JPH0521693A

JPH0521693A - 電子装置用部材およびその作製方法

Info

Publication number: JPH0521693A
Application number: JP3041258A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Yasuhiko Takemura; 保彦竹村
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1991-02-13
Filing date: 1991-02-13
Publication date: 1993-01-29

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、信頼性がよく、取扱いやすく、ま
た、製造歩留りの高い電子装置を作製する上で必要な電
子装置用部材ならびにそれを使用した電子装置、および
それらの作製方法を提供することを目的とする。【構成】電子装置において、リ−ドフレ−ムのステム
（２０１）、ダイ（２０２）の表面のうち、ワイヤボン
ドする部分（２１３）、あるいは電子部品（２００）と
電気的に連結する部分以外が窒化珪素等の絶縁性無機材
料膜で覆われ、また、前記ステムは電子装置上に延びて
おり、電子装置と金線２１１によって電気的に結ばれ、
電子装置の全部およびリ−ドフレ−ムの一部はモ−ルド
材（２０３）中に封入されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等の電子部
品を基板またはリ−ドフレ−ム等の部材上に固着する電
子装置の高信頼性化をはかるための部材および該部材を
有する電子装置、ならびに該部材や該電子装置の作成方
法に関する。このため本発明は、基板またはリ−ドフレ
−ム上を、電子部品をダイアタッチする部分や金のワイ
ヤボンドをする部分を除き、窒化珪素等の無機材料の保
護膜で覆ってしまうことを特徴とする。そして、このよ
うにして形成された部材を用いて電子装置を形成し、有
機樹脂モ−ルドを施した際、この部材と有機樹脂の密着
性を向上させんとするものである。

【０００２】さらに、上記部材とそれに密着する保護膜
との密着性を向上させることにより、上記部材と有機樹
脂材との間に生じるクラック、ふくれ（ダイの裏面側の
モ−ルド材が半田づけ等によって加熱される際に、ダイ
近傍の水の気化によって膨れてしまうこと）の発生を防
がんとするものである。

【０００３】また、リ−ドフレ−ムと電子装置との電気
的接触等による欠陥を防止せんとするものである。

【０００４】

【従来の技術】従来の技術を用いて作製された集積回路
等のパッケージの様子を第１図に示す。リ−ドフレ−ム
１０１（１０５）、１０２、特にＩＣチップ１００がダ
イアタッチされるダイ１０２は銅や４２アロイ等の金属
よりなり、この表面（裏面）には金等の良導電体が印刷
されている。そして、電子部品をダイアタッチさせる際
には、３００〜４００度Ｃで金−シリコン合金１０４を
作り、ＩＣチップをダイ１０２上に固着させていた。

【０００５】ＩＣチップのダイ上への固着方法としては
以上の方法の他にも、１００〜４００度Ｃに加熱した有
機物またはガラス系の絶縁材または銀ペ−ストを用いる
方法も知られている。すなわち、有機物系の銀ペ−スト
を用いる場合では、ポリイミド系もしくはエポキシ系の
有機樹脂中に銀が混入した銀ペ−ストを固着材として用
い、基板または金属リ−ドフレ−ムのダイ１０２上にＩ
Ｃチップ等の電子部品を固定していた。この際には、液
体状態であった上記固着材１０４を化学反応や熱化学反
応を伴わせて固化し、よって上記電子部品を基板やリ−
ドフレ−ム上に固着させる。

【０００６】しかし、いずれの方法においても、固着
後、有機樹脂よりなるモ−ルド１０３によって表面を覆
うモ−ルド処理をおこなうと、このモ−ルド材と銅また
は４２アロイ等の材料の間に極めて剥がれやすい吸着物
１０６、および低級酸化物１０７が残存してしまう。

【０００７】このため、第１図に示したごとく、プラス
チック・モ−ルド・パッケ−ジは、高湿度雰囲気の暴露
や水中での使用といった過酷な条件での保存・使用では
もちろん、通常の保存・使用においても、信頼性低下の
原因となる水等が上記吸着物や低級酸化物等を伝って、
モ−ルド材の内部に侵入し、リ−ドフレ−ムのダイの裏
面等に集まる。この状態で、半田づけ（一般に２６０度
Ｃで３〜１０秒の溶融半田中への浸漬をおこなう）をお
こなうと、上記水が急激に気化し、クラック１０８、１
０９やボイド１１０が発生する。

