JPH0521871Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0521871Y2 JPH0521871Y2 JP16739488U JP16739488U JPH0521871Y2 JP H0521871 Y2 JPH0521871 Y2 JP H0521871Y2 JP 16739488 U JP16739488 U JP 16739488U JP 16739488 U JP16739488 U JP 16739488U JP H0521871 Y2 JPH0521871 Y2 JP H0521871Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- wafer
- sub
- main
- radiation emitted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、Si等半導体デバイスの製造プロセス
において用いられるCVD装置に関する。
において用いられるCVD装置に関する。
Si等の半導体デバイス製造プロセスにおいて
は、エピタキシヤル成長を行つたり、polySi膜、
SiN膜、SiO2膜等の生成を行うために、第４図の
様なCVD装置が広く用いられている。
は、エピタキシヤル成長を行つたり、polySi膜、
SiN膜、SiO2膜等の生成を行うために、第４図の
様なCVD装置が広く用いられている。
このようなCVD装置において、ウエーハ１は
サセプタ（SiCコート・カーボン）２の上に置か
れる。サセプタ２は、その下方にあるワークコイ
ル３に高周波電流を流すことにより誘導加熱され
る。ウエーハ１は、サセプタ２からの熱伝達によ
り加熱される。この様な状態で、ノズル４から、
原料ガスをキヤリアガス例えば、H2，N2，Ar等
のガスと共に流すことにより、ウエーハ１の表面
にCVD膜が生成される。
サセプタ（SiCコート・カーボン）２の上に置か
れる。サセプタ２は、その下方にあるワークコイ
ル３に高周波電流を流すことにより誘導加熱され
る。ウエーハ１は、サセプタ２からの熱伝達によ
り加熱される。この様な状態で、ノズル４から、
原料ガスをキヤリアガス例えば、H2，N2，Ar等
のガスと共に流すことにより、ウエーハ１の表面
にCVD膜が生成される。
この様な装置において、ウエーハ１はサセプタ
２から熱を受け、裏面より加熱されるが、表面か
らは輻射による放熱と、ガス流による冷却によつ
て、熱エネルギーを失う。一方、ウエーハ１の表
面及びウエーハ１の置いていないサセプタ２の表
面から出た輻射は、ベルジヤ（ステンレス又は、
ステンレスの内面に金メツキを行つたもの）５の
内面で反射され、再びウエーハ１及びサセプタ２
を上方から加熱する。この反射によるエネルギー
は、ウエーハ１表面から出た輻射と、サセプタ２
表面のウエーハ１の置いていない部分から出た輻
射の平均化されたものとなる。
２から熱を受け、裏面より加熱されるが、表面か
らは輻射による放熱と、ガス流による冷却によつ
て、熱エネルギーを失う。一方、ウエーハ１の表
面及びウエーハ１の置いていないサセプタ２の表
面から出た輻射は、ベルジヤ（ステンレス又は、
ステンレスの内面に金メツキを行つたもの）５の
内面で反射され、再びウエーハ１及びサセプタ２
を上方から加熱する。この反射によるエネルギー
は、ウエーハ１表面から出た輻射と、サセプタ２
表面のウエーハ１の置いていない部分から出た輻
射の平均化されたものとなる。
従来、ウエーハ１は、第４図示のようにサセプ
タ２の上に直接置かれていたので、ウエーハ１の
温度はサセプタ２の温度と略同じ程度となり、反
射によるエネルギーはベルジヤ５内面の反射率に
よつて決まるから、ある一定値以上にすることは
困難であつた。従つて、この様な状態では、ウエ
