JPS6019608B2 - 電極パタ−ン形成方法 - Google Patents
電極パタ−ン形成方法Info
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- JPS6019608B2 JPS6019608B2 JP53122234A JP12223478A JPS6019608B2 JP S6019608 B2 JPS6019608 B2 JP S6019608B2 JP 53122234 A JP53122234 A JP 53122234A JP 12223478 A JP12223478 A JP 12223478A JP S6019608 B2 JPS6019608 B2 JP S6019608B2
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- JP
- Japan
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- resist
- metal
- pattern
- electrode pattern
- conductive film
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/243—Reinforcing of the conductive pattern characterised by selective plating, e.g. for finish plating of pads
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/032—Materials
- H05K2201/0326—Inorganic, non-metallic conductor, e.g. indium-tin oxide [ITO]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマトリックスパネルに使用する電極パターンの
形成方法に係わるものであり、特に透明導電膜上に金属
電極パターンを形成する方法に関するものである。
形成方法に係わるものであり、特に透明導電膜上に金属
電極パターンを形成する方法に関するものである。
マトリックス型表示装置は、互いに直交する帯状の電極
を複数配列し、電極が交差する領域部分を絵素としたも
ので、直交する一方の電極と他方の電極の各電極に選択
的に電圧を印加し、文字、記号、数字、模様等を表示す
るものである。
を複数配列し、電極が交差する領域部分を絵素としたも
ので、直交する一方の電極と他方の電極の各電極に選択
的に電圧を印加し、文字、記号、数字、模様等を表示す
るものである。
マトリックス型の表示装置（マトリックスパネル）問題
点としてクロストーク現象やパネルの大型化に伴う走査
ラインの増加による各絵素コントラストの低下の問題が
あり、特に液晶表示装置の場合その傾向が著しい。この
ため表示の駆動法として電圧平均化法の採用を行っても
ＴＮ−ＦＥＭ−ＬＣＤ（ツイストチツドネマティック電
界効果型液晶表示装置）においては視覚範囲の減少等の
問題が残される。一方、ＬＣＤの分解能をあげ、しかも
印加電圧の実効値を減少させることなくマトリックス表
示を実行する方法として電極パターン、セル構造の面か
らも改善策が推し進められ、第１図に示すような２重電
極横造の液晶表示装置を本出願人は既に特許出願をして
いる。
点としてクロストーク現象やパネルの大型化に伴う走査
ラインの増加による各絵素コントラストの低下の問題が
あり、特に液晶表示装置の場合その傾向が著しい。この
ため表示の駆動法として電圧平均化法の採用を行っても
ＴＮ−ＦＥＭ−ＬＣＤ（ツイストチツドネマティック電
界効果型液晶表示装置）においては視覚範囲の減少等の
問題が残される。一方、ＬＣＤの分解能をあげ、しかも
印加電圧の実効値を減少させることなくマトリックス表
示を実行する方法として電極パターン、セル構造の面か
らも改善策が推し進められ、第１図に示すような２重電
極横造の液晶表示装置を本出願人は既に特許出願をして
いる。
（特顕昭５２−８１７９４外）第１図に示す液晶表示装
置の電極構造は、単なる帯状電極の組合せでなく、区画
された複数の小面積領域の一辺を線状電極で連結した形
状の電極としたもので、従来一つの列電極に相当する部
分に２つの該形状の電極を配置し、両者をそれぞれ同一
面上に連結させたものである。すなわち、Ａそ．Ａｕ，
Ｃｒ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｆｅ等の比較的低抵抗の材料よ
りなる線状の連結導電部１と、ｌｎ２０３，Ｓｎ０２等
の透明導電材料を電極材料として正方形電極２が配列さ
れ、正方形電極２の一辺が連結導軍部１に連結されてい
る。この正方形電極２は、Ｙ方向電極Ｙ王とＹ亭とに交
互に配置されている。そして、電極Ｙ手とＹ亭とで第一
のＹ方向電極Ｙ，が構成されている。一方、Ｘ方向電極
３は図に示すように１＆０３等の透明電極から成り従来
と同様の帯状電極Ｘ，，Ｘ２，・・・で構成されている
。上述したＹ電極のパターン形成で、従釆より行なわれ
ている方法を第２図イ、口に示す。第２図イに示した方
法は、まずガラス基板６上にｌｎ２０３，Ｓｎ０２等の
