JPH05217123A - 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH05217123A JPH05217123A JP4017704A JP1770492A JPH05217123A JP H05217123 A JPH05217123 A JP H05217123A JP 4017704 A JP4017704 A JP 4017704A JP 1770492 A JP1770492 A JP 1770492A JP H05217123 A JPH05217123 A JP H05217123A
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- Japan
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- magnetic
- head
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度記憶装置であるハードディスクに用い
られる薄膜ＭＲ磁気ヘッドにおいて、高Ｈcの記録媒体
に書込みができ、かつ、バルクハウゼンノイズや外部磁
場によるノイズの無い、安定した高出力の出る磁気ヘッ
ドを簡便な工程により得る。 【構成】 ハードディスク用の複合型薄膜磁気ヘッドに
おいて、少なくとも薄膜磁気抵抗素子を形成する際、基
板１の上にＣoＴaＺrＮb系アモルファス合金による下部
シールド層２を形成して、下地絶縁層３をＳiＯ2にて形
成した後、ＣoＴaＺrＮb系アモルファス合金による軟磁
性バイアス補助層４、ＳiＯ2非磁性層５、及びＦe−Ｎi
合金系ＭＲ層６を形成後、読出しトラックを除いた素子
部及び引出し電極をＦe−Ｍn合金層７、Ａu層８及びＴi
層９により形成して、その上にＳiＯ2絶縁層10を形成
し、書込み専用ヘッドの上部磁性層13及び下部磁性層11
をＣoＴaＺrＮb系アモルファス合金にて形成し書込み専
用ヘッドを形成する。
られる薄膜ＭＲ磁気ヘッドにおいて、高Ｈcの記録媒体
に書込みができ、かつ、バルクハウゼンノイズや外部磁
場によるノイズの無い、安定した高出力の出る磁気ヘッ
ドを簡便な工程により得る。 【構成】 ハードディスク用の複合型薄膜磁気ヘッドに
おいて、少なくとも薄膜磁気抵抗素子を形成する際、基
板１の上にＣoＴaＺrＮb系アモルファス合金による下部
シールド層２を形成して、下地絶縁層３をＳiＯ2にて形
成した後、ＣoＴaＺrＮb系アモルファス合金による軟磁
性バイアス補助層４、ＳiＯ2非磁性層５、及びＦe−Ｎi
合金系ＭＲ層６を形成後、読出しトラックを除いた素子
部及び引出し電極をＦe−Ｍn合金層７、Ａu層８及びＴi
層９により形成して、その上にＳiＯ2絶縁層10を形成
し、書込み専用ヘッドの上部磁性層13及び下部磁性層11
をＣoＴaＺrＮb系アモルファス合金にて形成し書込み専
用ヘッドを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度記憶装置であるハ
ードディスクに用いられる複合型薄膜磁気ヘッド(以
下、ＭＲヘッドという)の製造方法に関する。
ードディスクに用いられる複合型薄膜磁気ヘッド(以
下、ＭＲヘッドという)の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの高性能化に伴いハ
ードディスクの小型化、高容量化が要求されており、特
に、小型化に伴い記録媒体の速度が低下してくると、記
録媒体との速度に依存しないＭＲヘッドの必要性が高く
なってきた。ＭＲヘッドは従来の誘導型の薄膜ヘッドを
書込み専用ヘッドとし、薄膜磁気抵抗素子を読出し専用
ヘッドとして使用したものである。
ードディスクの小型化、高容量化が要求されており、特
に、小型化に伴い記録媒体の速度が低下してくると、記
録媒体との速度に依存しないＭＲヘッドの必要性が高く
なってきた。ＭＲヘッドは従来の誘導型の薄膜ヘッドを
書込み専用ヘッドとし、薄膜磁気抵抗素子を読出し専用
ヘッドとして使用したものである。
