JPH05218656A - セラミック多層基板の製造方法 - Google Patents
セラミック多層基板の製造方法Info
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- JPH05218656A JPH05218656A JP4017243A JP1724392A JPH05218656A JP H05218656 A JPH05218656 A JP H05218656A JP 4017243 A JP4017243 A JP 4017243A JP 1724392 A JP1724392 A JP 1724392A JP H05218656 A JPH05218656 A JP H05218656A
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- ceramic
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- pellet
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体IC搭載を搭載するセラミック多層基板
の線路の低抵抗化をはかる。 【構成】 銅ペレット４固定用の穴１０を備えたグリー
ンシートを予め積層したグリーンシート上に余分に積層
して多層セラミック基板を作り、この固定用の穴１０を
用いて銅ペレット４の位置決めを行い、銅の浸透処理後
に研磨してペレット固定用のセラミック層を除去する
か、或いは、ビア２に一致する銅ペレット４含浸穴１０
を備え、銅と反応しない高融点金属またはセラミックよ
りなるマスク７を多層セラミック基板に位置合わせし、
このマスクに設けてある穴１０に銅ペレット４を載置
し、銅の浸透処理後にマスク７を除去して表面研磨を行
なうか、或いは銅ペレット４載置位置の基板上にセラミ
ックペーストを用いて銅ペレット４固定用のダム８を設
けて銅ペレット４の浸透処理を行い、浸透処理後に研磨
してこのダム８を除去する。
の線路の低抵抗化をはかる。 【構成】 銅ペレット４固定用の穴１０を備えたグリー
ンシートを予め積層したグリーンシート上に余分に積層
して多層セラミック基板を作り、この固定用の穴１０を
用いて銅ペレット４の位置決めを行い、銅の浸透処理後
に研磨してペレット固定用のセラミック層を除去する
か、或いは、ビア２に一致する銅ペレット４含浸穴１０
を備え、銅と反応しない高融点金属またはセラミックよ
りなるマスク７を多層セラミック基板に位置合わせし、
このマスクに設けてある穴１０に銅ペレット４を載置
し、銅の浸透処理後にマスク７を除去して表面研磨を行
なうか、或いは銅ペレット４載置位置の基板上にセラミ
ックペーストを用いて銅ペレット４固定用のダム８を設
けて銅ペレット４の浸透処理を行い、浸透処理後に研磨
してこのダム８を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は低抵抗の配線およびビア
を備えたセラミック多層基板の製造方法に関する。
を備えたセラミック多層基板の製造方法に関する。
【０００２】大量の情報を迅速に処理する必要から、情
報処理装置は小形大容量化が進められており、この装置
の主体を占める半導体装置は集積度が向上してLSI やVL
SIが実用化されている。
報処理装置は小形大容量化が進められており、この装置
の主体を占める半導体装置は集積度が向上してLSI やVL
SIが実用化されている。
【０００３】また、半導体装置はパッシベーション技術
の進歩により実装方法も改良され、フリップチップタイ
プの半導体素子が使用され、セラミック多層基板上に密
に配列して使用するようになった。
の進歩により実装方法も改良され、フリップチップタイ
プの半導体素子が使用され、セラミック多層基板上に密
に配列して使用するようになった。
