JPH05218201A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

Info

Publication number
JPH05218201A
JPH05218201A JP4625692A JP4625692A JPH05218201A JP H05218201 A JPH05218201 A JP H05218201A JP 4625692 A JP4625692 A JP 4625692A JP 4625692 A JP4625692 A JP 4625692A JP H05218201 A JPH05218201 A JP H05218201A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
clock distribution
wiring layer
distribution system
clock
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4625692A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaomi Okabe
雅臣 岡辺
Kengo Azuma
憲吾 東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4625692A priority Critical patent/JPH05218201A/ja
Publication of JPH05218201A publication Critical patent/JPH05218201A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 クロック分配回路を有する半導体集積回路に
おいて、RAM・ROM、メガセル等を配置してもレイ
アウトによりクロック分配系の配線に影響を与えず、し
かも高速なクロック分配方式を提供することのできる半
導体集積回路を得る。 【構成】 2層以上の配線プロセスを用い、最上層部の
配線層をクロック分配系専用の配線層として構成する。
また、クロック分配系配線層とその他のロジック配線層
とを分離する構成となっており、下層部の単数および複
数配線層でRAM・ROM、メガセル、ランダムロジッ
ク等を構成し、上層部の単数および複数配線層でクロッ
ク分配系配線を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体集積回路に関
し、特にそのクロック分配方式に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は従来技術の一例であるマスタスラ
イス方式の半導体集積回路におけるクロック分配方式を
示すレイアウト図である。図3において、1はマスタス
ライス方式でいうトランジスタ構成までの工程であるマ
スタ部(以下マスタ部と呼ぶ)を示し、2は上記マスタ
部1におけるI/Oバッファのトランジスタ構成部、3
は上記マスタ部1における内部回路用のトランジスタ構
成部、4は上記マスタ部1におけるプリドライバのトラ
ンジスタ構成部、5は上記マスタ部1におけるクロック
ドライバのトランジスタ構成部、6はRAM・ROM、
メガセル、ランダムロジック、クロック分配回路等を構
成している配線層であるスライス部A(以下、スライス
部Aと呼ぶ。)を示し、7は上記スライス部A6におけ
るI/Oバッファを構成している配線層、8は上記スラ
イス部A6におけるプリドライバを構成している配線
層、9は上記スライス部A6におけるクロックドライバ
を構成している配線層、10は上記スライス部A6にお
けるRAM・ROMやメガセル等を構成している配線
層、11は上記スライス部A6におけるクロック分配回
路のリング配線層、12は上記スライス部A6における
クロック分配回路のトランク配線層、13は上記スライ
ス部A6におけるクロック分配回路のブランチ配線層、
14は上記スライス部A6における内部回路群の配線
層、15は上記スライス部A6におけるクロック分配回
路内のプリドライバとクロックドライバを接続している
配線層を示している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
のクロック分配方式のレイアウトは以上のように構成さ
れているので、集積回路として構成した場合、RAM・
ROM、メガセル等を配置し、配線層10を設けること
により、クロック分配系の配線11,12,13,15
に悪影響が及び、レイアウト毎にスピード性能が異なる
という課題があった。
【0004】この発明はかかる課題を解決すべくなされ
たもので、クロックスキュー管理の容易化を達成できる
とともに、RAM・ROM、メガセル等を配置してもそ
のレイアウトの工夫によりクロック系の配線に影響を与
えることがなく、しかも高速なクロック分配方式を実現
できる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路は、基板上に形成された複数の機能回路と、この
各機能回路に種々の信号を供給するための配線とを有す
るものにおいて、配線を、各機能回路にクロック信号を
供給するための第1の配線層と、この第1の配線層とは
電気的に分離された、クロック信号以外の信号を各機能
回路に供給する第2の配線層とから構成したものであ
る。
【0006】また、この発明に係る半導体集積回路は、
上記配線を複数の配線層から構成し、そのうちの最上層
部の単数あるいは複数配線層を上記第1の配線層、それ
以外の複数あるいは単数配線層を上記第2の配線層とし
たものである。
【0007】
【作用】この発明においては、基板上に形成された複数
の機能回路に種々の信号を供給するための配線を、クロ
ック信号を供給するための第1の配線層と、第1の配線
層とは電気的に分離された、クロック信号以外の信号を
供給する第2の配線層から構成したので、機能回路のレ
イアウトの工夫によりクロック分配系専用配線に悪影響
を与えることのないクロック分配方式が実現できる。
【0008】また、この発明においては、上記配線を複
数の配線層から構成し、そのうちの最上層部の単数ある
いは複数配線層を第1の配線層、それ以外の複数あるい
は単数配線層を第2の配線層としたので、第1の配線層
の膜厚を最大限まで厚くすることにより配線抵抗値を小
さくすることができ、クロックドライバの出力端子から
内部回路入力端子までの信号における位相のずれを小さ
くでき、クロックスキュー管理が容易で高性能なクロッ
ク分配方式が実現できる。また、第1の配線層は第2の
配線層に比べて基板までの距離が遠くなることから、配
線容量値が小さくなり、高速なクロック分配方式が実現
できる。
【0009】
【実施例】以下、図面に基づきこの発明の一実施例を詳
細に説明する。図1はこの発明の一実施例による半導体
集積回路のクロック分配回路のマスタスライス方式での
レイアウト図である。図1において、1はマスタスライ
ス方式でいうマスタ部を示し、2は上記マスタ部1にお
けるI/Oバッファのトランジスタ構成部、3は上記マ
スタ部1における内部回路用のトランジスタ構成部、4
は上記マスタ部1におけるプリドライバのトランジスタ
構成部、5は上記マスタ部1におけるクロックドライバ
のトランジスタ構成部、16はRAM・ROM、メガセ
ル、ランダムロジック等を構成している配線層であるス
ライス部B(以下、スライス部Bと呼ぶ。)、17はク
ロック分配系の配線のみを構成している配線層であるス
ライス部C(以下、スライス部Cと呼ぶ。)、7は上記
スライス部B16におけるI/Oバッファを構成してい
る配線層、8は上記スライス部C17におけるプリドラ
イバを構成している配線層、9は上記スライス部C17
におけるクロックドライバを構成している配線層、10
はRAM・ROM、メガセル等を構成している配線層、
11は上記スライス部C17におけるクロックドライバ
からの出力信号を内部回路へ伝達するためのリング幹線
配線層、12は上記スライス部C17におけるクロック
ドライバからの出力信号をリング幹線を介して内部回路
へ伝達するためのトランク支線配線層、13は上記スラ
イス部C17におけるクロックドライバからの出力信号
をリング幹線およびトランク支線を介して内部回路へ伝
達するためのブランチ枝線配線層、14は上記スライス
部16における内部回路を構成している配線層、15は
上記スライス部C17におけるクロック分配回路でのプ
リドライバとクロックドライバを接続している配線層で
ある。
【0010】また、図2は図1におけるマスタ部1と、
スライス部B16、およびスライス部C17をLSIレ
ベルで合成したものであり、図において、18はLSI
レベルを示している。
【0011】図1において、マスタ部1では内部回路を
はじめ、クロックドライバ、I/Oバッファ等のトラン
ジスタを構成しており、スライス部B16では、クロッ
ク分配系配線を除くRAM・ROM、メガセル、ランダ
ムロジック等の配線10,14を単数および複数の配線
層を用いて構成している。また、スライス部C17で
は、クロック分配系専用配線のみを単数および複数の配
線層を用いて構成している。本実施例ではこのクロック
分配系専用配線層を、適用プロセスでの最上層部の配線
層を用いて構成している。
【0012】このような本実施例では、集積回路を構成
するにあたりRAM・ROM、メガセル、ランダムロジ
ック等を構成する信号配線のための配線層とクロック分
配回路を構成する専用配線のための配線層とを分離して
形成したので、RAM・ROM、メガセル、ランダムロ
ジック等を配置するなどの多種多様な条件のレイアウト
によってクロック分配系の配線層が影響をうけることが
なく、一定の遅延特性を保証できるクロック分配方式を
実現できる。
【0013】また、分離されたクロック分配系配線を適
用配線プロセスでの最上層部の配線層で構成しているの
で、最上層部の配線層ほど配線膜厚を厚くすることがで
きることから、クロック分配系配線における配線抵抗を
小さくすることができ、これにより、クロック分配系配
線間に生じていた配線抵抗によるクロックスキューを低
減することができる。
【0014】また、最上層部の配線層ほどシリコン基板
から配線層までの距離が遠くなることから、クロック分
配系配線における配線容量が小さくなり、高速なクロッ
ク分配方式が得られる。また、本実施例の構成によれ
ば、階層設計がより容易となる。なお、本実施例は以上
のようにマスタ・スライス方式のものについて示した
が、本発明はマスタ・スライス方式のものに限定される
ものではない。
【0015】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、クロッ
ク分配系専用配線層とRAM・ROM、メガセル、ラン
ダムロジック等の配線層とを分離して形成したので、R
AM・ROM、メガセル等を配置してもそのレイアウト
の工夫によりクロック分配系専用配線に悪影響を与える
ことがなく、階層設計がより容易なクロック分配方式を
実現することができるという効果がある。
【0016】また、この発明によれば、クロック分配系
専用配線層を最上層部で構成したので、クロック分配系
配線の配線膜厚を最限まで厚くすることにより配線抵抗
値を小さくでき、クロックドライバの出力端子から内部
回路入力端子までの信号における位相のずれを小さくで
き、クロックスキュー管理が容易で高性能なクロック分
配方式が得られるという効果がある。さらに、クロック
分配系専用配線層は下層部に比べ基板からの距離を多く
とれることから、クロック分配系専用配線層の配線容量
値を小さくでき、高速なクロック分配方式が実現できる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による半導体集積回路におけ
るクロック分配方式のレイアウト図である。
【図2】本発明の他の実施例の半導体集積回路における
クロック分配方式のレイアウト図である。
【図3】従来の半導体集積回路のクロック分配方式のレ
イアウト図である。
【符号の説明】