【０００３】このＭＲヘッドでは、薄膜磁気抵抗素子を
読出し専用ヘッドとして使用しているため、読出し出力
が記録媒体との相対速度に依存せず原理的には記録媒体
が回転しなくともデータを読出すことが出来る。
読出し専用ヘッドとして使用しているため、読出し出力
が記録媒体との相対速度に依存せず原理的には記録媒体
が回転しなくともデータを読出すことが出来る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した高密
度記憶装置であるハードディスクに用いられるＭＲヘッ
ドにおいては、次のような課題を有していた。
度記憶装置であるハードディスクに用いられるＭＲヘッ
ドにおいては、次のような課題を有していた。
【０００５】 高容量化に伴い記録密度を上げるため
高Ｈcに対したハードディスクに書き込むため、書込み
専用ヘッドの上部磁性層及び下部磁性層には高Ｂsの材
料を使用すること。 ＭＲ出力の線形性を保証し効率を上げるために有効
な磁気バイアスを掛けること。 ＭＲヘッドのノイズであるバルクハウゼンノイズを
コントロールしてノイズ発生を抑えること。 外部磁場の影響を抑えるためにＭＲヘッドを磁気シ
ールドすること。の４つである。
高Ｈcに対したハードディスクに書き込むため、書込み
専用ヘッドの上部磁性層及び下部磁性層には高Ｂsの材
料を使用すること。 ＭＲ出力の線形性を保証し効率を上げるために有効
な磁気バイアスを掛けること。 ＭＲヘッドのノイズであるバルクハウゼンノイズを
コントロールしてノイズ発生を抑えること。 外部磁場の影響を抑えるためにＭＲヘッドを磁気シ
ールドすること。の４つである。
【０００６】本発明は、これ等の課題を解決し、ＭＲヘ
ッドにおいてノイズの無い安定した出力を得ることを目
的とするものである。
ッドにおいてノイズの無い安定した出力を得ることを目
的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板に磁気ギ
ャップを有する上部磁性層および下部磁性層の両磁性層
間を通り磁気回路と交差する所定巻数のコイルを形成
し、該コイル相互間および該コイルと前記上部下部の両
磁性層間を電気的に絶縁する積層された絶縁層でもって
構成される書込み専用ヘッドと、薄膜磁気抵抗素子を読
出し専用ヘッドとして使用した複合型薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、少なくとも前記薄膜磁気抵抗素子を
形成する際、前記基板の上にＣoＴaＺrＮb系アモルファ
ス合金による下部シールド層を形成して、下地絶縁層を
ＳiＯ2にて形成した後、ＣoＴaＺrＮb系アモルファス合
金による軟磁性バイアス補助層、ＳiＯ2非磁性層、及び
Ｆe−Ｎi合金系ＭＲ素子層を形成後、読出しトラックを
除いた素子部及び引出し電極をＦe−Ｍn合金層、Ａu層
及びＴi層により形成して、その上にＳiＯ2絶縁層を形
成し、前記、上部磁性層及び下部磁性層をＣoＴaＺrＮb
系アモルファス合金にて形成した書込み専用ヘッドを形
成したことを特徴とする。
ャップを有する上部磁性層および下部磁性層の両磁性層
間を通り磁気回路と交差する所定巻数のコイルを形成
し、該コイル相互間および該コイルと前記上部下部の両
磁性層間を電気的に絶縁する積層された絶縁層でもって
構成される書込み専用ヘッドと、薄膜磁気抵抗素子を読
出し専用ヘッドとして使用した複合型薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、少なくとも前記薄膜磁気抵抗素子を
形成する際、前記基板の上にＣoＴaＺrＮb系アモルファ
ス合金による下部シールド層を形成して、下地絶縁層を
ＳiＯ2にて形成した後、ＣoＴaＺrＮb系アモルファス合
金による軟磁性バイアス補助層、ＳiＯ2非磁性層、及び
Ｆe−Ｎi合金系ＭＲ素子層を形成後、読出しトラックを
除いた素子部及び引出し電極をＦe−Ｍn合金層、Ａu層
及びＴi層により形成して、その上にＳiＯ2絶縁層を形
成し、前記、上部磁性層及び下部磁性層をＣoＴaＺrＮb