【０００８】また、従来の有機物やその銀ペ−ストを用
いて電子部品を固着する方法においては、この方法は安
価かつ大量生産するには極めて優れたものであるが、有
機物固着材１０４は大気中で室温の状態、ないし加熱
（１００〜３００度Ｃ）の状態で、残存していた有機材
中の気化成分が基板やダイ上に吸着され、この後に形成
される保護膜やモ−ルド樹脂との密着性を悪化させる。

【０００９】さらに、図１に示すような、いわゆるリ−
ド・オン・チップ（ＬＯＣ）構造はパッケ−ジのチップ
の大型化と高集積化が可能な構造であるが、従来のチッ
プの側面にリ−ドが存在する構造と異なり、チップの上
面にリ−ドが存在するため、リ−ドがチップ表面に接触
し、短絡等が発生する危険がある。このためＬＯＣ構造
では通常、チップとリ−ドの間に絶縁テ−プを挿入し、
チップとリ−ドが接触することを防いでいる。しかし、
そのために製造工程が複雑になる上、絶縁テ−プとチッ
プとの接触によるチップの機械的な損傷も問題となる。
絶縁テ−プのない構造が望ましいことは言うまでもな
い。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来のモ−ルド封止させた１つのまたは複数の半導体集
積回路等の電子部品が基板またはリ−ドフレ−ム上に、
金−シリコン合金法、ガラス系銀ペ−スト法、有機材料
系銀ペ−スト法等の方法によって固着され、高い信頼性
が要求される電子装置において、その信頼性の低下を防
ぐための方法が講じられた電子装置およびそのために必
要な電子装置用部材を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決しようとする手段】上記目的は、電子装置
内の基板や金属リ−ドフレ−ム等の部材の上に予め無機
物からなる保護膜を、電気的な連結を必要とする部分
（導体部）を除いて設けられた構成をとることによって
達成される。すなわち、上記部材の表面に保護膜を設け
ることによって、モ−ルド樹脂と金属との間の耐湿性を
向上させ、また、密着性を向上させることが可能とな
る。さらに、リ−ドフレ−ムのうちＩＣチップと直接も
しくは金線等によって間接的に接触することが望まれる
部分を除き、絶縁性の皮膜で覆ってしまうと、絶縁性の
テ−プを間に挿入することなく、リ−ドフレ−ムとＩＣ
チップとの接触による短絡等を防止できる。

【００１２】本発明は例えばリ−ドフレ−ムのごとき上
記部材それ自体およびそれを組み込んだ電子装置、なら
びに上記部材および上記電子装置の作成方法を提供す
る。

【００１３】本発明の提供するリ−ドフレ−ム等の部材
は、電気的連結をおこなう部分（導体部）を除いて、絶
縁性で、該部材と密着性の良い無機材料、例えば窒化珪
素、酸化珪素、炭化珪素、ＤＬＣ（ダイヤモンド状炭素
等の単層または多層膜で覆われることを特徴とするが、
その製法としては以下の様な方法を用いることが可能で
ある。すなわち、部材中の導体部のみをカバ−膜で予め
覆う。そして、これら全体にプラズマＣＶＤ法またはス
パッタ法により無機材料皮膜を形成し、この後、リフト
オフ法でカバ−膜とその上の無機材料皮膜を同時に除去
する。この工程を経ることによって、導体部のみが露出
し、他の部分が無機材料絶縁性皮膜で覆われたリ−ドフ
レ−ム等の部材が形成される。このようにして形成され
た部材はこれまでと同じ量産工程で、まったく工程を変
更することなく電子装置の作製に供せられる。また、リ
−ドフレ−ムのダイを形成する場合には、ダイ上にＩＣ
チップ等の電子部品を従来の方法で固着したのちに、電
子部品上にあってワイヤボンディング法等によって電気
的連結をおこなう部分（電子部品上の導体部）もしくは
電子部品の全面にカバ−膜を形成し、その後、全体にプ
ラズマＣＶＤ法またはスパッタ法により無機材料皮膜を
形成し、この後、リフトオフ法でカバ−膜とその上の無
機材料皮膜を同時に除去することによっても、同様な構
造を有する部材を作製することができる。特にこの方法
は、電子部品の固着に有機材料を使用した場合に有効
で、先に説明したような有機気化成分がダイ等のリ−ド
フレ−ム上に吸着されたまま、モ−ルドで覆われること
がないため、信頼性を低下を防ぐことができる。すなわ
ち、固着後に、仮に気化成分がリ−ドフレ−ム等に吸着
されたとしても、それに続く皮膜形成の工程で、真空中
に晒されるために、一度吸着された気化成分を除去し、
かつ、その上に絶縁性の無機材料皮膜を形成することが
できる。