ーハ１の面を垂直方向に通る熱の流れは、ウエー
ハ１の裏面から表面に向かつて大きな量となり、
ウエーハ１は、上面が凹となる様にそる。この様
なそりは、ウエーハ１の中心部と周辺部で大きな
温度差を生じ、熱ストレスによりウエーハにスリ
ツプが入り易いという課題があつた。
タ２の上に直接置かれていたので、ウエーハ１の
温度はサセプタ２の温度と略同じ程度となり、反
射によるエネルギーはベルジヤ５内面の反射率に
よつて決まるから、ある一定値以上にすることは
困難であつた。従つて、この様な状態では、ウエ
ーハ１の面を垂直方向に通る熱の流れは、ウエー
ハ１の裏面から表面に向かつて大きな量となり、
ウエーハ１は、上面が凹となる様にそる。この様
なそりは、ウエーハ１の中心部と周辺部で大きな
温度差を生じ、熱ストレスによりウエーハにスリ
ツプが入り易いという課題があつた。
本考案装置は従来法のウエーハをサセプタ上に
直接置いて加熱することにより、ウエーハの裏面
から表面を通過する熱流が大きく、従つてウエー
ハのそりが大きくなることから、ウエーハにスリ
ツプが発生し易くなるという課題を解決するた
め、第１図示のようにサセプタ２上にウエーハ１
を載置してCVD膜生成を行う構造のCVD装置に
おいて、サセプタ２は、１個の主サセプタ２ｂ
と、ウエーハ１の直径よりもわずかに大きな直径
を有しチヤージウエーハ１の数と同じ個数の副サ
セプタ２ａから成り、副サセプタ２ａは主サセプ
タ２ｂ上に隙間８を介して設置し、ウエーハ１は
副サセプタ２ａ上に載置せしめてなる構成とした
ものである。
直接置いて加熱することにより、ウエーハの裏面
から表面を通過する熱流が大きく、従つてウエー
ハのそりが大きくなることから、ウエーハにスリ
ツプが発生し易くなるという課題を解決するた
め、第１図示のようにサセプタ２上にウエーハ１
を載置してCVD膜生成を行う構造のCVD装置に
おいて、サセプタ２は、１個の主サセプタ２ｂ
と、ウエーハ１の直径よりもわずかに大きな直径
を有しチヤージウエーハ１の数と同じ個数の副サ
セプタ２ａから成り、副サセプタ２ａは主サセプ
タ２ｂ上に隙間８を介して設置し、ウエーハ１は
副サセプタ２ａ上に載置せしめてなる構成とした
ものである。
ウエーハ１は主サセプタ２ｂ上に隙間８を介し
て設けられた副サセプタ２ａ上に置かれているの
で、ウエーハ１をサセプタ２上に直接置いた場合
よりもウエーハ１の温度は多少低くなる。一方、
主サセプタ２ｂ表面の副サセプタ２ａの置いてい
ない部分から出た輻射と、ウエーハ１の置いてい
ない副サセプタ２ａの部分の表面から出た輻射及
びウエーハ１の表面から出た輻射は、ベルジヤ５
の内面で反射され、ウエーハ１、主サセプタ２ｂ
及び副サセプタ２ａを上方から加熱する。
て設けられた副サセプタ２ａ上に置かれているの
で、ウエーハ１をサセプタ２上に直接置いた場合
よりもウエーハ１の温度は多少低くなる。一方、
主サセプタ２ｂ表面の副サセプタ２ａの置いてい
ない部分から出た輻射と、ウエーハ１の置いてい
ない副サセプタ２ａの部分の表面から出た輻射及
びウエーハ１の表面から出た輻射は、ベルジヤ５
の内面で反射され、ウエーハ１、主サセプタ２ｂ
及び副サセプタ２ａを上方から加熱する。
この反射によるエネルギーは、従来のウエーハ
１表面から出た輻射と、サセプタ２表面のウエー
ハ１の置いていない部分から出た輻射の平均化さ
れたエネルギーに比して副サセプタ２ａを介在さ
せた分だけ多少大きくなる。
１表面から出た輻射と、サセプタ２表面のウエー
ハ１の置いていない部分から出た輻射の平均化さ
れたエネルギーに比して副サセプタ２ａを介在さ
せた分だけ多少大きくなる。
従つてウエーハ１の面に垂直方向に下方から上
方に向う熱の流れは、主サセプタ２ｂと副サセプ
タ２ａの間に隙間８を介在させることにより緩和
されるからウエーハ１の反りは少なくなり、スリ
