JPH0118152B2 - - Google Patents
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- JPH0118152B2 JPH0118152B2 JP61172997A JP17299786A JPH0118152B2 JP H0118152 B2 JPH0118152 B2 JP H0118152B2 JP 61172997 A JP61172997 A JP 61172997A JP 17299786 A JP17299786 A JP 17299786A JP H0118152 B2 JPH0118152 B2 JP H0118152B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、微少流量のガスを半導体製造装置な
どにおける減圧容器中に高速応答性良好に導入す
るガス導入方法に関するものである。
どにおける減圧容器中に高速応答性良好に導入す
るガス導入方法に関するものである。
〔従来の技術〕
従来のガス導入方法は、微少流量のガスを第４
図に示すような構成を用いて減圧状態にある反応
容器１に導入制御していた。以下詳述する。
図に示すような構成を用いて減圧状態にある反応
容器１に導入制御していた。以下詳述する。
第４図において、反応容器１は排気弁２を介し
て排気ポンプ３によつて排気され、減圧状態にあ
る。ガスは入口弁１０を介して流量制御器１１に
導入され、当該流量制御器１１内に設けた流量制
御弁１２によつて設定した所定流量に制御され、
出口弁１３を介して反応容器１に導入される。
て排気ポンプ３によつて排気され、減圧状態にあ
る。ガスは入口弁１０を介して流量制御器１１に
導入され、当該流量制御器１１内に設けた流量制
御弁１２によつて設定した所定流量に制御され、
出口弁１３を介して反応容器１に導入される。
ガスを反応容器１に導入したり、あるいは導入
を停止したりする制御は、出口弁１３、入口弁１
０を開閉、あるいは流量制御弁１２を通過する流
量を所定値と零とに調整することによつて行つて
いた。
を停止したりする制御は、出口弁１３、入口弁１
０を開閉、あるいは流量制御弁１２を通過する流
量を所定値と零とに調整することによつて行つて
いた。
また、第４図図中点線を用いて示すように、キ
ヤリアガスをキヤリアガス導入弁３１を介してガ
ス流路に導入することによつて、流量を増大させ
てガスが反応容器１に導入されるいわゆるレスポ
ンスを良好にすることが行われていた。
ヤリアガスをキヤリアガス導入弁３１を介してガ
ス流路に導入することによつて、流量を増大させ
てガスが反応容器１に導入されるいわゆるレスポ
ンスを良好にすることが行われていた。
しかし、従来の第４図に示すような構成を採用
してガスを反応容器１に導入したり、あるいは導
入を停止したりする導入制御は、出口弁１３、入
口弁１０を開閉、あるいは流量制御弁１２を通過
する流量を所定値と零とに設定して行つていたた
め、反応容器１に導入するガス流量の時間的変化
が第５図に示すような特性になつていた。即ち、
実線を用いて示すように、出口弁１３、入口弁１
０を開状態、あるいは流量制御弁１２を通過する
ガスの流量を所定流量値に設定してガスを反応容
器１に導入開始（図中）してから、図中を用
いて示す安定した所定ガス流量を反応容器１に導
入し得るようになる迄に時間Δt1を要していた。
図中時間Δt3は、ガスを所定時間の間、反応容器
１に導入する時間を示す。そして、出口弁１３も
しくは入口弁１０を閉状態、あるいは流量制御弁
１２を通過するガス流量を零に設定してガスの導
入を停止（図中）してから、図中を用いて示
すガス流量が零になる迄に時間Δt2を要してい
た。これら導入当初にガス流量が安定するまでの
時間Δt1、およびガスの導入が停止するまでの時
間Δt2は、流量制御器１１の特性、流量制御器１
１および配管の内容積、および設定流量などによ
つて決まるが、特に制御すべき流量が微少である
場合には、見掛け上の流量制御時間Δt3に比較し
て前記時間Δt1およびΔt2が大きくなり、無視で
きなくなり、微少流量ガスの導入制御を高速に行
えないという問題点があつた。
してガスを反応容器１に導入したり、あるいは導
