JPH05218263A - リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH05218263A JPH05218263A JP4016409A JP1640992A JPH05218263A JP H05218263 A JPH05218263 A JP H05218263A JP 4016409 A JP4016409 A JP 4016409A JP 1640992 A JP1640992 A JP 1640992A JP H05218263 A JPH05218263 A JP H05218263A
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- JP
- Japan
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- resin
- lead frame
- semiconductor device
- die pad
- package
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】パッケージクラックの発生を防止することを目
的とする。 【構成】ダイパッド４とその周辺部に形成されたインナ
ーリード５及びアウターリード６とからなるリードフレ
ーム３Ａの、前記インナーリード５間に細条突起２０を
形成し、この細条突起２０が、封止樹脂１０で形成され
たパッケージ１１の側面と同一の面が構成されるように
露出させて蒸気減圧手段を構成している。 【効果】ダイパッドが細条突起を介して外界に露出して
いるので、この樹脂封止型半導体装置の実装時、ダイパ
ッド付近に存在する水分が加熱された発生する水蒸気の
圧力を減圧することができ、従って、蒸気圧によるパッ
ケージクラックを防止することができる。
的とする。 【構成】ダイパッド４とその周辺部に形成されたインナ
ーリード５及びアウターリード６とからなるリードフレ
ーム３Ａの、前記インナーリード５間に細条突起２０を
形成し、この細条突起２０が、封止樹脂１０で形成され
たパッケージ１１の側面と同一の面が構成されるように
露出させて蒸気減圧手段を構成している。 【効果】ダイパッドが細条突起を介して外界に露出して
いるので、この樹脂封止型半導体装置の実装時、ダイパ
ッド付近に存在する水分が加熱された発生する水蒸気の
圧力を減圧することができ、従って、蒸気圧によるパッ
ケージクラックを防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、水蒸気によるパッケ
ージクラックの発生を防止する対策が施された樹脂封止
型半導体装置に関するものである。
ージクラックの発生を防止する対策が施された樹脂封止
型半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４及び図５を用いて従来技術のリード
フレーム及び樹脂封止型半導体装置を説明する。図４は
従来技術の一構成単位のリードフレームの平面図を示
し、図５は図４に示したリードフレームを用い、Ａ−Ａ
線上から見た従来技術の樹脂封止型半導体装置の断面図
を示す。
フレーム及び樹脂封止型半導体装置を説明する。図４は
従来技術の一構成単位のリードフレームの平面図を示
し、図５は図４に示したリードフレームを用い、Ａ−Ａ
線上から見た従来技術の樹脂封止型半導体装置の断面図
を示す。
【０００３】従来技術のリードフレーム３は、ダイパッ
ド４と、この周辺部に所定の配列で配置されたインナー
リード５と、これらに対応したアウターリード６などと
を一構成単位とし、この一単位を複数形成して構成され
ている。符号７はダイパッド４の両端を各ステー８に接
続している吊りであって、これらの吊り７の斜線を施し
た部分で折り曲げられ、ダイパッド４はディプレスされ
ている。
ド４と、この周辺部に所定の配列で配置されたインナー
リード５と、これらに対応したアウターリード６などと
を一構成単位とし、この一単位を複数形成して構成され
ている。符号７はダイパッド４の両端を各ステー８に接
続している吊りであって、これらの吊り７の斜線を施し
た部分で折り曲げられ、ダイパッド４はディプレスされ
ている。
【０００４】このようなリードフレーム３のダイパッド
４に半導体チップ２を銀ペーストなどを用いてダイボン
ドし、図示していないが半導体チップ２の各電極を各イ
ンナーリード５に金、アルミなどのワイヤ９で接続し、
エポキシ樹脂のような封止樹脂１０でモールドし、硬化
させ、パッケージ１１としている。封止樹脂１０が硬化
した後、ステー８を吊り７の部分で切断し、同時に各ア
ウターリード６を所定の長さ及び形状に切断し、曲げ加
工を施すと、図５に示したような構成の樹脂封止型半導
体装置１となる。
４に半導体チップ２を銀ペーストなどを用いてダイボン
ドし、図示していないが半導体チップ２の各電極を各イ
ンナーリード５に金、アルミなどのワイヤ９で接続し、
エポキシ樹脂のような封止樹脂１０でモールドし、硬化
