JPH05226386A - ベアチツプのはんだ付方法 - Google Patents
ベアチツプのはんだ付方法Info
- Publication number
- JPH05226386A JPH05226386A JP4028423A JP2842392A JPH05226386A JP H05226386 A JPH05226386 A JP H05226386A JP 4028423 A JP4028423 A JP 4028423A JP 2842392 A JP2842392 A JP 2842392A JP H05226386 A JPH05226386 A JP H05226386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soldering
- heat sink
- substrate
- melting point
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はベアチツプの基板へのはんだ付方法
に関するものである。 【構成】 全表面にＮｉメツキしたヒートシンク９の上
に高温はんだ層１８を形成し、ベアーチツプ３を揺動し
ながらはんだ付する第１工程と、このヒートシンク９を
低融点はんだ層１８に、基板１４への治具１１にて押さ
えて揺動しながらはんだ付けする第２工程よりなる、は
んだ付け方法である。
に関するものである。 【構成】 全表面にＮｉメツキしたヒートシンク９の上
に高温はんだ層１８を形成し、ベアーチツプ３を揺動し
ながらはんだ付する第１工程と、このヒートシンク９を
低融点はんだ層１８に、基板１４への治具１１にて押さ
えて揺動しながらはんだ付けする第２工程よりなる、は
んだ付け方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はベアチツプをヒートシン
クを介して、基板へはんだ付けする方法に関するもので
ある。
クを介して、基板へはんだ付けする方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来技術】自動車の制御用のコンピュータ（ＥＣＵ）
の耐熱化、小型化に伴いベアチツプの実装方法として次
に示す方法で行われている。
の耐熱化、小型化に伴いベアチツプの実装方法として次
に示す方法で行われている。
【０００３】（１）図５〜６に示すように、治具２４を
使用し、その中にベアチツプ２５、はんだシート２７、
ヒートシンク２６とを積層し、雰囲気ガス３０を使用し
たリフロー炉３１によりはんだ付け行うものである。更
に、（２）ベアチツプをはんだ付けしたヒートシンクと
基板のはんだ付けは図７に示すように基板２１上にはん
だシート２３とヒートシンク２２を積層し、雰囲気ガス
３０を使用したリフロー炉３１よりはんだ付を行うもの
である。
使用し、その中にベアチツプ２５、はんだシート２７、
ヒートシンク２６とを積層し、雰囲気ガス３０を使用し
たリフロー炉３１によりはんだ付け行うものである。更
に、（２）ベアチツプをはんだ付けしたヒートシンクと
基板のはんだ付けは図７に示すように基板２１上にはん
だシート２３とヒートシンク２２を積層し、雰囲気ガス
３０を使用したリフロー炉３１よりはんだ付を行うもの
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記（１）に示す治具
を使用する方法とは （ａ）雰囲気ガスを多量に使用するために、ランニング
コストが高い。
を使用する方法とは （ａ）雰囲気ガスを多量に使用するために、ランニング
コストが高い。
【０００５】（ｂ）治具２４が必要となり、はんだ付け
後の取り出しが難しい。
後の取り出しが難しい。
【０００６】という問題点があり、又前記（２）に示す
方法は、 （ａ）雰囲気ガスが多量に必要でランニングコストが高
い。
方法は、 （ａ）雰囲気ガスが多量に必要でランニングコストが高
い。
【０００７】（ｂ）基板上にヒートシンクに載せている
だけのために、リフロー中にズレが生じる。 という問題点がある。
だけのために、リフロー中にズレが生じる。 という問題点がある。
【０００８】本発明はベアチツプの実装に於いてヒート
シンクのずれが無く、ボイドの発生がない実装方法を技
術的課題とするものである。
シンクのずれが無く、ボイドの発生がない実装方法を技
術的課題とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】課題を解決するための技
術的手段は次のようである。すなわち、ベアチツプのヒ
ートシンクを介して基板へのはんだ付け方法として、
（１）ベアチツプのヒートシンク間は高温はんだを使用
して、雰囲気ガス中のホツトプレートにより高温はんだ
の融点以上に加熱し、かつベアチツプを揺動しながらは
んだ付けを行い、（２）基板とヒートシンク間は基板上
に多数個のヒートシンクをはんだ付けするために雰囲気
ガス中で、低融点はんだを使用し、ホツトプレートで低
融点はんだの融点以下で基板とヒートシンクを予熱した
治具により押さえながら揺動して、低融点はんだを融解
させて、はんだ付けを行う方法である。
術的手段は次のようである。すなわち、ベアチツプのヒ
ートシンクを介して基板へのはんだ付け方法として、
（１）ベアチツプのヒートシンク間は高温はんだを使用
して、雰囲気ガス中のホツトプレートにより高温はんだ
の融点以上に加熱し、かつベアチツプを揺動しながらは
んだ付けを行い、（２）基板とヒートシンク間は基板上
に多数個のヒートシンクをはんだ付けするために雰囲気
ガス中で、低融点はんだを使用し、ホツトプレートで低
融点はんだの融点以下で基板とヒートシンクを予熱した
治具により押さえながら揺動して、低融点はんだを融解
させて、はんだ付けを行う方法である。
【００１０】
【作用】ベアーチツプとヒートシンクをはんだ付け後
に、基板上へのはんだ付は、低融点はんだを使用し、上
方から下降する治具にて確実に押さえ、かつ揺動しては
んだ付けすることにより、精度も高く、ボイドの発生も
なく、はんだ付け出来るものである。
に、基板上へのはんだ付は、低融点はんだを使用し、上
方から下降する治具にて確実に押さえ、かつ揺動しては
んだ付けすることにより、精度も高く、ボイドの発生も
なく、はんだ付け出来るものである。
【００１１】
【実施例】以下実施例について説明する。
【００１２】本実施例は、ベアチツプとヒートシンクを
はんだ付けする工程と、その工程により製作したベアチ
ツプをはんだ付けしたヒートシンクと基板とをはんだ付
けする工程の２工程よりなつている。
はんだ付けする工程と、その工程により製作したベアチ
ツプをはんだ付けしたヒートシンクと基板とをはんだ付
けする工程の２工程よりなつている。
【００１３】図１はベアチツプとヒートシンクをはんだ
付けする工程で、治具１が出入りできる様に上部に穴を
開いたボツクス２中にホツトプレート５を設け、ノズル
６によりＮ2 ＋Ｈ2 などの雰囲気ガス７を２００°Ｃに
加熱して入れる。
付けする工程で、治具１が出入りできる様に上部に穴を
開いたボツクス２中にホツトプレート５を設け、ノズル
６によりＮ2 ＋Ｈ2 などの雰囲気ガス７を２００°Ｃに
加熱して入れる。
【００１４】次に図２に示すような、あらかじめＮｉメ
ツキ層１０と高温はんだ層８を形成させたヒートシンク
９を３５０°Ｃに加熱したホツトプレート上に置き、高
温はんだ層８を溶解させる。
ツキ層１０と高温はんだ層８を形成させたヒートシンク
９を３５０°Ｃに加熱したホツトプレート上に置き、高
温はんだ層８を溶解させる。
【００１５】次に治具１を用いてベアチツプ３を囲い、
ボツクス２の上部の穴より入れ、図１の位置で止めてノ
ズル６より出る雰囲気ガス７により、チツプ３の予熱を
行い、その後にヒートシンク４の溶解した高温はんだ層
８の上にチツプ３を置き、はんだ付の完成とする。
ボツクス２の上部の穴より入れ、図１の位置で止めてノ
ズル６より出る雰囲気ガス７により、チツプ３の予熱を
行い、その後にヒートシンク４の溶解した高温はんだ層
８の上にチツプ３を置き、はんだ付の完成とする。
【００１６】次に、先の工程で製作したベアチツプをは
んだ付したヒートシンクと基板とのはんだ付け工程を説
明する。
んだ付したヒートシンクと基板とのはんだ付け工程を説
明する。
【００１７】図３に示すように、治具１１が出入りでき
るように上部に穴を開けたボツクス１２の中に、ホツト
プレート１５を設け、ノズル１６により雰囲気ガス１３
を１００°Ｃに加熱して入れる。
るように上部に穴を開けたボツクス１２の中に、ホツト
プレート１５を設け、ノズル１６により雰囲気ガス１３
を１００°Ｃに加熱して入れる。
【００１８】次に先の工程で製作したベアチツプをはん
だ付けしたヒートシンク９を基板１４上のあらかじめク
リームはんだのリフローにより形成させた、低温はんだ
層１８に合わせて置き、その基板１４を、ボツクス１２
の中のホツトプレート１５の上に置き、ホツトプレート
を１００°Ｃに加熱する事により基板１４を予熱する。
だ付けしたヒートシンク９を基板１４上のあらかじめク
リームはんだのリフローにより形成させた、低温はんだ
層１８に合わせて置き、その基板１４を、ボツクス１２
の中のホツトプレート１５の上に置き、ホツトプレート
を１００°Ｃに加熱する事により基板１４を予熱する。
【００１９】次にボツクス１２の上部の穴より３００°
Ｃに加熱した治具１１を入れ、図４に示すように基板１
４上のヒートシンク９を押さえることにより加熱し、基
板１４上にプリコートした低温はんだ層を溶解させる。
Ｃに加熱した治具１１を入れ、図４に示すように基板１
４上のヒートシンク９を押さえることにより加熱し、基
板１４上にプリコートした低温はんだ層を溶解させる。
【００２０】次に治具１１が上昇することにより、ヒー
トシンク９の温度が下がり低温はんだ層１８が凝固する
ことによつてはんだ付を行うものである。
トシンク９の温度が下がり低温はんだ層１８が凝固する
ことによつてはんだ付を行うものである。
【００２１】
【発明の効果】本、発明は次の効果を有する。
【００２２】（１）Ｎ2 とＨ2 の混合ガスの消費量が少
ないのでランニングコストが低下する。
ないのでランニングコストが低下する。
【００２３】（２）リフローによらなく、上からヒート
シンクを治具で押さえているので実装精度が高い。 （３）温度管理が高く、十分に予熱を行うためにボイド
発生が少なく、確実にはんだ付ができる。
シンクを治具で押さえているので実装精度が高い。 （３）温度管理が高く、十分に予熱を行うためにボイド
発生が少なく、確実にはんだ付ができる。
【００２４】（４）基板とヒートシンク間のはんだ付
時、基板全体の温度を低くおさえているので、はんだの
酸化が少なく、より少ない雰囲気ガスで確実にはんだ付
が出来る。
時、基板全体の温度を低くおさえているので、はんだの
酸化が少なく、より少ない雰囲気ガスで確実にはんだ付
が出来る。
【図１】第１工程のベアチツプとヒートシンク間のはん
だ付けの説明図である。
だ付けの説明図である。
【図２】ヒートシンクの断面図である。
【図３】第２工程の基板とヒートシンク間のはんだ付け
の説明図である。
の説明図である。
【図４】ヒートシンクと基板とを治具にてはんだ付する
状況の説明図である。
状況の説明図である。
【図５】従来例の説明図である。
【図６】従来例の説明図である。
【図７】従来例の説明図である。
１、１１ 治具 ３ ベアチツプ ４ ヒートシンク ５、１５ ホツトプレート ６、１６ ノズル ７、１３ 雰囲気ガス ８ 高温はんだ １８ 低融点はんだ
Claims (1)
- 【請求項１】 ベアチツプをヒートシンクを介して基板
へのはんだ付け方法として、 （１）ベアチツプとヒートシンク間は高温はんだを使用
して、雰囲気ガス中のホツトプレートにより高温はんだ
の融点以下に加熱し、かつベアチツプを揺動しながらは
んだ付を行い、 （２）基板とヒートシンク間は基板上に多数個のヒート
シンクをはんだ付けするために雰囲気ガス中に、低融点
はんだを使用し、ホツトプレートで低融点はんだの融点
以下で基板とヒートシンクを予熱し、低融点はんだの融
点以上に加熱した治具により押さえながら揺動すること
により、低融点はんだを溶解させてはんだ付を行う、ベ
アチツプのはんだ付け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4028423A JPH05226386A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | ベアチツプのはんだ付方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4028423A JPH05226386A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | ベアチツプのはんだ付方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226386A true JPH05226386A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12248254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4028423A Pending JPH05226386A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | ベアチツプのはんだ付方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226386A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877079A (en) * | 1996-12-02 | 1999-03-02 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing a semiconductor device and a method for mounting a semiconductor device for eliminating a void |
| US8013271B2 (en) * | 2007-01-30 | 2011-09-06 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Soldering method and apparatus |
-
1992
- 1992-02-14 JP JP4028423A patent/JPH05226386A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877079A (en) * | 1996-12-02 | 1999-03-02 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing a semiconductor device and a method for mounting a semiconductor device for eliminating a void |
| US8013271B2 (en) * | 2007-01-30 | 2011-09-06 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Soldering method and apparatus |
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