入を停止したりする導入制御は、出口弁１３、入
口弁１０を開閉、あるいは流量制御弁１２を通過
する流量を所定値と零とに設定して行つていたた
め、反応容器１に導入するガス流量の時間的変化
が第５図に示すような特性になつていた。即ち、
実線を用いて示すように、出口弁１３、入口弁１
０を開状態、あるいは流量制御弁１２を通過する
ガスの流量を所定流量値に設定してガスを反応容
器１に導入開始（図中）してから、図中を用
いて示す安定した所定ガス流量を反応容器１に導
入し得るようになる迄に時間Δt1を要していた。
図中時間Δt3は、ガスを所定時間の間、反応容器
１に導入する時間を示す。そして、出口弁１３も
しくは入口弁１０を閉状態、あるいは流量制御弁
１２を通過するガス流量を零に設定してガスの導
入を停止（図中）してから、図中を用いて示
すガス流量が零になる迄に時間Δt2を要してい
た。これら導入当初にガス流量が安定するまでの
時間Δt1、およびガスの導入が停止するまでの時
間Δt2は、流量制御器１１の特性、流量制御器１
１および配管の内容積、および設定流量などによ
つて決まるが、特に制御すべき流量が微少である
場合には、見掛け上の流量制御時間Δt3に比較し
て前記時間Δt1およびΔt2が大きくなり、無視で
きなくなり、微少流量ガスの導入制御を高速に行
えないという問題点があつた。
また、第４図図中点線を用いて示すキヤリアガ
ス導入弁３１を設け、キヤリアガスをガスの流路
部分例えば出口弁１３と反応容器１との接続部分
に導入する構成を採用して、微少流量ガスの導入
制御を高速に行う試みがなされている。これによ
り、第５図図中点線を用いて示すようにガスを導
入開始（図中）してから流量が安定状態になる
までの時間Δt2′を若干小さくすることが可能であ
るが、未だ十分小さくし得ないと共に、ガス導入
開始当初にガス流量のいわゆるオーバーシユーテ
イングおよびハンチングなどが生じてしまい所定
流量を高速に導入・停止し得ないという問題点が
あつた。
ス導入弁３１を設け、キヤリアガスをガスの流路
部分例えば出口弁１３と反応容器１との接続部分
に導入する構成を採用して、微少流量ガスの導入
制御を高速に行う試みがなされている。これによ
り、第５図図中点線を用いて示すようにガスを導
入開始（図中）してから流量が安定状態になる
までの時間Δt2′を若干小さくすることが可能であ
るが、未だ十分小さくし得ないと共に、ガス導入
開始当初にガス流量のいわゆるオーバーシユーテ
イングおよびハンチングなどが生じてしまい所定
流量を高速に導入・停止し得ないという問題点が
あつた。
本発明は、流量制御器の特性、配管などの内容
積、および設定流量などに依存することなく、微
少流量ガスの導入・停止を高速に行うガス導入方
法を提供することを目的としている。
積、および設定流量などに依存することなく、微
少流量ガスの導入・停止を高速に行うガス導入方
法を提供することを目的としている。
本発明は、前記問題点を解決するために、第１
図に示すように流量制御器１１によつて流量制御
されたガスを減圧された反応容器１に導入する出
口弁Ａ１３と、キヤリアガスを流量制御器１１と
出口弁Ａ１３との接続部分に導入するキヤリアガ
ス導入弁２０と、流量制御器１１と出口弁Ａ１３
との接続部分に導入されたガスおよびキヤリアガ
スを排気する出口弁Ｂ１４と、この出口弁Ｂ１４
によつて排気される排気流量を制御するしぼり弁
Ｂ１５とを設け、ガスを反応容器１に導入する際
に、第１に、出口弁Ａ１３を閉および出口弁Ｂ１
４を少なくとも開にして、出口弁Ｂ１４およびし
ぼり弁Ｂ１５を用いて流量制御器１１から導入さ
れるガスを少なくとも排気すると共に出口弁Ａ１
３の入口における圧力を所定値Ｐにし、第２に、
出口弁Ａ１３を開および出口弁Ｂ１４を閉にし
て、ガスを反応容器１に導入するようにしてい
る。
図に示すように流量制御器１１によつて流量制御
されたガスを減圧された反応容器１に導入する出
口弁Ａ１３と、キヤリアガスを流量制御器１１と
出口弁Ａ１３との接続部分に導入するキヤリアガ
ス導入弁２０と、流量制御器１１と出口弁Ａ１３
との接続部分に導入されたガスおよびキヤリアガ
スを排気する出口弁Ｂ１４と、この出口弁Ｂ１４
によつて排気される排気流量を制御するしぼり弁
