JPH0521898Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0521898Y2 JPH0521898Y2 JP1986110912U JP11091286U JPH0521898Y2 JP H0521898 Y2 JPH0521898 Y2 JP H0521898Y2 JP 1986110912 U JP1986110912 U JP 1986110912U JP 11091286 U JP11091286 U JP 11091286U JP H0521898 Y2 JPH0521898 Y2 JP H0521898Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser element
- semiconductor laser
- temperature
- posistor
- oscillation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、コンパクトデイスクプレーヤある
いはビデオデイスクプレーヤなどに用いられる半
導体レーザ装置に関する。
いはビデオデイスクプレーヤなどに用いられる半
導体レーザ装置に関する。
一般に、コンパクトデイスクプレーヤやビデオ
デイスクプレーヤの光学式ピツクアツプ等に用い
られる半導体レーザ装置は、レーザ光の出射窓を
有するケース内に半導体レーザ素子が収容されて
構成され、前記ケースの蓋板に設けられたピン端
子を介してレーザ素子に直流電源からの駆動電流
が供給され、レーザ素子がレーザ発振して前記出
射窓を介しレーザ光が出射されるようになつてい
る。
デイスクプレーヤの光学式ピツクアツプ等に用い
られる半導体レーザ装置は、レーザ光の出射窓を
有するケース内に半導体レーザ素子が収容されて
構成され、前記ケースの蓋板に設けられたピン端
子を介してレーザ素子に直流電源からの駆動電流
が供給され、レーザ素子がレーザ発振して前記出
射窓を介しレーザ光が出射されるようになつてい
る。
ところで、従来この種の半導体レーザ装置で
は、半導体レーザ素子の安全動作を確保するため
に、温度センサ、スイツチおよび該スイツチの制
御手段からなる保護回路が設けられ、温度センサ
により半導体レーザ装置の周囲の雰囲気温度が検
出され、検出された温度にもとづいて導出される
レーザ素子の温度が安全動作限界温度以上である
ときに、前記制御手段によりスイツチをオンある
いはオフしてレーザ素子への通電路を遮断し、レ
ーザ素子の発振を強制的に停止させ、レーザ素子
の安全動作限界温度以上の温度での使用による破
損を防止することが行なわれている。
は、半導体レーザ素子の安全動作を確保するため
に、温度センサ、スイツチおよび該スイツチの制
御手段からなる保護回路が設けられ、温度センサ
により半導体レーザ装置の周囲の雰囲気温度が検
出され、検出された温度にもとづいて導出される
レーザ素子の温度が安全動作限界温度以上である
ときに、前記制御手段によりスイツチをオンある
いはオフしてレーザ素子への通電路を遮断し、レ
ーザ素子の発振を強制的に停止させ、レーザ素子
の安全動作限界温度以上の温度での使用による破
損を防止することが行なわれている。
しかし、この場合前記保護回路が半導体レーザ
装置と別個に作成されたのち、半導体レーザ装置
の外部に取り付けられるため、装置の大型化を招
き、保護回路自体の部品点数も多く、高価にな
り、しかも前記保護回路のスイツチのスイツチン
グによるサージ電流が流れて半導体レーザ素子に
ダメージを与えるという問題点がある。
装置と別個に作成されたのち、半導体レーザ装置
の外部に取り付けられるため、装置の大型化を招
き、保護回路自体の部品点数も多く、高価にな
り、しかも前記保護回路のスイツチのスイツチン
グによるサージ電流が流れて半導体レーザ素子に
ダメージを与えるという問題点がある。
そこで、この考案では、小型で簡単な構成によ
り、半導体レーザ素子の異常高温度での発振によ
る破損を防止できるようにすることを技術的課題
とする。
り、半導体レーザ素子の異常高温度での発振によ
る破損を防止できるようにすることを技術的課題
とする。
この考案は、前記の点に留意してなされたもの
であり、ケース内の金属製の支持ブロツクと、該
支持ブロツクに固着された正特性の熱抵抗効果素
子と、該熱抵抗効果素子に一方の電極面が直接接
着された半導体レーザ素子とからなり、 前記半導体レーザ素子の他方の電極から、前記
半導体レーザ素子、前記熱抵抗効果素子、前記支
持ブロツクへの経路を介して前記半導体レーザ素
子の駆動電流を通流することを特徴とした半導体
レーザ装置である。
であり、ケース内の金属製の支持ブロツクと、該
