JPH05218159A - 共通欠陥検査方法 - Google Patents
共通欠陥検査方法Info
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- JPH05218159A JPH05218159A JP21765991A JP21765991A JPH05218159A JP H05218159 A JPH05218159 A JP H05218159A JP 21765991 A JP21765991 A JP 21765991A JP 21765991 A JP21765991 A JP 21765991A JP H05218159 A JPH05218159 A JP H05218159A
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- Japan
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- reticle
- common defect
- patterns
- reticles
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】一面付きレチクルの共通欠陥を正確に検査す
る。 【構成】装置に画像データ記憶部５を備え、第１のレチ
クルでパターンが形成されたウェーハ１を走査し、この
チップパターンの画像データを画像データ記憶部５に記
憶するステップと、第２のレチクルで形成されるチップ
パターンの画像データ記憶部５に記憶するステップと、
これら２つの画像データを比較演算部６で比較するステ
ップとを行い、レチクルの共通欠陥を検査する。
る。 【構成】装置に画像データ記憶部５を備え、第１のレチ
クルでパターンが形成されたウェーハ１を走査し、この
チップパターンの画像データを画像データ記憶部５に記
憶するステップと、第２のレチクルで形成されるチップ
パターンの画像データ記憶部５に記憶するステップと、
これら２つの画像データを比較演算部６で比較するステ
ップとを行い、レチクルの共通欠陥を検査する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の同一のチップパ
ターンが形成される一面付レチクルにおける繰り返して
現われるパターンの同一場所にある同一形状の共通欠陥
を検査する共通欠陥検査方法に関する。
ターンが形成される一面付レチクルにおける繰り返して
現われるパターンの同一場所にある同一形状の共通欠陥
を検査する共通欠陥検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の共通欠陥検査は、ガラス
板あるいはシリコンウェーハ上にフォトリソグラフィー
法によりレチクルのチップパターンを転写し、この転写
されたチップパターンを比較することによって欠陥検査
を行っていた。すなわち、この方法は、図２に示す共通
欠陥検査装置を用いられていた。この方法は、まず、左
顕微鏡３と右顕微鏡４の下にあるウェーハ１におけるそ
れぞれのチップのパターンを撮像し、これら撮像信号を
比較演算部６で処理し、ＣＲＴ７で表示し、その違いを
見つけ共通欠陥としていた。すなわち、２つのチップ間
に相違点が同じ場所にあるかどうかを確認することによ
り共通欠陥検査を行っていた。
板あるいはシリコンウェーハ上にフォトリソグラフィー
法によりレチクルのチップパターンを転写し、この転写
されたチップパターンを比較することによって欠陥検査
を行っていた。すなわち、この方法は、図２に示す共通
欠陥検査装置を用いられていた。この方法は、まず、左
顕微鏡３と右顕微鏡４の下にあるウェーハ１におけるそ
れぞれのチップのパターンを撮像し、これら撮像信号を
比較演算部６で処理し、ＣＲＴ７で表示し、その違いを
見つけ共通欠陥としていた。すなわち、２つのチップ間
に相違点が同じ場所にあるかどうかを確認することによ
り共通欠陥検査を行っていた。
【０００３】また、別の方法として、レチクル上におけ
るチップパターンデータとウェーハに形成されたチップ
パターンデータを直接比較する方法がある。この方法は
レチクルのパターンデータを縮小寸法になるようにデー
タ変換したり、露光現像後の近接効果を考慮してレチク
ルのパターンデータをウェーハに転写されるパターンデ
ータに変換し、比較出来るデータにしてから互いのデー
タを比較する方法である。
るチップパターンデータとウェーハに形成されたチップ
パターンデータを直接比較する方法がある。この方法は
レチクルのパターンデータを縮小寸法になるようにデー
タ変換したり、露光現像後の近接効果を考慮してレチク
ルのパターンデータをウェーハに転写されるパターンデ
ータに変換し、比較出来るデータにしてから互いのデー
タを比較する方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の共通欠陥検
査方法で前者の場合は、ガラスやシリコンのウェーハ上
にフォトリソグラフィー法によりレチクルのチップパタ
ーンを形成しウェーハにおける左右のチップ内における
パターンどうしを画像比較するため二面付以上のレチク
ルのようにレチクル上の異なるチップに異なるパターン
を含んでいるため、比較検査できるが、一面付レチクル
のように、レチクル上に同一パターンが形成されている
ので、パターンを比較しても凝似欠陥として検査される
ので正確な検査が困難である。
査方法で前者の場合は、ガラスやシリコンのウェーハ上
にフォトリソグラフィー法によりレチクルのチップパタ
ーンを形成しウェーハにおける左右のチップ内における
パターンどうしを画像比較するため二面付以上のレチク
ルのようにレチクル上の異なるチップに異なるパターン