Ｂ１５とを設け、ガスを反応容器１に導入する際
に、第１に、出口弁Ａ１３を閉および出口弁Ｂ１
４を少なくとも開にして、出口弁Ｂ１４およびし
ぼり弁Ｂ１５を用いて流量制御器１１から導入さ
れるガスを少なくとも排気すると共に出口弁Ａ１
３の入口における圧力を所定値Ｐにし、第２に、
出口弁Ａ１３を開および出口弁Ｂ１４を閉にし
て、ガスを反応容器１に導入するようにしてい
る。
第１図に示すような構成を採用し、まず、流量
制御弁１２を用いてガス流量を所定値に設定する
と共に、出口弁Ａ１３を閉、出口弁Ｂ１４を開、
およびキヤリアガス導入弁２０を開にし、しぼり
弁Ｂ１５を調整して出口弁Ａ１３の入口部分の圧
力を所定値Ｐ（出口弁Ａ１３および出口弁Ｂ１４
を交互に開閉した時に、変動しない値）に設定す
るように排気ポンプＢ１６を用いて排気する。
制御弁１２を用いてガス流量を所定値に設定する
と共に、出口弁Ａ１３を閉、出口弁Ｂ１４を開、
およびキヤリアガス導入弁２０を開にし、しぼり
弁Ｂ１５を調整して出口弁Ａ１３の入口部分の圧
力を所定値Ｐ（出口弁Ａ１３および出口弁Ｂ１４
を交互に開閉した時に、変動しない値）に設定す
るように排気ポンプＢ１６を用いて排気する。
次に、出口弁Ａ１３を開および出口弁Ｂ１４を
閉にし、流量制御弁１２によつて所定流量に制御
されたガスを当該出口弁Ａ１３を介して反応容器
１に導入する。以降の反応容器１へのガスの導
入・停止制御は、出口弁Ａ１３および出口弁Ｂ１
４を交互に開閉する。
閉にし、流量制御弁１２によつて所定流量に制御
されたガスを当該出口弁Ａ１３を介して反応容器
１に導入する。以降の反応容器１へのガスの導
入・停止制御は、出口弁Ａ１３および出口弁Ｂ１
４を交互に開閉する。
以上のように、出口弁Ｂ１４、しぼり弁Ｂ１５
および排気ポンプＢ１６を用いてバイパス流路を
設け、出口弁Ａ１３および出口弁Ｂ１４を交互に
開閉してガスの流路を切り換える構成を採用する
ことにより、流量制御器１１の構造などの影響を
受けることなく、微少流量のガスの導入・停止制
御を高速応答性良好に行うことが可能となる。
および排気ポンプＢ１６を用いてバイパス流路を
設け、出口弁Ａ１３および出口弁Ｂ１４を交互に
開閉してガスの流路を切り換える構成を採用する
ことにより、流量制御器１１の構造などの影響を
受けることなく、微少流量のガスの導入・停止制
御を高速応答性良好に行うことが可能となる。
次に、第１図および第２図を用いて本発明の１
実施例構成および動作を詳細に説明する。
実施例構成および動作を詳細に説明する。
第１図において、反応容器１は、排気弁２を介
して排気ポンプＡ３によつて排気され、減圧状態
にある。ガスは、入口弁１０、流量制御器１１を
構成する流量制御弁１２、および出口弁Ａ１３を
介して反応容器１に導入される。出口弁Ａ１３の
入口部分は、キヤリアガス導入弁２０を介してキ
ヤリアガスが導入されると共に、出口弁Ｂ１４お
よびしぼり弁Ｂ１５を介して排気ポンプＢ１６に
よつて所定圧力Ｐに排気される。これら出口弁Ｂ
１４、しぼり弁Ｂ１５および排気ポンプＢ１６
は、バイパス流路を構成しており、出口弁Ａ１３
と出口弁Ｂ１４とを交互に開閉することによつ
て、ガス流路を切り換えることができる。
して排気ポンプＡ３によつて排気され、減圧状態
にある。ガスは、入口弁１０、流量制御器１１を
構成する流量制御弁１２、および出口弁Ａ１３を
介して反応容器１に導入される。出口弁Ａ１３の
入口部分は、キヤリアガス導入弁２０を介してキ
ヤリアガスが導入されると共に、出口弁Ｂ１４お
よびしぼり弁Ｂ１５を介して排気ポンプＢ１６に
よつて所定圧力Ｐに排気される。これら出口弁Ｂ
１４、しぼり弁Ｂ１５および排気ポンプＢ１６
は、バイパス流路を構成しており、出口弁Ａ１３
と出口弁Ｂ１４とを交互に開閉することによつ
て、ガス流路を切り換えることができる。
次に、第２図を用いて第１図図示構成の動作を
詳細に説明する。第２図図中横軸は時間を示し、
縦軸は流量制御弁１２によつて導入されるガス流
量ｆを示す。図中およびの点線の曲線はガス
を反応容器１に導入するに先立つた前準備におけ
る導入特性を表し、図中ないしの実線の曲線
はガスを反応容器１に導入する導入停止特性を表
す。
詳細に説明する。第２図図中横軸は時間を示し、
