JPH05228828A - 結晶体の研磨方法および研磨治具 - Google Patents
結晶体の研磨方法および研磨治具Info
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- JPH05228828A JPH05228828A JP4070142A JP7014292A JPH05228828A JP H05228828 A JPH05228828 A JP H05228828A JP 4070142 A JP4070142 A JP 4070142A JP 7014292 A JP7014292 A JP 7014292A JP H05228828 A JPH05228828 A JP H05228828A
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 49
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 35
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 34
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 11
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 229940047586 chemet Drugs 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- ACTRVOBWPAIOHC-XIXRPRMCSA-N succimer Chemical compound OC(=O)[C@@H](S)[C@@H](S)C(O)=O ACTRVOBWPAIOHC-XIXRPRMCSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学結晶を被研磨体キャリアに接着する方法
において、短時間で、しかも熟練度を必要としない接着
方法を提供し、さらには光学結晶の平面度及び平行度を
精度良く出す研磨治具を提供する。 【構成】 被研磨体キャリア上の少なくとも一部に粘着
力のある弾性体(厚さ0.5〜2mm、弾性率2〜6×
103 N/m2 )を貼り付け、さらにその弾性体上に光
学結晶を貼り付ける接着工程と、研磨液を噴霧した研磨
定盤と相対運動させることにより研磨する工程で構成さ
れる。
において、短時間で、しかも熟練度を必要としない接着
方法を提供し、さらには光学結晶の平面度及び平行度を
精度良く出す研磨治具を提供する。 【構成】 被研磨体キャリア上の少なくとも一部に粘着
力のある弾性体(厚さ0.5〜2mm、弾性率2〜6×
103 N/m2 )を貼り付け、さらにその弾性体上に光
学結晶を貼り付ける接着工程と、研磨液を噴霧した研磨
定盤と相対運動させることにより研磨する工程で構成さ
れる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、結晶体、特に光学結晶
の研磨方法およびそれに用いる研磨治具に関し、研磨治
具への接着歪などによる面精度の低下を防止するための
研磨方法およびそれに用いる研磨治具に関する。
の研磨方法およびそれに用いる研磨治具に関し、研磨治
具への接着歪などによる面精度の低下を防止するための
研磨方法およびそれに用いる研磨治具に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光学結晶の研磨は、前工程となる
被研磨体キャリアへの光学結晶の接着工程と光学結晶を
研磨定盤の表面に押し付け両者の間に研磨砥粒を噴霧
し、相対運動をさせ、光学結晶の表面を極めて平滑に仕
上げる研磨工程とからなる。
被研磨体キャリアへの光学結晶の接着工程と光学結晶を
研磨定盤の表面に押し付け両者の間に研磨砥粒を噴霧
し、相対運動をさせ、光学結晶の表面を極めて平滑に仕
上げる研磨工程とからなる。
【0003】光学結晶の研磨においては、研磨後の光学
結晶の平面度及び平行度が重要であり、接着方法として
は、真空吸着や摩擦力及び接着剤を用いる方法があり、
現在は被研磨体キャリアへの接着法として被研磨体キャ
リアと光学結晶の間に、接着剤を入れて接着する方法が
一般的である。接着剤としてはワックスが広く用いられ
ており、ワックスによる接着方法は、まず被研磨体をホ
ットプレート等で加熱、溶融し、溶融したワックス上に
光学結晶を載せ、冷却すると、ワックスが固化し、被研
磨体キャリアと光学結晶が接着されるという方法であ
る。
結晶の平面度及び平行度が重要であり、接着方法として
は、真空吸着や摩擦力及び接着剤を用いる方法があり、
現在は被研磨体キャリアへの接着法として被研磨体キャ
リアと光学結晶の間に、接着剤を入れて接着する方法が