【０００４】このように情報処理装置は高密度実装が行
なわれているが、これと共に半導体装置からの発熱量も
加速度的に増加している。すなわち、当初はIC一個当た
りの発熱量は約3.5 Ｗ程度と少なかったが、LSI一個当
たりの発熱量は約10Ｗに増加しており、これがマトリッ
クス状に多数装着される場合は発熱量は膨大であり、今
後ますます増大する傾向にある。
なわれているが、これと共に半導体装置からの発熱量も
加速度的に増加している。すなわち、当初はIC一個当た
りの発熱量は約3.5 Ｗ程度と少なかったが、LSI一個当
たりの発熱量は約10Ｗに増加しており、これがマトリッ
クス状に多数装着される場合は発熱量は膨大であり、今
後ますます増大する傾向にある。
【０００５】一方、これらの半導体装置を装着する基板
としてはアルミナ（Al2O3), ムライト(3Al2O3 ・2 Si
O2),窒化アルミ(AlN) などのセラミックスが使用されて
いる。
としてはアルミナ（Al2O3), ムライト(3Al2O3 ・2 Si
O2),窒化アルミ(AlN) などのセラミックスが使用されて
いる。
【０００６】
【従来の技術】半導体装置を搭載する基板の必要条件
は、 耐熱性が優れること、 熱伝導度が大きく、
放熱性に優れていること、 熱膨張係数が半導体装置
を構成するSiに近いこと、 誘電率が少ないこと、な
どが必要であり、これらの観点からするとAl2O3よりもA
lNのほうが優れている。
は、 耐熱性が優れること、 熱伝導度が大きく、
放熱性に優れていること、 熱膨張係数が半導体装置
を構成するSiに近いこと、 誘電率が少ないこと、な
どが必要であり、これらの観点からするとAl2O3よりもA
lNのほうが優れている。
【０００７】すなわち、融点はAl2O3 が2015℃,AlNは24
00℃と似ているものゝ、熱伝導度はAl2O3 は20Ｗ／ｍＫ
であるのに対し、AlNは200Ｗ／ｍＫと大きく、熱膨張係
数はAl2O3 は7.2 ×10-6/ ℃であるのに対し、4.3 ×10
-6/ ℃とSiに近く、誘電率はAl2O3 が約10であるのに対
して8.9 と少ない。
00℃と似ているものゝ、熱伝導度はAl2O3 は20Ｗ／ｍＫ
であるのに対し、AlNは200Ｗ／ｍＫと大きく、熱膨張係
数はAl2O3 は7.2 ×10-6/ ℃であるのに対し、4.3 ×10
-6/ ℃とSiに近く、誘電率はAl2O3 が約10であるのに対
して8.9 と少ない。
【０００８】これらのことから、現在ではAl2O3 をもち
いた基板が主として使用されているが、AlN について実
用化が急がれている。さて、半導体装置搭載用基板は必
然的に多層配線構造が採られているが、多層基板の製造
に当たって、Al2O3 やAlNなどセラミックグリーンシー
トの焼成温度が千数百℃と高いために、銅(Cu ：融点10
84.5℃)や金(Au ：融点1064℃)のように電導度の優れた
金属は使用することができない。
いた基板が主として使用されているが、AlN について実
用化が急がれている。さて、半導体装置搭載用基板は必
然的に多層配線構造が採られているが、多層基板の製造
に当たって、Al2O3 やAlNなどセラミックグリーンシー
トの焼成温度が千数百℃と高いために、銅(Cu ：融点10
84.5℃)や金(Au ：融点1064℃)のように電導度の優れた
金属は使用することができない。
【０００９】そこで、タングステン（Ｗ：融点3387℃)
やモリブデン(Mo ：融点2610℃) のような高融点金属が
用いられている。然し、これらの金属の抵抗率はＷが5.
64×10-6Ωcm、またMoの抵抗率は4.9×10-6ΩcmとCuやA
uに較べて大きく、電気信号の高速処理には適さない。
やモリブデン(Mo ：融点2610℃) のような高融点金属が
用いられている。然し、これらの金属の抵抗率はＷが5.