【００１４】図２は本発明構造の部材を用いたＩＣパッ
ケ−ジの縦断面図を示す。また、図３において、本発明
構造の部材の作製工程の一例を示し、その完成した縦断
面に対応する図面を図３（Ｅ）に示す。

【００１５】図２において、リ−ドフレ−ムのダイ２０
２に銀ペ−スト２０４等で密着させたチップ２００が設
けられている。チップ２００はＩＣチップ以外にもキャ
パシター、インダクタ−等の電子部品であってもかまわ
ない。チップ２００のアルミニウム・パッド２１２とリ
−ドフレ−ムのステム２０１の電気的連結をおこなう導
体部２１３（ここは金メッキがなされている）との間
に、金線２１１のワイヤボンドがなされている。

【００１６】本発明は、このリ−ドフレ−ムのダイ２０
２とステム２０１の表面に予め無機材料２２０をコ−ト
し、ダイ表面、ステム表面には電子部品２００を密着さ
せる際に出やすい有機物または金属のナチュラル・オキ
サイドが形成されないようにしたものである。そして、
金属とは密着性の悪い有機樹脂モ−ルド材が無機材料と
密着性がよいことを積極的に利用し、結果としてリ−ド
フレ−ムとモ−ルド材の密着性を向上せしめたものであ
る。また、上記無機材料皮膜（絶縁性）によってリ−ド
フレ−ムと電子部品、あるいはリ−ドフレ−ム間の電気
的接触を防ぐこともできる。

【００１７】図２において４２アロイまたは銅からなる
リ−ドフレ−ム２０１、２０２において電子部品２００
をアタッチさせる部分およびワイヤボンドする部分の金
の印刷が施されている部分には、無機材料絶縁皮膜２２
０は形成されていない。また、図２には示されていない
が、ダイ２０２には穴を開け、半田付けの際の熱衝撃に
よる応力集中を逃す構造とすることも可能である。最終
的にはダイ２０２上に電子部品２００が固着され、ステ
ムと電子部品の間に金線によってワイヤボンドがなされ
たのちに電子部品もリ−ドフレ−ムもモ−ルド封入さ
れ、完成する。

【００１８】図３にしたがって、本発明構造を作製する
方法の一例を説明する。最初に、図３（Ａ）に示すよう
に有機樹脂もしくは機械的な方法によって、ステム３０
１とダイ３０２を固定する。このとき、リ−ドフレ−ム
の足の部分３０５は図に示されるように有機樹脂等の中
に封入された状態となっていてもよい。その後、ステム
３０１の一部に印刷法もしくは他の方法によって選択的
に金の皮膜３１３を形成する。この順序は逆であっても
構わない。すなわち、先にステムに金の皮膜を形成し、
その後、リ−ドフレ−ムを固定してもよい。

【００１９】さらに、図３（Ｂ）に示すように、ステム
およびダイのうち、無機材料絶縁皮膜を形成させたくな
い部分に、スクリ−ン印刷法等の方法によって有機樹脂
等の皮膜３２２を形成する。

【００２０】さらにこれら全体に図３（Ｃ）に示すが如
く、無機材料の保護膜３２０をプラズマＣＶＤ法や光Ｃ
ＶＤ法、スパッタ法等の方法によって形成する。このと
き、特に図３に示される方法でＬＯＣ構造を作製する場
合には重要なことは、この皮膜形成が、極めて回り込み
よく、どの部分にもほぼ均等に、すなわち、ステップカ
バレ−ジ良くおこなわれる必要があるということであ
る。例えば、ダイ３０２の裏側にもステムの表面にも同
じだけ皮膜が形成されなければならない。したがって、
例えば真空蒸着法のごとき方法は本工程には適さない。
当然のことながら、リ−ドフレ−ムの足の部分は有機樹
脂中にあるため、その部分には無機材料皮膜は形成され
ない。