一般的である。接着剤としてはワックスが広く用いられ
ており、ワックスによる接着方法は、まず被研磨体をホ
ットプレート等で加熱、溶融し、溶融したワックス上に
光学結晶を載せ、冷却すると、ワックスが固化し、被研
磨体キャリアと光学結晶が接着されるという方法であ
る。
【0004】光学結晶の研磨において、接着法は研磨後
の光学結晶の平面度及び平行度の低下に大きく影響を与
える。この影響を低減するために被研磨体キャリアの貼
付け面を数μmオーダーで仕上げ、塗布するワックスの
厚さを可能な限り均一にする工夫がなされてきた。例え
ば、ワックスの厚さをできるだけ薄くしたり、ワックス
の固化時に荷重を加える方法が採られてきた。あるい
は、一度固化したワックスを加熱により溶解、再度冷却
し、その際に、光学結晶自体の重みにより、光学結晶か
らはみでたワックスを除去する作業を、繰り返し行いワ
ックスの厚みを可能な限り薄くすることにより均一にし
ていた。
の光学結晶の平面度及び平行度の低下に大きく影響を与
える。この影響を低減するために被研磨体キャリアの貼
付け面を数μmオーダーで仕上げ、塗布するワックスの
厚さを可能な限り均一にする工夫がなされてきた。例え
ば、ワックスの厚さをできるだけ薄くしたり、ワックス
の固化時に荷重を加える方法が採られてきた。あるい
は、一度固化したワックスを加熱により溶解、再度冷却
し、その際に、光学結晶自体の重みにより、光学結晶か
らはみでたワックスを除去する作業を、繰り返し行いワ
ックスの厚みを可能な限り薄くすることにより均一にし
ていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ワック
スの厚みを薄くする目的で光学結晶に荷重をかけること
により、光学結晶は変形し、その変形を保持したままワ
ックスが固化する温度まで冷却されるので、被研磨体キ
ャリアに変形したまま接着されることになる。また光学
結晶と被研磨体キャリアの熱膨張係数の差、ワックスの
収縮等により冷却時に光学結晶が変形してしまう場合が
ある。この様な状態で光学結晶を研磨した場合、被研磨
体キャリアに接着固定された状態での平行、平面度は、
良くても、被研磨体キャリアより光学結晶を剥離すると
接着時の応力が取り除かれ、最終的には平行、平面度が
悪い光学結晶となってしまう。ワックスによる接着法に
おいても上述した光学結晶の変形を極力少なく接着する
事は可能であるが、時間及び熟練度を要し、経済的でな
い。
スの厚みを薄くする目的で光学結晶に荷重をかけること
により、光学結晶は変形し、その変形を保持したままワ
ックスが固化する温度まで冷却されるので、被研磨体キ
ャリアに変形したまま接着されることになる。また光学
結晶と被研磨体キャリアの熱膨張係数の差、ワックスの
収縮等により冷却時に光学結晶が変形してしまう場合が
ある。この様な状態で光学結晶を研磨した場合、被研磨
体キャリアに接着固定された状態での平行、平面度は、
良くても、被研磨体キャリアより光学結晶を剥離すると
接着時の応力が取り除かれ、最終的には平行、平面度が
悪い光学結晶となってしまう。ワックスによる接着法に
おいても上述した光学結晶の変形を極力少なく接着する
事は可能であるが、時間及び熟練度を要し、経済的でな
い。
【0006】また、研磨中においても、光学結晶と研磨
定盤との相対運動による摩擦力により摩擦熱が発生す
る。そのため光学結晶に応力が働き光学結晶は変形して
しまう場合があり、これもまた平行、平面度が悪い光学
結晶となってしまう。このように、従来の結晶体の研磨
においては、接着歪みが問題となっていた。
定盤との相対運動による摩擦力により摩擦熱が発生す
る。そのため光学結晶に応力が働き光学結晶は変形して
しまう場合があり、これもまた平行、平面度が悪い光学
結晶となってしまう。このように、従来の結晶体の研磨
においては、接着歪みが問題となっていた。
【0007】そのため、特開平1−289657号など
によれば、被研磨体キャリア1上にワックス2を塗布
し、その上に厚さ0.5mmのゴムシート3をのせ、さら
にワックス2を塗布し、その上に光学結晶4を載せるこ
とにより、接着歪みを低減する方法が提案されている。
(図3参照) しかしながら、ワックスを使用している
ため、加熱溶融が必要となり、接着歪みを除去すること
ができなかった。
によれば、被研磨体キャリア1上にワックス2を塗布
し、その上に厚さ0.5mmのゴムシート3をのせ、さら
にワックス2を塗布し、その上に光学結晶4を載せるこ
とにより、接着歪みを低減する方法が提案されている。
(図3参照) しかしながら、ワックスを使用している
ため、加熱溶融が必要となり、接着歪みを除去すること
ができなかった。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の課題実現のために
