JPH05224219A - 薄膜のエッチング方法、液晶表示素子用基板の製造方法およびエッチング装置 - Google Patents
薄膜のエッチング方法、液晶表示素子用基板の製造方法およびエッチング装置Info
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- JPH05224219A JPH05224219A JP5598792A JP5598792A JPH05224219A JP H05224219 A JPH05224219 A JP H05224219A JP 5598792 A JP5598792 A JP 5598792A JP 5598792 A JP5598792 A JP 5598792A JP H05224219 A JPH05224219 A JP H05224219A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング残りの発生を防止し、パターニン
グ工程の歩留りを向上させた薄膜のエッチング方法、液
晶表示素子用基板の製造方法及びエッチング装置を提供
する。 【構成】 基板上に薄膜を成膜しフォトリソグラフィー
によりパタ−ンを形成する際のエッチング工程におい
て、フォトレジストパターンが形成された基板表面にエ
ッチング液をかけてエッチングする直前に基板表面を水
または純水でリンスする薄膜のエッチング方法、液晶表
示素子用基板の製造方法及びエッチング装置。
グ工程の歩留りを向上させた薄膜のエッチング方法、液
晶表示素子用基板の製造方法及びエッチング装置を提供
する。 【構成】 基板上に薄膜を成膜しフォトリソグラフィー
によりパタ−ンを形成する際のエッチング工程におい
て、フォトレジストパターンが形成された基板表面にエ
ッチング液をかけてエッチングする直前に基板表面を水
または純水でリンスする薄膜のエッチング方法、液晶表
示素子用基板の製造方法及びエッチング装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜のエッチング方
法、特に液晶表示素子の電極パターニングの際のエッチ
ング方法、液晶表示素子用基板の製造方法およびエッチ
ング装置に関する。
法、特に液晶表示素子の電極パターニングの際のエッチ
ング方法、液晶表示素子用基板の製造方法およびエッチ
ング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フォトリソ工程により基板上にパ
ターンを形成する技術は広く知られている。その従来例
として、液晶パネルの金属電極を例にして説明すると、
ガラス基板上にほぼ全面に金属薄膜を成膜した上に、Ｕ
Ｖ（紫外線）硬化型のレジスト膜を約１μｍの厚さに塗
布する。
ターンを形成する技術は広く知られている。その従来例
として、液晶パネルの金属電極を例にして説明すると、
ガラス基板上にほぼ全面に金属薄膜を成膜した上に、Ｕ
Ｖ（紫外線）硬化型のレジスト膜を約１μｍの厚さに塗
布する。
【０００３】次に、レジスト膜を仮乾燥後に所望のパタ
ーンを有するマスクを介してＵＶ光で露光した後、現像
液にて現像し、さらに本硬化を行った後、エッチング工
程へ移行する。エッチング工程は、一般的にエッチング
液が上部ノズルからスプレーされている中を前記ガラス
基板が通過していくスプレー方式が用いられており、こ
のスプレー方式は生産用エッチング装置において、装置
化が簡単で生産性に優れているために有利である。次
に、電極上のレジスト膜を除去して電極パターンを形成
する。
ーンを有するマスクを介してＵＶ光で露光した後、現像
液にて現像し、さらに本硬化を行った後、エッチング工
程へ移行する。エッチング工程は、一般的にエッチング
液が上部ノズルからスプレーされている中を前記ガラス
基板が通過していくスプレー方式が用いられており、こ
のスプレー方式は生産用エッチング装置において、装置
化が簡単で生産性に優れているために有利である。次
に、電極上のレジスト膜を除去して電極パターンを形成
する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例のエッチング工程において、特に大型の基板で、且
つ微細パターンをエッチングする際には、前記レジスト
のパターンが正常に形成されているにもかかわらず、金
属膜の一部の箇所にエッチング残りが発生する。
来例のエッチング工程において、特に大型の基板で、且
つ微細パターンをエッチングする際には、前記レジスト