【００２１】この無機材料皮膜としては５００度Ｃで大
気中に１時間放置しても変質することがなく、耐熱性を
有し、耐酸化性を有することが必要である。このために
は酸化珪素、窒化珪素、炭化珪素等を主成分とする材料
が優れている。

【００２２】次に、これら全体を有機溶剤中に浸し、超
音波を加えて、有機樹脂皮膜３２２を溶去し、同時にそ
の上に形成されている無機材料皮膜をも除去するとい
う、いわゆるリフトオフ法によって、後に電子部品をダ
イアタッチさせる部分とワイヤボンドする部分を露出さ
せる。さらに、ダイ３０２上に固着材３０４を塗布し、
さらに電子部品３００を挿入し、その上に固着する。さ
らに、電子部品とステムとを金線３１１によってワイヤ
ボンドし、電子装置の内部結線が完了する。こうして、
図３（Ｄ）を得る。

【００２３】最後に、図３（Ｅ）に示されるように、電
子部品とリ−ドフレ−ムごとエポキシ系の有機樹脂等に
よってモ−ルド封入をおこない、パッケージ３０３を形
成し、電子装置が完成する。本工程によれば、リ−ドフ
レ−ムのうち、モ−ルド材の内部の部分はほぼ完全に無
機材料皮膜によって覆うことができるが、外部の部分
は、無機材料皮膜の無い部分があり、該電子装置を実装
する際に従来のものと同様に扱え、便利である。図３に
示した例では、ダイ３０２が存在したが、ダイの存在し
ない構造のものであっても、この例に示した方法を用い
ることが可能である。

【００２４】また、図３に示した方法ではリ−ドフレ−
ムに皮膜を形成する工程がリ−ドフレ−ムの組立後にな
されているが、各リ−ドフレ−ムに皮膜を形成したのち
に、それを組み立ててもよい。

【００２５】また、無機材料皮膜としては、酸化珪素、
炭化珪素、窒化珪素、硬質炭素、あるいは組成比として
それらの混合物として記述されるもので、ストイキオメ
トリックなものやノンストイキオメトリックなものの単
層もしくは多層のものが適しているが、その厚さは３０
〜５００ｎｍがのぞましい。

【００２６】以下に実施例を示し、本発明を説明する。

【００２７】

【実施例】〔実施例１〕図４に本発明の実施例を示す。
加熱し液状にしたポリエチレン中にリ−ドフレ−ム４３
０を配置し、ポリエチレンを冷却して固化させ、台４２
１とした。このとき、リ−ドフレ−ムは図４（Ｇ）に示
されるように、１つの平面に多数形成すると大量生産す
ることができる。さらに、リ−ドフレ−ムの導体部に金
の皮膜４１３および有機樹脂の皮膜４２２を形成した。
このようにして、図４（Ａ）を得た。

【００２８】さらに、プラズマＣＶＤ法によって、リ−
ドフレ−ムの表面に窒化珪素の皮膜を形成した。皮膜の
形成には通常の平行平板型ＲＦプラズマＣＶＤ装置を用
い、反応ガスとして、ジシラン（Si2H6)およびアンモニ
ア（NH3)を用いた。反応ガスの純度はいずれも９９．９
９％以上とした。また、プラズマを発生させるためのガ
スとしてはアルゴン（９９．９％以上）を用いた。図４
（Ｇ）に示される円盤状の基体をＣＶＤ装置の一方の電
極上に配置し、ＣＶＤ装置の反応室内をタ−ボ分子ポン
プによって１０の−４〜１０の−８ｔｏｒｒまで真空排
気し、この状態を５〜３０分保持し、有機樹脂等から排
出される不要な、あるいは成膜反応に有害な気化成分を
充分排気した。

【００２９】その後、反応室内にアルゴンガスのみを導
入し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を電極間に加える
ことによってプラズマを生じさせた。高周波電力の電力
としては０．１〜１ＫＷが適切であった。プラズマが安
定したことを確認してから、ジシランとアンモニアを少
量づつ反応室内に導入し、皮膜を形成した。反応ガスの
比率は、例えば、ジシラン１に対し、アンモニア５とい
うような比率にした。