透明電極膜４を蒸着し、該透明電極膜４上に連結導電用
の金属５を蒸着し−第２図イーＡ−、ポジ型フオトレジ
スト７塗布後−第２図イーＢ、フオトマスク８を置き露
光し一第２．図イ−Ｃ、現像を行ないレジストパターン
を形成する−第２図イーＤ。
置の電極構造は、単なる帯状電極の組合せでなく、区画
された複数の小面積領域の一辺を線状電極で連結した形
状の電極としたもので、従来一つの列電極に相当する部
分に２つの該形状の電極を配置し、両者をそれぞれ同一
面上に連結させたものである。すなわち、Ａそ．Ａｕ，
Ｃｒ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｆｅ等の比較的低抵抗の材料よ
りなる線状の連結導電部１と、ｌｎ２０３，Ｓｎ０２等
の透明導電材料を電極材料として正方形電極２が配列さ
れ、正方形電極２の一辺が連結導軍部１に連結されてい
る。この正方形電極２は、Ｙ方向電極Ｙ王とＹ亭とに交
互に配置されている。そして、電極Ｙ手とＹ亭とで第一
のＹ方向電極Ｙ，が構成されている。一方、Ｘ方向電極
３は図に示すように１＆０３等の透明電極から成り従来
と同様の帯状電極Ｘ，，Ｘ２，・・・で構成されている
。上述したＹ電極のパターン形成で、従釆より行なわれ
ている方法を第２図イ、口に示す。第２図イに示した方
法は、まずガラス基板６上にｌｎ２０３，Ｓｎ０２等の
透明電極膜４を蒸着し、該透明電極膜４上に連結導電用
の金属５を蒸着し−第２図イーＡ−、ポジ型フオトレジ
スト７塗布後−第２図イーＢ、フオトマスク８を置き露
光し一第２．図イ−Ｃ、現像を行ないレジストパターン
を形成する−第２図イーＤ。
さらにレジストパターンをマスクにして導電性金属膜８
を選択エッチングしてパターンを形成し−第２図イーＥ
、さらに前記と同様のポジ型レジスト７７をコートし−
第２図イーＦ、透明電極パターン形成用のフオトマスク
を用い露光し一策２図イーＧ、現像を行ななう一驚２図
イー日。そしてフオトレジスト７をマスクに下層の透明
導電性膜４をケミカルエッチングし、電極パターンが形
成される−第２図イー１。また第２図口の方法は、ガラ
ス基板６上に導電性金属膜を蒸着し−第２図ローＡ、ポ
ジ型フオトレジスト７をコートし−第２図ロー８、フオ
トマスク８により露光を行ない−第２図ローＣ、現像し
てレジストパターンを形成する一第２図ローＤ。さらに
フオトレジスト７をマスクにして導電性金属膜５の電極
パターンを形成し−第２図ローＥ、その上に透明導電膜
４を蒸着し一第２図ローＦ、さらに新たにポジ型レジス
トをコートする−第２図ローＧ。ポジ型レジスト上面に
別の形状のホトマスク５′を置き露光を行ない一策２図
ロー日、現像してレジストパターンを形成し−第２図ロ
ー１、このレジストパターンをマスクにして透明導電膜
４のエッチングを行ない電極パターンが形成される一第
２図ローＪ。しかしながら前記の方法において種々の欠
点がみられた。
を選択エッチングしてパターンを形成し−第２図イーＥ
、さらに前記と同様のポジ型レジスト７７をコートし−
第２図イーＦ、透明電極パターン形成用のフオトマスク
を用い露光し一策２図イーＧ、現像を行ななう一驚２図
イー日。そしてフオトレジスト７をマスクに下層の透明
導電性膜４をケミカルエッチングし、電極パターンが形
成される−第２図イー１。また第２図口の方法は、ガラ
ス基板６上に導電性金属膜を蒸着し−第２図ローＡ、ポ
ジ型フオトレジスト７をコートし−第２図ロー８、フオ
トマスク８により露光を行ない−第２図ローＣ、現像し
てレジストパターンを形成する一第２図ローＤ。さらに
フオトレジスト７をマスクにして導電性金属膜５の電極
パターンを形成し−第２図ローＥ、その上に透明導電膜
４を蒸着し一第２図ローＦ、さらに新たにポジ型レジス
トをコートする−第２図ローＧ。ポジ型レジスト上面に
別の形状のホトマスク５′を置き露光を行ない一策２図
ロー日、現像してレジストパターンを形成し−第２図ロ
ー１、このレジストパターンをマスクにして透明導電膜
４のエッチングを行ない電極パターンが形成される一第
２図ローＪ。しかしながら前記の方法において種々の欠
点がみられた。
第２図イの方法における欠点を次に記す。導電性金属と
して水素よりイオン化傾向の大なる金属、例えば金属配
線として広く一般に使用されているアルミニウム（Ａそ
）を使い透明導電性膜１〜０３面上に真空蒸着し、第２
図イの方法で順次パターン形成を行った場合、第２図イ
のＤ〜Ｅ段階パターンの形成（Ａそのエッチング）時、
下層のＩＱ０３がＡそのエッチング液溶解の際発生する
水素により還元されピンホールを招く。（但しＡそのエ
ッチング条件：エッチング液日３Ｐ０４：ＨＮ０３：Ｃ
Ｈ３ＣＯＯＨ＝８０：５：１５エッチング温度５５午○
〜６０ｑｏ）また同じ第２図イにおいてＨ〜１段階パタ
ーン形成（ｌｎ２０３のエッチング）時に上層部の導電
性金属がフオトレジストでカバーリングされているにも
かかわらずｌｎ２０３エッチング液の浸食をうけ断線ピ
ンホールを招く。（但いり０３のエッチング条件：エッ
チング液ＦｅＣ夕３：日Ｃそ＝２：１又は１：１エッチ
ング温度４０ｑｏ）（１比０３パターン形成に使用のレ
ジスト：ＡＺ１３５０ご０．６仏ｍ厚またはＡＺ１３５
０Ｊ）３〜４山ｍ厚、共にシュ−プレイファーイースト
社製）また同じく第２図イの方法で水素よりイオン煩向
の小さい金属、例えば金属配線として広く使用されてい
る金（Ａｕ）を使い透明導電性膜１山０３面上に真空蒸
着し、同様の方法で順次パターン形成を行なう場合にも
次のような欠点を有する。
して水素よりイオン化傾向の大なる金属、例えば金属配
線として広く一般に使用されているアルミニウム（Ａそ
）を使い透明導電性膜１〜０３面上に真空蒸着し、第２
図イの方法で順次パターン形成を行った場合、第２図イ
のＤ〜Ｅ段階パターンの形成（Ａそのエッチング）時、
下層のＩＱ０３がＡそのエッチング液溶解の際発生する
水素により還元されピンホールを招く。（但しＡそのエ
ッチング条件：エッチング液日３Ｐ０４：ＨＮ０３：Ｃ
Ｈ３ＣＯＯＨ＝８０：５：１５エッチング温度５５午○
〜６０ｑｏ）また同じ第２図イにおいてＨ〜１段階パタ
ーン形成（ｌｎ２０３のエッチング）時に上層部の導電
性金属がフオトレジストでカバーリングされているにも
かかわらずｌｎ２０３エッチング液の浸食をうけ断線ピ
ンホールを招く。（但いり０３のエッチング条件：エッ
チング液ＦｅＣ夕３：日Ｃそ＝２：１又は１：１エッチ
ング温度４０ｑｏ）（１比０３パターン形成に使用のレ
ジスト：ＡＺ１３５０ご０．６仏ｍ厚またはＡＺ１３５
０Ｊ）３〜４山ｍ厚、共にシュ−プレイファーイースト
社製）また同じく第２図イの方法で水素よりイオン煩向
の小さい金属、例えば金属配線として広く使用されてい
る金（Ａｕ）を使い透明導電性膜１山０３面上に真空蒸
着し、同様の方法で順次パターン形成を行なう場合にも
次のような欠点を有する。
すなわち第２図イのＥ段階のパターン形成（Ａｕのエッ
チング後）において信頼性があり、導電性が良いことで
広く一般に使用されているＡｕのエッチングを行ないパ
ターン形成を行なっても下層のｌｎ２０３上にＡｕの残
存がしばしばみうけられるため、次の段階のｌｎ２０３
のパターン形成後、１−０３電極のリークがみられる。
又ｌｎ２０３絵素電極上のＡｕの残存は表示品位を低下
させることになる。（但しＡｕのエッチング条件：ＮＨ
４１＝４．０夕 １２＝１．２タＣ２４０Ｈ＝３０ｃｃ
日２０＝２０ｃｃ常温）さらに同第２図イー１の段階
の１妙０３／ゞターン形成において、正規のフオトマス
クパターンよりも１−０３面の浸浸食されたパターンが
多く見られた。この原因として、第２図イーＦ段階でレ
ジスト７を塗布してもしジスト７と基板６との密着性が
悪くなっているために、ｌｎ２Ｑエッチング時、オーバ
ーエッチングとなると推定される。次に第２図口の方法
における欠点を示す。導電性金属としてＡ夕，Ｎｉ，Ｃ
ｕ，Ｃｒ，Ｃｏのような金属をガラス基板上に真空蒸着
し第２図口の方法で順次パターン化を行う場合第２図口
の１〜Ｊのパターン形成（ｌｎ２０３のエッチング）時
、下層の導電性金属がフオトレジストおよびｌｎ２０３
でカバーリングされているにもかかわらず、ｌｎ２０３
エッチング液の浸食をうけ、断線ピンホールを招き、表
示品位が劣ったものとなる。（但しｌｎ２０３エッチン
グ条件：エッチング液ＦｅＣ夕３：ＨＣ夕＝２：１エッ
チング温度４０ｑ０ｌｎ２０３パターン形成に使用レジ
スト：ＡＺ１３５０ご０．６〆ｍ又はＡＺ１３５０Ｊ）
３仏〜４仏ｍ、共にシュプレィフアーィースト社製）ま
たｌｎ２０３エッチング液に不活性な金属、例えばＡｕ
をガラス基板上に真空蒸着し、第２図口の方法で順次パ
ターン形成を行う場合、第２図口のＤ〜Ｅ段階である導
電性金属パターン形成時Ａｕとガラス基板の密着性が患
いため、Ａｕがガラス基板より剥離し、本来の目的であ
る導電機能が果せなくなる欠点を有する。本発明は上記
欠点に鑑み、リフトオフ法を利用することにより上記浸
食等の影響を取り除いた電極パターンの形成方法を提供
するものである。
チング後）において信頼性があり、導電性が良いことで
広く一般に使用されているＡｕのエッチングを行ないパ
ターン形成を行なっても下層のｌｎ２０３上にＡｕの残
存がしばしばみうけられるため、次の段階のｌｎ２０３
のパターン形成後、１−０３電極のリークがみられる。
又ｌｎ２０３絵素電極上のＡｕの残存は表示品位を低下
させることになる。（但しＡｕのエッチング条件：ＮＨ
４１＝４．０夕 １２＝１．２タＣ２４０Ｈ＝３０ｃｃ
日２０＝２０ｃｃ常温）さらに同第２図イー１の段階
の１妙０３／ゞターン形成において、正規のフオトマス
クパターンよりも１−０３面の浸浸食されたパターンが
多く見られた。この原因として、第２図イーＦ段階でレ
ジスト７を塗布してもしジスト７と基板６との密着性が
悪くなっているために、ｌｎ２Ｑエッチング時、オーバ
ーエッチングとなると推定される。次に第２図口の方法
における欠点を示す。導電性金属としてＡ夕，Ｎｉ，Ｃ
ｕ，Ｃｒ，Ｃｏのような金属をガラス基板上に真空蒸着
し第２図口の方法で順次パターン化を行う場合第２図口
の１〜Ｊのパターン形成（ｌｎ２０３のエッチング）時
、下層の導電性金属がフオトレジストおよびｌｎ２０３
でカバーリングされているにもかかわらず、ｌｎ２０３
エッチング液の浸食をうけ、断線ピンホールを招き、表
示品位が劣ったものとなる。（但しｌｎ２０３エッチン
グ条件：エッチング液ＦｅＣ夕３：ＨＣ夕＝２：１エッ
チング温度４０ｑ０ｌｎ２０３パターン形成に使用レジ
スト：ＡＺ１３５０ご０．６〆ｍ又はＡＺ１３５０Ｊ）