鋭意研究を行った結果、本発明者は、光学結晶を接着す
る面の少なくとも一部に、接着剤として、ワックスでは
なく、粘着性の接着剤を使用し、この接着剤が両面に塗
布あるいは含浸された弾性体を配することにより、接着
時及び研磨中における光学結晶の変形をなくし、光学結
晶の平面、平行度を低下させることなく研磨することを
見いだした。
鋭意研究を行った結果、本発明者は、光学結晶を接着す
る面の少なくとも一部に、接着剤として、ワックスでは
なく、粘着性の接着剤を使用し、この接着剤が両面に塗
布あるいは含浸された弾性体を配することにより、接着
時及び研磨中における光学結晶の変形をなくし、光学結
晶の平面、平行度を低下させることなく研磨することを
見いだした。
【0009】また、本接着方法による研磨治具は、両面
に粘着力を持つ弾性体、被研磨体キャリアにより構成さ
れる。
に粘着力を持つ弾性体、被研磨体キャリアにより構成さ
れる。
【0010】
【作用】被研磨体キャリアと光学結晶を接着する面の少
なくとも一部に、その両面に粘着性の接着剤が、塗布あ
るいは含浸された弾性体を配することにより、接着時に
荷重をかける必要もなく、加熱をする必要もない。その
為接着時における光学結晶の変形が皆無となる
なくとも一部に、その両面に粘着性の接着剤が、塗布あ
るいは含浸された弾性体を配することにより、接着時に
荷重をかける必要もなく、加熱をする必要もない。その
為接着時における光学結晶の変形が皆無となる
【0011】前記弾性体は、厚さ0.5〜2mm程度、
弾性率2〜6×103 N/m2 であることが望ましい。
この理由は、研磨中において研磨定盤と光学結晶との相
対運動により僅かな衝撃が生じるが、弾性率が2〜6×
103 N/m2 の範囲では、弾性体が、その応力を衝撃
を吸収してくれる。その為研磨中における光学結晶の変
形も低減させる作用があるからである。
弾性率2〜6×103 N/m2 であることが望ましい。
この理由は、研磨中において研磨定盤と光学結晶との相
対運動により僅かな衝撃が生じるが、弾性率が2〜6×
103 N/m2 の範囲では、弾性体が、その応力を衝撃
を吸収してくれる。その為研磨中における光学結晶の変
形も低減させる作用があるからである。
【0012】前記弾性体は、粘着性の接着剤が含浸され
た多孔質体であることが望ましい。この理由は、多孔質
体は、接着力が大きく、摩擦熱により発生する応力の吸
収が大きいからである。
た多孔質体であることが望ましい。この理由は、多孔質
体は、接着力が大きく、摩擦熱により発生する応力の吸
収が大きいからである。
【0013】前記弾性体は、織布、不織布、発泡ポリウ
レタン等が使用可能である。中でも発泡ポリウレタンで
あることが望ましい。この理由は、弾性率が小さく、研
磨中における衝撃に対する緩衝効果が大きいからであ
る。
レタン等が使用可能である。中でも発泡ポリウレタンで
あることが望ましい。この理由は、弾性率が小さく、研
磨中における衝撃に対する緩衝効果が大きいからであ
る。
【0014】本発明において使用される粘着性の接着剤
は、ゴム系接着剤、アクリル系接着剤、ウレタン系接着
剤、澱粉糊、にかわ等が使用可能である。中でもアクリ
ル系接着剤であることが望ましい。この理由は、耐水
性、柔軟性に優れているからである。
は、ゴム系接着剤、アクリル系接着剤、ウレタン系接着
剤、澱粉糊、にかわ等が使用可能である。中でもアクリ
ル系接着剤であることが望ましい。この理由は、耐水
性、柔軟性に優れているからである。
【0015】
【発明の効果】従って、本発明によれば、光学結晶を被
研磨体キャリアに接着する際の光学結晶の変形が無いた
め、大面積の光学結晶の表面をほぼ均一に研磨すること
が可能となり、実用上有用である。また研磨ブロックへ
の光学結晶の接着においては、従来のような押し付け荷
重の調整などが全く不要である点においても実用上有用
である。さらに、研磨中における光学結晶の変形を防止
できるため、いわゆる加工歪を取り除くことができ、実
用上有用である。この結果、高精度の平行平面を得る事
ができる。
研磨体キャリアに接着する際の光学結晶の変形が無いた
め、大面積の光学結晶の表面をほぼ均一に研磨すること
が可能となり、実用上有用である。また研磨ブロックへ
の光学結晶の接着においては、従来のような押し付け荷
重の調整などが全く不要である点においても実用上有用
である。さらに、研磨中における光学結晶の変形を防止
できるため、いわゆる加工歪を取り除くことができ、実
用上有用である。この結果、高精度の平行平面を得る事
ができる。
【0016】
【実施例】以下、本発明の具体的な方法を説明するが、
本発明はこの実施例に限定されるものではない。 実施例1 第1図に本発明の1実施例を示す。図1(a)に示すよ
うに被研磨体キャリア1(直径138mm,平行度0.