系アモルファス合金にて形成した書込み専用ヘッドを形
成したことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明によれば、ハードディスクとのクラッシ
ュの無い、高Ｈcの記録媒体に書込みができ、かつ、バ
ルクハウゼンノイズや外部磁場によるノイズの無い、安
定した高出力の出るＭＲヘッドを簡便な工程により得る
ことができる。
ュの無い、高Ｈcの記録媒体に書込みができ、かつ、バ
ルクハウゼンノイズや外部磁場によるノイズの無い、安
定した高出力の出るＭＲヘッドを簡便な工程により得る
ことができる。
【０００９】
【実施例】図１ないし図５は本発明の製造方法を説明す
る図であり、図１はＭＲヘッドの全体外観を示す斜視
図、図２は図１のＭＲヘッドの磁極を示す図、図３はＭ
Ｒヘッドの断面図、図４はＭＲヘッドの一部拡大斜視図
であり、図５は従来のＭＲヘッドで図４に対応するＭＲ
ヘッドの一部拡大斜視図である。
る図であり、図１はＭＲヘッドの全体外観を示す斜視
図、図２は図１のＭＲヘッドの磁極を示す図、図３はＭ
Ｒヘッドの断面図、図４はＭＲヘッドの一部拡大斜視図
であり、図５は従来のＭＲヘッドで図４に対応するＭＲ
ヘッドの一部拡大斜視図である。
【００１０】図１ないし図５によりＭＲヘッドの製造方
法について説明する。ＭＲヘッドの完成品の全体外観は
図１に示すように電磁変換素子16及びＡＢＳ面17で構成
される。
法について説明する。ＭＲヘッドの完成品の全体外観は
図１に示すように電磁変換素子16及びＡＢＳ面17で構成
される。
【００１１】図１ないし図５において、１は基板、２は
下部シールド層、３は下地絶縁層、４は軟磁性バイアス
補助層、５は非磁性層、６はＭＲ素子層、７はＦe−Ｍn
合金層、８はＡu層、９はＴi層、10及び15は絶縁層、11
は下部磁性層、12は磁気ギャップ、13は上部磁性層、14
はコイルである。
下部シールド層、３は下地絶縁層、４は軟磁性バイアス
補助層、５は非磁性層、６はＭＲ素子層、７はＦe−Ｍn
合金層、８はＡu層、９はＴi層、10及び15は絶縁層、11
は下部磁性層、12は磁気ギャップ、13は上部磁性層、14
はコイルである。
【００１２】まず、薄膜インダティブヘッドの基板とし
てはセラミック基板やフェライト系磁性基板を使用が可
能であるが、本発明のＭＲヘッドでは、図２(1)とその
ＭＲ素子詳細図(図２(2))に示すようにメッキメディア
やスパッタメディアとのＣＳＳ(Contact Ｓtart Ｓtop)
特性が良い、Ｍn−Ｚnフェライトの材料により形成され
た例えば直径φ３″厚さ2.8mmの基板１を使用する。
てはセラミック基板やフェライト系磁性基板を使用が可
能であるが、本発明のＭＲヘッドでは、図２(1)とその
ＭＲ素子詳細図(図２(2))に示すようにメッキメディア
やスパッタメディアとのＣＳＳ(Contact Ｓtart Ｓtop)
特性が良い、Ｍn−Ｚnフェライトの材料により形成され
た例えば直径φ３″厚さ2.8mmの基板１を使用する。
【００１３】このＭn−Ｚnフェライトは従来の薄膜ヘッ
ドに使用されていたアルチック(Ａl2Ｏ3，ＴiＣ)より硬
度が小さくメッキメディアやスパッタメディアとの摩擦
が小さい。
ドに使用されていたアルチック(Ａl2Ｏ3，ＴiＣ)より硬
度が小さくメッキメディアやスパッタメディアとの摩擦
が小さい。
【００１４】また、この基板１の表面を仕上研磨した
後、ＭＲ素子層を外部磁場より磁気的に遮蔽するため
に、ＣoＴaＺrＮb系アモルファス合金による下部シール
ド層２をスパッタ法により２μm形成する。
後、ＭＲ素子層を外部磁場より磁気的に遮蔽するため
に、ＣoＴaＺrＮb系アモルファス合金による下部シール
ド層２をスパッタ法により２μm形成する。
【００１５】上記ＣoＴaＺrＮb系アモルファス合金は比
透磁率が4000以上あり、外部磁界を遮断する効果が大き
く下部シールド属２として有効であるばかりではなく、
上部シールド層を兼ねている書込み専用ヘッドの下部磁
性層11と同じ材料であるため再生波形の歪等の問題も無
くなる。