縦軸は流量制御弁１２によつて導入されるガス流
量ｆを示す。図中およびの点線の曲線はガス
を反応容器１に導入するに先立つた前準備におけ
る導入特性を表し、図中ないしの実線の曲線
はガスを反応容器１に導入する導入停止特性を表
す。
図中は、出口弁Ｂ１４を開、出口弁Ａ１３を
閉、キヤリアガス導入弁２０を開、入口弁１０を
開、および流量制御弁１２を所定流量に設定し、
排気ポンプＢ１６を用いて排気を開始する状態を
示す。尚、各弁などを開閉してから図示のように
排気されるまでには若干の遅延が存在するがここ
では説明の都合上、省略する。
閉、キヤリアガス導入弁２０を開、入口弁１０を
開、および流量制御弁１２を所定流量に設定し、
排気ポンプＢ１６を用いて排気を開始する状態を
示す。尚、各弁などを開閉してから図示のように
排気されるまでには若干の遅延が存在するがここ
では説明の都合上、省略する。
図中は排気ポンプＢ１６、しぼり弁Ｂ１５、
および出口弁Ｂ１４から構成されるバイパス流路
を介して各弁および配管内のガスが排気され、出
口弁Ａ１３の入口部分における圧力が所定値Ｐに
安定に設定された状態を示す。これは、出口弁Ａ
１３および出口弁Ｂ１４を交互に切り換える態様
で開閉して流量制御弁１２によつて流量制御され
たガスを反応容器１に導入したり、あるいはバイ
パス流路を介して排気したりする場合に、当該出
口弁Ａ１３の入口部分の圧力が変動しないように
するために、しぼり弁Ｂ１５を調整して所定圧力
Ｐに設定することを意味している。詳述すれば、
出口弁Ａ１３、反応容器１、排気弁２、および排
気ポンプＡ３からなる流路によつて排気される当
該出口弁Ａ１３の入口部分の圧力Ｐと、出口弁Ｂ
１４、しぼり弁Ｂ１５、および排気ポンプＢ１６
からなるバイパス流路によつて排気される当該出
口弁Ａ１３の入口部分の圧力Ｐとが等しくなるよ
うに例えばしぼり弁Ｂ１５を調整することであ
り、この圧力Ｐは各弁、配管などのコンダクタン
ス、排気ポンプＡ，Ｂの排気特性などに依存して
決定される。図中Δiは、ガスを導入開始してから
所定流量のガスが出口弁Ａ１３の入口部分に安定
に導入されるまでの時間を表す。
および出口弁Ｂ１４から構成されるバイパス流路
を介して各弁および配管内のガスが排気され、出
口弁Ａ１３の入口部分における圧力が所定値Ｐに
安定に設定された状態を示す。これは、出口弁Ａ
１３および出口弁Ｂ１４を交互に切り換える態様
で開閉して流量制御弁１２によつて流量制御され
たガスを反応容器１に導入したり、あるいはバイ
パス流路を介して排気したりする場合に、当該出
口弁Ａ１３の入口部分の圧力が変動しないように
するために、しぼり弁Ｂ１５を調整して所定圧力
Ｐに設定することを意味している。詳述すれば、
出口弁Ａ１３、反応容器１、排気弁２、および排
気ポンプＡ３からなる流路によつて排気される当
該出口弁Ａ１３の入口部分の圧力Ｐと、出口弁Ｂ
１４、しぼり弁Ｂ１５、および排気ポンプＢ１６
からなるバイパス流路によつて排気される当該出
口弁Ａ１３の入口部分の圧力Ｐとが等しくなるよ
うに例えばしぼり弁Ｂ１５を調整することであ
り、この圧力Ｐは各弁、配管などのコンダクタン
ス、排気ポンプＡ，Ｂの排気特性などに依存して
決定される。図中Δiは、ガスを導入開始してから
所定流量のガスが出口弁Ａ１３の入口部分に安定
に導入されるまでの時間を表す。
以上のようにして、出口弁Ａ１３の入口部分に
おける圧力Ｐが所定値に安定に保持され、流量制
御弁１２によつて設定された所定流量のガスがバ
イパス流路（出口弁Ｂ１４、しぼり弁Ｂ１５およ
び排気ポンプＢ１６）を介して排気され、出口弁
Ａ１３を開にしてガスを反応容器１に導入するた
めの前準備が完了したこととなる。
おける圧力Ｐが所定値に安定に保持され、流量制
御弁１２によつて設定された所定流量のガスがバ
イパス流路（出口弁Ｂ１４、しぼり弁Ｂ１５およ
び排気ポンプＢ１６）を介して排気され、出口弁
Ａ１３を開にしてガスを反応容器１に導入するた
めの前準備が完了したこととなる。
次に、ガスを反応容器１に導入する導入停止特
性を説明する。
性を説明する。
第２図図中は、出口弁Ａ１３を開、出口弁Ｂ
１４を閉にして、バイパス流路に流れていたガス
およびキヤリアガスを、出口弁Ａ１３、反応容器
１、排気弁２、および排気ポンプＡ３からなる流