支持ブロツクに固着された正特性の熱抵抗効果素
子と、該熱抵抗効果素子に一方の電極面が直接接
着された半導体レーザ素子とからなり、 前記半導体レーザ素子の他方の電極から、前記
半導体レーザ素子、前記熱抵抗効果素子、前記支
持ブロツクへの経路を介して前記半導体レーザ素
子の駆動電流を通流することを特徴とした半導体
レーザ装置である。
したがっつて、この考案によると、半導体レー
ザ素子および熱抵抗効果素子の温度が異常高温度
になつた場合に、熱抵抗効果素子の抵抗値が急変
して半導体レーザ素子への駆動電流が該レーザ素
子の発振しきい値以下に制御され、半導体レーザ
素子の発振が強制的に停止され、従来のように半
導体レーザ装置の外部に設けられる保護回路によ
り、半導体レーザ素子への駆動電流を遮断して半
導体レーザ素子の発振を停止させるのと同様の機
能を、熱抵抗効果素子が果たすことになり、半導
体レーザ素子の異常高温度での発振による破損が
防止防止され、さらに、熱抵抗効果素子に半導体
レーザ素子の一方の電極面が直接接着されている
ため、熱抵抗効果素子と半導体レーザ素子との熱
的結合が極めて高く、かつ、両素子間の電気的接
続も同時に行われることになる。
ザ素子および熱抵抗効果素子の温度が異常高温度
になつた場合に、熱抵抗効果素子の抵抗値が急変
して半導体レーザ素子への駆動電流が該レーザ素
子の発振しきい値以下に制御され、半導体レーザ
素子の発振が強制的に停止され、従来のように半
導体レーザ装置の外部に設けられる保護回路によ
り、半導体レーザ素子への駆動電流を遮断して半
導体レーザ素子の発振を停止させるのと同様の機
能を、熱抵抗効果素子が果たすことになり、半導
体レーザ素子の異常高温度での発振による破損が
防止防止され、さらに、熱抵抗効果素子に半導体
レーザ素子の一方の電極面が直接接着されている
ため、熱抵抗効果素子と半導体レーザ素子との熱
的結合が極めて高く、かつ、両素子間の電気的接
続も同時に行われることになる。
つぎに、この考案を、その実施例を示した図面
とともに詳細に説明する。
とともに詳細に説明する。
まず、第１実施例を示した第１図ないし第３図
について説明する。
について説明する。
第１図において、１は前面に出射窓を有するケ
ース（図示せず）の後面を閉塞する蓋板、２，
３，４は蓋板１の後面に植設された接続ピン端
子、５は蓋板１の前面に固着されピン端子３に電
気的に接続された金属製の支持ブロツク、６はブ
ロツク５の上面前端部に固着されたチタン酸バリ
ウム〔BaTiO3〕系等の原子価制御半導体からな
る正特性の熱抵抗効果素子（以下ポジスタとい
う）、７は下側の電極面がポジスタ６に接着され
て前記ケース内に設けられた半導体レーザ素子で
あり、リード線８により上側の電極面がピン端子
２に接続され、ピン端子２、リード線８、レーザ
素子７、ポジスタ６、ブロツク５、ピン端子３の
経路を直流電源からの電流が流れ、レーザ素子７
が駆動されてレーザ発振し、レーザ素子７の前端
面からのレーザ光が前記ケースの出射窓を介して
出射される。
ース（図示せず）の後面を閉塞する蓋板、２，
３，４は蓋板１の後面に植設された接続ピン端
子、５は蓋板１の前面に固着されピン端子３に電
気的に接続された金属製の支持ブロツク、６はブ
ロツク５の上面前端部に固着されたチタン酸バリ
ウム〔BaTiO3〕系等の原子価制御半導体からな
る正特性の熱抵抗効果素子（以下ポジスタとい
う）、７は下側の電極面がポジスタ６に接着され
て前記ケース内に設けられた半導体レーザ素子で
あり、リード線８により上側の電極面がピン端子
２に接続され、ピン端子２、リード線８、レーザ
素子７、ポジスタ６、ブロツク５、ピン端子３の
経路を直流電源からの電流が流れ、レーザ素子７
が駆動されてレーザ発振し、レーザ素子７の前端
面からのレーザ光が前記ケースの出射窓を介して
出射される。
９はモニタ用フオトダイオードであり、レーザ
素子７の後方に配設されて蓋板１の前面にやや傾
いて固定され、リード線１０を介してピン端子４
に接続されており、レーザ素子７の後端面からの
レーザ光を受光してレーザ素子７の出力モニタ信
号を出力し、該モニタ信号にもとづき、レーザ素
子７の出力が所定値になるようにレーザ素子７へ
の駆動電流が制御されるようになつている。
素子７の後方に配設されて蓋板１の前面にやや傾
いて固定され、リード線１０を介してピン端子４
に接続されており、レーザ素子７の後端面からの
レーザ光を受光してレーザ素子７の出力モニタ信
号を出力し、該モニタ信号にもとづき、レーザ素
子７の出力が所定値になるようにレーザ素子７へ
の駆動電流が制御されるようになつている。
なお、ポジスタ６は、60〜70℃程度のレーザ素
子７の安全動作限界温度付近で抵抗値が急増し、
レーザ素子７への駆動電流を発振しきい値以下に
制御するような温度−抵抗特性を有しているもの
とする。
子７の安全動作限界温度付近で抵抗値が急増し、
レーザ素子７への駆動電流を発振しきい値以下に
制御するような温度−抵抗特性を有しているもの
とする。
ところで、レーザ素子７とポジスタ６との等価
回路を図示すると、第２図に示すようになり、レ
ーザ素子７とポジスタ６との直列回路が直流電源
に接続され、この直列回路に前記電源による直流
電流が通流されることになる。
回路を図示すると、第２図に示すようになり、レ
ーザ素子７とポジスタ６との直列回路が直流電源
に接続され、この直列回路に前記電源による直流
電流が通流されることになる。
また、通常の正特性サーミスタの温度−抵抗特
性は、たとえば第３図に示すようになり、第３図
の場合、60〜70℃を境にしてこれより高温になる
と抵抗値が急激に増加する。ただし、第３図の縦
軸の抵抗変化率は25℃での抵抗値を“１”とした
ときの各温度における抵抗値の比を示している。
性は、たとえば第３図に示すようになり、第３図
の場合、60〜70℃を境にしてこれより高温になる
と抵抗値が急激に増加する。ただし、第３図の縦
軸の抵抗変化率は25℃での抵抗値を“１”とした
ときの各温度における抵抗値の比を示している。
従つて、ポジスタ６の抵抗値がレーザ素子７の
安全動作限界温度付近で抵抗値が急激に増加する
ため、雰囲気温度がレーザ素子７の安全動作限界
温度以上になつてポジスタ６、レーザ素子７の温
度が安全動作限界温度以上になると、ポジスタ６
の抵抗値が急増し、第２図に示すレーザ素子７と
ポジスタ６との直列回路に流れる電流、すなわち
レーザ素子７の駆動電流が急減してレーザ素子７
の発振しきい値以下になり、レーザ素子７の発振
が強制的に停止され、その後雰囲気温度の低下に
よりレーザ素子７およびポジスタ６の温度が低下
するに連れてポジスタ６の抵抗値が減少し、レー
ザ素子７への駆動電流が次第に増加して再びレー
ザ素子７が発振する。
安全動作限界温度付近で抵抗値が急激に増加する
ため、雰囲気温度がレーザ素子７の安全動作限界
温度以上になつてポジスタ６、レーザ素子７の温
度が安全動作限界温度以上になると、ポジスタ６
の抵抗値が急増し、第２図に示すレーザ素子７と
ポジスタ６との直列回路に流れる電流、すなわち
レーザ素子７の駆動電流が急減してレーザ素子７
の発振しきい値以下になり、レーザ素子７の発振
が強制的に停止され、その後雰囲気温度の低下に
よりレーザ素子７およびポジスタ６の温度が低下
するに連れてポジスタ６の抵抗値が減少し、レー
ザ素子７への駆動電流が次第に増加して再びレー
ザ素子７が発振する。
このとき、ポジスタ６の抵抗値の変化によりレ
ーザ素子７への駆動電流が連続的に減少するた
め、従来のような保護回路のスイツチのスイツチ
ングによるサージ電流がレーザ素子７に流れるこ
とがなく、サージ電流によるレーザ素子７へのダ
メージを防止できる。
ーザ素子７への駆動電流が連続的に減少するた
め、従来のような保護回路のスイツチのスイツチ
ングによるサージ電流がレーザ素子７に流れるこ
とがなく、サージ電流によるレーザ素子７へのダ
メージを防止できる。
さらに、ポジスタ６とレーザ素子７の一方の電
極面とが直接接着されているため、ポジスタ６と
レーザ素子７との熱的結合が極めて高く、かつ、
両素子６，７間の電気的接続も同時に行われる。
極面とが直接接着されているため、ポジスタ６と
レーザ素子７との熱的結合が極めて高く、かつ、
両素子６，７間の電気的接続も同時に行われる。
以上のように、この考案の半導体レーザ装置に
よると、半導体レーザ素子および熱抵抗効果素子
の温度が異常高温度になつた場合に、熱抵抗効果
素子の抵抗値が急変して半導体レーザ素子への駆
動電流が該レーザ素子の発振しきい値以下に制御
されるため、半導体レーザ素子の発振を強制的に
停止させることができ、従来のように半導体レー
ザ装置の外部に設けられる保護回路により、半導
体レーザ素子への駆動電流を遮断して半導体レー
ザ素子の発振を停止させるのと同様の機能を、熱
抵抗効果素子が果たすことになり、小型かつ簡単
な構成により、半導体レーザ素子の異常高温度で
の発振による破損を防止することができるととも
に、前記保護回路のスイツチのスイツチング時の
サージ電流による半導体レーザ素子のダメージを
防止することができる。
よると、半導体レーザ素子および熱抵抗効果素子
の温度が異常高温度になつた場合に、熱抵抗効果
素子の抵抗値が急変して半導体レーザ素子への駆
動電流が該レーザ素子の発振しきい値以下に制御
されるため、半導体レーザ素子の発振を強制的に
停止させることができ、従来のように半導体レー