させ、パッケージ１１としている。封止樹脂１０が硬化
した後、ステー８を吊り７の部分で切断し、同時に各ア
ウターリード６を所定の長さ及び形状に切断し、曲げ加
工を施すと、図５に示したような構成の樹脂封止型半導
体装置１となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような樹
脂封止型半導体装置１は、外界から吸湿した水分等が封
止樹脂１０内を拡散により広がり、ダイパッド４の裏面
に集まり、このような状態の樹脂封止型半導体装置１を
電気回路配線基板に実装すると、その際に加えられる熱
によって、その水分等が蒸気となり、その蒸気圧が高ま
り、その蒸気がパッケージ１１を破壊する、所謂パッケ
ージクラックが発生する。この発明では、このようなパ
ッケージクラックの発生を防止することを目的とするも
のである。
脂封止型半導体装置１は、外界から吸湿した水分等が封
止樹脂１０内を拡散により広がり、ダイパッド４の裏面
に集まり、このような状態の樹脂封止型半導体装置１を
電気回路配線基板に実装すると、その際に加えられる熱
によって、その水分等が蒸気となり、その蒸気圧が高ま
り、その蒸気がパッケージ１１を破壊する、所謂パッケ
ージクラックが発生する。この発明では、このようなパ
ッケージクラックの発生を防止することを目的とするも
のである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】それ故、この発明の樹脂
封止型半導体装置では、ダイパッドとその周辺に配置し
た複数のインナーリードとこれらと対応したアウターリ
ードとそれらのインナーリードの間に複数の細条突起か
らなる蒸気減圧手段を形成したリードフレームの、前記
ダイパッドに半導体チップを搭載して、封止樹脂でパッ
ケージした場合に、前記蒸気減圧手段がそのパッケージ
の表面に露出させるように構成した。
封止型半導体装置では、ダイパッドとその周辺に配置し
た複数のインナーリードとこれらと対応したアウターリ
ードとそれらのインナーリードの間に複数の細条突起か
らなる蒸気減圧手段を形成したリードフレームの、前記
ダイパッドに半導体チップを搭載して、封止樹脂でパッ
ケージした場合に、前記蒸気減圧手段がそのパッケージ
の表面に露出させるように構成した。
【０００７】
【作用】従って、前記の蒸気をこれらの露出した蒸気減
圧手段を通じて減圧することができる。
圧手段を通じて減圧することができる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明のリードフレーム及び樹脂封
止型半導体装置を図を用いて説明する。図１はこの発明
の一構成単位のリードフレームの一実施例を示した平面
図であり、図２は図１に示したリードフレームを用い、
Ａ−Ａ線上から見たこの発明の樹脂封止型半導体装置の
断面図であり、そして図３は図１のリードフレームに搭
載した半導体チップを樹脂封止する場合の状態を説明す
るための断面図である。なお、図４及び図５に示したリ
ードフレーム及び樹脂封止型半導体装置と同一の構成部
分には同一の符号を付し、それらの構成及び説明を省略
する。そして、この実施例ではＳＯＰ型樹脂封止型半導
体装置を採り挙げたが、この発明はＱＦＰ型等のものに
も適用できることを付言しておく。
止型半導体装置を図を用いて説明する。図１はこの発明
の一構成単位のリードフレームの一実施例を示した平面
図であり、図２は図１に示したリードフレームを用い、
Ａ−Ａ線上から見たこの発明の樹脂封止型半導体装置の
断面図であり、そして図３は図１のリードフレームに搭
載した半導体チップを樹脂封止する場合の状態を説明す
るための断面図である。なお、図４及び図５に示したリ
ードフレーム及び樹脂封止型半導体装置と同一の構成部
分には同一の符号を付し、それらの構成及び説明を省略
する。そして、この実施例ではＳＯＰ型樹脂封止型半導
体装置を採り挙げたが、この発明はＱＦＰ型等のものに
も適用できることを付言しておく。
【０００９】先ず、この発明の一つのリードフレーム３
Ａを説明する。この発明のリードフレーム３Ａにおいて
は、図１に示したように、インナーリード５の間に位置
するように、ダイパッド４に連なって細条突起２０を形
成した。細条突起２０はできるだけ多く形成することが
望ましく、この実施例では吊り７の近傍に形成されたイ
ンナーリード５を除いた他のダイパッド４の側縁部に等
間隔で配列されたインナーリード５の全ての間に形成し
た。
Ａを説明する。この発明のリードフレーム３Ａにおいて
は、図１に示したように、インナーリード５の間に位置
するように、ダイパッド４に連なって細条突起２０を形
成した。細条突起２０はできるだけ多く形成することが
望ましく、この実施例では吊り７の近傍に形成されたイ
ンナーリード５を除いた他のダイパッド４の側縁部に等
間隔で配列されたインナーリード５の全ての間に形成し
た。
【００１０】この細条突起２０はできるだけ弱く構成す
ることが望ましく、細くそしてハーフエッチングすると
よい。細条突起２０のダイパッド４と連なっている基部