ツプの発生は抑制される。
方に向う熱の流れは、主サセプタ２ｂと副サセプ
タ２ａの間に隙間８を介在させることにより緩和
されるからウエーハ１の反りは少なくなり、スリ
ツプの発生は抑制される。
〔実施例〕
以下図面に基づいて本考案の実施例を説明す
る。
る。
第１図は本考案装置の第１実施例の要部の構成
を示す断面図で、５はベルジヤ、２はベルジヤ５
内に設けられたサセプタである。ベルジヤ５内面
は、金（Au）等の赤外線及び可視光線に対して
反射率の高い材料でできており、鏡面研磨されて
いる。
を示す断面図で、５はベルジヤ、２はベルジヤ５
内に設けられたサセプタである。ベルジヤ５内面
は、金（Au）等の赤外線及び可視光線に対して
反射率の高い材料でできており、鏡面研磨されて
いる。
第１実施例ではサセプタ２は１個の主サセプタ
２ｂと、ウエーハ１の直径よりもわずかに大きな
直径を有しチヤージウエーハ１の数と同じ個数の
副サセプタ２ａからなり、副サセプタ２ａは主サ
セプタ２ｂ上に設置され、ウエーハ１はこの副サ
セプタ２ａに載置されている。
２ｂと、ウエーハ１の直径よりもわずかに大きな
直径を有しチヤージウエーハ１の数と同じ個数の
副サセプタ２ａからなり、副サセプタ２ａは主サ
セプタ２ｂ上に設置され、ウエーハ１はこの副サ
セプタ２ａに載置されている。
この第１実施例においてウエーハ１は主サセプ
タ２ｂ上に隙間８を介して設けられた副サセプタ
２ａ上に置かれているので、ウエーハ１をサセプ
タ２上に直接置いた場合よりもウエーハ１の温度
は多少低くなる。一方、主サセプタ２ｂ表面の副
サセプタ２ａの置いていない部分から出た輻射
と、ウエーハ１の置いていない副サセプタ２ａの
部分の表面から出た輻射及びウエーハ１の表面か
ら出た輻射は、ベルジヤ５の内面で反射され、ウ
エーハ１、主サセプタ２ｂ及び副サセプタ２ａを
上方から加熱する。
タ２ｂ上に隙間８を介して設けられた副サセプタ
２ａ上に置かれているので、ウエーハ１をサセプ
タ２上に直接置いた場合よりもウエーハ１の温度
は多少低くなる。一方、主サセプタ２ｂ表面の副
サセプタ２ａの置いていない部分から出た輻射
と、ウエーハ１の置いていない副サセプタ２ａの
部分の表面から出た輻射及びウエーハ１の表面か
ら出た輻射は、ベルジヤ５の内面で反射され、ウ
エーハ１、主サセプタ２ｂ及び副サセプタ２ａを
上方から加熱する。
この反射によるエネルギーは、従来のウエーハ
１表面から出た輻射と、サセプタ２表面のウエー
ハ１の置いていない部分から出た輻射の平均化さ
れたエネルギーに比して副サセプタ２ａを介在さ
せた分だけ多少大きくなる。
１表面から出た輻射と、サセプタ２表面のウエー
ハ１の置いていない部分から出た輻射の平均化さ
れたエネルギーに比して副サセプタ２ａを介在さ
せた分だけ多少大きくなる。
従つてウエーハ１の面に垂直方向に下方から上
方に向う熱の流れは，主サセプタ２ｂと副サセプ
タ２ａの間に隙間８を介在させることにより緩和
されるからウエーハ１の反りは少なくなり、スリ
ツプの発生は抑制される。
方に向う熱の流れは，主サセプタ２ｂと副サセプ
タ２ａの間に隙間８を介在させることにより緩和
されるからウエーハ１の反りは少なくなり、スリ
ツプの発生は抑制される。
第２図は第２実施例の要部の構成を示す断面図
である。
である。
この第２実施例ではウエーハ１は、ウエーハ径
よりもわずかに大きな径の副サセプタ２ａ上に置
かれ、副サセプタ２ａは、スペーサ（SiC、石英
等）６を介して主サセプタ２ｂ上に置かれてい
る。
よりもわずかに大きな径の副サセプタ２ａ上に置
かれ、副サセプタ２ａは、スペーサ（SiC、石英
等）６を介して主サセプタ２ｂ上に置かれてい
る。
第２図の第２実施例において、副サセプタ２ａ
はスペーサ６を介して主サセプタ２ｂから離れて
いるため、主サセプタ２ｂ表面から出る輻射及び