を含んでいるため、比較検査できるが、一面付レチクル
のように、レチクル上に同一パターンが形成されている
ので、パターンを比較しても凝似欠陥として検査される
ので正確な検査が困難である。
【０００５】また、後者のレチクルパターンデータとチ
ップに形成されたパターンデータとを比較するときは、
データ構造の違う２つのデータを変換してから比較する
という煩雑な処理が必要であり、時間がかかるという問
題やウェーハ上のチップパターンの露光現像後の寸法変
化やホールパターン等の近接効果による形状変化により
凝似欠陥として見なしてまう問題がある。
ップに形成されたパターンデータとを比較するときは、
データ構造の違う２つのデータを変換してから比較する
という煩雑な処理が必要であり、時間がかかるという問
題やウェーハ上のチップパターンの露光現像後の寸法変
化やホールパターン等の近接効果による形状変化により
凝似欠陥として見なしてまう問題がある。
【０００６】本発明の目的は、かかる問題を解消すべく
一面付レチクルの共通欠陥を正確に検査出来る共通欠陥
検査方法を提供することである。
一面付レチクルの共通欠陥を正確に検査出来る共通欠陥
検査方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の共通欠陥検査方
法は、同一製品で同一工程における一面付レチクル２枚
を使用してそれぞれ異なるウェーハ上にフォトリソグラ
フィー法によりチップパターンを形成する工程と、形成
されるチップパターンを光を走査し、撮像する工程と、
この工程で得られる２種類の画像データを画像データ間
で比較することにより共通欠陥を検出する工程とを含ん
で構成されている。
法は、同一製品で同一工程における一面付レチクル２枚
を使用してそれぞれ異なるウェーハ上にフォトリソグラ
フィー法によりチップパターンを形成する工程と、形成
されるチップパターンを光を走査し、撮像する工程と、
この工程で得られる２種類の画像データを画像データ間
で比較することにより共通欠陥を検出する工程とを含ん
で構成されている。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の共通欠陥検査方法一実施例
を説明するための共通欠陥検査装置を示す概略図であ
る。この共通欠陥検査方法は、図１に示す共通欠陥検査
装置を使用したことであるこの共通欠陥検査装置は、パ
ターンデータを記憶する画像データ記憶部５を設けたこ
とである。それ以外は従来例と同じである。
を説明するための共通欠陥検査装置を示す概略図であ
る。この共通欠陥検査方法は、図１に示す共通欠陥検査
装置を使用したことであるこの共通欠陥検査装置は、パ
ターンデータを記憶する画像データ記憶部５を設けたこ
とである。それ以外は従来例と同じである。
【００１０】次に、この共通欠陥検査方法について説明
する。まず、同一製品・同一工程の一面付レチクルを２
枚使用し、フォトリソグラフィー法によりそれぞれをガ
ラス板あるいはウェーハパターン形成する。次に、第１
のレチクルでパターン形成された第１のウェーハ上の２
つのチップを左右２つの顕微鏡３，４で同時に走査し、
撮像する。次に、それぞれの顕微鏡から得られたチップ
パターンのデータを同様に２つ別々に画像データ記憶部
５に記憶する。次に、第１のレチクルでパターンが形成
されたウェーハ上を左顕微鏡３で走査して得られた画像
データと、第２のレチクルでパターンが形成されたウェ
ーハ左顕微鏡３で走査して得られた画像データを画像デ
ータ記憶部５から抽出し、比較演算部６でこれら２つの
画像データを比較し両者間で相違点つまり欠陥があれば
これをチップパターン上の座標で記憶する。（比較デー
タ１）次に第１のレチクルでパターンが形成されたウェ
ーハ上を右顕微鏡４で走査して、得られた画像データと
第２のレチクルでパターンが形成されたウェーハ上を右
顕微鏡４で走査して得られた画像データで同様に比較し
て両者間で相違点つまり欠陥があればこれをチップパタ
ーン上の座標で記憶する。（比較データ２）さらに比較
データ１と比較データ２を比較演算部６で比較し、チッ
プパターン上の同じ座標に欠陥があれば共通欠陥の疑い
があるので、その部分の画像データをＣＲＴ７上に写し
出して人間の目で共通欠陥がどうか確認する。
する。まず、同一製品・同一工程の一面付レチクルを２
枚使用し、フォトリソグラフィー法によりそれぞれをガ
ラス板あるいはウェーハパターン形成する。次に、第１
のレチクルでパターン形成された第１のウェーハ上の２
つのチップを左右２つの顕微鏡３，４で同時に走査し、
撮像する。次に、それぞれの顕微鏡から得られたチップ
パターンのデータを同様に２つ別々に画像データ記憶部
５に記憶する。次に、第１のレチクルでパターンが形成
されたウェーハ上を左顕微鏡３で走査して得られた画像
データと、第２のレチクルでパターンが形成されたウェ
ーハ左顕微鏡３で走査して得られた画像データを画像デ
ータ記憶部５から抽出し、比較演算部６でこれら２つの
画像データを比較し両者間で相違点つまり欠陥があれば
これをチップパターン上の座標で記憶する。（比較デー
タ１）次に第１のレチクルでパターンが形成されたウェ
ーハ上を右顕微鏡４で走査して、得られた画像データと
第２のレチクルでパターンが形成されたウェーハ上を右
顕微鏡４で走査して得られた画像データで同様に比較し
て両者間で相違点つまり欠陥があればこれをチップパタ
ーン上の座標で記憶する。（比較データ２）さらに比較
データ１と比較データ２を比較演算部６で比較し、チッ
プパターン上の同じ座標に欠陥があれば共通欠陥の疑い
があるので、その部分の画像データをＣＲＴ７上に写し
出して人間の目で共通欠陥がどうか確認する。
【００１１】また、欠陥が無いことが確認されたレチク
ルでウェーハ上に形成されたチップパターンの画像デー