64×10-6Ωcm、またMoの抵抗率は4.9×10-6ΩcmとCuやA
uに較べて大きく、電気信号の高速処理には適さない。
【００１０】そこで、多層配線基板の配線およびビア(V
ia) をこれら高融点金属の多孔質導体を用いて形成した
後、Cuをビアの上に置き、不活性雰囲気中でCuの融点以
上の温度で加熱することにより、Cuを多孔質導体に沿っ
て含浸拡散せしめ、実質的にCuの配線およびビアを形成
する手法が採られている。
ia) をこれら高融点金属の多孔質導体を用いて形成した
後、Cuをビアの上に置き、不活性雰囲気中でCuの融点以
上の温度で加熱することにより、Cuを多孔質導体に沿っ
て含浸拡散せしめ、実質的にCuの配線およびビアを形成
する手法が採られている。
【００１１】図２はこの方法を模式的に示すもので、グ
リーンシートのビア形成位置に穴開けし、この穴に多孔
質導体形成用のペーストを充填した後、このグリーンシ
ートに多孔質導体形成用のペーストをスクリーン印刷し
て配線パターンを形成する。
リーンシートのビア形成位置に穴開けし、この穴に多孔
質導体形成用のペーストを充填した後、このグリーンシ
ートに多孔質導体形成用のペーストをスクリーン印刷し
て配線パターンを形成する。
【００１２】次に、これを位置決めしながら積層し、加
圧して一体化した後、焼成することにより、各層の多孔
質な配線１が多孔質なビア２により回路接続されている
多層セラミック回路基板が作られる。
圧して一体化した後、焼成することにより、各層の多孔
質な配線１が多孔質なビア２により回路接続されている
多層セラミック回路基板が作られる。
【００１３】次に、この最上層にパターン形成されてい
る含浸用パッド３の上にCuペレット４を置き、窒素
（N2）などの不活性雰囲気中でCuの融点以上の温度で加
熱することにより、Cuペレット４のCuが多孔質な配線１
に沿って浸透拡散し、これによりCuの含浸した配線が形
成されている。
る含浸用パッド３の上にCuペレット４を置き、窒素
（N2）などの不活性雰囲気中でCuの融点以上の温度で加
熱することにより、Cuペレット４のCuが多孔質な配線１
に沿って浸透拡散し、これによりCuの含浸した配線が形
成されている。
【００１４】然し、含浸用パッド３の上へのCuペレット
４を載置して、焼成炉にまで基板を搬送する段階および
連続熱処理炉を用いて焼成する段階でCuペレット４が含
浸用パッド３から脱落すると云う問題があり、そのため
総ての多孔質な配線１にCuを含浸させることは困難であ
り、収率が悪いことが問題であった。
４を載置して、焼成炉にまで基板を搬送する段階および
連続熱処理炉を用いて焼成する段階でCuペレット４が含
浸用パッド３から脱落すると云う問題があり、そのため
総ての多孔質な配線１にCuを含浸させることは困難であ
り、収率が悪いことが問題であった。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】多層セラミック回路基
板を構成するビアと配線の抵抗率を下げる方法としてビ
アと配線をＷやMoなどよりなる多孔質導体で形成し、多
層基板形成後に改めてCuペレットを含浸用パッドの上に
おいて、Cuの融点以上の温度にまで加熱し、Cuを多孔質
導体に沿って拡散させることにより低抵抗化する方法が
行なわれているが、この処理を行なう段階でCuペレット
の含浸用パッドよりの脱落が生じ易く、全部の多孔質導
体にCuの含浸拡散が起こらないことが問題で、この解決
が課題である。
板を構成するビアと配線の抵抗率を下げる方法としてビ
アと配線をＷやMoなどよりなる多孔質導体で形成し、多
層基板形成後に改めてCuペレットを含浸用パッドの上に
おいて、Cuの融点以上の温度にまで加熱し、Cuを多孔質
導体に沿って拡散させることにより低抵抗化する方法が
行なわれているが、この処理を行なう段階でCuペレット
の含浸用パッドよりの脱落が生じ易く、全部の多孔質導
体にCuの含浸拡散が起こらないことが問題で、この解決
が課題である。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記の課題は配線パター
ンおよびビアを多孔質導体で形成してある多層セラミッ
ク基板を用い、ビアの露出部分にCuペレットを置き、不
活性ガス雰囲気中で熱処理を行い、Cuを多孔質導体に沿
って浸透せしめ、低抵抗な配線パターンを形成する多層