路に切り換える状態を示す。
１４を閉にして、バイパス流路に流れていたガス
およびキヤリアガスを、出口弁Ａ１３、反応容器
１、排気弁２、および排気ポンプＡ３からなる流
路に切り換える状態を示す。
図中は、安定状態の所定流量のガスを反応容
器１に導入する状態を示す。この安定状態の基で
ガスが反応容器１に導入されるまでに要する時間
Δt1は、従来の第５図図中の時間Δt1に比し、極
めて短くなつている。これは、本実施例は、出口
弁Ｂ１４を通じて流れていたガスを、出口弁Ａ１
３を通じて流れるように、ガス流路を単に切り換
えてガスを反応容器１に導入するよう制御してい
るために、ガスの導入の際の遅延、オーバーシユ
ーテイング、およびハンチングなど（図中イの部
分に示す点線の特性曲線など）を生じないように
しているからである。尚、図中Δt3は、ガスを反
応容器１に安定に導入している時間を表す。
器１に導入する状態を示す。この安定状態の基で
ガスが反応容器１に導入されるまでに要する時間
Δt1は、従来の第５図図中の時間Δt1に比し、極
めて短くなつている。これは、本実施例は、出口
弁Ｂ１４を通じて流れていたガスを、出口弁Ａ１
３を通じて流れるように、ガス流路を単に切り換
えてガスを反応容器１に導入するよう制御してい
るために、ガスの導入の際の遅延、オーバーシユ
ーテイング、およびハンチングなど（図中イの部
分に示す点線の特性曲線など）を生じないように
しているからである。尚、図中Δt3は、ガスを反
応容器１に安定に導入している時間を表す。
図中は、出口弁Ａ１３を閉、および出口弁Ｂ
１４を開にして、ガス流路をバイパス流路に切り
換えて、ガスを反応容器１に導入することを停止
する状態を示す。
１４を開にして、ガス流路をバイパス流路に切り
換えて、ガスを反応容器１に導入することを停止
する状態を示す。
図中は、反応容器１に導入されるガス流量が
零になつた状態を示す。図中時間Δt2は、ガスの
導入停止を開始してからガスの導入が停止される
までの時間を示す。
零になつた状態を示す。図中時間Δt2は、ガスの
導入停止を開始してからガスの導入が停止される
までの時間を示す。
以上のように、出口弁Ａ１３および出口弁Ｂ１
４を交互に開閉して、出口弁Ａ１３の入口部分に
導入されたガスおよびキヤリアガスを、バイパス
流路と反応容器１を含む流路とに交互に切り換え
るよう制御することにより、微少流量のガスを減
圧された反応容器１中に安定状態の基で高速応答
性良好に導入・停止することが可能となる。
４を交互に開閉して、出口弁Ａ１３の入口部分に
導入されたガスおよびキヤリアガスを、バイパス
流路と反応容器１を含む流路とに交互に切り換え
るよう制御することにより、微少流量のガスを減
圧された反応容器１中に安定状態の基で高速応答
性良好に導入・停止することが可能となる。
次に、第３図を用いて他の実施例構成および動
作を説明する。この第３図に示す構成は、第１図
に示す構成に付加して、出口弁Ａ１３の出口部分
に対して、しぼり弁Ａ２１を通じて所定流量のキ
ヤリアガスを導入したことである。他のガス導入
停止制御は第１図図示のものとほぼ同じであるの
で、説明を省略する。尚、出口弁Ａ１３の入口部
分における圧力P1を所定値に設定するのに、当
該しぼり弁Ａ２１を用いてキヤリアガスの導入量
を制御することによつて行つてもよいし、しぼり
弁Ｂ１５と当該しぼり弁Ａ２１とを用いて行つて
もよい。
作を説明する。この第３図に示す構成は、第１図
に示す構成に付加して、出口弁Ａ１３の出口部分
に対して、しぼり弁Ａ２１を通じて所定流量のキ
ヤリアガスを導入したことである。他のガス導入
停止制御は第１図図示のものとほぼ同じであるの
で、説明を省略する。尚、出口弁Ａ１３の入口部
分における圧力P1を所定値に設定するのに、当
該しぼり弁Ａ２１を用いてキヤリアガスの導入量
を制御することによつて行つてもよいし、しぼり
弁Ｂ１５と当該しぼり弁Ａ２１とを用いて行つて
もよい。
このようにキヤリアガスを出口弁Ａ１３の出口
側に導入することにより、出口弁Ａ１３と反応容
器１との間の流路中のガス粒子の速度が増し、ガ
スを反応容器１に導入する応答性いわゆるレスポ
ンスが改善されると共に、たとえ出口弁Ａ１３が
閉状態にされても、しぼり弁Ａ２１を介してキヤ