透磁率が4000以上あり、外部磁界を遮断する効果が大き
く下部シールド属２として有効であるばかりではなく、
上部シールド層を兼ねている書込み専用ヘッドの下部磁
性層11と同じ材料であるため再生波形の歪等の問題も無
くなる。
【００１６】そして図５に示す従来のようにフェライト
基板１を直接シールドした場合には、透磁率の違いによ
り、ノイズやパルス歪の原因となる。しかし、下部シー
ルド層２の上に、ＳiＯ2等の絶縁材料をスパッタまたは
蒸着等の方法により、例えば1500Åの下地絶縁層３を形
成した後、軟磁性バイアス補助層４としてＣoＴaＺrＮb
系アモルファス合金の材料で例えば500Åに形成し、そ
の上にＳiＯ2等を例えば100Åの非磁性層５を形成し、
その上にパーマロイのＭＲ素子層６を形成する。
基板１を直接シールドした場合には、透磁率の違いによ
り、ノイズやパルス歪の原因となる。しかし、下部シー
ルド層２の上に、ＳiＯ2等の絶縁材料をスパッタまたは
蒸着等の方法により、例えば1500Åの下地絶縁層３を形
成した後、軟磁性バイアス補助層４としてＣoＴaＺrＮb
系アモルファス合金の材料で例えば500Åに形成し、そ
の上にＳiＯ2等を例えば100Åの非磁性層５を形成し、
その上にパーマロイのＭＲ素子層６を形成する。
【００１７】次に、フォトレジストを全体に塗布し、Ｍ
Ｒのリフトオフの形状をパターニングする。その上にバ
ルクハウゼンノイズをコントロールするための交換バイ
アス層を形成する。この交換バイアス層は引出し電極の
役目をもはたすように、Ｆe−Ｍn合金層７を約250Å、
Ａu層８を1000Å、Ｔi層９を250Å形成する。
Ｒのリフトオフの形状をパターニングする。その上にバ
ルクハウゼンノイズをコントロールするための交換バイ
アス層を形成する。この交換バイアス層は引出し電極の
役目をもはたすように、Ｆe−Ｍn合金層７を約250Å、
Ａu層８を1000Å、Ｔi層９を250Å形成する。
【００１８】ここにＦe−Ｍn層７は、ＭＲ素子層６を単
磁区化しバルクハウゼンノイズをコントロールするため
の層であり、Ａu層８は、電気抵抗を抑えて発熱を防止
するための層であり、Ｔi層９は、密着性を向上するた
めの接着層である。
磁区化しバルクハウゼンノイズをコントロールするため
の層であり、Ａu層８は、電気抵抗を抑えて発熱を防止
するための層であり、Ｔi層９は、密着性を向上するた
めの接着層である。
【００１９】次に、溶剤またはリムーバーにより電極膜
を形成するＦe−Ｍn合金層７、Ａu層８、Ｔi層９をリフ
トオフする。次に、フォトレジストを全体に塗布し、引
出し電極のパターン形状をパターニングし、120℃のブ
リベークを行った後、イオンミリングにより軟磁性バイ
アス補助層４、非磁性層５、及びＭＲ素子層６を除去す
る。その上に絶縁層10のＳiＯ2等を例えば2000Å形成、
さらに、この上に書込み専用ヘッドの下部磁性層11，磁
気ギャップ12及び上部磁性層13を形成する。
を形成するＦe−Ｍn合金層７、Ａu層８、Ｔi層９をリフ
トオフする。次に、フォトレジストを全体に塗布し、引
出し電極のパターン形状をパターニングし、120℃のブ
リベークを行った後、イオンミリングにより軟磁性バイ
アス補助層４、非磁性層５、及びＭＲ素子層６を除去す
る。その上に絶縁層10のＳiＯ2等を例えば2000Å形成、
さらに、この上に書込み専用ヘッドの下部磁性層11，磁
気ギャップ12及び上部磁性層13を形成する。
【００２０】この書込み専用ヘッドの磁性層は高Ｈcの
記録媒体に書込みを行うため高Ｂsの材料を使う必要が
ある。そのためＢsが従来のパーマロイの0.9Ｔより大き
な1.2ＴのＣoＴaＺrＮb系アモルファス合金をスパッタ
リングにより形成する。
記録媒体に書込みを行うため高Ｂsの材料を使う必要が
ある。そのためＢsが従来のパーマロイの0.9Ｔより大き
な1.2ＴのＣoＴaＺrＮb系アモルファス合金をスパッタ
リングにより形成する。
【００２１】上記のようにして製造されたＭＲヘッドの
断面図である図３からわかるように、基板１に磁気ギャ
ップ12を有する上部磁性層13および下部磁性層11の両磁
