JPH0521888Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0521888Y2 JPH0521888Y2 JP1987019527U JP1952787U JPH0521888Y2 JP H0521888 Y2 JPH0521888 Y2 JP H0521888Y2 JP 1987019527 U JP1987019527 U JP 1987019527U JP 1952787 U JP1952787 U JP 1952787U JP H0521888 Y2 JPH0521888 Y2 JP H0521888Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- hole
- ferrule
- split sleeve
- outer diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、光通信幹線等に用いられる光半導
体モジユールに関するものである。
体モジユールに関するものである。
第2図は従来の代表的な光半導体モジユールを
示す断面図である。
示す断面図である。
図において、1はハウジング、2は上記ハウジ
ング1に設けられた雄ネジであり、接続用FC形
コネクタに設けられた雌ネジと結合される。3は
上記FC形コネクタに設けられた光フアイバ保持
部(以下、フエルールと称す)を挿入させるため
の孔であり、上記ハウジング1に設けられてい
る。4は上記FC形コネクタに設けられたスプリ
ングによつて押し出される上記フエルールを位置
決めするための壁、5は上記壁4に設けられた光
通過孔である。6はレンズであり、上記ハウジン
グ1に設けられた孔7に挿入され、ネジ8によつ
て固定されている。9は光半導体素子アセンブリ
であり、ステム10に固定された光半導体素子1
1およびリード端子12、上記光半導体素子11
を覆うように上記ステム10に固定された保護キ
ヤツプ13、上記保護キヤツプ13に設けられた
光通過孔14をふさぐように上記保護キヤツプ1
3に固定された光透過板15によつて構成されて
いる。尚、上記光半導体素子アセンブリ9は接合
面16によつて接合されている。
ング1に設けられた雄ネジであり、接続用FC形
コネクタに設けられた雌ネジと結合される。3は
上記FC形コネクタに設けられた光フアイバ保持
部(以下、フエルールと称す)を挿入させるため
の孔であり、上記ハウジング1に設けられてい
る。4は上記FC形コネクタに設けられたスプリ
ングによつて押し出される上記フエルールを位置
決めするための壁、5は上記壁4に設けられた光
通過孔である。6はレンズであり、上記ハウジン
グ1に設けられた孔7に挿入され、ネジ8によつ
て固定されている。9は光半導体素子アセンブリ
であり、ステム10に固定された光半導体素子1
1およびリード端子12、上記光半導体素子11
を覆うように上記ステム10に固定された保護キ
ヤツプ13、上記保護キヤツプ13に設けられた
光通過孔14をふさぐように上記保護キヤツプ1
3に固定された光透過板15によつて構成されて
いる。尚、上記光半導体素子アセンブリ9は接合
面16によつて接合されている。
従来の光半導体モジユールは上記のように構成
されており、上記孔3に上記フエルールを挿入さ
せると共に、上記雄ネジ2に上記FC形コネクタ
に設けられた雌ネジを結合させることによつて、
上記ハウジング1に上記FC形コネクタが固定さ
れ、上記光半導体素子11と上記フエルール内の
光フアイバとの光結合が可能となる。
されており、上記孔3に上記フエルールを挿入さ
せると共に、上記雄ネジ2に上記FC形コネクタ
に設けられた雌ネジを結合させることによつて、
上記ハウジング1に上記FC形コネクタが固定さ
れ、上記光半導体素子11と上記フエルール内の
光フアイバとの光結合が可能となる。
以上のような構造においては、上記孔3に上記
フエルールを挿入した際、すきまが形成され、そ
のすきまによつて上記フエルールが移動するた
め、安定した光結合を得ることができなかつた。
フエルールを挿入した際、すきまが形成され、そ
のすきまによつて上記フエルールが移動するた
め、安定した光結合を得ることができなかつた。
この考案は以上のような問題点を解決するため
になされたもので、安定した光結合を得ることが
できる光半導体モジユールを目的とするものであ
る。
になされたもので、安定した光結合を得ることが
できる光半導体モジユールを目的とするものであ
る。
この考案に係る光半導体モジユールは、フエル
ールを挿入し保持する部材として割りスリーブを
設け、上記フエルール端面に接するように上記割
りスリーブに上記フエルールの外径と同等で、か
つ光通過孔を有するダミーフエルールを挿入した
ものである。
ールを挿入し保持する部材として割りスリーブを
設け、上記フエルール端面に接するように上記割
りスリーブに上記フエルールの外径と同等で、か
つ光通過孔を有するダミーフエルールを挿入した
ものである。
この考案においては、割りスリーブでフエルー
ルを保持することにより、フエルールの移動を防
止することができる。
ルを保持することにより、フエルールの移動を防
止することができる。
第1図はこの考案の一実施例を示す断面図であ
り、2,6及び8〜16は上記従来構造と同一の
ものである。1a,1b,1cはそれぞれ上記ハ
ウジング1の一部をなす部材であり、1aと1b
はネジ等によつて固定される。また、1bと1c
は接合面17によつて接合されている。18は内
径が上記フエルール外径より若干小さい割りスリ
ーブであり、上記ハウジング1a,1bに設けら
れた第二の孔19a,19b内部に設けられてい
る。20は外径が上記フエルール外径と同等で、
かつ光通過孔21を有するダミーフエルールであ
り、その一端面が上記ハウジング1bに設けられ
た孔22を通過し、上記フエルール端面に接する
ように上記割りスリーブ18に挿入され上記ハウ
ジング1bにネジ23によつて固定されている。
24は上記フエルール外径より大きく、かつ上記
割りスリーブ18の外径より小さい第一の孔であ
り、上記フエルールが挿入される。
り、2,6及び8〜16は上記従来構造と同一の
ものである。1a,1b,1cはそれぞれ上記ハ
ウジング1の一部をなす部材であり、1aと1b
はネジ等によつて固定される。また、1bと1c
は接合面17によつて接合されている。18は内
径が上記フエルール外径より若干小さい割りスリ
ーブであり、上記ハウジング1a,1bに設けら