リアガスが導入されるために、出口弁Ａ１３およ
び配管などに吸着したガスを当該キヤリアガスに
よつて迅速にパージすることが可能となる。
側に導入することにより、出口弁Ａ１３と反応容
器１との間の流路中のガス粒子の速度が増し、ガ
スを反応容器１に導入する応答性いわゆるレスポ
ンスが改善されると共に、たとえ出口弁Ａ１３が
閉状態にされても、しぼり弁Ａ２１を介してキヤ
リアガスが導入されるために、出口弁Ａ１３およ
び配管などに吸着したガスを当該キヤリアガスに
よつて迅速にパージすることが可能となる。
以上のことから、ガスを安定流量のもとで導入
するために要する時間Δt1およびガスの導入を停
止するために要する時間Δt2を更に短くすること
が可能となる。特に、出口弁Ａ１３と反応容器１
との間の配管長が長くなつた場合に有効なものと
なる。
するために要する時間Δt1およびガスの導入を停
止するために要する時間Δt2を更に短くすること
が可能となる。特に、出口弁Ａ１３と反応容器１
との間の配管長が長くなつた場合に有効なものと
なる。
尚、第１図および第３図図中、排気ポンプＡ３
および排気ポンプＢ１６の２台を用いて排気する
よう構成したけれども、排気ポンプＢ１６を省略
し、排気ポンプＡ３を用いて排気弁２と出口弁Ｂ
１４とを切り換えて制御してもよい。また、本実
施例においてガスとして例えば六フツカタングス
テンガスを用い、キヤリアガスとして例えばヘリ
ウムガスのような不活性ガスを用いている。
および排気ポンプＢ１６の２台を用いて排気する
よう構成したけれども、排気ポンプＢ１６を省略
し、排気ポンプＡ３を用いて排気弁２と出口弁Ｂ
１４とを切り換えて制御してもよい。また、本実
施例においてガスとして例えば六フツカタングス
テンガスを用い、キヤリアガスとして例えばヘリ
ウムガスのような不活性ガスを用いている。
以上説明したように、本発明によれば、出口弁
Ａ１３の入口部分の圧力Ｐを所定値にし、出口弁
Ａ１３と出口弁Ｂ１４とを交互に開閉してガス流
路を切り換えることによつて、ガスを反応容器１
に導入するよう制御しているため、流量制御器１
１の構造・特性に影響されることなく、微少流量
のガスを反応容器１中に高速応答性良好に導入・
停止することができる。
Ａ１３の入口部分の圧力Ｐを所定値にし、出口弁
Ａ１３と出口弁Ｂ１４とを交互に開閉してガス流
路を切り換えることによつて、ガスを反応容器１
に導入するよう制御しているため、流量制御器１
１の構造・特性に影響されることなく、微少流量
のガスを反応容器１中に高速応答性良好に導入・
停止することができる。
第１図は本発明の１実施例構成図、第２図は第
１図図示構成の動作説明図、第３図は本実施例の
他の実施例構成図、第４図は従来の導入方法の構
成図、第５図は第４図図示構成の動作説明図を示
す。 図中、１は反応容器、２は排気弁、３，１６は
排気ポンプ、１０は入口弁、１１は流量制御器、
１２は流量制御弁、１３，１４…出口弁、１５，
２１はしぼり弁、２０…キヤリアガス導入弁を表
す。
１図図示構成の動作説明図、第３図は本実施例の
他の実施例構成図、第４図は従来の導入方法の構
成図、第５図は第４図図示構成の動作説明図を示
す。 図中、１は反応容器、２は排気弁、３，１６は
排気ポンプ、１０は入口弁、１１は流量制御器、
１２は流量制御弁、１３，１４…出口弁、１５，
２１はしぼり弁、２０…キヤリアガス導入弁を表
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定流量のガスを減圧された反応容器に導入
するガス導入方法において、 導入しようとするガスの流量を制御する流量制
御器と、 この流量制御器によつて流量制御されたガスを
減圧された反応容器に導入する出口弁Ａと、 キヤリアガスを流量制御器と出口弁Ａとの接続
部分に導入するキヤリアガス導入弁と、 流量制御器と出口弁Ａとの接続部分に導入され
たガスおよびキヤリアガスを排気する出口弁Ｂ
と、 この出口弁Ｂを通して排気される排気流量を制
御するしぼり弁Ｂとを設け、 ガスを反応容器に導入する際に、第１に、出口
弁Ａを閉および出口弁Ｂを少なくとも開にして、
流量制御器から導入されるガスを出口弁Ｂおよび
しぼり弁Ｂを用いて排気すると共に出口弁Ａの入