のパターンが正常に形成されているにもかかわらず、金
属膜の一部の箇所にエッチング残りが発生する。
【０００５】このエッチング残りは、通常はレーザ等で
除去するか、あるいは複数回エッチングを行う等の方法
で除去するが、この様な方法では工程が複雑化し、特に
大型の基板に微細パターンを形成する際には、大量のエ
ッチング残りの箇所が発生するため、その除去は非常に
困難であった。
除去するか、あるいは複数回エッチングを行う等の方法
で除去するが、この様な方法では工程が複雑化し、特に
大型の基板に微細パターンを形成する際には、大量のエ
ッチング残りの箇所が発生するため、その除去は非常に
困難であった。
【０００６】本発明は、上記の従来技術の問題点を解決
し、スプレー式エッチング装置を使用し、エッチング残
りの発生を防止し、パターニング工程の歩留りを著しく
向上させることができる薄膜のエッチング方法、液晶表
示素子用基板の製造方法およびそれらの方法に使用する
エッチング装置を提供することを目的とするものであ
る。
し、スプレー式エッチング装置を使用し、エッチング残
りの発生を防止し、パターニング工程の歩留りを著しく
向上させることができる薄膜のエッチング方法、液晶表
示素子用基板の製造方法およびそれらの方法に使用する
エッチング装置を提供することを目的とするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第一の発
明は、基板上に薄膜を成膜し、フォトリソグラフィーに
よりパタ−ンを形成する際のエッチング工程において、
フォトレジストパターンが形成された基板表面にエッチ
ング液をかけてエッチングする直前に基板表面を水また
は純水でリンスすることを特徴とする薄膜のエッチング
方法である。
明は、基板上に薄膜を成膜し、フォトリソグラフィーに
よりパタ−ンを形成する際のエッチング工程において、
フォトレジストパターンが形成された基板表面にエッチ
ング液をかけてエッチングする直前に基板表面を水また
は純水でリンスすることを特徴とする薄膜のエッチング
方法である。
【０００８】また、本発明の第二の発明は、基板上に薄
膜を成膜し、その上にフォトレジストパターンを形成し
た後にエッチングするフォトリソグラフィーによりパタ
−ンを形成する液晶表示素子用基板の製造方法におい
て、フォトレジストパターンが形成された基板表面にエ
ッチング液をかけてエッチングする直前に基板表面を水
または純水でリンスすることを特徴とする液晶表示素子
用基板の製造方法である。
膜を成膜し、その上にフォトレジストパターンを形成し
た後にエッチングするフォトリソグラフィーによりパタ
−ンを形成する液晶表示素子用基板の製造方法におい
て、フォトレジストパターンが形成された基板表面にエ
ッチング液をかけてエッチングする直前に基板表面を水
または純水でリンスすることを特徴とする液晶表示素子
用基板の製造方法である。
【０００９】さらに、本発明の第三の発明は、基板上に
薄膜を成膜し、その上にフォトレジストパターンを形成
した基板表面を水または純水でリンスする純水プレリン
ス室と、水または純水でリンスした基板表面にエッチン
グ液をかけてエッチングするエッチング液スプレー室
と、エッチングした基板表面に純水をスプレーして洗浄
する純水スプレー室と、洗浄した基板の水切りをするエ
アーナイフ室からなることを特徴とするエッチング装置
である。
薄膜を成膜し、その上にフォトレジストパターンを形成
した基板表面を水または純水でリンスする純水プレリン
ス室と、水または純水でリンスした基板表面にエッチン
グ液をかけてエッチングするエッチング液スプレー室
と、エッチングした基板表面に純水をスプレーして洗浄
する純水スプレー室と、洗浄した基板の水切りをするエ
アーナイフ室からなることを特徴とするエッチング装置
である。
【００１０】本発明においては、基板表面にエッチング
液をかけて薄膜をエッチングする直前に基板表面を水又
は純水でリンスするが、水には純水以外の通常の水を用
いることができる。リンスする方法は、特に制限する必
要はなく基板の表面を濡らすことができれば良く、例え
ばスプレー，ディップ，スピンナー塗布等により行うこ
とができる。基板上に成膜される薄膜は、Ａｌ，Ｍｏ，
Ｃｒ，Ｔａ，Ｃｕ，Ｎｉまたはこれらの合金からなる金
属膜か、或いは透明導電膜が用いられる。
液をかけて薄膜をエッチングする直前に基板表面を水又
は純水でリンスするが、水には純水以外の通常の水を用
いることができる。リンスする方法は、特に制限する必