配線基板の製造工程において、Cuペレット固定用の穴を
備えたグリーンシートを予め積層したグリーンシート上
に余分に積層して多層セラミック基板を作り、この固定
用の穴を用いてCuペレットの位置決めを行い、Cuの浸透
処理後に研磨してペレット固定用のセラミック層を除去
するか、或いは、ビアに一致するCuペレット含浸穴を備
え、Cuと反応しない高融点金属またはセラミックよりな
るマスクを多層セラミック基板に位置合わせし、このマ
スクに設けてある穴にCuペレットを載置し、Cuの浸透処
理後にマスクを除去して表面研磨を行なうか、或いはCu
ペレット載置位置の基板上にセラミックペーストを用い
てCuペレット固定用のダムを設けてCuペレットの浸透処
理を行い、浸透拡散後に研磨してこのダムを除去するこ
とを特徴としてセラミック多層基板の製造方法を構成す
ることにより解決することができる。
ンおよびビアを多孔質導体で形成してある多層セラミッ
ク基板を用い、ビアの露出部分にCuペレットを置き、不
活性ガス雰囲気中で熱処理を行い、Cuを多孔質導体に沿
って浸透せしめ、低抵抗な配線パターンを形成する多層
配線基板の製造工程において、Cuペレット固定用の穴を
備えたグリーンシートを予め積層したグリーンシート上
に余分に積層して多層セラミック基板を作り、この固定
用の穴を用いてCuペレットの位置決めを行い、Cuの浸透
処理後に研磨してペレット固定用のセラミック層を除去
するか、或いは、ビアに一致するCuペレット含浸穴を備
え、Cuと反応しない高融点金属またはセラミックよりな
るマスクを多層セラミック基板に位置合わせし、このマ
スクに設けてある穴にCuペレットを載置し、Cuの浸透処
理後にマスクを除去して表面研磨を行なうか、或いはCu
ペレット載置位置の基板上にセラミックペーストを用い
てCuペレット固定用のダムを設けてCuペレットの浸透処
理を行い、浸透拡散後に研磨してこのダムを除去するこ
とを特徴としてセラミック多層基板の製造方法を構成す
ることにより解決することができる。
【００１７】
【作用】本発明はCuペレットが含浸用パッドから脱落す
るのを無くする方法として、 多層基板の最上層にCuペレット固定用のセラミック
ダミー層を設ける。 Cuペレット固定用のマスクを多層基板に装着して使
用する。 ビアの周囲にセミックペーストを用いてCuペレット
固定用のダムを設ける。 の何れかの方法をとるものである。
るのを無くする方法として、 多層基板の最上層にCuペレット固定用のセラミック
ダミー層を設ける。 Cuペレット固定用のマスクを多層基板に装着して使
用する。 ビアの周囲にセミックペーストを用いてCuペレット
固定用のダムを設ける。 の何れかの方法をとるものである。
【００１８】従来は図２に示すように多孔質導体からな
る含浸用パッド３の上にCuペレット４を載置して加熱
し、全配線の浸透拡散が終わった後は、研磨を行なって
含浸用パッド３を除くと共に基板面を平坦化し、この上
に真空蒸着法やスパッタ法により金属膜を形成し、写真
蝕刻技術（フォトリソグラフィ）を用いて微細な電子回
路を形成して使用している。
る含浸用パッド３の上にCuペレット４を載置して加熱
し、全配線の浸透拡散が終わった後は、研磨を行なって
含浸用パッド３を除くと共に基板面を平坦化し、この上
に真空蒸着法やスパッタ法により金属膜を形成し、写真
蝕刻技術（フォトリソグラフィ）を用いて微細な電子回
路を形成して使用している。
【００１９】こゝで、Cuをビア２に沿って確実に浸透拡
散させるには、含浸用パッド３の使用が不可欠であり、
これはCuの浸透拡散処理後には除去する必要がある。こ
の理由は、多層回路基板を構成するビア２の径は100 〜
200 μm と微小であり、そのため、この上に約２mm角の
含浸用パッド３を形成し、Cuペレット４を置くことによ
り確実にビア２をCuペレット４に接触できるのである。
散させるには、含浸用パッド３の使用が不可欠であり、
これはCuの浸透拡散処理後には除去する必要がある。こ
の理由は、多層回路基板を構成するビア２の径は100 〜
200 μm と微小であり、そのため、この上に約２mm角の
含浸用パッド３を形成し、Cuペレット４を置くことによ
り確実にビア２をCuペレット４に接触できるのである。
【００２０】本発明は従来よりCuの浸透拡散処理後には
多層基板の研磨が必要であり、またラップ仕上げ(Lappi
ng) が複雑な工程を要せず比較的簡単に行えることか