【００３０】成膜は室温でおこなった。このようにし
て、リ−ドフレ−ムを図４（Ｂ）で示すように、厚さ１
００〜３００ｎｍの窒化珪素皮膜４２０によってコ−テ
ィングした。このとき得られた窒化珪素の皮膜の物性は
別の基板上に形成したものより絶縁耐圧が８ＭＶ／ｃｍ
以上であり、赤外吸収スペクトルでは８６４ｃｍ−１の
Ｓｉ−Ｎ結合の吸収ピ−クが明確に確認され、屈折率は
２．０で充分高抵抗であることが確認されている。

【００３１】次にリ−ドフレ−ムごと超音波を加えつ
つ、トルエンを主成分とする有機溶媒中に浸し、有機樹
脂皮膜４２２とその上の窒化珪素皮膜４２０をリフトオ
フ法によって除去し、リ−ドフレ−ムの導体部４１３を
露出させた。このようにして、図４（Ｃ）を得た。

【００３２】さらに、図４（Ｄ）中の４２５で示される
レベルまで液状のポリエチレンをつぎたし、固化させ
た。そして、このリ−ドフレ−ムの下の部分にＩＣチッ
プ４００を置き、金線４１１によって、リ−ドフレ−ム
とＩＣチップをワイヤボンドした。

【００３３】さらに、ポリエチレンの表面に出ているＩ
Ｃチップとリ−ドフレ−ムをエポキシ系の合成樹脂４０
３によって固め、図４（Ｅ）を得た。

【００３４】最後にポリエチレンを加熱して溶融させ、
除去し、ＩＣチップの下面もエポキシ系の樹脂で固め、
完全にモ−ルド封入されたＩＣ装置が作製できた。

【００３５】

【発明の効果】本発明によって、リ−ドフレ−ム等の金
属材料とモ−ルド材の密着性を向上させ、よって、長期
の保存や高温多湿下での保存、また半田付け等の高温処
理等に伴う欠陥を減らすことができた。また、特にＬＯ
Ｃ構造を有する電子装置においては先に説明したよう
に、リ−ドとチップの接触による短絡等の欠陥の発生を
低く抑えることができた。以上のことは電子装置自体の
信頼性を高める。

【００３６】特に、半導体集積回路のチップ面積が大き
くなるとともに、半導体集積回路のパッケ−ジ技術はＬ
ＯＣに代表されるように多層化する方向にある。しかし
ながら、従来技術の延長では、多層化は複雑な工程が必
要で、また、様々な問題によって集積回路の機能が傷つ
けられる危険性を有していた。

【００３７】例えば、従来のＬＯＣ技術ではＩＣチップ
とリ−ドフレ−ムの間には絶縁シ−トを挿入するが、こ
れは先に述べたようにＩＣチップを機械的に破壊する危
険を有している上、モ−ルド材と絶縁シ−トの密着性が
悪いと、従来のＩＣパッケ−ジで問題となった、クラッ
クの発生等がより大きな確率で問題となる。

【００３８】これに対し、本発明に記述した例から明ら
かなように、ＬＯＣ構造であっても、モ−ルド材の内部
にはリ−ドフレ−ムとＩＣチップ以外にはない構造をと
れば、従来のＬＯＣ構造（絶縁シ−トを含んでいる）で
問題となることは全く解決されうる。

【００３９】のみならず、ＬＯＣ構造であっても、ま
た、そうでなくても、リ−ドフレ−ムのモ−ルド材と外
部の境界の部分にのみ無機材料皮膜が形成されているだ
けで、電子装置の信頼性は大きく向上する。したがっ
て、ＬＯＣ構造を有するもので絶縁シ−トを内部に含ん
でいても、リ−ドフレ−ムのモ−ルド材と外部との境界
部分に無機材料の皮膜が形成されて、リ−ドフレ−ムと
モ−ルド材の密着性が向上していれば、そこからクラッ
ク等が発生することも減り、したがって、欠陥品の発生
する確率は大きく減らすことが可能である。以上の議論
は、特に証明されずとも容易に理解できるであろう。

【００４０】さらにまた、リ−ドフレ−ムが製造工程の
比較的早い段階で、無機材料皮膜によってコ−ティング
されるため、その後の工程での取扱も微妙さを要求され
ず、したがって、高い歩留りを維持できる。皮膜の形成
自体は、実施例に示したように一度に大量におこなえる
ため大きなコスト増とはならず、逆に歩留りや信頼性を
考慮すれば割安となる。