要はなく基板の表面を濡らすことができれば良く、例え
ばスプレー，ディップ，スピンナー塗布等により行うこ
とができる。基板上に成膜される薄膜は、Ａｌ，Ｍｏ，
Ｃｒ，Ｔａ，Ｃｕ，Ｎｉまたはこれらの合金からなる金
属膜か、或いは透明導電膜が用いられる。
【００１１】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。
する。
【００１２】実施例１ 図１は本発明の薄膜のッチング方法に使用するエッチン
グ装置の一例を示す説明図である。同図において、第一
室Ａは、基板上に薄膜を成膜し、その上にフォトレジス
トパターンを形成した基板表面を水または純水でリンス
する純水プレリンス室であり、第二室Ｂは、水または純
水でリンスした基板表面にエッチング液をかけてエッチ
ングするエッチング液スプレー室であり、第三室Ｃは、
エッチングした基板表面に純水をスプレーして洗浄する
純水スプレー室であり、第四室Ｄは、洗浄した基板の水
切りをするエアーナイフ室であり、本発明のエッチング
装置は第一室Ａ〜第四室Ｄを連続して組合わせたものか
らなる。
グ装置の一例を示す説明図である。同図において、第一
室Ａは、基板上に薄膜を成膜し、その上にフォトレジス
トパターンを形成した基板表面を水または純水でリンス
する純水プレリンス室であり、第二室Ｂは、水または純
水でリンスした基板表面にエッチング液をかけてエッチ
ングするエッチング液スプレー室であり、第三室Ｃは、
エッチングした基板表面に純水をスプレーして洗浄する
純水スプレー室であり、第四室Ｄは、洗浄した基板の水
切りをするエアーナイフ室であり、本発明のエッチング
装置は第一室Ａ〜第四室Ｄを連続して組合わせたものか
らなる。
【００１３】図１のエッチング装置を用いて薄膜のッチ
ングを以下の方法により行なった。たて３００ｍｍ，よ
こ３００ｍｍ，厚さ１．０ｍｍのガラス基板上にＭｏを
１５００Åの厚さにスパッタ法にて成膜し、ロールコー
ターでフォトレジストを約１μｍの厚さに塗布した後、
プリベーク，露光，現像，ポストベーク工程を行ないラ
インピッチ：２００μｍ，ライン巾：１９７μｍ，ライ
ン間：３μｍ，ライン長さ：２５０ｍｍのストライプ状
電極１２００本のフォトレジストパターンを形成した基
板４を、本発明における図１に示す方法でエッチングを
行った。
ングを以下の方法により行なった。たて３００ｍｍ，よ
こ３００ｍｍ，厚さ１．０ｍｍのガラス基板上にＭｏを
１５００Åの厚さにスパッタ法にて成膜し、ロールコー
ターでフォトレジストを約１μｍの厚さに塗布した後、
プリベーク，露光，現像，ポストベーク工程を行ないラ
インピッチ：２００μｍ，ライン巾：１９７μｍ，ライ
ン間：３μｍ，ライン長さ：２５０ｍｍのストライプ状
電極１２００本のフォトレジストパターンを形成した基
板４を、本発明における図１に示す方法でエッチングを
行った。
【００１４】エッチング工程では、図１に示すエッチン
グ装置に、基板４を０．６ｍ／ｍｉｎのスピードで搬送
しながら、第一室Ａで純水をスプレーし基板表面全体を
濡らす。次に、第二室Ｂでエッチング液（リン酸（８５
ｗｔ％）：硝酸（６０ｗｔ％）：酢酸（９８ｗｔ％）：
水＝１６：２：１：１（ｖｏｌ％）の混合溶液、液温は
室温）を９０秒間スプレーして、エッチングを行い、第
三室Ｃで再び純水を９０秒間スプレーして、第四室Ｄで
エアーナイフにて水切りした。その後、フォトレジスト
を剥離して、Ｍｏのパターン付基板を形成した。このＭ
ｏパターン付基板にエッチング残りの発生は全く無かっ
た。
グ装置に、基板４を０．６ｍ／ｍｉｎのスピードで搬送
しながら、第一室Ａで純水をスプレーし基板表面全体を
濡らす。次に、第二室Ｂでエッチング液（リン酸（８５
ｗｔ％）：硝酸（６０ｗｔ％）：酢酸（９８ｗｔ％）：
水＝１６：２：１：１（ｖｏｌ％）の混合溶液、液温は
室温）を９０秒間スプレーして、エッチングを行い、第
三室Ｃで再び純水を９０秒間スプレーして、第四室Ｄで
エアーナイフにて水切りした。その後、フォトレジスト
を剥離して、Ｍｏのパターン付基板を形成した。このＭ
ｏパターン付基板にエッチング残りの発生は全く無かっ
た。
【００１５】比較例１ 図３の従来のエッチング装置を用いて薄膜のッチングを
以下の方法により行なった。たて３００ｍｍ，よこ３０
０ｍｍ，厚さ１．０ｍｍのガラス基板上にＭｏを１５０
０Åの厚さにスパッタ法にて成膜し、実施例１と全く同
じ方法で、全く同じストライプ状電極：１２００本（ラ
インピッチ：２００μｍ，ライン巾：１９７μｍ，スペ