ら、積極的に多層基板上の含浸用パッド３を囲んでCuペ
レット固定用の枠体を設け、Cuの浸透拡散処理後にラッ
プ研磨により取り除くものである。
多層基板の研磨が必要であり、またラップ仕上げ(Lappi
ng) が複雑な工程を要せず比較的簡単に行えることか
ら、積極的に多層基板上の含浸用パッド３を囲んでCuペ
レット固定用の枠体を設け、Cuの浸透拡散処理後にラッ
プ研磨により取り除くものである。
【００２１】
【実施例】実施例１：（請求項１対応） AlN 粉末（主剤) ・・・・・・・・・・・・100 重量部 CaCO3 粉末( 焼結助剤) ・・・・・・・・・ 3.6 〃 ポリビニルブチラール（バインダ）・・・・ 10 〃 ジプチルフタレート( 可塑剤) ・・・・・ 10 〃 エチルアルコール( 分散媒) ・・・・・・ 50 〃 をボールミルで混練してスラリーを作り、ドクタブレー
ド法により形成し、厚さが200 μm のグリンシートを形
成した。
ド法により形成し、厚さが200 μm のグリンシートを形
成した。
【００２２】このグリーンシートにNCパンチングマシン
を用いて径100 μm のビアを形成した。次に、 Ｗ粉末（主剤）・・・・・・・・・・・・・100 重量部 AlN 粉末( 添加剤) ・・・・・・・・・・・ 0.5 〃 エチルセルロース( バインダ) ・・・・・・ ２ 〃 テレフタル酸 ・・・・・・・・・ 10 〃 テレピネオール( 分散媒) ・・・・・・・・ 12 〃 をボールミルで混練して多孔質導体形成用のペーストを
作りグリーンシートに形成したビアを充填した後、配線
パターンを印刷した。
を用いて径100 μm のビアを形成した。次に、 Ｗ粉末（主剤）・・・・・・・・・・・・・100 重量部 AlN 粉末( 添加剤) ・・・・・・・・・・・ 0.5 〃 エチルセルロース( バインダ) ・・・・・・ ２ 〃 テレフタル酸 ・・・・・・・・・ 10 〃 テレピネオール( 分散媒) ・・・・・・・・ 12 〃 をボールミルで混練して多孔質導体形成用のペーストを
作りグリーンシートに形成したビアを充填した後、配線
パターンを印刷した。
【００２３】そして、かゝるグリーンシートを10層位置
合わせして積層したが、その際、最上部のグリーンシー
ト上には更に２mm角の含浸用パッド３を囲むように径2.
5mmの穴を打ち抜いたグリーンシートを加えてあり、50
℃で50MPa の積層圧で一体化した後、N2気流中で500 ℃
で４時間加熱して脱バインダを行なった。
合わせして積層したが、その際、最上部のグリーンシー
ト上には更に２mm角の含浸用パッド３を囲むように径2.
5mmの穴を打ち抜いたグリーンシートを加えてあり、50
℃で50MPa の積層圧で一体化した後、N2気流中で500 ℃
で４時間加熱して脱バインダを行なった。
【００２４】次に、この積層体をAlN 製の焼成容器に収
容し、N2気流中で1600℃〜1800℃で４時間の焼成を行
い、多孔質なＷをビアおよび配線とする多層基板を形成
した。図１（Ａ）はこのようにして作った多層配線基板
の断面構造を示しており、各層の配線１はビア２により
回路接続されている。
容し、N2気流中で1600℃〜1800℃で４時間の焼成を行
い、多孔質なＷをビアおよび配線とする多層基板を形成
した。図１（Ａ）はこのようにして作った多層配線基板
の断面構造を示しており、各層の配線１はビア２により
回路接続されている。
【００２５】なお、図は４層構造に簡略化して示してい
る。こゝで、最上層のAlN ダミー層６には含浸用パッド
３を中心とする穴７が開いている。
る。こゝで、最上層のAlN ダミー層６には含浸用パッド
３を中心とする穴７が開いている。
【００２６】この穴10に無酸素銅よりなるCuペレット４
を置き、N2気流中で1150℃の温度で２時間熱処理するこ
とによりCuを含浸拡散させた。次に、Cuの拡散処理の終
わった基板をラッピング装置にセットし、セラミック微
粉末を含む溶液を供給しながら研磨し、上層のAlN ダミ
ー層６を除いた。
を置き、N2気流中で1150℃の温度で２時間熱処理するこ
とによりCuを含浸拡散させた。次に、Cuの拡散処理の終
わった基板をラッピング装置にセットし、セラミック微
粉末を含む溶液を供給しながら研磨し、上層のAlN ダミ
ー層６を除いた。
【００２７】この様な方法をとることにより、総ての多
孔質配線にCuを含浸することができた。 実施例２：（請求項２対応） 実施例１と同様にして多孔質なＷをビアおよび配線とす
