放電ガス導
入管５が設けられている。また、プラズマ発生室４の周
囲には、プラズマ磁界発生装置６が設けられている。マ
イクロ波による高周波磁界と、プラズマ磁界発生装置６
からの磁界を作用させることにより、プラズマ発生室４
内に高密度のプラズマが形成される。真空チャンバ８内
には、基板ホルダー７が設けられている。この基板ホル
ダー７には、高周波電源１０が接続されており、膜形成
時に、基板にバイアス電圧を印加することができる。
膜形成のための装置の一例を示す概略断面図である。図
１を参照して、真空チャンバ８には、プラズマ発生室４
が設けられている。プラズマ発生室４には、導波管２の
一端が取り付けられており、導波管２の他端には、マイ
クロ波供給手段１が設けられている。マイクロ波供給手
段１で発生したマイクロ波は、導波管２及びマイクロ波
導入窓３を通って、プラズマ発生室４に導かれる。プラ
ズマ発生室４には、プラズマ発生室４内にアルゴン（Ａ
ｒ）ガスなどの放電ガスを導入させるための放電ガス導
入管５が設けられている。また、プラズマ発生室４の周
囲には、プラズマ磁界発生装置６が設けられている。マ
イクロ波による高周波磁界と、プラズマ磁界発生装置６
からの磁界を作用させることにより、プラズマ発生室４
内に高密度のプラズマが形成される。真空チャンバ８内
には、基板ホルダー７が設けられている。この基板ホル
ダー７には、高周波電源１０が接続されており、膜形成
時に、基板にバイアス電圧を印加することができる。
【００２２】基板ホルダー７の上は、基板１３が保持さ
れている。基板ホルダー７の上方には、硬質炭素被膜を
形成するための原料ガスを真空チャンバ８内に導入する
ための原料ガス導入管９が設けられている。また基板７
の上方には、原料ガス導入管９から導入された原料ガス
を熱分解するためのフィラメント１４が設けられてい
る。
れている。基板ホルダー７の上方には、硬質炭素被膜を
形成するための原料ガスを真空チャンバ８内に導入する
ための原料ガス導入管９が設けられている。また基板７
の上方には、原料ガス導入管９から導入された原料ガス
を熱分解するためのフィラメント１４が設けられてい
る。
【００２３】基板ホルダー７の下方には、ターゲット１
１が設けられいる。このターゲット１１は、中間層を形
成するためのターゲットであり、本実施例ではＳｉター
ゲットが用いられている。このターゲット１１には、高
周波電源１２が接続されており、基板ホルダー７との間
でＡｒプラズマを発生することができるようにされてい
る。
１が設けられいる。このターゲット１１は、中間層を形
成するためのターゲットであり、本実施例ではＳｉター
ゲットが用いられている。このターゲット１１には、高
周波電源１２が接続されており、基板ホルダー７との間
でＡｒプラズマを発生することができるようにされてい
る。
【００２４】以下、図１に示す装置を用いて硬質炭素被
膜を形成する実施例について説明する。実施例１ 基板１３としては、石英ガラスからなる基板を用いた。
まず、基板１３上に、中間層としてのＳｉを形成する。
図２に示すように、基板ホルダー７を回転させ、基板１
３が下方のターゲット１１と対向するように配置する。
この状態で真空チャンバ８内を１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒ
に排気する。次に、原料ガス導入管９からＡｒガスを
５．７×１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給する。ターゲ
ット１１に高周波電源１２からのＲＦ電圧を印加し、タ
ーゲット１１と基板ホルダー７との間にＡｒプラズマを
発生させる。このプラズマ中のイオンによりターゲット
１１をスパッタリングし、Ｓｉからなる中間層（膜厚３
００Å）を形成する。
膜を形成する実施例について説明する。実施例１ 基板１３としては、石英ガラスからなる基板を用いた。
まず、基板１３上に、中間層としてのＳｉを形成する。
図２に示すように、基板ホルダー７を回転させ、基板１
３が下方のターゲット１１と対向するように配置する。
この状態で真空チャンバ８内を１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒ
に排気する。次に、原料ガス導入管９からＡｒガスを
５．７×１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給する。ターゲ
ット１１に高周波電源１２からのＲＦ電圧を印加し、タ
ーゲット１１と基板ホルダー７との間にＡｒプラズマを
発生させる。このプラズマ中のイオンによりターゲット
１１をスパッタリングし、Ｓｉからなる中間層（膜厚３
００Å）を形成する。
【００２５】次に、基板ホルダー７を回転させて、再び