ース巾：３μｍ，ライン長さ：２５０μｍ）のレジスト
パターンを形成した後、図３に示す様に、実施例１と同
様に、第一室でエッチング液をスプレーして、エッチン
グを行い、第二室で純水をスプレーして、第三室でエア
ーナイフにて水切りした。
以下の方法により行なった。たて３００ｍｍ，よこ３０
０ｍｍ，厚さ１．０ｍｍのガラス基板上にＭｏを１５０
０Åの厚さにスパッタ法にて成膜し、実施例１と全く同
じ方法で、全く同じストライプ状電極：１２００本（ラ
インピッチ：２００μｍ，ライン巾：１９７μｍ，スペ
ース巾：３μｍ，ライン長さ：２５０μｍ）のレジスト
パターンを形成した後、図３に示す様に、実施例１と同
様に、第一室でエッチング液をスプレーして、エッチン
グを行い、第二室で純水をスプレーして、第三室でエア
ーナイフにて水切りした。
【００１６】上記の方法でエッチングを行なった後、レ
ジストを剥離してＭｏのパターン付基板を形成したとこ
ろ、基板全面で１０００ヶ所以上のエッチング残りが発
生し、ほとんどがライン間ショート欠陥になってしまっ
た。
ジストを剥離してＭｏのパターン付基板を形成したとこ
ろ、基板全面で１０００ヶ所以上のエッチング残りが発
生し、ほとんどがライン間ショート欠陥になってしまっ
た。
【００１７】実施例２ 図２は本発明の薄膜のッチング方法に使用するエッチン
グ装置の他の例を示す説明図である。同図は、第一室Ａ
が、ポンプ３から純水２を供給した純水槽１に基板を浸
漬することにより、基板表面をリンスする純水プレリン
ス室からなることを特徴とする。
グ装置の他の例を示す説明図である。同図は、第一室Ａ
が、ポンプ３から純水２を供給した純水槽１に基板を浸
漬することにより、基板表面をリンスする純水プレリン
ス室からなることを特徴とする。
【００１８】図２のエッチング装置を用いて薄膜のッチ
ングを以下の方法により行なった。たて３００ｍｍ，よ
こ３００ｍｍ，厚さ１．０ｍｍのガラス基板にＡｌを１
５００Åの厚さに成膜し、前述の実施例１と同じ方法で
全く同じストライプ状電極：１２００本（ラインピッ
チ：２００μｍ，ライン巾：１９７μｍ，スペース巾：
３μｍ，ライン長さ：２５０μｍ）のフォトレジストパ
ターンを形成した後、図２に示す方法でエッチングを行
った。
ングを以下の方法により行なった。たて３００ｍｍ，よ
こ３００ｍｍ，厚さ１．０ｍｍのガラス基板にＡｌを１
５００Åの厚さに成膜し、前述の実施例１と同じ方法で
全く同じストライプ状電極：１２００本（ラインピッ
チ：２００μｍ，ライン巾：１９７μｍ，スペース巾：
３μｍ，ライン長さ：２５０μｍ）のフォトレジストパ
ターンを形成した後、図２に示す方法でエッチングを行
った。
【００１９】エッチング工程では、図２に示すエッチン
グ装置に、基板４を０．６ｍ／ｍｉｎのスピードで搬送
しながら第一室Ａで純水に浸漬し、基板表面全体を濡ら
す。第二室Ｂでエッチング液（リン酸（８５ｗｔ％）：
硝酸（６０ｗｔ％）：酢酸（９８ｗｔ％）：水＝１６：
２：１：１（ｖｏｌ％）の混合溶液、液温は４０℃）を
９０秒間スプレーしてエッチングを行い、第三室Ｃで再
び純水を９０秒間スプレーして、第四室Ｄでエアーナイ
フにて水切りした。その後、フォトレジストを剥離し
て、Ａｌのパターン付基板を形成した所、前述の実施例
１と同様にエッチング残りの発生は、ほとんど無かっ
た。
グ装置に、基板４を０．６ｍ／ｍｉｎのスピードで搬送
しながら第一室Ａで純水に浸漬し、基板表面全体を濡ら
す。第二室Ｂでエッチング液（リン酸（８５ｗｔ％）：
硝酸（６０ｗｔ％）：酢酸（９８ｗｔ％）：水＝１６：
２：１：１（ｖｏｌ％）の混合溶液、液温は４０℃）を
９０秒間スプレーしてエッチングを行い、第三室Ｃで再
び純水を９０秒間スプレーして、第四室Ｄでエアーナイ
フにて水切りした。その後、フォトレジストを剥離し
て、Ａｌのパターン付基板を形成した所、前述の実施例
１と同様にエッチング残りの発生は、ほとんど無かっ
た。
【００２０】実施例３ 本発明を液晶表示素子基板に用いる透明電極を形成する
工程に応用した実施例を以下に示す。ここで、エッチン
グ装置としては、実施例１で示した図１と同様の装置を
用いて、以下の方法によりＩＴＯ薄膜のエッチングを行
なった。
工程に応用した実施例を以下に示す。ここで、エッチン
グ装置としては、実施例１で示した図１と同様の装置を
用いて、以下の方法によりＩＴＯ薄膜のエッチングを行
なった。
【００２１】たて３００ｍｍ、よこ３００ｍｍ、厚さ