性層間13，11を通り磁気回路と交差する所定巻数のコイ
ル14を形成し、該コイル相互間および該コイルと前記上
部下部の両磁性層間13，11を電気的に絶縁する樹脂絶縁
膜を積層して絶縁層15を形成し、これらにより構成され
る書込み専用ヘッドと、薄膜磁気抵抗素子を読出し専用
ヘッドとして使用した、ＭＲヘッドが構成される。
断面図である図３からわかるように、基板１に磁気ギャ
ップ12を有する上部磁性層13および下部磁性層11の両磁
性層間13，11を通り磁気回路と交差する所定巻数のコイ
ル14を形成し、該コイル相互間および該コイルと前記上
部下部の両磁性層間13，11を電気的に絶縁する樹脂絶縁
膜を積層して絶縁層15を形成し、これらにより構成され
る書込み専用ヘッドと、薄膜磁気抵抗素子を読出し専用
ヘッドとして使用した、ＭＲヘッドが構成される。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の複合型薄膜
磁気ヘッドの製造方法は、少なくとも薄膜磁気抵抗素子
を形成する際、基板１の上にＣoＴaＺrＮb系アモルファ
ス合金による下部シールド層２を形成して、下地絶縁層
３をＳiＯ2にて形成した後、ＣoＴaＺrＮb系アモルファ
ス合金による軟磁性バイアス補助層４、ＳiＯ2非磁性層
５、及びＦe−Ｎi合金系のＭＲ素子層６を形成後、読出
しトラックを除いた素子部及び引出し電極をＦe−Ｍn合
金層７、Ａu層８及びＴi層９により形成して、その上に
ＳiＯ2の絶縁層10を形成し、前記、上部磁性層13及び下
部磁性層11をＣoＴaＺrＮb系アモルファス合金にて形成
した書込み専用ヘッドを形成したことにより、ＭＲヘッ
ドにおいて、高Ｈcの記録媒体に書込みができ、またバ
ルクハウゼンノイズや外部磁場によるノイズの無い、安
定した高出力の出るＭＲヘッドを簡便な工程により得る
ことができる。
磁気ヘッドの製造方法は、少なくとも薄膜磁気抵抗素子
を形成する際、基板１の上にＣoＴaＺrＮb系アモルファ
ス合金による下部シールド層２を形成して、下地絶縁層
３をＳiＯ2にて形成した後、ＣoＴaＺrＮb系アモルファ
ス合金による軟磁性バイアス補助層４、ＳiＯ2非磁性層
５、及びＦe−Ｎi合金系のＭＲ素子層６を形成後、読出
しトラックを除いた素子部及び引出し電極をＦe−Ｍn合
金層７、Ａu層８及びＴi層９により形成して、その上に
ＳiＯ2の絶縁層10を形成し、前記、上部磁性層13及び下
部磁性層11をＣoＴaＺrＮb系アモルファス合金にて形成
した書込み専用ヘッドを形成したことにより、ＭＲヘッ
ドにおいて、高Ｈcの記録媒体に書込みができ、またバ
ルクハウゼンノイズや外部磁場によるノイズの無い、安
定した高出力の出るＭＲヘッドを簡便な工程により得る
ことができる。
【図１】ＭＲヘッドの全体外観を示す斜視図である。
【図２】図１のＭＲヘッドの磁極を示す図である。
【図３】ＭＲヘッドの断面図である。
【図４】ＭＲヘッドの一部拡大斜視図である。
【図５】従来のＭＲヘッドの一部拡大斜視図である。
１…基板、 ２…下部シールド層、 ３…下地絶縁層、
４…軟磁性バイアス補助層、 ５…非磁性層、 ６…
ＭＲ素子層、 ７…Ｆe−Ｍn合金層、 ８…Ａu層、
９…Ｔi層、 １０…絶縁層、 11…下部磁性層、 12
…磁気ギャップ、13…上部磁性層、 14…コイル、 15
…絶縁層、 16…電磁変換素子、 17…ＡＢＳ層。
４…軟磁性バイアス補助層、 ５…非磁性層、 ６…
ＭＲ素子層、 ７…Ｆe−Ｍn合金層、 ８…Ａu層、
９…Ｔi層、 １０…絶縁層、 11…下部磁性層、 12
…磁気ギャップ、13…上部磁性層、 14…コイル、 15
…絶縁層、 16…電磁変換素子、 17…ＡＢＳ層。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板に磁気ギャップを有する上部磁性層
および下部磁性層の両磁性層間を通り磁気回路と交差す
る所定巻数のコイルを形成し、該コイル相互間および該
コイルと前記上部下部の両磁性層間を電気的に絶縁する
積層された絶縁層でもって構成される書込み専用ヘッド