図１に示す状態に戻す。この状態で原料ガス導入管９か
らＣＨ4 ガス（メタンガス）を５．０×１０-4Ｔｏｒｒ
となるように供給し、Ｈ2 ガス（水素ガス）を２．０×
１０-3Ｔｏｒｒとなるように供給する。フィラメント１
４には、１３Ｖの電圧を印加し、フィラメントの温度が
約２０００℃となるように加熱する。フィラメント１４
による熱分解により、ＣＨ4 ガスを熱分解し、基板１３
上にダイヤモンド薄膜を形成する。約５分間ダイヤモン
ド薄膜を形成させ、約５００Åの膜厚のダイヤモンド薄
膜を基板１３上に形成した。なお、基板温度は４００℃
まで上昇した。
図１に示す状態に戻す。この状態で原料ガス導入管９か
らＣＨ4 ガス（メタンガス）を５．０×１０-4Ｔｏｒｒ
となるように供給し、Ｈ2 ガス（水素ガス）を２．０×
１０-3Ｔｏｒｒとなるように供給する。フィラメント１
４には、１３Ｖの電圧を印加し、フィラメントの温度が
約２０００℃となるように加熱する。フィラメント１４
による熱分解により、ＣＨ4 ガスを熱分解し、基板１３
上にダイヤモンド薄膜を形成する。約５分間ダイヤモン
ド薄膜を形成させ、約５００Åの膜厚のダイヤモンド薄
膜を基板１３上に形成した。なお、基板温度は４００℃
まで上昇した。
【００２６】次に、フィラメントへの印加電圧を低減さ
せ、フィラメント温度を２０００℃から１０００℃とす
る。マイクロ波供給手段１から２．４５ＧＨｚ、１００
Ｗのマイクロ波を供給し、放電ガス導入管５からＡｒガ
スを５．７×１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給して、プ
ラズマ発生室４内にＡｒプラズマを発生させる。このＡ
ｒプラズマを基板１３上に放射する。これと同時に、基
板に発生する自己バイアスが−５０Ｖとなるように、高
周波電源１０から１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧を基板ホ
ルダー７に印加し、原料ガス導入管９からＣＨ4 ガスを
１．３×１０-3Ｔｏｒｒ、Ｈ2 ガスを２．０×１０-2Ｔ
ｏｒｒとなるように供給する。ＣＨ4 ガスは基板１３上
に放射されたＡｒプラズマにより分解し、基板１３上に
はダイヤモンド薄膜が形成される。このようにして、ダ
イヤモンド薄膜を約２０００Å堆積させ、合計約２５０
０Åのダイヤモンド薄膜を基板１３上に形成した。な
お、この時の基板温度は、２５０〜３００℃であった。
せ、フィラメント温度を２０００℃から１０００℃とす
る。マイクロ波供給手段１から２．４５ＧＨｚ、１００
Ｗのマイクロ波を供給し、放電ガス導入管５からＡｒガ
スを５．７×１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給して、プ
ラズマ発生室４内にＡｒプラズマを発生させる。このＡ
ｒプラズマを基板１３上に放射する。これと同時に、基
板に発生する自己バイアスが−５０Ｖとなるように、高
周波電源１０から１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧を基板ホ
ルダー７に印加し、原料ガス導入管９からＣＨ4 ガスを
１．３×１０-3Ｔｏｒｒ、Ｈ2 ガスを２．０×１０-2Ｔ
ｏｒｒとなるように供給する。ＣＨ4 ガスは基板１３上
に放射されたＡｒプラズマにより分解し、基板１３上に
はダイヤモンド薄膜が形成される。このようにして、ダ
イヤモンド薄膜を約２０００Å堆積させ、合計約２５０
０Åのダイヤモンド薄膜を基板１３上に形成した。な
お、この時の基板温度は、２５０〜３００℃であった。
【００２７】基板１３上に形成したダイヤモンド薄膜に
ついて、ラマン分光により分析した結果、１３３０ｃｍ
-1に鋭いピークが認められ、典型的なダイヤモンド薄膜
であることが確認された。また、このダイヤモンド薄膜
について硬度及び表面粗さ（Ｒｍａｘ）を測定し、測定
結果を表１に示した。なお、表面粗さは、接触式の表面
形状測定器により測定した。
ついて、ラマン分光により分析した結果、１３３０ｃｍ
-1に鋭いピークが認められ、典型的なダイヤモンド薄膜
であることが確認された。また、このダイヤモンド薄膜
について硬度及び表面粗さ（Ｒｍａｘ）を測定し、測定
結果を表１に示した。なお、表面粗さは、接触式の表面
形状測定器により測定した。
【００２８】実施例２ Ｈ2 ガスの圧力を、実施例１の半分の圧力とする以外
は、上記実施例１と同様にして薄膜を形成した。得られ
た薄膜についてラマン分光スペクトルにより分析した結
果、非晶質成分の量がかなり増加しており、多結晶のダ
イヤモンド薄膜から、非晶質成分を有する薄膜へと構造
変化していることが確認された。なお、得られた薄膜の
硬度及び表面粗さを表１に示す。
は、上記実施例１と同様にして薄膜を形成した。得られ