１．０ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを１５００Åの厚さ
にスパッタ法にて成膜し、ロールコーターでフォトレジ
ストを約１μｍの厚さに塗布した後、プリベーク、露
光、現像、ポストベーク工程を行ないラインピッチ：２
００μｍ、ライン巾：１９７μｍ、ライン間：３μｍ、
ライン長さ：２５０ｍｍのストライプ状電極１２００本
のフォトレジストパターンを形成した基板４を、本発明
における図１に示す方法でエッチングを行なった。
１．０ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを１５００Åの厚さ
にスパッタ法にて成膜し、ロールコーターでフォトレジ
ストを約１μｍの厚さに塗布した後、プリベーク、露
光、現像、ポストベーク工程を行ないラインピッチ：２
００μｍ、ライン巾：１９７μｍ、ライン間：３μｍ、
ライン長さ：２５０ｍｍのストライプ状電極１２００本
のフォトレジストパターンを形成した基板４を、本発明
における図１に示す方法でエッチングを行なった。
【００２２】エッチング工程では、図１に示すエッチン
グ装置に、基板４を０．６ｍ／ｍｉｎのスピードで搬送
しながら、第一室Ａで純水をスプレーし基板全体を濡ら
す。
グ装置に、基板４を０．６ｍ／ｍｉｎのスピードで搬送
しながら、第一室Ａで純水をスプレーし基板全体を濡ら
す。
【００２３】次に、第二室Ｂでエッチング液（ヨウ化水
素酸５５％）を４５℃に加温し、１２０秒間スプレーし
て、エッチングを行ない、第三室Ｃで再び純水をスプレ
ーして、第四室Ｄでエアーナイフにて水切りした。
素酸５５％）を４５℃に加温し、１２０秒間スプレーし
て、エッチングを行ない、第三室Ｃで再び純水をスプレ
ーして、第四室Ｄでエアーナイフにて水切りした。
【００２４】その後、フォトレジストを剥離して、ＩＴ
Ｏの透明電極付パターンを形成した。このＩＴＯパター
ンにエッチング残りは見られず良好な結果が得られた。
Ｏの透明電極付パターンを形成した。このＩＴＯパター
ンにエッチング残りは見られず良好な結果が得られた。
【００２５】
【発明の効果】以上説明した様に、薄膜の微細加工プロ
セスにおいて、本発明によるエッチング方法を用いて、
エッチング工程でエッチング液をかけてエッチングする
前に水又は純水でプレリンスを行うことにより、エッチ
ング残りの発生を無くすことが可能となり、パターニン
グ工程での歩留を著しく向上させることができる。
セスにおいて、本発明によるエッチング方法を用いて、
エッチング工程でエッチング液をかけてエッチングする
前に水又は純水でプレリンスを行うことにより、エッチ
ング残りの発生を無くすことが可能となり、パターニン
グ工程での歩留を著しく向上させることができる。
【００２６】また、本発明の液晶表示素子用基板の製造
方法により、エッチング残りの発生を無くすことが可能
となり、パターニング工程での歩留を著しく向上させる
ことができる。
方法により、エッチング残りの発生を無くすことが可能
となり、パターニング工程での歩留を著しく向上させる
ことができる。
【００２７】本発明のエッチング装置を用いることによ
り、エッチング工程でエッチング液をかけてエッチング
する前に水又は純水でプレリンスを行うことができ、エ
ッチング残りの発生を無くすことが可能となり、パター
ニング工程での歩留を著しく向上させることができる。
り、エッチング工程でエッチング液をかけてエッチング
する前に水又は純水でプレリンスを行うことができ、エ
ッチング残りの発生を無くすことが可能となり、パター
ニング工程での歩留を著しく向上させることができる。
【図１】本発明の薄膜のッチング方法に使用するエッチ
ング装置の一例を示す説明図である。
ング装置の一例を示す説明図である。
【図２】本発明の薄膜のッチング方法に使用するエッチ
ング装置の他の例を示す説明図である。
ング装置の他の例を示す説明図である。
【図３】従来の薄膜のッチング方法に使用するエッチン
グ装置を示す説明図である。
グ装置を示す説明図である。
１ 純水槽 ２ 純水 ３ ポンプ ４ 基板
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に薄膜を成膜し、フォトリソグラ
フィーによりパタ−ンを形成する際のエッチング工程に
おいて、フォトレジストパターンが形成された基板表面
にエッチング液をかけてエッチングする直前に基板表面
を水または純水でリンスすることを特徴とする薄膜のエ