3μm以下)上に粘着力のある弾性体6(厚さ1mm程
度,弾性率4.25×103 N/m2 、多孔質の発泡ポ
リウレタン、粘着性接着剤は、アクリル系接着剤)を配
し、その上にLiTaO3 基板7(直径20mm,厚さ
1mm)を3枚接着した。接着に要した時間は、僅か数
分であった。ここで使用したLiTaO3 基板7は非鏡
面であり、平行度1μm以下である。次に図1(b)に
示すようにLiTaO3 基板7を固定した被研磨体キャ
リア1を天地逆にして研磨液を研磨定盤5に噴霧し、研
磨定盤5と相対運動させることによって基板表面を研磨
した。ここで使用した研磨液は粒径1/2μmのダイヤ
モンドスラリーであり、研磨定盤5は錫−鉛ケメット盤
である。研磨終了後、3枚の基板を被研磨体キャリア1
より取り外した。ハイトゲージを用い平行度を測定した
ところ1μm以下であった。研磨前の基板の平行度が1
μm以下である為、この結果はLiTaO3 基板7の表
面をほぼ均一に研磨したことを示している。またλ/2
0のオプチカルフラットにより平面度を測定したところ
λ/10(λ=5400Å)であり、LiTaO3 基板
3をほとんど無歪で研磨出来た。
本発明はこの実施例に限定されるものではない。 実施例1 第1図に本発明の1実施例を示す。図1(a)に示すよ
うに被研磨体キャリア1(直径138mm,平行度0.
3μm以下)上に粘着力のある弾性体6(厚さ1mm程
度,弾性率4.25×103 N/m2 、多孔質の発泡ポ
リウレタン、粘着性接着剤は、アクリル系接着剤)を配
し、その上にLiTaO3 基板7(直径20mm,厚さ
1mm)を3枚接着した。接着に要した時間は、僅か数
分であった。ここで使用したLiTaO3 基板7は非鏡
面であり、平行度1μm以下である。次に図1(b)に
示すようにLiTaO3 基板7を固定した被研磨体キャ
リア1を天地逆にして研磨液を研磨定盤5に噴霧し、研
磨定盤5と相対運動させることによって基板表面を研磨
した。ここで使用した研磨液は粒径1/2μmのダイヤ
モンドスラリーであり、研磨定盤5は錫−鉛ケメット盤
である。研磨終了後、3枚の基板を被研磨体キャリア1
より取り外した。ハイトゲージを用い平行度を測定した
ところ1μm以下であった。研磨前の基板の平行度が1
μm以下である為、この結果はLiTaO3 基板7の表
面をほぼ均一に研磨したことを示している。またλ/2
0のオプチカルフラットにより平面度を測定したところ
λ/10(λ=5400Å)であり、LiTaO3 基板
3をほとんど無歪で研磨出来た。
【0017】実施例2 図2に本発明の1実施例を示す。図2(a)に示すよう
に、被研磨体キャリア1(直径25mm、平行度1μm以
下)上に粘着力のある弾性体6( 厚さ1.5mm程
度,弾性率5.50×103 N/m2 、多孔質の発泡ポ
リウレタン、粘着性接着剤は、アクリル系接着剤)を配
し、その上に石英ガラス8(20mm角、厚さ1mm)を接
着した。ここで使用した石英ガラス8は平面度λ/2
(λ=5400Å)、平行度1μm以下である。次に図
2(b)に示すように、石英ガラス8を固定した被研磨
体キャリア1を天地逆にしてポリシング液をポリシャ9
に噴霧し、ポリシャ9と相対運動させることによって石
英ガラス8表面を研磨した。ここで使用したポリシング
液はコロイダルシリカである。研磨終了後、石英ガラス
8を被研磨体キャリア1より取り外し、平面度及び平行
度を測定した。平面度はλ/10(λ=5400Å)、
平行度は1μm以下であり、精度良く研磨することがで
きた。
に、被研磨体キャリア1(直径25mm、平行度1μm以
下)上に粘着力のある弾性体6( 厚さ1.5mm程
度,弾性率5.50×103 N/m2 、多孔質の発泡ポ
リウレタン、粘着性接着剤は、アクリル系接着剤)を配
し、その上に石英ガラス8(20mm角、厚さ1mm)を接
着した。ここで使用した石英ガラス8は平面度λ/2
(λ=5400Å)、平行度1μm以下である。次に図
2(b)に示すように、石英ガラス8を固定した被研磨