た薄膜についてラマン分光スペクトルにより分析した結
果、非晶質成分の量がかなり増加しており、多結晶のダ
イヤモンド薄膜から、非晶質成分を有する薄膜へと構造
変化していることが確認された。なお、得られた薄膜の
硬度及び表面粗さを表１に示す。
【００２９】比較例１ 実施例１におけるフィラメントによる熱分解のダイヤモ
ンド薄膜の形成を約２５分間行い、基板１３上にダイヤ
モンド薄膜を約２５００Å形成した。なお、基板温度は
約１０００℃に達した。得られた薄膜は、ラマン分光ス
ペクトルにより、ダイヤモンド薄膜であることが確認さ
れた。得られたダイヤモンド薄膜の硬度及び表面粗さを
表１に示す。
ンド薄膜の形成を約２５分間行い、基板１３上にダイヤ
モンド薄膜を約２５００Å形成した。なお、基板温度は
約１０００℃に達した。得られた薄膜は、ラマン分光ス
ペクトルにより、ダイヤモンド薄膜であることが確認さ
れた。得られたダイヤモンド薄膜の硬度及び表面粗さを
表１に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１から明らかなように、本発明に従い、
熱分解による膜形成後、熱分解による膜形成とＥＣＲプ
ラズマ分解による膜形成とを併用してダイヤモンド薄膜
を形成することにより、硬度が高く、かつ表面が平滑な
ダイヤモンド薄膜を形成できることがわかる。また、上
述のように比較例１では基板温度が１０００℃に達した
が、実施例１では、最高基板温度４００℃であり、低温
でダイヤモンド薄膜を形成できることがわかる。
熱分解による膜形成後、熱分解による膜形成とＥＣＲプ
ラズマ分解による膜形成とを併用してダイヤモンド薄膜
を形成することにより、硬度が高く、かつ表面が平滑な
ダイヤモンド薄膜を形成できることがわかる。また、上
述のように比較例１では基板温度が１０００℃に達した
が、実施例１では、最高基板温度４００℃であり、低温
でダイヤモンド薄膜を形成できることがわかる。
【００３２】また、実施例１と実施例２の比較から、水
素ガスの量を調整することにより得られる硬質炭素被膜
の非晶質成分を制御できることがわかる。すなわち、水
素ガスの量を多くすることにより結晶成分を多くするこ
とができ、水素ガスを少なくすることにより非晶質成分
を多くすることができる。
素ガスの量を調整することにより得られる硬質炭素被膜
の非晶質成分を制御できることがわかる。すなわち、水
素ガスの量を多くすることにより結晶成分を多くするこ
とができ、水素ガスを少なくすることにより非晶質成分
を多くすることができる。
【００３３】実施例３ 実施例１において、フィラメントの熱分解によるダイヤ
モンド薄膜の形成後、ＥＣＲプラズマによる分解のみで
薄膜を形成した。薄膜形成条件としては、基板ホルダー
７内のヒーターにより、基板温度を約４００℃に加熱
し、フィラメント１４に電圧を印加せず、フィラメント
１４を加熱しないこと以外は、実施例１と同様にして形
成した。得られた薄膜について、ラマン分光スペクトル
による分析を行った結果、１３３０ｃｍ-1に鋭いピーク
を有しており、形成された硬質炭素被膜は、ダイヤモン
ド薄膜であることが確認された。得られたダイヤモンド
薄膜の硬度は４５００Ｈｖであり、表面粗さは０．０１
μｍであった。
モンド薄膜の形成後、ＥＣＲプラズマによる分解のみで
薄膜を形成した。薄膜形成条件としては、基板ホルダー
７内のヒーターにより、基板温度を約４００℃に加熱
し、フィラメント１４に電圧を印加せず、フィラメント
１４を加熱しないこと以外は、実施例１と同様にして形
成した。得られた薄膜について、ラマン分光スペクトル
による分析を行った結果、１３３０ｃｍ-1に鋭いピーク
を有しており、形成された硬質炭素被膜は、ダイヤモン
ド薄膜であることが確認された。得られたダイヤモンド
薄膜の硬度は４５００Ｈｖであり、表面粗さは０．０１
μｍであった。
【００３４】実施例４ 実施例３において、ＥＣＲプラズマによる薄膜形成の際
の基板温度を室温、すなわち基板を加熱しないこと以
外、実施例３と同様にして薄膜を形成した。得られた薄
膜についてラマン分光スペクトルによる分析を行ったと
ころ、１５３０ｃｍ-1にメインピークを有し、１４００
ｃｍ-1にショルダーピークを有しており、典型的なダイ
ヤモンド状薄膜であることが確認された。得られたダイ
ヤモンド状薄膜の硬度及び表面粗さを表２に示す。
の基板温度を室温、すなわち基板を加熱しないこと以
外、実施例３と同様にして薄膜を形成した。得られた薄
膜についてラマン分光スペクトルによる分析を行ったと
ころ、１５３０ｃｍ-1にメインピークを有し、１４００
ｃｍ-1にショルダーピークを有しており、典型的なダイ
ヤモンド状薄膜であることが確認された。得られたダイ
ヤモンド状薄膜の硬度及び表面粗さを表２に示す。
【００３５】比較例２ 実施例４において、フィラメントの熱分解によるダイヤ
モンド薄膜の形成を行わず、基板１３上にＳｉ中間層を
形成した後、ＥＣＲプラズマによる分解のみで約２５０
０Åの膜厚の薄膜を形成する以外は、実施例４と同様に
して薄膜を形成した。得られた薄膜は、ダイヤモンド状
薄膜であった。得られた薄膜の硬度及び表面粗さを表２
に示す。
モンド薄膜の形成を行わず、基板１３上にＳｉ中間層を
形成した後、ＥＣＲプラズマによる分解のみで約２５０
０Åの膜厚の薄膜を形成する以外は、実施例４と同様に
して薄膜を形成した。得られた薄膜は、ダイヤモンド状
薄膜であった。得られた薄膜の硬度及び表面粗さを表２
に示す。
【００３６】
【表２】
【００３７】表２から明らかなように、本発明に従い、
熱分解による薄膜形成後に、ＥＣＲプラズマによる薄膜
形成を行うことにより、高い硬度を有するダイヤモンド
状薄膜とすることができる。
熱分解による薄膜形成後に、ＥＣＲプラズマによる薄膜
形成を行うことにより、高い硬度を有するダイヤモンド
状薄膜とすることができる。
【００３８】実施例５ 実施例１において、フィラメントに印加する電圧を７Ｖ
とする以外は、上記実施例１と同様にしてダイヤモンド
薄膜を形成した。得られた薄膜をラマン分光分析したと
ころ、実施例１に比べ非晶質成分が増加していることが
確認された。得られた薄膜の硬度は６０００Ｈｖであ
り、表面粗さは０．０７μｍであった。
とする以外は、上記実施例１と同様にしてダイヤモンド
薄膜を形成した。得られた薄膜をラマン分光分析したと
ころ、実施例１に比べ非晶質成分が増加していることが
確認された。得られた薄膜の硬度は６０００Ｈｖであ
り、表面粗さは０．０７μｍであった。
【００３９】実施例６ 中間層を形成する際、５．７×１０-4ＴｏｒｒのＡｒガ
スとそれと同量のＮ2ガスを導入し、ＡｒとＮ2 ガスの
プラズマでＳｉのターゲットをスパッタリングすること
により、Ｓｉ窒化物の中間層を形成した。Ｓｉ中間層に
代えてＳｉ窒化物の中間層を形成する以外は、上記実施
例１と同様にしてダイヤモンド薄膜を形成した。得られ
たダイヤモンド薄膜の硬度は８０００Ｈｖであり、表面
粗さは、０．１μｍであった。
スとそれと同量のＮ2ガスを導入し、ＡｒとＮ2 ガスの
プラズマでＳｉのターゲットをスパッタリングすること
により、Ｓｉ窒化物の中間層を形成した。Ｓｉ中間層に
代えてＳｉ窒化物の中間層を形成する以外は、上記実施
例１と同様にしてダイヤモンド薄膜を形成した。得られ
たダイヤモンド薄膜の硬度は８０００Ｈｖであり、表面
粗さは、０．１μｍであった。
【００４０】実施例７ 中間層を形成する際、５．７×１０-4ＴｏｒｒのＡｒガ
スとそれと同量のＯ2ガスを導入し、ＡｒとＯ2 ガスの
プラズマでＳｉのターゲットをスパッタリングすること
により、Ｓｉ酸化物の中間層を形成した。Ｓｉ中間層に
代えてＳｉ酸化物の中間層を形成する以外は、上記実施
例１と同様にしてダイヤモンド薄膜を形成した。得られ
たダイヤモンド薄膜の硬度は８０００Ｈｖであり、表面
粗さは、０．１μｍであった。
スとそれと同量のＯ2ガスを導入し、ＡｒとＯ2 ガスの
プラズマでＳｉのターゲットをスパッタリングすること
により、Ｓｉ酸化物の中間層を形成した。Ｓｉ中間層に
代えてＳｉ酸化物の中間層を形成する以外は、上記実施
例１と同様にしてダイヤモンド薄膜を形成した。得られ
たダイヤモンド薄膜の硬度は８０００Ｈｖであり、表面
粗さは、０．１μｍであった。
【００４１】上記実施例２においては、Ｈ2 ガスの圧力
を減少させることにより硬質炭素被膜の非晶質成分を増
加させているが、これと同様の変化は、ＥＣＲプラズマ
の密度を減少させることにより実現することができる。
従って、プラズマ密度の調整によっても膜特性を制御す
ることができる。
を減少させることにより硬質炭素被膜の非晶質成分を増
加させているが、これと同様の変化は、ＥＣＲプラズマ
の密度を減少させることにより実現することができる。
従って、プラズマ密度の調整によっても膜特性を制御す
ることができる。
【００４２】上記各実施例では、中間層を形成し該中間
層上に硬質炭素被膜を形成しているが、本発明これに限
定されるものではなく、直接基板上に硬質炭素被膜を形
成してもよい。
層上に硬質炭素被膜を形成しているが、本発明これに限
定されるものではなく、直接基板上に硬質炭素被膜を形
成してもよい。
【００４３】また、上記各実施例では、原料ガスの熱分
解を、加熱フィラメントにより行っているが、本発明は
これに限定されるものではない。また、上記各実施例で
は、第１の工程である最初の硬質炭素被膜の形成におい
て、熱分解による膜形成法のみを用いているが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えば、熱分解によ