タを比較演算部６に入力し、この画像データと別のレチ
クルでウェーハ上に形成されたチップパターンを走査し
ながら比較することにより共通欠陥検査を行っても良
い。この実施例の場合、毎回２枚のレチクルを使用して
ウェーハ上にパターン形成し、比較検査を行う必要がな
いため検査時間を短縮できる利点がある。
ルでウェーハ上に形成されたチップパターンの画像デー
タを比較演算部６に入力し、この画像データと別のレチ
クルでウェーハ上に形成されたチップパターンを走査し
ながら比較することにより共通欠陥検査を行っても良
い。この実施例の場合、毎回２枚のレチクルを使用して
ウェーハ上にパターン形成し、比較検査を行う必要がな
いため検査時間を短縮できる利点がある。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、一面付レ
チクルを２枚使用してそれぞれのレチクルでパターン形
成した２枚のウェーハのチップパターンを画像データと
して別々に記憶し、この２つの画像データを比較するこ
とにより検査を行うようにしたので、一面付きレチクル
の共通欠陥を正確に検査できる共通欠陥検査方法が得ら
れるという効果がある。
チクルを２枚使用してそれぞれのレチクルでパターン形
成した２枚のウェーハのチップパターンを画像データと
して別々に記憶し、この２つの画像データを比較するこ
とにより検査を行うようにしたので、一面付きレチクル
の共通欠陥を正確に検査できる共通欠陥検査方法が得ら
れるという効果がある。
【図１】本発明の共通欠陥検査方法の一実施例の説明す
るための共通欠陥検査装置を示す概略図である。
るための共通欠陥検査装置を示す概略図である。
【図２】従来の共通欠陥検査方法の一例を説明するため
の共通欠陥検査装置を示す概略図である。
の共通欠陥検査装置を示す概略図である。
１ ウェーハ ２ ステージ ３ 左顕微鏡 ４ 右顕微鏡 ５ 画像データ記憶部 ６ 比較演算部 ７ ＣＲＴ
Claims (1)
- 【請求項１】 同一製品で同一工程における一面付レチ
クル２枚を使用してそれぞれ異なるウェーハ上にフォト
リソグラフィー法によりチップパターンを形成する工程
と、形成されるチップパターンを光を走査し、撮像する
工程と、この工程で得られる２種類の画像データを画像
データ間で比較することにより共通欠陥を検出する工程
とを含んでいることを特徴とする共通欠陥検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3217659A JP2982413B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 共通欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3217659A JP2982413B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 共通欠陥検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218159A true JPH05218159A (ja) | 1993-08-27 |
| JP2982413B2 JP2982413B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=16707713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3217659A Expired - Lifetime JP2982413B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 共通欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2982413B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108801914A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-11-13 | 华中科技大学 | 一种对多沟槽型面板材成形缺陷的检测方法及检测系统 |
| WO2020105319A1 (ja) * | 2018-11-19 | 2020-05-28 | 株式会社日立ハイテク | 欠陥検査装置、欠陥検査方法 |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP3217659A patent/JP2982413B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108801914A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-11-13 | 华中科技大学 | 一种对多沟槽型面板材成形缺陷的检测方法及检测系统 |
| WO2020105319A1 (ja) * | 2018-11-19 | 2020-05-28 | 株式会社日立ハイテク | 欠陥検査装置、欠陥検査方法 |
| US11788973B2 (en) | 2018-11-19 | 2023-10-17 | Hitachi High-Tech Corporation | Defect inspection device and defect inspection method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2982413B2 (ja) | 1999-11-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990824 |