ッチング方法。 - 【請求項２】 前記薄膜がＡｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｃ
ｕ，Ｎｉまたはこれらの合金からなる金属膜である請求
項１記載の薄膜のエッチング方法。 - 【請求項３】 前記薄膜が透明導電膜である請求項１記
載の薄膜のエッチング方法。 - 【請求項４】 基板上に薄膜を成膜し、その上にフォト
レジストパターンを形成した後にエッチングするフォト
リソグラフィーによりパタ−ンを形成する液晶表示素子
用基板の製造方法において、フォトレジストパターンが
形成された基板表面にエッチング液をかけてエッチング
する直前に基板表面を水または純水でリンスすることを
特徴とする液晶表示素子用基板の製造方法。 - 【請求項５】 前記薄膜がＡｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｃ
ｕ，Ｎｉまたはこれらの合金からなる金属膜である請求
項４記載の液晶表示素子用基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記薄膜が透明導電膜である請求項４記
載の液晶表示素子用基板の製造方法。 - 【請求項７】 基板上に薄膜を成膜し、その上にフォト
レジストパターンを形成した基板表面を水または純水で
リンスする純水プレリンス室と、水または純水でリンス
した基板表面にエッチング液をかけてエッチングするエ
ッチング液スプレー室と、エッチングした基板表面に純
水をスプレーして洗浄する純水スプレー室と、洗浄した
基板の水切りをするエアーナイフ室からなることを特徴
とするエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5598792A JPH05224219A (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 薄膜のエッチング方法、液晶表示素子用基板の製造方法およびエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5598792A JPH05224219A (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 薄膜のエッチング方法、液晶表示素子用基板の製造方法およびエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05224219A true JPH05224219A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=13014439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5598792A Pending JPH05224219A (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 薄膜のエッチング方法、液晶表示素子用基板の製造方法およびエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05224219A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180304A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | パターンの形成方法、及び液滴吐出ヘッド |
| KR100798144B1 (ko) * | 2006-08-24 | 2008-01-28 | 세메스 주식회사 | 평판 디스플레이 제조용 장비 |
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1992
- 1992-02-07 JP JP5598792A patent/JPH05224219A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180304A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | パターンの形成方法、及び液滴吐出ヘッド |
| KR100798144B1 (ko) * | 2006-08-24 | 2008-01-28 | 세메스 주식회사 | 평판 디스플레이 제조용 장비 |
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