２１はＶ字型に形成して、その細条突起２０をしっかり
保持する構造にした。
ることが望ましく、細くそしてハーフエッチングすると
よい。細条突起２０のダイパッド４と連なっている基部
２１はＶ字型に形成して、その細条突起２０をしっかり
保持する構造にした。
【００１１】また、細条突起２０の長さは、後述するよ
うに樹脂封止すると、その先端部２２が多少撓んでパッ
ケージ１１の表面１２と同一面を形成するように露出で
きる長さとし、特別に切断する必要がないように構成し
た。このように構成すると、リードフレームの構成を変
更するだけで、従来技術で使用された各種設備を流用す
ることができる。この細条突起２０はダイパッド４を外
界に晒すものであれば、形状、構造は問わない。
うに樹脂封止すると、その先端部２２が多少撓んでパッ
ケージ１１の表面１２と同一面を形成するように露出で
きる長さとし、特別に切断する必要がないように構成し
た。このように構成すると、リードフレームの構成を変
更するだけで、従来技術で使用された各種設備を流用す
ることができる。この細条突起２０はダイパッド４を外
界に晒すものであれば、形状、構造は問わない。
【００１２】このようなリードフレーム３Ａのダイパッ
ド４に半導体チップ２を銀ペースト等でダイボンドし、
半導体チップ２の各電極を各インナーリード５にワイヤ
９で接続し、封止樹脂１０でモールドする。
ド４に半導体チップ２を銀ペースト等でダイボンドし、
半導体チップ２の各電極を各インナーリード５にワイヤ
９で接続し、封止樹脂１０でモールドする。
【００１３】この場合、図３に示したように、下金型３
０の内側壁３２に細条突起２０が当接するように、半導
体チップ２を搭載したリードフレーム３Ａを下金型３０
に入れる。細条突起２０は前述のような長さ等の構造に
定めてあるので、これらの細条突起２０は、殆ど全体の
自重で下がり、細条突起２０は上方に僅かに撓む。
０の内側壁３２に細条突起２０が当接するように、半導
体チップ２を搭載したリードフレーム３Ａを下金型３０
に入れる。細条突起２０は前述のような長さ等の構造に
定めてあるので、これらの細条突起２０は、殆ど全体の
自重で下がり、細条突起２０は上方に僅かに撓む。
【００１４】このように配置した後、上金型３１を被せ
て、この金型に封止樹脂１０を注入し、トランスファー
モールドする。モールドの範囲は、図１の２点鎖線Ｌで
囲んだ内部である。
て、この金型に封止樹脂１０を注入し、トランスファー
モールドする。モールドの範囲は、図１の２点鎖線Ｌで
囲んだ内部である。
【００１５】そうすると、前記細条突起２０の先端部２
２はパッケージ１１の側面１２と同一面を形成し、外界
に露出するので、ダイパッド４を外界に晒す状態になる
ので、前記水分等による蒸気をダイパッド４及び複数の
細条突起２０と封止樹脂１０との極僅かな隙間を通じて
外界に放出することができる。この実施例ではこの細条
突起２０とこのパッケージ１１の側面１２とで蒸気減圧
手段が構成されている。
２はパッケージ１１の側面１２と同一面を形成し、外界
に露出するので、ダイパッド４を外界に晒す状態になる
ので、前記水分等による蒸気をダイパッド４及び複数の
細条突起２０と封止樹脂１０との極僅かな隙間を通じて
外界に放出することができる。この実施例ではこの細条
突起２０とこのパッケージ１１の側面１２とで蒸気減圧
手段が構成されている。
【００１６】封止樹脂１０が硬化すると、アウターリー
ド６を所定の長さ及び形状に切断し、曲げ加工を施す
と、この発明の樹脂封止型半導体装置１Ａを得ることが
できる。
ド６を所定の長さ及び形状に切断し、曲げ加工を施す
と、この発明の樹脂封止型半導体装置１Ａを得ることが
できる。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明の樹脂封止型半導体装置は、外界から吸湿した水分等
が封止樹脂内を拡散によりダイパッドの裏面に集めら
れ、このような樹脂封止型半導体装置を電気回路配線基
板に実装した場合に、その時の熱でその水分等が加熱さ
れ、水蒸気となり、圧力が高められたとしても、前記蒸
気減圧手段により減圧することができ、従来技術に見ら
れたようなパッケージクラックが発生しにくくなる。ま
た、この発明では、リードフレームの構成を変更するだ
けで、従来技術に用いた製造設備を流用することができ
るので、製造コストには響かないなどという優れた効果
がある。
明の樹脂封止型半導体装置は、外界から吸湿した水分等
が封止樹脂内を拡散によりダイパッドの裏面に集めら
れ、このような樹脂封止型半導体装置を電気回路配線基
板に実装した場合に、その時の熱でその水分等が加熱さ
れ、水蒸気となり、圧力が高められたとしても、前記蒸
気減圧手段により減圧することができ、従来技術に見ら
れたようなパッケージクラックが発生しにくくなる。ま
た、この発明では、リードフレームの構成を変更するだ
けで、従来技術に用いた製造設備を流用することができ
るので、製造コストには響かないなどという優れた効果
がある。
【００１８】
【図１】この発明の一構成単位のリードフレームの一実