３仏〜４仏ｍ、共にシュプレィフアーィースト社製）ま
たｌｎ２０３エッチング液に不活性な金属、例えばＡｕ
をガラス基板上に真空蒸着し、第２図口の方法で順次パ
ターン形成を行う場合、第２図口のＤ〜Ｅ段階である導
電性金属パターン形成時Ａｕとガラス基板の密着性が患
いため、Ａｕがガラス基板より剥離し、本来の目的であ
る導電機能が果せなくなる欠点を有する。本発明は上記
欠点に鑑み、リフトオフ法を利用することにより上記浸
食等の影響を取り除いた電極パターンの形成方法を提供
するものである。
以下本発明を第３図とともに説明する。まずガラス基板
６上に１山０３，Ｓｎ０２などの透明導電際４を黍着し
−第３図Ａ、透明導電膜４上にポジ型の感光性レジスト
を塗布する一第３図Ｂ。
６上に１山０３，Ｓｎ０２などの透明導電際４を黍着し
−第３図Ａ、透明導電膜４上にポジ型の感光性レジスト
を塗布する一第３図Ｂ。
フオトマスク８で露光後−第３図Ｃ、現像し、フオトレ
ジスト７を所定の形状パターンにし−第３図Ｄ、このフ
オトレジスト７をマスクにして透明導電膜４をパターン
エッチングして、このフオトレジスト７を除去し、透明
導電膜パターンを形成する−第３図Ｅ。その後新たにポ
ジ型フオトレジスト７を全面に塗布後−第３図Ｆ、前回
（第３図Ｃ）とは別のフオトマスク８′で露光し第３図
Ｇを現像し、レジストパターンを形成する−第３図日。
さらにレジストパターン基板上に導電性金属膜６を蒸着
し−第３図１、アセトン、ジメチルアミドのような有機
溶媒中でレジスト７とともにレジスト７上に蒸着された
導電性金属膜５を剥離し、導電性金属５のパターンを形
成する−第３図Ｊ。ところで、この方法において導電性
金属５として一般によく使用されているアルミニウム（
Ａで）を使った場合、第３図１〜１の段階（リフトオフ
）において、Ａその剥離においてアセトン溶液中での超
音波洗浄のみでは剥離が困難であり、強い物理的摩擦法
を併用する必要がある。
ジスト７を所定の形状パターンにし−第３図Ｄ、このフ
オトレジスト７をマスクにして透明導電膜４をパターン
エッチングして、このフオトレジスト７を除去し、透明
導電膜パターンを形成する−第３図Ｅ。その後新たにポ
ジ型フオトレジスト７を全面に塗布後−第３図Ｆ、前回
（第３図Ｃ）とは別のフオトマスク８′で露光し第３図
Ｇを現像し、レジストパターンを形成する−第３図日。
さらにレジストパターン基板上に導電性金属膜６を蒸着
し−第３図１、アセトン、ジメチルアミドのような有機
溶媒中でレジスト７とともにレジスト７上に蒸着された
導電性金属膜５を剥離し、導電性金属５のパターンを形
成する−第３図Ｊ。ところで、この方法において導電性
金属５として一般によく使用されているアルミニウム（
Ａで）を使った場合、第３図１〜１の段階（リフトオフ
）において、Ａその剥離においてアセトン溶液中での超
音波洗浄のみでは剥離が困難であり、強い物理的摩擦法
を併用する必要がある。
またＡそ剥離後のＡクェッジ部はギザギザを有し、見栄
えが良くない。そこで発明者らは、種々の金属を検討し
た結果導電性金属材料としてニッケル（Ｎｉ）を使用し
て良好な結果を得た。
えが良くない。そこで発明者らは、種々の金属を検討し
た結果導電性金属材料としてニッケル（Ｎｉ）を使用し
て良好な結果を得た。
以下、導電性金属としてＮｉを用いた実施例を第３図と
ともに詳細に説明する。第３図Ａに示すようにガラス基
板６上に透明導電性腰４として１−０３を真空黍着する
。
ともに詳細に説明する。第３図Ａに示すようにガラス基
板６上に透明導電性腰４として１−０３を真空黍着する
。
（１−０３蒸着条件：基板温度３５０℃、膜厚ご５００
Ａ、蒸着速度ご３〜４Ａ／ｓｅｃ、真空度４×１０‐４
ｔｏｒｒ，０２リーク）。次にポジ型フオトレジスト７
としてＡＺ１３５０またはＡＺ１３５０Ｊに代表される
ポジ型ナフトキノンジアミド系のレジストを透明導電性
膜（１山０３）４上にスピンナーでコートする−第３図
Ｂ。
Ａ、蒸着速度ご３〜４Ａ／ｓｅｃ、真空度４×１０‐４
ｔｏｒｒ，０２リーク）。次にポジ型フオトレジスト７
としてＡＺ１３５０またはＡＺ１３５０Ｊに代表される
ポジ型ナフトキノンジアミド系のレジストを透明導電性
膜（１山０３）４上にスピンナーでコートする−第３図
Ｂ。
（レジストコート条件：スピンナー、共和理研製Ｋ３６
＄Ｗ５００型、使用レジスト舷１３５０または舷１３５
０Ｊ、共にシュプレィ・ファ・ィースト社製、スピンナ
ー回転数、初回転１５０伍ｐｍ／２秒、本回転２５０仇
ｐｍ／２８秒、レジスト膜厚ＡＺ１３５０の場合、０．
６仏ｍ、ＡＺ１３５０Ｊの場合、２．５仏ｍ、ソフトベ
ーク９０００３０分）。
＄Ｗ５００型、使用レジスト舷１３５０または舷１３５
０Ｊ、共にシュプレィ・ファ・ィースト社製、スピンナ
ー回転数、初回転１５０伍ｐｍ／２秒、本回転２５０仇
ｐｍ／２８秒、レジスト膜厚ＡＺ１３５０の場合、０．
６仏ｍ、ＡＺ１３５０Ｊの場合、２．５仏ｍ、ソフトベ
ーク９０００３０分）。
ソフトべ−ク後露光を行なう一第３図Ｃ。
（露光条件：使用光源、超高圧水銀灯ＵＳＨ５０皿ウシ
オ電機製、露光時間ＡＺ１３５０の場合＄ｅＣ、ＡＺ１
３５０Ｊの場合２伍ｅｃ）。露光後現像を行ってレジス
トパターンを形成する−第３図Ｄ。
オ電機製、露光時間ＡＺ１３５０の場合＄ｅＣ、ＡＺ１
３５０Ｊの場合２伍ｅｃ）。露光後現像を行ってレジス
トパターンを形成する−第３図Ｄ。
（現像条件：現像液、シュプレィ・フア・イースト社製
ＡＺディベロッパー、蒸留水＝１：１常温、ＡＺ１３５
０の場合６＄ｅＣ、ＡＺ１３５０Ｊの場合９＄ｅｃ）現
像後蒸留水でよく洗浄し、ポストベークを行なう。（条
件：１３５００９０分）。ポストベーク後レジスト７を
マスクとして透明導電性膜（ｌｎ２０３）４をケミカル
エッチングしパターン形成を行う一第３図Ｅ。
ＡＺディベロッパー、蒸留水＝１：１常温、ＡＺ１３５
０の場合６＄ｅＣ、ＡＺ１３５０Ｊの場合９＄ｅｃ）現
像後蒸留水でよく洗浄し、ポストベークを行なう。（条
件：１３５００９０分）。ポストベーク後レジスト７を
マスクとして透明導電性膜（ｌｎ２０３）４をケミカル
エッチングしパターン形成を行う一第３図Ｅ。
（ｌｎ２０３エッチング条件：エッチング液ＦｅＣ夕３
：ＨＣ夕＝２：１４０００２分３の砂）。レジストをア
セトン又はしジストリムーハーＡＺＩ１２Ａ（シュフ。
：ＨＣ夕＝２：１４０００２分３の砂）。レジストをア
セトン又はしジストリムーハーＡＺＩ１２Ａ（シュフ。
レイ・フア・イースト社製）ＡＺＩ１２Ａ（シュプレイ
・フア・イースト社製）で剥離した後、新たにポジ型レ
ジストＡＺ−１３５０またはＡＺ１３５０Ｊを、パター
ン形成された１山０３面上に塗布する−第３図Ｆ。（塗
布条件：第３図Ｂ‘，こ同じ）。ソフトべ−ク（９００
０−２帖了）を行った後、露光を行う−第３図Ｇ現像ポ
ストベークを行なった後レジストパターン形成面上にＮ
ｉを真空蒸着法で蒸着し、Ｎｉ導電性薄膜９を形成する
−第３図１。
・フア・イースト社製）で剥離した後、新たにポジ型レ
ジストＡＺ−１３５０またはＡＺ１３５０Ｊを、パター
ン形成された１山０３面上に塗布する−第３図Ｆ。（塗
布条件：第３図Ｂ‘，こ同じ）。ソフトべ−ク（９００
０−２帖了）を行った後、露光を行う−第３図Ｇ現像ポ
ストベークを行なった後レジストパターン形成面上にＮ
ｉを真空蒸着法で蒸着し、Ｎｉ導電性薄膜９を形成する
−第３図１。
（Ｎｉ蒸着条件：電子ビーム法 基板湿度 常温、腰厚
ご５００Ａ真空度５×１０‐キｏｎ速度７０〜８０日２
／Ｓｅｃ）。次にレジスト上の金属ニッケルをアセトン
溶液中、超音波洗浄で剥離し、金属電極パターン形成を
行う−第３図Ｊ。
ご５００Ａ真空度５×１０‐キｏｎ速度７０〜８０日２
／Ｓｅｃ）。次にレジスト上の金属ニッケルをアセトン
溶液中、超音波洗浄で剥離し、金属電極パターン形成を
行う−第３図Ｊ。
レジスト上の金属ニッケルの剥離は、アセトン以外にも
ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、あるいは有機アミ
ン系アルカリ剥離液のような感光性レジスト剥離液で行
うことも可能である。
ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、あるいは有機アミ
ン系アルカリ剥離液のような感光性レジスト剥離液で行
うことも可能である。
以上のような方法で構成される金属電極は、速やかに剥
離することが可能であり、金属電極であるＮｉのエッジ
がシャープであると共に、連結導電金属Ｎｉと透明導電
膜ＩＱ０３との密着性も良く、信頼性の高い電極パター
ンが得られた。なお連結導電金属Ｎｉの表面の信頼性を
さらに高めるために第３図１段階（金属Ｎｉを真空蒸着
）後、第３図Ｊの前に陽極酸化法で金属Ｎｊ表面に金属
酸化膜を次のように形成してもよい。すなわち、陽極酸
化液として酒石酸アンモニウム水溶液（ＰＨ＝５．５）
を使用し、直流電源１肌Ａ（陽極酸化面積７０ｃだ）で
約５分間電圧が２．２Ｖになるまで行う。そ後蒸留水で
洗浄して、第３図Ｊのパターン形成を行う。この陽極酸
化膜形成工程を入れることにより空気中の水分によるＮ
ｉ表面の腐食が防止され信頼性が一層向上する。以上に
述べたように本発明によれば、従来の方法にみられた透
明導電酸ｌｎ２０３の還元による侵食やＩＱ０３面上へ
の金属の残存（第２図イの方法）、あるいは金属電極の
ｌｎ２０３液によるピンホール、断線（第２図口の方法
）などの欠点を除去できる。
離することが可能であり、金属電極であるＮｉのエッジ
がシャープであると共に、連結導電金属Ｎｉと透明導電
膜ＩＱ０３との密着性も良く、信頼性の高い電極パター
ンが得られた。なお連結導電金属Ｎｉの表面の信頼性を
さらに高めるために第３図１段階（金属Ｎｉを真空蒸着
）後、第３図Ｊの前に陽極酸化法で金属Ｎｊ表面に金属
酸化膜を次のように形成してもよい。すなわち、陽極酸
化液として酒石酸アンモニウム水溶液（ＰＨ＝５．５）
を使用し、直流電源１肌Ａ（陽極酸化面積７０ｃだ）で
約５分間電圧が２．２Ｖになるまで行う。そ後蒸留水で
洗浄して、第３図Ｊのパターン形成を行う。この陽極酸
化膜形成工程を入れることにより空気中の水分によるＮ
ｉ表面の腐食が防止され信頼性が一層向上する。以上に
述べたように本発明によれば、従来の方法にみられた透
明導電酸ｌｎ２０３の還元による侵食やＩＱ０３面上へ
の金属の残存（第２図イの方法）、あるいは金属電極の
ｌｎ２０３液によるピンホール、断線（第２図口の方法
）などの欠点を除去できる。
さらに本発明によれば、特に金属電極にＮｊを用いた場
合、透明導電膜１＆０３と金属電極Ｎｉとの密着性が良
く、従来よく使用されているＡ夕と比べアセトン溶液中
で速やかに剥離可能でありまたＮｉの剥離後のエッジの
切れがシャープであるなどの点で非常に優れており、さ
らにＮｉ表面を陽極酸化法で不動熊化することによりＮ
ｉの信頼性を一層増すことも可能である。
合、透明導電膜１＆０３と金属電極Ｎｉとの密着性が良
く、従来よく使用されているＡ夕と比べアセトン溶液中
で速やかに剥離可能でありまたＮｉの剥離後のエッジの
切れがシャープであるなどの点で非常に優れており、さ
らにＮｉ表面を陽極酸化法で不動熊化することによりＮ
ｉの信頼性を一層増すことも可能である。
第１図はマトリクス型表示装置の電極形状を示す図、第
２図イ，口は従釆の電極パターン形成方法の工程を示す
図、第３図は本発明の工程を示す図である。 ４・・・透明導電膜、５・・・導電性金属日英、６・・
・ガラス基板、７・・・レジスト、８・・・フオトマス
ク、９…Ｎｉ金属導電膜。 第１図 第３図 第２図
２図イ，口は従釆の電極パターン形成方法の工程を示す
図、第３図は本発明の工程を示す図である。 ４・・・透明導電膜、５・・・導電性金属日英、６・・
・ガラス基板、７・・・レジスト、８・・・フオトマス
ク、９…Ｎｉ金属導電膜。 第１図 第３図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に形成された透明電極パターンと該電極パタ
ーンに重畳される金属電極線とから成る電極パターン構
造の形成方法において、前記基板上に透明導電膜を形成
した後選択エツチングにより前記透明電極パターンを得
る工程と、該工程で得られた前記透明電極パターン上に
レジストをパターン形成した後金属導電膜を堆積する工
程と、該工程で形成した前記レジストと前記レジスト上
の金属導電膜をリフトオフ法により除去し、前記透明電
極パターン上に残存する前記金属導電膜で前記金属電極
線を得る工程と、を具備することを特徴とする電極パタ
ーン形成方法。 ２ 金属導電膜としてＮｉを用いた特許請求の範囲第１
項記載の電極パターン形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53122234A JPS6019608B2 (ja) | 1978-10-03 | 1978-10-03 | 電極パタ−ン形成方法 |
| DE2939963A DE2939963C2 (de) | 1978-10-03 | 1979-10-02 | Verfahren zur Ausbildung von Elektrodenmustern |
| US06/081,439 US4326929A (en) | 1978-10-03 | 1979-10-03 | Formation of an electrode pattern |
| GB7934357A GB2034526B (en) | 1978-10-03 | 1979-10-03 | Method for forming an electrode pattern on a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53122234A JPS6019608B2 (ja) | 1978-10-03 | 1978-10-03 | 電極パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5548935A JPS5548935A (en) | 1980-04-08 |
| JPS6019608B2 true JPS6019608B2 (ja) | 1985-05-17 |
Family
ID=14830886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53122234A Expired JPS6019608B2 (ja) | 1978-10-03 | 1978-10-03 | 電極パタ−ン形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4326929A (ja) |
| JP (1) | JPS6019608B2 (ja) |
| DE (1) | DE2939963C2 (ja) |
| GB (1) | GB2034526B (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8001281A (nl) * | 1980-03-04 | 1981-10-01 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
| US4838656A (en) * | 1980-10-06 | 1989-06-13 | Andus Corporation | Transparent electrode fabrication |
| DE3047218A1 (de) * | 1980-12-15 | 1982-07-15 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Aetzfluessigkeit zum selektiven aetzen von indium-, zinndioxid- oder indium/zinndioxid-schichten |
| US4488781A (en) * | 1982-01-25 | 1984-12-18 | American Cyanamid Company | Method for manufacturing an electrochromic display device and device produced thereby |
| JPS58194084A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-11 | セイコーエプソン株式会社 | 表示パネルの製造方法 |
| JPS58194083A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-11 | セイコーエプソン株式会社 | 表示パネルの製造方法 |
| JPS60150508A (ja) * | 1984-01-18 | 1985-08-08 | 日本写真印刷株式会社 | 透明電極基板の製造方法 |
| JPH0685032B2 (ja) * | 1985-10-17 | 1994-10-26 | キヤノン株式会社 | カイラルスメクティック液晶素子 |
| JPS62119521A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-30 | Canon Inc | 光学変調装置 |
| US4780395A (en) * | 1986-01-25 | 1988-10-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Microchannel plate and a method for manufacturing the same |
| EP0265110A1 (en) * | 1986-10-06 | 1988-04-27 | CPFilms, Inc. | Transparent electrode |
| US5000545A (en) * | 1987-05-28 | 1991-03-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with metal electrode partially overlying transparent electrode |
| US4964945A (en) * | 1988-12-09 | 1990-10-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Lift off patterning process on a flexible substrate |
| US5183725A (en) * | 1989-10-03 | 1993-02-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrode pattern forming method |
| FR2689983B1 (fr) * | 1992-04-10 | 1994-05-27 | Innocation Dev Cie Gle | Dispositif electrochromiques pour la modulation de la lumiere, notamment de type ecrans et afficheurs. |
| US5466480A (en) * | 1993-11-12 | 1995-11-14 | University Of Florida | Method for making an NMR coil |
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| US6037005A (en) * | 1998-05-12 | 2000-03-14 | 3M Innovative Properties Company | Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity |
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| JP3617458B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2005-02-02 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置用基板、液晶装置及び電子機器 |
| GB0029315D0 (en) * | 2000-12-01 | 2001-01-17 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of increasing the conductivity of a transparent conductive layer |
| US8307549B2 (en) * | 2001-11-20 | 2012-11-13 | Touchsensor Technologies, Llc | Method of making an electrical circuit |
| US6748264B2 (en) * | 2002-02-04 | 2004-06-08 | Fook Tin Technologies Limited | Body fat analyzer with integral analog measurement electrodes |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3351825A (en) * | 1964-12-21 | 1967-11-07 | Solitron Devices | Semiconductor device having an anodized protective film thereon and method of manufacturing same |
| US3498833A (en) * | 1966-07-08 | 1970-03-03 | Fairchild Camera Instr Co | Double masking technique for integrated circuit |
| NL7113627A (en) * | 1971-10-05 | 1973-04-09 | Information reproducing appts - with liquid crystal layer, insulated electrodes and tension supplying device | |
| NL163370C (nl) * | 1972-04-28 | 1980-08-15 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting met een geleiderpatroon. |
| US3814501A (en) * | 1972-12-04 | 1974-06-04 | Rca Corp | Liquid-crystal display device and method of making |
| US4187340A (en) * | 1973-05-14 | 1980-02-05 | Asahi Glass Company, Ltd. | Method of forming patterned transparent electro-conductive film on the substrate of liquid crystal display |
| US3989353A (en) * | 1973-11-01 | 1976-11-02 | Intel Corporation | Solid planar liquid crystal display with matching leads |
| US3991227A (en) * | 1975-01-27 | 1976-11-09 | Rca Corporation | Method for forming electrode patterns in transparent conductive coatings on glass substrates |
| DE2620530C2 (de) * | 1975-05-12 | 1982-05-13 | Hitachi, Ltd., Tokyo | Flüssigkristall-Matrixanzeige |
| US4076575A (en) * | 1976-06-30 | 1978-02-28 | International Business Machines Corporation | Integrated fabrication method of forming connectors through insulative layers |
| US4231640A (en) * | 1977-07-07 | 1980-11-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Matrix type liquid crystal display panel |
-
1978
- 1978-10-03 JP JP53122234A patent/JPS6019608B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-10-02 DE DE2939963A patent/DE2939963C2/de not_active Expired
- 1979-10-03 US US06/081,439 patent/US4326929A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-10-03 GB GB7934357A patent/GB2034526B/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2939963C2 (de) | 1988-01-21 |
| DE2939963A1 (de) | 1980-04-10 |
| GB2034526A (en) | 1980-06-04 |
| US4326929A (en) | 1982-04-27 |
| JPS5548935A (en) | 1980-04-08 |
| GB2034526B (en) | 1983-02-16 |
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