【００４１】本発明はＬＯＣ構造を例にとって説明をし
たが、その他の構造、例えばチップ・オン・リ−ド（Ｃ
ＯＬ）構造、を有しているものにも適応することには何
ら問題がないことは明らかであろう。

【００４２】さらに本発明において、電子部品は半導体
素子が例として示されていたが、その他、絶縁基板上に
金属導体が設けられ、これらに抵抗、コンデンサを固着
させたハイブリッドＩＣであってもよく、ボンディング
もワイヤボンディングのみならずフリップチップ・ボン
ディング、ハンダバンプ・ボンディングでもよい。

【００４３】以上の記述から明らかなように本発明は工
業上極めて有益であると信ずる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の半導体集積回路のパッケ−ジおよびその
欠陥の例を示したもので、パッケ−ジはＬＯＣ構造を有
している。

【図２】本発明の半導体集積回路のパッケ−ジの例を示
したもので、パッケ−ジはＬＯＣ構造を有している

【図３】本発明のパッケ−ジを作製する方法例を示して
いる。

【図４】本発明のパッケ−ジを作製する方法例を示して
いる。

【符号の説明】

２００・・・・電子部品２０１、２０２、２０５・・・リードフレーム２０３・・・モールド材２０４・・・固着材２１１・・・金線２１２・・・アルミパッド２１３・・・金接点２２０・・・無機材料絶縁性被膜

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【手続補正書】

【提出日】平成４年７月１６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の半導体集積回路のパッケージおよびそ
の欠陥の例を示したもので、パッケージはＬＯＣ構造を
有している。

【図２】本発明の半導体集積回路のパッケージの例を
示したもので、パッケージはＬＯＣ構造を有している

【図３】本発明のパッケージを作製する方法例を示し
ている。

【図４】本発明のパッケージを作製する方法例を示し
ている。

【図５】本発明のパッケージを作製する方法例を示し
ている。

【図６】本発明のパッケージを作製する方法例を示し
ている。

【符号の説明】２００・・・・電子部品２０１、２０２、２０５・・・リードフレーム２０３・・・モールド材２０４・・・固着材２１１・・・金線２１２・・・アルミパッド２１３・・・金接点２２０・・・無機材料絶縁性被膜