施例を示した平面図である。
施例を示した平面図である。
【図２】図１に示したリードフレームを用い、Ａ−Ａ線
上から見たこの発明の樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある。
上から見たこの発明の樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある。
【図３】図１のリードフレームに搭載した半導体チップ
を樹脂封止する場合の状態を説明するための断面図であ
る。
を樹脂封止する場合の状態を説明するための断面図であ
る。
【図４】従来技術の一構成単位のリードフレームを示し
た平面図である。
た平面図である。
【図５】図４に示したリードフレームを用い、Ａ−Ａ線
上から見た従来技術の樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある。
上から見た従来技術の樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある。
１Ａ 樹脂封止型半導体装置 ２ 半導体チップ ３Ａ リードフレーム ４ ダイパッド ５ インナーリード ６ アウターリード ７ 吊り ８ ステー ９ ワイヤ １０ 封止樹脂 １１ パッケージ １２ 側面 ２０ 細条突起 ２２ 先端部 ３０ 下金型 ３２ 内側壁
Claims (3)
- 【請求項１】ダイパッドとその周辺に配置した複数のイ
ンナーリードとこれらと対応したアウターリードとから
なるリードフレームにおいて、該インナーリードの間に
細条突起を形成したことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】外界に露出した蒸気減圧手段を具備した樹
脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】前記蒸気減圧手段は請求項１に記載した細
条突起で構成されていることを特徴とする請求項２に記
載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04016409A JP3134445B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04016409A JP3134445B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218263A true JPH05218263A (ja) | 1993-08-27 |
| JP3134445B2 JP3134445B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=11915444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04016409A Expired - Fee Related JP3134445B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3134445B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09129808A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| KR100476667B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2005-08-10 | 삼성전자주식회사 | 리드프레임및이를이용한반도체칩패키지 |
| JP2007251217A (ja) * | 2007-07-06 | 2007-09-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP04016409A patent/JP3134445B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09129808A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| KR100252737B1 (ko) * | 1995-10-31 | 2000-04-15 | 가네꼬 히사시 | 수지봉합형 반도체 장치 및 그 제조방법 |
| KR100476667B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2005-08-10 | 삼성전자주식회사 | 리드프레임및이를이용한반도체칩패키지 |
| JP2007251217A (ja) * | 2007-07-06 | 2007-09-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3134445B2 (ja) | 2001-02-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |