JPH0521984B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0521984B2 JPH0521984B2 JP59022807A JP2280784A JPH0521984B2 JP H0521984 B2 JPH0521984 B2 JP H0521984B2 JP 59022807 A JP59022807 A JP 59022807A JP 2280784 A JP2280784 A JP 2280784A JP H0521984 B2 JPH0521984 B2 JP H0521984B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stop valve
- vacuum processing
- gas supply
- gas
- mfc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、真空処理装置に係り、特に内部で被
処理物をプラズマを利用して処理する真空処理装
置に関するものである。
処理物をプラズマを利用して処理する真空処理装
置に関するものである。
真空処理室内で被処理物をプラズマを利用して
処理する、例えば、プラズマエツチング装置，プ
ラズマCVD装置等の真空処理装置は、ガス供給
装置と真空処理室とを連結するガス供給管にガス
流量制御手段があるオリフイスを有するコントロ
ーラ、つまり、質量流量制御器（以下、MFCと
略）とストツプバルブとが配設されたガス供給系
と、MFCとストツプバルブとの動作を制御する
制御装置とを一般に具備している。
処理する、例えば、プラズマエツチング装置，プ
ラズマCVD装置等の真空処理装置は、ガス供給
装置と真空処理室とを連結するガス供給管にガス
流量制御手段があるオリフイスを有するコントロ
ーラ、つまり、質量流量制御器（以下、MFCと
略）とストツプバルブとが配設されたガス供給系
と、MFCとストツプバルブとの動作を制御する
制御装置とを一般に具備している。
このような真空処理装置では、真空処理室での
被処理物の処理完了後、MFCの前流側並びに後
流側に配設されたストツプバルブが同時に閉止さ
れ真空処理室は所定圧力に減圧排気される。真空
処理室からの処理済みの被処理物の排出及び真空
処理室への新たな被処理物の搬入，設置完了後、
全てのストツプバルブが開放され真空処理室には
ガスが再び供給される。
被処理物の処理完了後、MFCの前流側並びに後
流側に配設されたストツプバルブが同時に閉止さ
れ真空処理室は所定圧力に減圧排気される。真空
処理室からの処理済みの被処理物の排出及び真空
処理室への新たな被処理物の搬入，設置完了後、
全てのストツプバルブが開放され真空処理室には
ガスが再び供給される。
このような真空処理装置では、MFCのオリフ
イスでのリークガスやMFCのオリフイスの制御
遅延によりMFCのオリフイスとMFCの前流側の
ストツプバルブとの間に留つていたガスがMFC
とMFCの後流側のストツプバルブとの間に漏洩
し、その間の圧力は処理時の圧力の数倍に達す
る。従つて、真空処理室へのガスの再供給時に
MFCの後流側のストツプバルブを開放すれば真
空処理室にはガスが突出し、これによりストツプ
バルブやガス供給管内の異物を飛散させ被処理物
に付着するため、被処理物の処理品質が低下する
といつた欠点があつた。
イスでのリークガスやMFCのオリフイスの制御
遅延によりMFCのオリフイスとMFCの前流側の
ストツプバルブとの間に留つていたガスがMFC
とMFCの後流側のストツプバルブとの間に漏洩
し、その間の圧力は処理時の圧力の数倍に達す
る。従つて、真空処理室へのガスの再供給時に
MFCの後流側のストツプバルブを開放すれば真
空処理室にはガスが突出し、これによりストツプ
バルブやガス供給管内の異物を飛散させ被処理物
に付着するため、被処理物の処理品質が低下する
といつた欠点があつた。
本発明の目的は、ガス供給系のガス供給管内の
ガスによる異物の飛散を防止して異物の被処理物
への付着を抑制することで、被処理物の処理品質
の低下を防止できる真空処理装置を提供すること
にある。
ガスによる異物の飛散を防止して異物の被処理物
への付着を抑制することで、被処理物の処理品質
の低下を防止できる真空処理装置を提供すること
にある。
本発明は、内部で被処理物が処理される真空処
理室と、真空排気手段と、前記真空処理室に連結
されたガス供給管と、該ガス供給管の途中に上流
側から順次配設された第１のストツプバルブ，第
２のストツプバルブ，第３のストツプバルブと、
前記第１のストツプバルブと前記第２のストツプ
バルブとの間の前記ガス供給管に配設したガス流
量制御手段と、該ガス流量制御手段と前記第２の
ストツプバルブとの間の前記ガス供給管と前記真
空排気手段とを接続する排気管と、該排気管に配
設した第４のストツプバルブと、前記第１のスト
ツプバルブ，第２のストツプバルブ，第３のスト
ツプバルブ，第４のストツプバルブの開閉、前記
ガス流量制御手段の閉及び開度を指令する制御装
置と、から真空処理装置を構成したことを特徴と
する。
理室と、真空排気手段と、前記真空処理室に連結
されたガス供給管と、該ガス供給管の途中に上流
側から順次配設された第１のストツプバルブ，第
２のストツプバルブ，第３のストツプバルブと、
前記第１のストツプバルブと前記第２のストツプ
バルブとの間の前記ガス供給管に配設したガス流
量制御手段と、該ガス流量制御手段と前記第２の
ストツプバルブとの間の前記ガス供給管と前記真
空排気手段とを接続する排気管と、該排気管に配
設した第４のストツプバルブと、前記第１のスト
ツプバルブ，第２のストツプバルブ，第３のスト
ツプバルブ，第４のストツプバルブの開閉、前記
ガス流量制御手段の閉及び開度を指令する制御装
置と、から真空処理装置を構成したことを特徴と
する。
本発明の一実施例を第１図により説明する。
ガス供給系１０は、ガス供給装置２０と真空処
理室３０とを連結するガス供給管１１と、ガス供
給管１１に配設されたMFC１２とストツプバル
ブ１３〜１５とで構成され、MFC１２とストツ
プバルブ１３〜１５の動作は制御装置４０で制御
される。MFC１２の前流側にはストツプバルブ
１３が後流側にはストツプバルブ１４が設けら
れ、ストツプバルブ１４の後流側にはストツプバ
ルブ１５が設けられている。
理室３０とを連結するガス供給管１１と、ガス供
給管１１に配設されたMFC１２とストツプバル
ブ１３〜１５とで構成され、MFC１２とストツ
プバルブ１３〜１５の動作は制御装置４０で制御
される。MFC１２の前流側にはストツプバルブ
１３が後流側にはストツプバルブ１４が設けら
れ、ストツプバルブ１４の後流側にはストツプバ
ルブ１５が設けられている。
さらに、ストツプバルブ１４，１５間のガス供
給管１１にストツプバルブ１６が設けられた排気
管５０の一端が連結されている。排気管５０の他
端は、例えば、真空処理室３０を真空排気する排
気装置（図示省略）に連結されている。
給管１１にストツプバルブ１６が設けられた排気
管５０の一端が連結されている。排気管５０の他
端は、例えば、真空処理室３０を真空排気する排
気装置（図示省略）に連結されている。
かかる構成において、真空処理室３０での被処
理物（図示省略）の処理完了後、ストツプバルブ
１３，１５を閉止、ストツプバルブ１６を開放す
ると共に制御装置４０によりMFC１２のオリフ
イスを完閉とする指令を出す。制御装置４０は
MFC１２から完閉になつた信号を受け取つた後
にストツプバルブ１４，１６を閉止する。この
間、MFC１２とストツプバルブ１５間は排気管
５０を介して排気装置により真空排気されると共
に、真空処理室３０では残留ガスの排気と被処理
物の交換が行われる。
理物（図示省略）の処理完了後、ストツプバルブ
１３，１５を閉止、ストツプバルブ１６を開放す
ると共に制御装置４０によりMFC１２のオリフ
イスを完閉とする指令を出す。制御装置４０は
MFC１２から完閉になつた信号を受け取つた後
にストツプバルブ１４，１６を閉止する。この
間、MFC１２とストツプバルブ１５間は排気管
５０を介して排気装置により真空排気されると共
に、真空処理室３０では残留ガスの排気と被処理
物の交換が行われる。
真空処理室３０へのガスの再供給の方法はスト
ツプバルブ１４，１５を開放し、その後、ストツ
プバルブ１３を開放する。MFC１２に対して再
び制御装置４０により必要流量までガスを流通さ
せるようにオリフイス開度指令のための信号が出
され、ガスは真空処理室３０へゆるやかに供給さ
れる。
ツプバルブ１４，１５を開放し、その後、ストツ
プバルブ１３を開放する。MFC１２に対して再
び制御装置４０により必要流量までガスを流通さ
せるようにオリフイス開度指令のための信号が出
され、ガスは真空処理室３０へゆるやかに供給さ
れる。
本実施例のような真空処理室３０へのガス供給
方法では、真空処理室３０へのガス供給時にガス
の突出を防止してガス供給系のストツプバルブ１
４，１５やガス供給管１１内のガスによる異物の
飛散を防止できるため、異物の被処理物への付着
を抑制でき被処理物の処理品質の低下を防止でき
る。
方法では、真空処理室３０へのガス供給時にガス
の突出を防止してガス供給系のストツプバルブ１
４，１５やガス供給管１１内のガスによる異物の
飛散を防止できるため、異物の被処理物への付着
を抑制でき被処理物の処理品質の低下を防止でき
る。
また、MFC１２の後流側のガス供給管１１を
真空処理室を介さないで真空排気できるため、真