る膜形成とプラズマ分解による膜形成とを同時に行い形
成してもよい。また、熱分解による膜形成とプラズマに
よる膜形成を同時に行う工程を第１の工程と第２の工程
で行う場合には、それらにおける膜形成条件を変化さ
せ、各工程において形成される硬質炭素被膜の結晶成分
及び非晶質成分の割合を変化させてもよい。
解を、加熱フィラメントにより行っているが、本発明は
これに限定されるものではない。また、上記各実施例で
は、第１の工程である最初の硬質炭素被膜の形成におい
て、熱分解による膜形成法のみを用いているが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えば、熱分解によ
る膜形成とプラズマ分解による膜形成とを同時に行い形
成してもよい。また、熱分解による膜形成とプラズマに
よる膜形成を同時に行う工程を第１の工程と第２の工程
で行う場合には、それらにおける膜形成条件を変化さ
せ、各工程において形成される硬質炭素被膜の結晶成分
及び非晶質成分の割合を変化させてもよい。
【００４４】図３は、本発明に従う硬質炭素被膜形成の
ための装置の他の例を示す概略断面図であり、この装置
では平行平板型のプラズマＣＶＤ法が採用されている。
この装置も、図示省略する真空チャンバ内に設けられて
いる。図３に示すように、電極２１には高周波電源２５
が接続されている。他方の電極２２の上には、基板２３
が設けられている。この電極２２には、基板２３にバイ
アス電圧を印加するための高周波電源２６が接続されて
いる。基板２３の近傍には、原料ガスを導入するための
原料ガス導入口２７が設けられている。電極２１と電極
２２の間には、原料ガスを熱分解するためのフィラメン
ト２４が設けられている。
ための装置の他の例を示す概略断面図であり、この装置
では平行平板型のプラズマＣＶＤ法が採用されている。
この装置も、図示省略する真空チャンバ内に設けられて
いる。図３に示すように、電極２１には高周波電源２５
が接続されている。他方の電極２２の上には、基板２３
が設けられている。この電極２２には、基板２３にバイ
アス電圧を印加するための高周波電源２６が接続されて
いる。基板２３の近傍には、原料ガスを導入するための
原料ガス導入口２７が設けられている。電極２１と電極
２２の間には、原料ガスを熱分解するためのフィラメン
ト２４が設けられている。
【００４５】図３に示す実施例のように、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法のみならず、平行平板型のプラズマＣＶＤ法
においても、本発明を適用することができる。
マＣＶＤ法のみならず、平行平板型のプラズマＣＶＤ法
においても、本発明を適用することができる。
【００４６】
【発明の効果】本発明に従えば、硬質炭素被膜中の結晶
成分及び非晶質成分の割合を制御することができ、膜硬
度及び表面平滑性などの膜特性を制御することができ
る。従って、例えば、低温で表面平滑性に優れた結晶質
のダイヤモンド薄膜を形成することができ、また硬度の
高い非晶質のダイヤモンド状薄膜を形成することができ
る。
成分及び非晶質成分の割合を制御することができ、膜硬
度及び表面平滑性などの膜特性を制御することができ
る。従って、例えば、低温で表面平滑性に優れた結晶質
のダイヤモンド薄膜を形成することができ、また硬度の
高い非晶質のダイヤモンド状薄膜を形成することができ
る。
【図１】本発明における実施例において用いる薄膜形成
装置を示す概略断面図。
装置を示す概略断面図。
【図２】本発明における実施例において用いる薄膜形成
装置を示す概略断面図。
装置を示す概略断面図。
【図３】本発明における薄膜形成装置の他の実施例を示
す概略断面図。
す概略断面図。
１…マイクロ波供給手段 ２…導波管 ３…マイクロ波導入窓 ４…プラズマ発生室 ５…放電ガス導入管 ６…プラズマ磁界発生装置 ７…基板ホルダー ８…真空チャンバ ９…原料ガス導入管 １０，１２…高周波電源 １１…ターゲット １４…フィラメント ２１，２２…電極 ２３…基板 ２４…フィラメント ２５，２６…高周波電源 ２７…原料ガス導入口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ３０Ｂ 29/04 Ｃ３０Ｂ 29/04 Ｇ
Claims (10)
- 【請求項１】 原料ガスを分解することにより硬質炭素
被膜を形成する方法であって、 原料ガスを熱により分解する膜形成方法と、原料ガスを
プラズマにより分解する膜形成方法とを併用することに
より、形成する硬質炭素被膜の膜特性を制御することを
特徴とする硬質炭素被膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記熱分解による膜形成後に、前記プラ