口における圧力を所定値にし、第２に、出口弁Ａ
を開および出口弁Ｂを閉にして、ガスを反応容器
に導入するように制御することを特徴とするガス
導入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172997A JPS6328875A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | ガス導入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172997A JPS6328875A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | ガス導入方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6328875A JPS6328875A (ja) | 1988-02-06 |
| JPH0118152B2 true JPH0118152B2 (ja) | 1989-04-04 |
Family
ID=15952269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61172997A Granted JPS6328875A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | ガス導入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6328875A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0663095B2 (ja) * | 1988-10-13 | 1994-08-17 | 日電アネルバ株式会社 | Ｃｖｄ装置 |
| JP3142329B2 (ja) * | 1991-11-20 | 2001-03-07 | 株式会社東芝 | 薄膜製造装置 |
| KR20030004740A (ko) * | 2001-07-06 | 2003-01-15 | 주성엔지니어링(주) | 액체원료 운반시스템 및 이를 이용한 공정진행방법 |
| CN1859962B (zh) | 2003-09-29 | 2011-06-22 | 日立金属株式会社 | 陶瓷蜂窝式过滤器及其制造方法 |
| WO2008044508A1 (en) | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Hitachi Metals, Ltd. | Process for producing cordierite ceramic honeycomb filter |
| KR101887360B1 (ko) * | 2013-10-31 | 2018-08-10 | 가부시키가이샤 후지킨 | 압력식 유량 제어 장치 |
| JP6321972B2 (ja) * | 2014-01-21 | 2018-05-09 | 株式会社フジキン | 圧力式流量制御装置及びその流量制御開始時のオーバーシュート防止方法 |
| WO2016052682A1 (ja) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 日立金属株式会社 | セラミックハニカムフィルタ及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513922A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vapor phase growthing method and its device |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP61172997A patent/JPS6328875A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6328875A (ja) | 1988-02-06 |
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