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】全図

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子装置において、リ−ドフレ−ムのステ
ムの部分、もしくはそれと同等な機能を有する電子装置
用部材が電子部品上に重なっていることを特徴とする電
子装置において、リ−ドフレ−ムもしくはそれと同等な
機能を有する電子装置用部材のうち、モ−ルド材によっ
て封入されている部分において、ワイヤボンドする部
分、電子部品を装着する部分以外が無機絶縁性の材料に
よって覆われたことを特徴とする電子装置。
【請求項２】前記請求項１において、無機絶縁性の材料
は炭化珪素、酸化珪素、窒化珪素、炭素のうち、少なく
とも１つを主成分とする材料であることを特徴とする電
子装置もしくは電子装置用部材。
【請求項３】電子装置中のリ−ドフレ−ムもしくはそれ
と同等な機能を有する電子装置用部材において、該リ−
ドフレ−ムもしくはそれと同等な機能を有する電子装置
用部材のモ−ルド材中に存在する部分において、ワイヤ
ボンドする部分、電子部品を装着する部分以外が無機絶
縁性の材料によって覆われ、かつ、該リ−ドフレ−ムの
ステムの部分もしくはそれと同等な機能を有する電子装
置用部材が、電子装置中の電子部品上に重なっているこ
とを特徴とする電子装置用部材。
【請求項４】前記請求項２において、無機絶縁性の材料
は炭化珪素、酸化珪素、窒化珪素、炭素のうち、少なく
とも１つを主成分とする材料であることを特徴とする電
子装置もしくは電子装置用部材。
【請求項５】電子装置中のリ−ドフレ−ムもしくはそれ
と同等な機能を有する電子装置用部材において、少なく
ともモ−ルドに覆われている部分と外部との境界部分が
無機絶縁性の材料によって覆われていることを特徴とす
る電子装置用部材。
【請求項６】前記請求項３において、無機絶縁性の材料
は炭化珪素、酸化珪素、窒化珪素、炭素のうち、少なく
とも１つを主成分とする材料であることを特徴とする電
子装置もしくは電子装置用部材。
【請求項７】リ−ドフレ−ムもしくはそれと同等な機能
を有する電子装置用部材のうち、少なくともワイヤボン
ドをする部分と電子部品と電気的な連結をおこなう部分
とに有機樹脂等の皮膜を形成する工程と、該電子装置用
部材全体を無機絶縁性の材料よりなる皮膜によって覆う
工程と、前記有機樹脂等の皮膜を除去するとともに、そ
の上に存在する前記無機絶縁性皮膜をも除去して、該電
子装置用部材の表面を露出させる工程と、該電子装置用
部材と電子部品とを電気的に連結する工程と、該電子装
置用部材の一部および前記電子部品の全部をモ−ルド材
中に封入する工程とを有することを特徴とする電子装置
の作製方法。
【請求項８】リ−ドフレ−ムのステムもしくはそれと同
等な機能を有する電子装置用部材のうち、少なくともワ
イヤボンドをする部分に有機樹脂等の皮膜を形成する工
程と、該電子装置用部材全体を無機絶縁性の材料よりな
る皮膜によって覆う工程と、前記有機樹脂等の皮膜を除
去するとともに、その上に存在する前記無機絶縁性皮膜
をも除去して、該電子装置用部材の表面を露出させる工
程と、該電子装置用部材の下部に電子装置を配置する工
程と、該電子装置用部材と電子部品とを電気的に連結す
る工程と、該電子装置用部材の一部および前記電子部品
の全部をモ−ルド材中に封入する工程とを有することを
特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項９】リ−ドフレ−ムのステムもしくはそれと同
等な機能を有する電子装置用部材とリ−ドフレ−ムのダ
イもしくはそれと同等な機能を有する電子装置用部材と
をステムがダイ上に存在し、重なるように配置し、固定
する工程と、ステムのうちの少なくともワイヤボンドす
る部分とダイのうちの少なくとも電子部品と電気的な連
結をおこなうのに必要な部分とに有機樹脂等の皮膜を形
成する工程と、該ステムおよびダイ全体を無機絶縁性の
材料よりなる皮膜によって覆う工程と、前記有機樹脂等
の皮膜を除去するとともに、その上に存在する前記無機
絶縁性皮膜をも除去して、該ステムおよびダイの表面を
露出させる工程と、該ダイ上に電子部品を固着する工程
と、該ステムと電子部品とを電気的に連結する工程と、
該ステムの一部および該ダイと前記電子部品の全部をモ
−ルド材中に封入する工程とを有することを特徴とする
電子装置の作製方法。
【請求項１０】リ−ドフレ−ムもしくはそれと同等な機
能を有する電子装置用部材を配置し、固定する工程と、
リ−ドフレ−ムのうちの少なくともワイヤボンドする部
分に有機樹脂等の皮膜を形成する工程と、該リ−ドフレ
−ム全体を無機絶縁性の材料よりなる皮膜によって覆う
工程と、前記有機樹脂等の皮膜を除去するとともに、そ
の上に存在する前記無機絶縁性皮膜をも除去して、該リ
−ドフレ−ムの表面を露出させる工程と、該リ−ドフレ
−ムの下部に電子部品を配置する工程と、該リ−ドフレ
−ムと電子部品とを電気的に連結する工程と、該リ−ド
フレ−ムの一部と前記電子部品の全部をモ−ルド材中に
封入する工程とを有することを特徴とする電子装置の作
製方法。
【請求項１１】リ−ドフレ−ムもしくはそれと同等な機
能を有する電子装置用部材の足の部分を液体の有機樹脂
等の中に浸し、液状の有機樹脂を固化することによっ
て、固定する工程と、リ−ドフレ−ムのうちの少なくと
もワイヤボンドする部分に有機樹脂等の皮膜を形成する
工程と、有機樹脂中にある足の部分を除いて該リ−ドフ
レ−ム全体を無機絶縁性の材料よりなる皮膜によって覆
う工程と、前記有機樹脂等の皮膜を除去するとともに、
その上に存在する前記無機絶縁性皮膜をも除去して、該
リ−ドフレ−ムの表面を露出させる工程と、該リ−ドフ
レ−ムの下部に電子部品を配置する工程と、該リ−ドフ
レ−ムと電子部品とを電気的に連結する工程と、該リ−
ドフレ−ムの一部と前記電子部品の全部をモ−ルド材中
に封入する工程とを有することを特徴とする電子装置の
作製方法。