空処理装置のスループツトを向上できる。
真空処理室を介さないで真空排気できるため、真
空処理装置のスループツトを向上できる。
尚、上記した実施例で、MFC１２のオリフイ
スでのリーク景が多くMFC１２出口側にガスが
流入する場合には、真空処理室３０での被処理物
の処理完了後、MFC１２の前流側のストツプバ
ルブ１３とMFC１２の後流側のストツプバルブ
１４の更に後流側のストツプバルブ１５とを閉止
し排気管のストツプバルブ１６を開放すると同時
に、制御装置からMFCのオリフイスを全開する
よう指令を出すようにすれば良い。
スでのリーク景が多くMFC１２出口側にガスが
流入する場合には、真空処理室３０での被処理物
の処理完了後、MFC１２の前流側のストツプバ
ルブ１３とMFC１２の後流側のストツプバルブ
１４の更に後流側のストツプバルブ１５とを閉止
し排気管のストツプバルブ１６を開放すると同時
に、制御装置からMFCのオリフイスを全開する
よう指令を出すようにすれば良い。
更に、MFC１２が少量の流量制御用である場
合には、排気管の排気に時間を要するため、ガス
供給管１１にMFC１２をバイパスするバイパス
管を連結すると共に該管にストツプバルブを設け
て排気時間を短縮し被処理物の交換時間内に
MFCの前流側のストツプバルブの後流側を真空
排気できるようにしても良い。
合には、排気管の排気に時間を要するため、ガス
供給管１１にMFC１２をバイパスするバイパス
管を連結すると共に該管にストツプバルブを設け
て排気時間を短縮し被処理物の交換時間内に
MFCの前流側のストツプバルブの後流側を真空
排気できるようにしても良い。
本発明は、以上説明したように、真空処理室へ
のガスの供給停止後でガスの供給開始以前に
MFCの後流側のガス供給管を真空排気するので、
真空処理室へのガス供給時にガスの突出を防止し
てガス供給系のガス供給管内のガスによる異物の
飛散を防止でき、異物の被処理物への付着を抑制
でき被処理物の処理品質ものである。さらに、ガ
ス供給管の真空排気を真空処理装置を介さないで
行うことができ、真空処理装置のスループツトが
向上するものである。
のガスの供給停止後でガスの供給開始以前に
MFCの後流側のガス供給管を真空排気するので、
真空処理室へのガス供給時にガスの突出を防止し
てガス供給系のガス供給管内のガスによる異物の
飛散を防止でき、異物の被処理物への付着を抑制
でき被処理物の処理品質ものである。さらに、ガ
ス供給管の真空排気を真空処理装置を介さないで
行うことができ、真空処理装置のスループツトが
向上するものである。
第１図は本発明の一実施例の真空処理装置の構
成を示すブロツク図である。 １０……ガス供給系、１１……ガス供給管、１
２……MFC、１３，１４，１５，１６…ストツ
プバルブ、２０……ガス供給装置、３０……真空
処理装置、４０……制御装置、５０……排気管。
成を示すブロツク図である。 １０……ガス供給系、１１……ガス供給管、１
２……MFC、１３，１４，１５，１６…ストツ
プバルブ、２０……ガス供給装置、３０……真空
処理装置、４０……制御装置、５０……排気管。
Claims (1)
- １ 内部で被処理物が処理される真空処理室と、
真空排気手段と、前記真空処理室に連結されたガ
ス供給管と、該ガス供給管の途中に上流側から順
次配設された第１のストツプバルブ，第２のスト
ツプバルブ，第３のストツプバルブと、前記第１
のストツプバルブと前記第２のストツプバルブと
の間の前記ガス供給管に配設したガス流量制御手
段と、該ガス流量制御手段と前記第２のストツプ
バルブとの間の前記ガス供給管と前記真空排気手
段とを接続する排気管と、該排気管に配設した第
４のストツプバルブと、前記第１のストツプバル
ブ，第２のストツプバルブ，第３のストツプバル
ブ，第４のストツプバルブの開閉、前記ガス流量
制御手段の閉及び開度を指令する制御装置と、か
らなる真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59022807A JPS60169138A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59022807A JPS60169138A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 真空処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6086159A Division JP2646998B2 (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 真空処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60169138A JPS60169138A (ja) | 1985-09-02 |