る10層からなるAlN多層基板を形成した。
孔質配線にCuを含浸することができた。 実施例２：（請求項２対応） 実施例１と同様にして多孔質なＷをビアおよび配線とす
る10層からなるAlN多層基板を形成した。
【００２８】これとは別に図１（Ｂ）に示すようにAlN
基板の含浸用パッド３の位置が穴開けしてあり、多層基
板に嵌合するMo製のマスク７を作り、多層基板に当接し
た。なお、マスク７に設けてある穴の大きさは径2.5mm
である。
基板の含浸用パッド３の位置が穴開けしてあり、多層基
板に嵌合するMo製のマスク７を作り、多層基板に当接し
た。なお、マスク７に設けてある穴の大きさは径2.5mm
である。
【００２９】そして、マスク７の穴にCuペレット４を供
給し、N2気流中で1150℃の温度で２時間熱処理すること
によりCuを含浸拡散させた。次に、Cuの拡散処理の終わ
った基板をラッピング装置にセットし、セラミック微粉
末を含む溶液を供給しながら研磨し、含浸用パッド３の
部分を取り除くと共に基板面を平坦化した。
給し、N2気流中で1150℃の温度で２時間熱処理すること
によりCuを含浸拡散させた。次に、Cuの拡散処理の終わ
った基板をラッピング装置にセットし、セラミック微粉
末を含む溶液を供給しながら研磨し、含浸用パッド３の
部分を取り除くと共に基板面を平坦化した。
【００３０】この様な方法をとることにより、総ての多
孔質配線にCuを含浸することができた。 実施例３：（請求項３対応） 実施例１と同様にして多孔質なＷをビアおよび配線とす
る10層からなるAlN多層基板を形成した。
孔質配線にCuを含浸することができた。 実施例３：（請求項３対応） 実施例１と同様にして多孔質なＷをビアおよび配線とす
る10層からなるAlN多層基板を形成した。
【００３１】次に、 Al2O3 粉末( 主剤) ・・・・・・・・・・・・・・・・
100 重量部 ポリビニルブチラール( バインダ) ・・・・・・・・・
11 〃 ジプチルフタレート( 可塑剤) ・・・・・・・・・・
４ 〃 ポリエチレングリコール( 分散媒) ・・・・・・・・・
0.5 〃 テレピネオール (分散媒) ・・・・・・・・・・
30 〃 をボールミルで混練してセラミックペーストを作り図１
（Ｃ）に示すように含浸用パッド３を中心とし、スクリ
ーンプリント法により、この周囲で内径2.5mm の位置に
幅100 μm , 厚さ30μm のリング状ダム８を形成し、80
℃で乾燥した。
100 重量部 ポリビニルブチラール( バインダ) ・・・・・・・・・
11 〃 ジプチルフタレート( 可塑剤) ・・・・・・・・・・
４ 〃 ポリエチレングリコール( 分散媒) ・・・・・・・・・
0.5 〃 テレピネオール (分散媒) ・・・・・・・・・・
30 〃 をボールミルで混練してセラミックペーストを作り図１
（Ｃ）に示すように含浸用パッド３を中心とし、スクリ
ーンプリント法により、この周囲で内径2.5mm の位置に
幅100 μm , 厚さ30μm のリング状ダム８を形成し、80
℃で乾燥した。
【００３２】次に、このリング状ダム８にCuペレット４
をおき、N2気流中で1150℃の温度で２時間熱処理するこ
とによりCuを含浸拡散させた。次に、Cuの拡散処理の終
わった基板をラッピング装置にセットし、セラミック微
粉末を含む溶液を供給しながら研磨し、リング状ダム８
と含浸用パッド３の部分を取り除くと共に基板面を平坦
化した。
をおき、N2気流中で1150℃の温度で２時間熱処理するこ
とによりCuを含浸拡散させた。次に、Cuの拡散処理の終
わった基板をラッピング装置にセットし、セラミック微
粉末を含む溶液を供給しながら研磨し、リング状ダム８
と含浸用パッド３の部分を取り除くと共に基板面を平坦
化した。
【００３３】この様な方法をとることにより、総ての多
孔質配線にCuを含浸することができた。
孔質配線にCuを含浸することができた。
【００３４】
【発明の効果】本発明の実施によりCuペレット含浸用パ
ッド上に載置し熱処理装置まで移動する際、また連続熱
処理炉を搬送する際にCuペレットが脱落する問題がなく
なり、これにより製造収率の大幅な向上が可能となっ
た。
ッド上に載置し熱処理装置まで移動する際、また連続熱
処理炉を搬送する際にCuペレットが脱落する問題がなく
なり、これにより製造収率の大幅な向上が可能となっ
た。