ズマ分解による膜形成を行うことを特徴とする請求項１
に記載の硬質炭素被膜の形成方法。 - 【請求項３】 前記熱分解による膜形成と、前記プラズ
マ分解による膜形成を同時に行うことを特徴とする請求
項１に記載の硬質炭素被膜の形成方法。 - 【請求項４】 原料ガスを分解することにより硬質炭素
被膜を形成する方法であって、 少なくとも第１の工程及び第２の工程の２段の工程を含
み、 前記第１の工程が、原料ガスを熱により分解する膜形成
方法を含む方法により硬質炭素被膜を形成する工程であ
り、 前記第２の工程が、前記第１の工程後、原料ガスをプラ
ズマにより分解する膜形成方法を含む方法により硬質炭
素被膜を形成する工程である硬質炭素被膜の形成方法。 - 【請求項５】 前記第１の工程が、熱分解による膜形成
方法のみによって膜を形成する請求項４に記載の硬質炭
素被膜の形成方法。 - 【請求項６】 前記第２の工程が、プラズマ分解による
膜形成方法のみによって膜を形成する請求項４または５
に記載の硬質炭素被膜の形成方法。 - 【請求項７】 前記第１の工程または前記第２の工程
が、熱分解による膜形成とプラズマ分解による膜形成と
を同時に行う工程である請求項４〜６のいずれか１項に
記載の硬質炭素被膜の形成方法。 - 【請求項８】 前記原料ガス以外に水素ガスを導入し
て、硬質炭素被膜の膜特性を制御することを特徴とする
請求項１〜７のいずれか１項に記載の硬質炭素被膜の形
成方法。 - 【請求項９】 前記熱分解による膜形成が、前記硬質炭
素被膜を形成する基板の上方にフィラメントを配置し、
該フィラメントを加熱して熱分解する膜形成方法である
請求項１〜８のいずれか１項に記載の硬質炭素被膜の形
成方法。 - 【請求項１０】 前記プラズマ分解による膜形成が、Ｅ
ＣＲプラズマを用いる膜形成方法である請求項１〜９の
いずれか１項に記載の硬質炭素被膜の形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9066125A JPH10259482A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | 硬質炭素被膜の形成方法 |
| US09/045,163 US6066399A (en) | 1997-03-19 | 1998-03-19 | Hard carbon thin film and method of forming the same |
| US09/502,531 US6528115B1 (en) | 1997-03-19 | 2000-02-10 | Hard carbon thin film and method of forming the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9066125A JPH10259482A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | 硬質炭素被膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10259482A true JPH10259482A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13306851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9066125A Pending JPH10259482A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | 硬質炭素被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10259482A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001079585A1 (de) * | 2000-04-12 | 2001-10-25 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Dlc-schichtsystem sowie verfahren zur herstellung eines derartigen schichtsystems |
| KR100478404B1 (ko) * | 2002-03-26 | 2005-03-23 | 한국화학연구원 | 플라즈마 화학 기상 증착장치 및 이를 이용한 박막 형성방법 |