と、薄膜磁気抵抗素子を読出し専用ヘッドとして使用し
た複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 少なくとも前記薄膜磁気抵抗素子を形成する際、前記基
板の上にＣoＴaＺrＮb系アモルファス合金による下部シ
ールド層を形成して、下地絶縁層をＳiＯ2にて形成した
後、ＣoＴaＺrＮb系アモルファス合金による軟磁性バイ
アス補助層、ＳiＯ2非磁性層、及びＦe−Ｎi合金系ＭＲ
素子層を形成後、読出しトラックを除いた素子部及び引
出し電極をＦe−Ｍn合金層、Ａu層及びＴi層により形成
して、その上にＳiＯ2絶縁層を形成し、前記、上部磁性
層及び下部磁性層をＣoＴaＺrＮb系アモルファス合金に
て形成した書込み専用ヘッドを形成したことを特徴とす
る複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4017704A JPH05217123A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4017704A JPH05217123A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217123A true JPH05217123A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11951171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4017704A Pending JPH05217123A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05217123A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621593A (en) * | 1994-09-08 | 1997-04-15 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head and method of fabricating the same |
| US6169646B1 (en) | 1998-11-18 | 2001-01-02 | Seagate Technology, Inc. | Magnetoresistive shield incorporating seedlayer for anisotropy enhancement |
| KR100274108B1 (ko) * | 1996-02-22 | 2001-01-15 | 모리시타 요이찌 | 자기 저항 효과 소자 및 자기 저항 효과형 헤드 |
| KR100456197B1 (ko) * | 2000-05-15 | 2004-11-09 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 자기저항 효과 센서, 자기저항 효과 센서의 제조 방법,자기저항 검출 시스템 및 자기 저장 시스템 |
| US7360296B2 (en) * | 2004-09-30 | 2008-04-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for reducing damage to sliders during lapping |
-
1992
- 1992-02-03 JP JP4017704A patent/JPH05217123A/ja active Pending
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| KR100274108B1 (ko) * | 1996-02-22 | 2001-01-15 | 모리시타 요이찌 | 자기 저항 효과 소자 및 자기 저항 효과형 헤드 |
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