1 マスタ部 2 I/Oバッファのトランジスタ構成部 3 内部回路のトランジスタ構成部 4 プリドライバのトランジスタ構成部 5 クロックドライバのトランジスタ構成部 6 スライス部 7 I/Oバッファを構成している配線層 8 プリドライハを構成している配線層 9 クロックドライバを構成している配線層 10 RAM・ROM、メガセル等を構成している配線
層 11 クロック分配回路用リング幹線配線 12 クロック分配回路用トランク支線配線 13 クロック分配回路用ブランチ枝線配線 14 内部回路ロジック配線 15 プリドライハとクロックドライバを接続している
配線層 16 スライス部 17 クロック分配回路専用スライス部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に形成された複数の機能回路と、
    該各機能回路に種々の信号を供給するための配線とを有
    する半導体集積回路において、 上記配線は、 上記各機能回路にクロック信号を供給するための第1の
    配線層と、 上記第1の配線層とは電気的に分離された、クロック信
    号以外の信号を上記各機能回路に供給する第2の配線層
    とから構成されていることを特徴とする半導体集積回
    路。
  2. 【請求項2】 上記配線は複数の配線層から構成されて
    おり、 そのうちの最上層部の単数あるいは複数配線層が上記第
    1の配線層となっており、 上記以外の複数あるいは単数配線層が上記第2の配線層
    となっていることを特徴とする請求項1記載の半導体集
    積回路。
JP4625692A 1992-01-30 1992-01-30 半導体集積回路 Pending JPH05218201A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4625692A JPH05218201A (ja) 1992-01-30 1992-01-30 半導体集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4625692A JPH05218201A (ja) 1992-01-30 1992-01-30 半導体集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05218201A true JPH05218201A (ja) 1993-08-27

Family

ID=12742111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4625692A Pending JPH05218201A (ja) 1992-01-30 1992-01-30 半導体集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05218201A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09213887A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Nec Corp 半導体装置
JP2013038444A (ja) * 2012-10-05 2013-02-21 Megica Corp 相互接続構造体及びその形成方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09213887A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Nec Corp 半導体装置
JP2013038444A (ja) * 2012-10-05 2013-02-21 Megica Corp 相互接続構造体及びその形成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5309015A (en) Clock wiring and semiconductor integrated circuit device having the same
JP3022426B2 (ja) クロック信号供給用集積回路及びその構成方法
JP3026387B2 (ja) 半導体集積回路
JP4932980B2 (ja) オン・ダイ型のデカップリング・キャパシタンスを有する半導体ダイ
JPH05218201A (ja) 半導体集積回路
JPS583379B2 (ja) 半導体装置
JP2852051B2 (ja) 相補型クロックドナンド回路
JP7525802B2 (ja) 半導体集積回路装置
JP2788783B2 (ja) 半導体集積回路
JPS5856354A (ja) マスタ−スライスlsi
JP3052955B1 (ja) クロックラインツリ―構築方法
JP2508205B2 (ja) マスタ―スライス型半導体装置
JPH08306867A (ja) 半導体集積回路
JP3006804B2 (ja) ゲートアレイ型半導体集積回路装置およびそのクロックドライバのクロックスキューの調整方法
JPH0586668B2 (ja)
JPH04217345A (ja) 半導体装置
JP2737620B2 (ja) 半導体集積回路の配線方法
US6348723B1 (en) Semiconductor device with a dummy wire positioned to prevent charging/discharging of the parasitic capacitance of a signal wire
JP2964765B2 (ja) 多層配線層を用いた半導体集積回路
JPH11345953A (ja) 半導体集積回路装置
JP2652948B2 (ja) 半導体集積回路
JPH0246767A (ja) ゲートアレー方式の半導体集積回路
JPS643055B2 (ja)
JP3273683B2 (ja) 半導体集積回路
JPH05198780A (ja) マスタスライス方式半導体集積回路装置