| JP2008050683A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Chugoku Sarin Kigyo Kofun Yugenkoshi | Ｃｖｄ設備 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63215595A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-08 | Nachi Fujikoshi Corp | ダイヤモンドの気相合成方法及び装置 |
| JPS6452699A (en) * | 1986-07-23 | 1989-02-28 | Sumitomo Electric Industries | Vapor phase-synthesized diamond and synthesis thereof |
| JPH01222053A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ダイヤモンドコーテイング法 |
| JPH02232371A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-14 | Nec Corp | 薄膜形成装置 |
| JPH03197677A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドコーティング工具及びその製造法 |
| JPH0610136A (ja) * | 1992-02-07 | 1994-01-18 | General Electric Co <Ge> | Ｃｖｄダイヤモンドから成る一様な円筒管の製造方法 |
| JPH0624898A (ja) * | 1992-03-20 | 1994-02-01 | General Electric Co <Ge> | 多層ｃｖｄダイヤモンド薄膜 |
| JPH06158323A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-07 | Seiko Instr Inc | 硬質炭素被膜の気相合成方法 |
| JPH06280019A (ja) * | 1993-03-29 | 1994-10-04 | Sekisui Chem Co Ltd | ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法 |
| JPH07276106A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-24 | Mitsubishi Materials Corp | 気相合成ダイヤモンド膜ろう付け切削工具 |
-
1997
- 1997-03-19 JP JP9066125A patent/JPH10259482A/ja active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6452699A (en) * | 1986-07-23 | 1989-02-28 | Sumitomo Electric Industries | Vapor phase-synthesized diamond and synthesis thereof |
| JPS63215595A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-08 | Nachi Fujikoshi Corp | ダイヤモンドの気相合成方法及び装置 |
| JPH01222053A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ダイヤモンドコーテイング法 |
| JPH02232371A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-14 | Nec Corp | 薄膜形成装置 |
| JPH03197677A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドコーティング工具及びその製造法 |
| JPH0610136A (ja) * | 1992-02-07 | 1994-01-18 | General Electric Co <Ge> | Ｃｖｄダイヤモンドから成る一様な円筒管の製造方法 |
| JPH0624898A (ja) * | 1992-03-20 | 1994-02-01 | General Electric Co <Ge> | 多層ｃｖｄダイヤモンド薄膜 |
| JPH06158323A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-07 | Seiko Instr Inc | 硬質炭素被膜の気相合成方法 |