れた第二の孔19a,19b内部に設けられてい
る。20は外径が上記フエルール外径と同等で、
かつ光通過孔21を有するダミーフエルールであ
り、その一端面が上記ハウジング1bに設けられ
た孔22を通過し、上記フエルール端面に接する
ように上記割りスリーブ18に挿入され上記ハウ
ジング1bにネジ23によつて固定されている。
24は上記フエルール外径より大きく、かつ上記
割りスリーブ18の外径より小さい第一の孔であ
り、上記フエルールが挿入される。
なお、コネクタ側のフエルールとダミーフエル
ール20とが挿入されたときの割りスリーブ18
は、第1図に示すように、割りスリーブ18の外
周面と第一の孔24に連通する第二の孔19との
間に隙間が形成されている。
ール20とが挿入されたときの割りスリーブ18
は、第1図に示すように、割りスリーブ18の外
周面と第一の孔24に連通する第二の孔19との
間に隙間が形成されている。
以上述べたようにこの考案による光半導体モジ
ユールによれば、コネクタ側のフエルールをダミ
ーフエルールの一端面で位置決めすると共に、割
りスリーブの弾性力によつて上記フエルールを上
記ダミーフエルールと同軸線上に保持することに
よりフエルールの移動を防止し、安定した光結合
を得ることができる。
ユールによれば、コネクタ側のフエルールをダミ
ーフエルールの一端面で位置決めすると共に、割
りスリーブの弾性力によつて上記フエルールを上
記ダミーフエルールと同軸線上に保持することに
よりフエルールの移動を防止し、安定した光結合
を得ることができる。
第1図はこの考案の一実施例を示す断面図、第
2図は従来の光半導体モジユールを示す断面図で
ある。 図において、1a,1b及び1cはハウジン
グ、2は雄ネジ、6はレンズ、8はネジ、9は光
半導体素子アセンブリ、10はステム、11は光
半導体素子、12はリード端子、13は保護キヤ
ツプ、14は光通過孔、15は光透過板、16は
接合面、17は接合面、18は割りスリーブ、1
9a及び19bは孔、20はダミーフエルール、
21は光通過孔、22は孔、23はネジ孔、24
は孔である。なお、各図中同一符号は同一または
相当部分を示す。
2図は従来の光半導体モジユールを示す断面図で
ある。 図において、1a,1b及び1cはハウジン
グ、2は雄ネジ、6はレンズ、8はネジ、9は光
半導体素子アセンブリ、10はステム、11は光
半導体素子、12はリード端子、13は保護キヤ
ツプ、14は光通過孔、15は光透過板、16は
接合面、17は接合面、18は割りスリーブ、1
9a及び19bは孔、20はダミーフエルール、
21は光通過孔、22は孔、23はネジ孔、24
は孔である。なお、各図中同一符号は同一または
相当部分を示す。
Claims (1)
- 光半導体素子を有する光半導体素子アセンブリ
と、コネクタ側の光フアイバ保持部の外径より小
さい内径を有する割りスリーブと、上記光フアイ
バ保持部挿入用の第一の孔、上記割りスリーブが
配置され、孔径が上記光フアイバ保持部挿入状態
における上記割りスリーブ外径よりも大きい、上
記第一の孔と連通する第一の孔の径より大なる第
二の孔、上記第二の孔と上記光半導体素子との間
に位置するレンズ、上記光半導体素子アセンブリ
を接合する接合面及び上記コネクタに結合するネ
ジ部とを有するハウジングと、上記光半導体素子
アセンブリと上記割りスリーブとの間に設けら
れ、上記光フアイバ保持部端面に接するように上
記割りスリーブに挿入する、外径が上記光フアイ
バ保持部の外径と同等であつて光通過孔を有する
ダミーフエルールとを具備したことを特徴とする
光半導体モジユール。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987019527U JPH0521888Y2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | |
| DE3850890T DE3850890T2 (de) | 1987-02-13 | 1988-02-11 | Optisches Halbleitermodul. |
| EP88102008A EP0278507B1 (en) | 1987-02-13 | 1988-02-11 | Optical semiconductor module |
| CA000558847A CA1295042C (en) | 1987-02-13 | 1988-02-12 | Optical semiconductor module |
| US07/155,517 US4875752A (en) | 1987-02-13 | 1988-02-12 | Optical semiconductor module using dummy ferrule |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987019527U JPH0521888Y2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128748U JPS63128748U (ja) | 1988-08-23 |
| JPH0521888Y2 true JPH0521888Y2 (ja) | 1993-06-04 |
Family
ID=30814202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987019527U Expired - Lifetime JPH0521888Y2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521888Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0749443Y2 (ja) * | 1987-03-05 | 1995-11-13 | 三菱電機株式会社 | 光半導体モジユ−ル |
| JP2532930Y2 (ja) * | 1989-12-25 | 1997-04-16 | 京セラ株式会社 | 光半導体レセプタクル |
-
1987
- 1987-02-13 JP JP1987019527U patent/JPH0521888Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63128748U (ja) | 1988-08-23 |
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