| JPH0521984B2 true JPH0521984B2 (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=12092958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59022807A Granted JPS60169138A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60169138A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2715134B2 (ja) * | 1989-02-17 | 1998-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法 |
| JPH04180567A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置の材料ガス供給システム |
| KR20020074708A (ko) * | 2001-03-21 | 2002-10-04 | 삼성전자 주식회사 | 가스 투입 유량 증대 방법 |
| CN215560801U (zh) * | 2021-06-23 | 2022-01-18 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 外延掺杂气体的稀释装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812342B2 (ja) * | 1981-03-31 | 1983-03-08 | 富士通株式会社 | 連続ドライエッチング方法 |
-
1984
- 1984-02-13 JP JP59022807A patent/JPS60169138A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60169138A (ja) | 1985-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6039770A (en) | Semiconductor device manufacturing system having means for reducing a pressure difference between loadlock and processing chambers | |
| EP0875595A1 (en) | Process-gas supply apparatus | |
| JPH0242186A (ja) | ブースターポンプのための制御バイパス | |
| JPH11333277A (ja) | 真空圧力制御システム | |
| JPH0521984B2 (ja) | ||
| JPH0118152B2 (ja) | ||
| JPH05304099A (ja) | 流量制御装置 | |
| JP2646998B2 (ja) | 真空処理方法 | |
| JP2826479B2 (ja) | ガス供給装置及びその操作方法 | |
| JP7168794B2 (ja) | プラズマ処理装置の検査方法 | |
| JP2013236033A (ja) | 真空処理装置及び試料の搬送方法 | |
| TW202347494A (zh) | 電漿處理裝置及氣體之排氣方法 | |
| US7354555B2 (en) | Gas flow control system with interlock | |
| JPH0565593B2 (ja) | ||
| JPS6321573Y2 (ja) | ||
| JPS63307273A (ja) | 基板に薄層をスパツタする装置 | |
| JPH02216823A (ja) | 処理方法 | |
| JPH085545Y2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS6024017A (ja) | 処理ガス圧力調整方法 | |
| JP2000020138A (ja) | 真空圧力制御システム | |
| JPH0522794Y2 (ja) | ||
| JPH05251543A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JPH07166377A (ja) | ガス制御装置 | |
| JPH05330514A (ja) | 真空リーク方法及び真空リーク装置 | |
| JP3137806B2 (ja) | 真空室の大気開放方法及びその装置 |