伝導による熱伝達のうち、伝導によるものが減少
する。従つて、副サセプタ２ａの温度は主サセプ
タ２ｂの温度よりも低くなる。ウエーハ１の温度
は、副サセプタ２ａの温度とほぼ同程度である。
この場合、主サセプタ２ｂ表面の副サセプタ２ａ
の置いていない部分から出た輻射と、ウエーハ１
表面から出た輻射は、ベルジヤ５の内面で反射さ
れ、ウエーハ１及び主サセプタ２ｂを上方から加
熱する。
はスペーサ６を介して主サセプタ２ｂから離れて
いるため、主サセプタ２ｂ表面から出る輻射及び
伝導による熱伝達のうち、伝導によるものが減少
する。従つて、副サセプタ２ａの温度は主サセプ
タ２ｂの温度よりも低くなる。ウエーハ１の温度
は、副サセプタ２ａの温度とほぼ同程度である。
この場合、主サセプタ２ｂ表面の副サセプタ２ａ
の置いていない部分から出た輻射と、ウエーハ１
表面から出た輻射は、ベルジヤ５の内面で反射さ
れ、ウエーハ１及び主サセプタ２ｂを上方から加
熱する。
この反射によるエネルギーは、ウエーハ１表面
から出る輻射とそれより高い温度の主サセプタ２
ｂ表面から出る輻射を面積割合で平均化したもの
となるから、ウエーハ１表面の受けるエネルギー
は、従来法のウエーハ１をサセプタ２に直接置い
た場合よりも大きくなる。従つて、ウエーハ１の
面に垂直方向に下方から上方に向かう熱の流れ
は、その分だけ緩和されるから、ウエーハ１のそ
りは一層少なくなり、スリツプの発生は一層抑制
される。
から出る輻射とそれより高い温度の主サセプタ２
ｂ表面から出る輻射を面積割合で平均化したもの
となるから、ウエーハ１表面の受けるエネルギー
は、従来法のウエーハ１をサセプタ２に直接置い
た場合よりも大きくなる。従つて、ウエーハ１の
面に垂直方向に下方から上方に向かう熱の流れ
は、その分だけ緩和されるから、ウエーハ１のそ
りは一層少なくなり、スリツプの発生は一層抑制
される。
第３図は第３実施例の要部の構成を示す断面図
である。
である。
この第３実施例では、ウエーハ１は、第２図示
の第２実施例と同様に、副サセプタ２ａ上に置か
れるが、主サセプタ２ｂ上面には、副サセプタ２
ａの直径よりもわずかに大きな直径のザグリ（窪
み）７が設けられており、その底面部の形状は、
上面が凹となつた球面状の形状を有している。副
サセプタ２ａは、このザグリ７の中に置かれてい
る。
の第２実施例と同様に、副サセプタ２ａ上に置か
れるが、主サセプタ２ｂ上面には、副サセプタ２
ａの直径よりもわずかに大きな直径のザグリ（窪
み）７が設けられており、その底面部の形状は、
上面が凹となつた球面状の形状を有している。副
サセプタ２ａは、このザグリ７の中に置かれてい
る。
第３図示の第３実施例の場合には、副サセプタ
２ａと主サセプタ２ｂの間に隙間８が作られてお
り、第２図の場合と同様に、主サセプタ２ｂと副
サセプタ２ａの間に温度差が生じ、副サセプタ２
ａ及びウエーハ１は、主サセプタ２ｂの温度より
も低くなるから、第２図の場合と同様の効果があ
る。
２ａと主サセプタ２ｂの間に隙間８が作られてお
り、第２図の場合と同様に、主サセプタ２ｂと副
サセプタ２ａの間に温度差が生じ、副サセプタ２
ａ及びウエーハ１は、主サセプタ２ｂの温度より
も低くなるから、第２図の場合と同様の効果があ
る。
本考案においては、ザグリ７の底面部の形状は
上面が凹である球面状に限らず、円錐状、または
それらを組合せた形状であつてもよい。
上面が凹である球面状に限らず、円錐状、または
それらを組合せた形状であつてもよい。
上述のように本考案によれば、ウエーハ１の垂
直方向に下方から上方に向かう熱の流れを緩和で
きるから、ウエーハ１のそりは少なくなり、スリ
ツプの発生を抑制することができ、デバイスの歩
留りを向上させることができる。
直方向に下方から上方に向かう熱の流れを緩和で
きるから、ウエーハ１のそりは少なくなり、スリ
ツプの発生を抑制することができ、デバイスの歩
留りを向上させることができる。
第１図は本考案装置の第１実施例の要部の構成
を示す断面図、第２図は第２実施例の要部の構成
を示す断面図、第３図は第３実施例の要部の構成
を示す断面図、第４図は従来のCVD装置の構成
を示す簡略断面図である。 １……ウエーハ、２……サセプタ、２ａ……副
サセプタ、２ｂ……主サセプタ、３……ワークコ
イル、４……ノズル、５……ベルジヤ、６……ス
ペーサ、７……ザグリ。
を示す断面図、第２図は第２実施例の要部の構成
を示す断面図、第３図は第３実施例の要部の構成
を示す断面図、第４図は従来のCVD装置の構成
を示す簡略断面図である。 １……ウエーハ、２……サセプタ、２ａ……副
サセプタ、２ｂ……主サセプタ、３……ワークコ
イル、４……ノズル、５……ベルジヤ、６……ス
ペーサ、７……ザグリ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) サセプタ２上にウエーハ１を載置してCVD
膜生成を行う構造のCVD装置において、サセ
プタ２は、１個の主サセプタ２ｂと、ウエーハ
１の直径よりもわずかに大きな直径を有しチヤ
ージウエーハ１の数と同じ個数の副サセプタ２
ａから成り、副サセプタ２ａは主サセプタ２ｂ
上に隙間８を介して設置し、ウエーハ１は副サ
セプタ２ａ上に載置せしめてなるCVD装置。 (2) 主サセプタ２ｂと副サセプタ２ａの間にスペ
ーサ６を挿設し、両サセプタ２ａ，２ｂ間に一
定の隙間８を設けてなる実用新案登録請求の範
囲第１項記載のCVD装置。 (3) 主サセプタ２ｂの表面に、副サセプタ２ａの
径よりもわずかに大きなザグリ７を設け、その
底面部の形状は上面が凹である球面状、円錐
状、若しくはそれらを組合せた形状を有し、そ
の中に副サセプタ２ａを設置せしめてなる実用
新案登録請求の範囲第１項記載のCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16739488U JPH0521871Y2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16739488U JPH0521871Y2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0288233U JPH0288233U (ja) | 1990-07-12 |
| JPH0521871Y2 true JPH0521871Y2 (ja) | 1993-06-04 |
Family
ID=31455648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16739488U Expired - Lifetime JPH0521871Y2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521871Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4820755B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2011-11-24 | 株式会社日立国際電気 | 熱処理装置及び基板の製造方法 |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP16739488U patent/JPH0521871Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0288233U (ja) | 1990-07-12 |
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