【図１】本発明の実施法を示す断面図である。
【図２】従来の実施法を示す断面図である。
１ 配線 ２ ビア ３ 含浸用パッド ４ Cuペレット ６ AlN ダミー層 ７ マスク ８ リング状ダム 10 穴
Claims (3)
- 【請求項１】 配線パターンおよびビアを多孔質導体で
形成してある多層セラミック基板を用い、前記ビアの露
出部分に銅ペレットを置き、不活性ガス雰囲気中で熱処
理を行い、該銅を多孔質導体に沿って浸透せしめ、低抵
抗な配線パターンを形成する多層配線基板の製造工程に
おいて、 銅ペレット固定用の穴を備えたグリーンシートを予め積
層したグリーンシート上に余分に積層して多層セラミッ
ク基板を作り、該固定用の穴を用いて銅ペレットの位置
決めを行い、銅の浸透拡散後に研磨してペレット固定用
のセラミック層を除去することを特徴とするセラミック
多層基板の製造方法。 - 【請求項２】 配線パターンおよびビアを多孔質導体で
形成してある多層セラミック基板を用い、前記ビアの露
出部分に銅ペレットを置き、不活性ガス雰囲気中で熱処
理を行い、該銅を多孔質導体に沿って浸透せしめ、低抵
抗な配線パターンを形成する多層配線基板の製造工程に
おいて、 ビアに一致する銅ペレット含浸穴を備え、銅と反応しな
い高融点金属またはセラミックよりなるマスクを前記多
層セラミック基板に位置合わせし、該マスクに設けてあ
る穴に銅ペレットを載置し、銅の浸透拡散後に該マスク
を除去して表面研磨を行なうことを特徴とするセラミッ
ク多層基板の製造方法。 - 【請求項３】 配線パターンおよびビアを多孔質導体で
形成してある多層セラミック基板を用い、前記ビアの露
出部分に銅ペレットを置き、不活性ガス雰囲気中で熱処
理を行い、該銅を多孔質導体に沿って浸透せしめ、低抵
抗な配線パターンを形成する多層配線基板の製造工程に
おいて、 銅ペレット載置位置の基板上にセラミックペーストを用
いて該銅ペレット固定用のダムを設けて銅ペレットの浸
透処理を行い、浸透拡散後に研磨して該ダムを除去する
ことを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4017243A JPH05218656A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | セラミック多層基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4017243A JPH05218656A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | セラミック多層基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218656A true JPH05218656A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11938515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4017243A Withdrawn JPH05218656A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | セラミック多層基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05218656A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014090177A (ja) * | 2001-04-03 | 2014-05-15 | Applied Materials Inc | プラズマチャンバーにおいて半導体ワークピースを取り巻く導電性カラー |
-
1992
- 1992-02-03 JP JP4017243A patent/JPH05218656A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014090177A (ja) * | 2001-04-03 | 2014-05-15 | Applied Materials Inc | プラズマチャンバーにおいて半導体ワークピースを取り巻く導電性カラー |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |