JPS6031260A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents
混成集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPS6031260A JPS6031260A JP58140842A JP14084283A JPS6031260A JP S6031260 A JPS6031260 A JP S6031260A JP 58140842 A JP58140842 A JP 58140842A JP 14084283 A JP14084283 A JP 14084283A JP S6031260 A JPS6031260 A JP S6031260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- pattern
- resist
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 3
- 239000003570 air Substances 0.000 abstract 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 241000208140 Acer Species 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIJJJPBJUGJMME-UHFFFAOYSA-N [Ta].[Ta] Chemical compound [Ta].[Ta] CIJJJPBJUGJMME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
♀発明は混成集積回路の製造方法に係り、特に１ｇ頼件
の優れた高品質なタンタル薄膜回路の製造方法に関する
ものである。
の優れた高品質なタンタル薄膜回路の製造方法に関する
ものである。
従来、同一基板の両面へ、異なった金九膜を形成する薄
膜回路の製造方法は、大路次のとおりである。先ず、ガ
ラス又はセラミｙり等の絶縁基板上にタンタル系薄膜を
スパッタリング法で被着し、更に該膜上にＮｉＣｒ−Ｐ
ｄ−Ａｕ又は’ｌ’ｉ −Ｐｄ −Ａｕ等の良導電性金
属膜をスパッタリング法又は真空蒸着法で形成する。次
に、公知のフォトレジスト処理で前記金属膜を段階的に
選択エツチングし、所望とする薄膜パターンを形成する
。次に、前記基板の裏面にＮ ｉＣｒ−ＡｕまたはＮｉ
Ｃｒ −Ｐｄ −Ａｕ寺の金属膜をスパッタリング法で
付着ぜしめ、核金楓膜を同様にフォトレジスト処理で所
望のＹ！、 Ｌ％パターンを形成する。
膜回路の製造方法は、大路次のとおりである。先ず、ガ
ラス又はセラミｙり等の絶縁基板上にタンタル系薄膜を
スパッタリング法で被着し、更に該膜上にＮｉＣｒ−Ｐ
ｄ−Ａｕ又は’ｌ’ｉ −Ｐｄ −Ａｕ等の良導電性金
属膜をスパッタリング法又は真空蒸着法で形成する。次
に、公知のフォトレジスト処理で前記金属膜を段階的に
選択エツチングし、所望とする薄膜パターンを形成する
。次に、前記基板の裏面にＮ ｉＣｒ−ＡｕまたはＮｉ
Ｃｒ −Ｐｄ −Ａｕ寺の金属膜をスパッタリング法で
付着ぜしめ、核金楓膜を同様にフォトレジスト処理で所
望のＹ！、 Ｌ％パターンを形成する。
しかしながら、上記製造方法によれＣ，１％基机裏面へ
の薄膜パターン形成の際、表面に形成さ牡ているパター
ンのエツチング処理での損傷を防ぐために、当然パター
ン面を促成するための、フォトレジストをコーティング
する。この際、該フォトレジストはパターン部のみなら
ず基板表面も被っＣいる。基板材質がセラミック等を用
いＣいる場合、該基板表面上の７オトレジストの剥離処
理での除去性は、金属膜上と異なり比較的不安定であり
、淘＜フォトレジスト残渣が残る危険性が多分にある。
の薄膜パターン形成の際、表面に形成さ牡ているパター
ンのエツチング処理での損傷を防ぐために、当然パター
ン面を促成するための、フォトレジストをコーティング
する。この際、該フォトレジストはパターン部のみなら
ず基板表面も被っＣいる。基板材質がセラミック等を用
いＣいる場合、該基板表面上の７オトレジストの剥離処
理での除去性は、金属膜上と異なり比較的不安定であり
、淘＜フォトレジスト残渣が残る危険性が多分にある。
この状態で高温熱処理を行うと、前記フォトレジスト残
渣と基板とに熱反応が生じ、基イシ表面が薄茶色に変色
し、フォトエツチング処理で形成された薄膜回路の外観
上美観をそこなう。
渣と基板とに熱反応が生じ、基イシ表面が薄茶色に変色
し、フォトエツチング処理で形成された薄膜回路の外観
上美観をそこなう。
本発明の目的は、上記製造方法の欠点を取除いた混成集
積回路の製造方法を提供することにある。
積回路の製造方法を提供することにある。
本発明方法は、基板両面に公知のフォトエツチング処理
で薄膜回路パターンを形成し、表面に保獲コーティング
したフォトレジスト及び裏面パターン上のフォトレジス
トを剥離し、大気中で高温熱処理を行うｓｉＪに、噴出
圧８０−１００ ｋｇ／ｃｍ２の純水ジェットａ浄を施
し、溶剤気相乾燥と孕行うことを特徴とじている、 つぎに実施例により本発明を説明する。
で薄膜回路パターンを形成し、表面に保獲コーティング
したフォトレジスト及び裏面パターン上のフォトレジス
トを剥離し、大気中で高温熱処理を行うｓｉＪに、噴出
圧８０−１００ ｋｇ／ｃｍ２の純水ジェットａ浄を施
し、溶剤気相乾燥と孕行うことを特徴とじている、 つぎに実施例により本発明を説明する。
第１図から第７図は、本発明によるタンタル薄膜抵抗の
製造工程ヶ７ハす断面図である。まず、第１図に示すよ
うに、充分に洗η号したセラミック基板ＩＫスパッタリ
ング法によりタンタル系薄膜２を約６００Ａ被着し、つ
いで同方法でＮｉＣｒ７０００Ａ 、 Ａｕ ３０００
Ａ、更に無電解メッキ法でＡｕを約３〜４μｍ程度付着
させた良導電性金属膜３を形成する。つぎにネガ型フォ
トレジスト４を約３μｍの厚さで塗布する。次に第２図
のように、公知の７オトレジスト処理で選択的に良導電
性金属膜３をエツチングし、所望の導体パターンを形成
する。
製造工程ヶ７ハす断面図である。まず、第１図に示すよ
うに、充分に洗η号したセラミック基板ＩＫスパッタリ
ング法によりタンタル系薄膜２を約６００Ａ被着し、つ
いで同方法でＮｉＣｒ７０００Ａ 、 Ａｕ ３０００
Ａ、更に無電解メッキ法でＡｕを約３〜４μｍ程度付着
させた良導電性金属膜３を形成する。つぎにネガ型フォ
トレジスト４を約３μｍの厚さで塗布する。次に第２図
のように、公知の７オトレジスト処理で選択的に良導電
性金属膜３をエツチングし、所望の導体パターンを形成
する。
次に第３図のように、前記基板上に再度ポジ型フォトレ
ジスト５を約３μｍの厚さで均一に塗布し。
ジスト５を約３μｍの厚さで均一に塗布し。
公知のプリベーク、露光、現像、ポストベークを施し、
所望のフォトレジストハターンを形成する。
所望のフォトレジストハターンを形成する。
次に第４図のように、前記基板をフッ酸、硝酸。
酢酸の混合液からなるエツチング液で鮪出タンタル薄膜
２を除去した後、パターン上のフｄ、 ）レジストは剥
離液を用い除去する。
２を除去した後、パターン上のフｄ、 ）レジストは剥
離液を用い除去する。
次に第５図のように、前記基Ａνの裏面にスバ。
クリング法又は真空蒸着法でＮ ＋ Ｃｒ Ｊ’ ｄ
Ａ ＋＋ 構成膜６を約４００ＯＡ付着せしめる。
Ａ ＋＋ 構成膜６を約４００ＯＡ付着せしめる。
次に第６図のように、該基板の表…１にエツチ７グ保睡
用としてネガ型７．トレジスト層７を約５μｍの厚さで
形成し、十分乾燥を施した後、該基板裏面の金属膜６の
上にネガ型フォトレジスト８を約４μｍ塗布し、公知の
７メトレジスト処理で選択エツチングし、所望のパター
ンを形成する。
用としてネガ型７．トレジスト層７を約５μｍの厚さで
形成し、十分乾燥を施した後、該基板裏面の金属膜６の
上にネガ型フォトレジスト８を約４μｍ塗布し、公知の
７メトレジスト処理で選択エツチングし、所望のパター
ンを形成する。
次に第７図のように、前記基板上のフォトレジスト７お
よび８を公知の剥＾ＩＦ方法で除去した後、基板表面上
に噴出圧８０〜１ （ｌ Ｏｋｇ／ｃｍ２の純水ジェッ
ト洗が９をＭ１１シ、異物やレジスト残渣を除去した稜
、溶剤乾燥洗浄し、両面にＤｆ望の〜膜パターンを形成
する。仄に前記基板を・２９０℃７時間の安定化のため
の大気中熱処理をし、薄膜回路を製造する。
よび８を公知の剥＾ＩＦ方法で除去した後、基板表面上
に噴出圧８０〜１ （ｌ Ｏｋｇ／ｃｍ２の純水ジェッ
ト洗が９をＭ１１シ、異物やレジスト残渣を除去した稜
、溶剤乾燥洗浄し、両面にＤｆ望の〜膜パターンを形成
する。仄に前記基板を・２９０℃７時間の安定化のため
の大気中熱処理をし、薄膜回路を製造する。
以上の如く、両面に異なった金属膜構成のパターンを有
した薄膜抵抗基板を製造する上で、裏面＃膜パターンを
形成する際、表面パターンを保護するフォトレジストが
数回の熱処理でセラミック表面との密着が増し、ウェッ
ト方式の剥峻では十分に除去できない危険性が多々生じ
たが、本発明の如く、高圧純水ジェット洗浄でセラミッ
ク表面上の７オトレジスト残渣は除去され、高温熱処理
でのセラミック表面の変色は皆無となり、外観をそこな
わない高品質の混成集積回路の製造方法が可能となる。
した薄膜抵抗基板を製造する上で、裏面＃膜パターンを
形成する際、表面パターンを保護するフォトレジストが
数回の熱処理でセラミック表面との密着が増し、ウェッ
ト方式の剥峻では十分に除去できない危険性が多々生じ
たが、本発明の如く、高圧純水ジェット洗浄でセラミッ
ク表面上の７オトレジスト残渣は除去され、高温熱処理
でのセラミック表面の変色は皆無となり、外観をそこな
わない高品質の混成集積回路の製造方法が可能となる。
第１図から第７図は本発明の一実施例を説明する為の混
成集積回路の製造工程１１０の断面図である。 ｌ・・・・・・セラミック基板、２・・・・・・タンタ
ル系薄膜、３−− Ｎ ｉｃ ｒ −Ａｕ−Ａｕメ、キ
構成膜、４ 、８−・・・°°ネガ型フォトレジスト、
５・・・・・・ポジ型）、トレジスト、６・・・・・・
ＮｉＣｒ−Ｐｄ−Ａｕ構成膜、７・・印・エツチング保
護膜（ネガ型）４−１・レジスト）、９・・・・・・純
水ジェット。 代理人 弁理士 内 原 日１．．：
成集積回路の製造工程１１０の断面図である。 ｌ・・・・・・セラミック基板、２・・・・・・タンタ
ル系薄膜、３−− Ｎ ｉｃ ｒ −Ａｕ−Ａｕメ、キ
構成膜、４ 、８−・・・°°ネガ型フォトレジスト、
５・・・・・・ポジ型）、トレジスト、６・・・・・・
ＮｉＣｒ−Ｐｄ−Ａｕ構成膜、７・・印・エツチング保
護膜（ネガ型）４−１・レジスト）、９・・・・・・純
水ジェット。 代理人 弁理士 内 原 日１．．：
Claims (1)
- 絶縁基板上にタンタル系薄膜抵抗を形成し、この薄膜抵
抗部分１：＃ｃ＋前記絶縁基板上に形成したエンチング
保静膜を除去し、さらに前記タンタル薄膜抵抗安定化の
だめの大気中での高温熱処理することを含む混成集積回
路の製造方法において、前記熱処理を行う前に前記絶縁
基板に対し、ジヱ７ト洗浄を施すことを特徴とする混成
集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58140842A JPS6031260A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 混成集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58140842A JPS6031260A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 混成集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6031260A true JPS6031260A (ja) | 1985-02-18 |
Family
ID=15277979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58140842A Pending JPS6031260A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 混成集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031260A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6092537A (en) * | 1995-01-19 | 2000-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Post-treatment method for dry etching |
| CN102280372A (zh) * | 2011-09-05 | 2011-12-14 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种半导体硅片的清洗方法 |
-
1983
- 1983-08-01 JP JP58140842A patent/JPS6031260A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6092537A (en) * | 1995-01-19 | 2000-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Post-treatment method for dry etching |
| CN102280372A (zh) * | 2011-09-05 | 2011-12-14 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种半导体硅片的清洗方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3105826B2 (ja) | 半導体製造工程におけるフォトレジスト洗浄用シンナー組成物 | |
| EP0361752B1 (en) | Selective solder formation on printed circuit boards | |
| JP3953600B2 (ja) | レジスト膜剥離剤及びそれを用いた薄膜回路素子の製造方法 | |
| JPS6031260A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| EP0188148A1 (fr) | Procédé de photolithographie d'une couche épaisse de pâte déposée sur un substrat | |
| US4081315A (en) | Cermet etch technique | |
| CN118588537A (zh) | 一种基于干膜图形化的剥离工艺 | |
| CN105070656B (zh) | 一种降低GaAs背孔工艺中等离子体刻蚀机腔体污染的方法 | |
| JP3476367B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 | |
| JP3151380B2 (ja) | グレーズドセラミック基板の製造方法 | |
| JPS6390832A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH08264490A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002072506A (ja) | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 | |
| JPH0629647A (ja) | フォトレジストの剥離方法 | |
| JP3661284B2 (ja) | 電子回路基板の製造方法 | |
| JP3413098B2 (ja) | ドライエッチ基板の表面処理方法および装置 | |
| JPS5816545A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05224219A (ja) | 薄膜のエッチング方法、液晶表示素子用基板の製造方法およびエッチング装置 | |
| JP2002198586A (ja) | 磁気抵抗素子の製造方法 | |
| JPH0470626B2 (ja) | ||
| JPS6237953A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPH06181207A (ja) | Ａｌ配線形成方法 | |
| JPH0836258A (ja) | 感光性エレメント、その積層方法及びレジスト形成方法 | |
| JPH04257238A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004238533A (ja) | ポリイミド膜用剥離剤組成物 |