ザ装置の外部に設けられる保護回路により、半導
体レーザ素子への駆動電流を遮断して半導体レー
ザ素子の発振を停止させるのと同様の機能を、熱
抵抗効果素子が果たすことになり、小型かつ簡単
な構成により、半導体レーザ素子の異常高温度で
の発振による破損を防止することができるととも
に、前記保護回路のスイツチのスイツチング時の
サージ電流による半導体レーザ素子のダメージを
防止することができる。
図面は、この考案の半導体レーザ装置の実施例
を示し、第１図ないし第３図は第１実施例を示
し、第１図は右側面図、第２図は等価回路図、第
３図はポジスタの温度−抵抗特性図である。 ６……ポジスタ、７……半導体レーザ素子、１
２……サーミスタ。
を示し、第１図ないし第３図は第１実施例を示
し、第１図は右側面図、第２図は等価回路図、第
３図はポジスタの温度−抵抗特性図である。 ６……ポジスタ、７……半導体レーザ素子、１
２……サーミスタ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ケース内の金属製の支持ブロツクと、該支持ブ
ロツクに固着された正特性の熱抵抗効果素子と、
該熱抵抗効果素子に一方の電極面が直接接着され
た半導体レーザ素子とからなり、 前記半導体レーザ素子の他方の電極から、前記
半導体レーザ素子、前記熱抵抗効果素子、前記支
持ブロツクへの経路を介して前記半導体レーザ素
子の駆動電流を通流することを特徴とした半導体
レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986110912U JPH0521898Y2 (ja) | 1986-07-19 | 1986-07-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986110912U JPH0521898Y2 (ja) | 1986-07-19 | 1986-07-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318862U JPS6318862U (ja) | 1988-02-08 |
| JPH0521898Y2 true JPH0521898Y2 (ja) | 1993-06-04 |
Family
ID=30990354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986110912U Expired - Lifetime JPH0521898Y2 (ja) | 1986-07-19 | 1986-07-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521898Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008146811A1 (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ｌｅｄ駆動回路 |
| JP2009206422A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Nichicon Corp | 表面実装型ｌｅｄパッケージ |
| JP2015103666A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-06-04 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および画像表示装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS546473A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-18 | Hitachi Ltd | Protection unit |
| JPS5586377A (en) * | 1978-12-21 | 1980-06-30 | Fuji Electric Co Ltd | Protector for semiconductor converter |
| JPS57132401U (ja) * | 1981-02-13 | 1982-08-18 |
-
1986
- 1986-07-19 JP JP1986110912U patent/JPH0521898Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6318862U (ja) | 1988-02-08 |
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