| JPH06280019A (ja) * | 1993-03-29 | 1994-10-04 | Sekisui Chem Co Ltd | ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法 |
| JPH07276106A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-24 | Mitsubishi Materials Corp | 気相合成ダイヤモンド膜ろう付け切削工具 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001079585A1 (de) * | 2000-04-12 | 2001-10-25 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Dlc-schichtsystem sowie verfahren zur herstellung eines derartigen schichtsystems |
| KR100478404B1 (ko) * | 2002-03-26 | 2005-03-23 | 한국화학연구원 | 플라즈마 화학 기상 증착장치 및 이를 이용한 박막 형성방법 |
| JP2008050683A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Chugoku Sarin Kigyo Kofun Yugenkoshi | Ｃｖｄ設備 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4973494A (en) | Microwave enhanced CVD method for depositing a boron nitride and carbon | |
| US5330802A (en) | Plasma CVD of carbonaceous films on substrate having reduced metal on its surface | |
| US6077572A (en) | Method of coating edges with diamond-like carbon | |
| JPH0757039B2 (ja) | 音響用振動板及びその製造法 | |
| JP2637509B2 (ja) | 新規なダイヤモンド状炭素膜及びその製造方法 | |
| US20040079280A1 (en) | Fabrication of single crystal diamond tips and their arrays | |
| JPH10259482A (ja) | 硬質炭素被膜の形成方法 | |
| US5270029A (en) | Carbon substance and its manufacturing method | |
| JPH0420984B2 (ja) | ||
| EP0556615B1 (en) | Method of making synthetic diamond | |
| US6656444B1 (en) | Methods for synthesizing high-efficiency diamond and material and diamond material produced thereby | |
| JP2808922B2 (ja) | ダイヤモンド状カーボン膜形成方法 | |
| JPH1192943A (ja) | Ｃｖｄ法による薄膜形成方法 | |
| JPH0420985B2 (ja) | ||
| JPH029787A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3621730B2 (ja) | マイクロ波プラズマ化学蒸着装置 | |
| JP2739286B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2899254B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS59177919A (ja) | 薄膜の選択成長法 | |
| JP2715277B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0543792B2 (ja) | ||
| JPH06283448A (ja) | 成膜方法、成膜装置及びそれに用いるプラズマ発生装置 | |
| JP3291273B2 (ja) | 炭素被膜作製方法 | |
| JPS63107899A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2000026193A (ja) | 薄 膜 |