体キャリア1を天地逆にしてポリシング液をポリシャ9
に噴霧し、ポリシャ9と相対運動させることによって石
英ガラス8表面を研磨した。ここで使用したポリシング
液はコロイダルシリカである。研磨終了後、石英ガラス
8を被研磨体キャリア1より取り外し、平面度及び平行
度を測定した。平面度はλ/10(λ=5400Å)、
平行度は1μm以下であり、精度良く研磨することがで
きた。
【0018】実施例3 実施例2と同様の実験を、接着剤を変えて行った。すな
わち、被研磨体キャリア(直径25nm,平行度2μm
以下)上に粘着力のある弾性体(厚さ0.5nm、弾性
率2.25×103 N/m2 、弾性体は、不織布であ
り、粘着性接着剤はブチルゴム系である。)を配し、そ
の上に石英ガラス(20mm角、厚さ1mm)を接着し
た。ここで、使用した石英ガラスは平面度λ/2(λ=
5400Å)、平行度1μm以下である。次に石英ガラ
スを固定した被研磨体キャリアの天地逆にしてポリシン
グ液をポリシャに噴霧し、ポリシャと相対運動させるこ
とによって石英ガラス表面を研磨した。ここで、使用し
たポリシング液はコロイダルシリカである。研磨終了
後、石英ガラスを被研磨体キャリア1より取外し、平面
度及び平行度を測定した、平面度はλ/5(λ=540
0Å)、平行度は1μm以下であり、精度良く研磨する
ことができた。
わち、被研磨体キャリア(直径25nm,平行度2μm
以下)上に粘着力のある弾性体(厚さ0.5nm、弾性
率2.25×103 N/m2 、弾性体は、不織布であ
り、粘着性接着剤はブチルゴム系である。)を配し、そ
の上に石英ガラス(20mm角、厚さ1mm)を接着し
た。ここで、使用した石英ガラスは平面度λ/2(λ=
5400Å)、平行度1μm以下である。次に石英ガラ
スを固定した被研磨体キャリアの天地逆にしてポリシン
グ液をポリシャに噴霧し、ポリシャと相対運動させるこ
とによって石英ガラス表面を研磨した。ここで、使用し
たポリシング液はコロイダルシリカである。研磨終了
後、石英ガラスを被研磨体キャリア1より取外し、平面
度及び平行度を測定した、平面度はλ/5(λ=540
0Å)、平行度は1μm以下であり、精度良く研磨する
ことができた。
【0019】比較例 1 実施例1と同様の実験を接着剤にワックスを用い行っ
た。被研磨体キャリア1をホットプレートにより約80
℃に加熱し、被研磨体キャリア1上にワックスを溶融し
た。溶融したワックス上にLiTaO3 基板7を3枚載
せた。つまり、被研磨体キャリア1とLiTaO3 基板
7の間にワックスが入り込んだ形となった。これらを冷
却しワックスを固化させ、被研磨体キャリア1、LiT
aO3 基板7を接着させた。更に、一度固化した ワッ
クス2を加熱し、再度冷却させ、LiTaO3 基板7自
体の重さによりLiTaO3 基板7よりはみでたワック
ス2をトリクレンを用いて除去した。この作業をワック
ス2の厚みが均一になるまで3回繰り返し行った。ワッ
クス2の厚みが均一か否かは、接着剤にLiTaO3 基
板7の厚さをハイトゲージにより数点測定し、被研磨体
キャリア−1に接着後、同じ点の高さを測定することに
より確認した。接着に要した時間は2時間であった。次
に実施例1と同様にLiTaO3 基板を固定した被研磨
体キャリアを天地逆にして研磨液を研磨定盤に噴霧し、
研磨定盤と相対運動させることによってLiTaO3 基
板を研磨した。 研磨終了後、3枚の基板を被研磨体キ
ャリアより取り外した。ハイトゲージを用い平行度を精
度λ/20のオプチカルフラットにより測定したらλ/
5(λ=5400Å)であった。つまり、平面、平行度
が低下してしまった。
た。被研磨体キャリア1をホットプレートにより約80
℃に加熱し、被研磨体キャリア1上にワックスを溶融し
た。溶融したワックス上にLiTaO3 基板7を3枚載
せた。つまり、被研磨体キャリア1とLiTaO3 基板
7の間にワックスが入り込んだ形となった。これらを冷
却しワックスを固化させ、被研磨体キャリア1、LiT
aO3 基板7を接着させた。更に、一度固化した ワッ
クス2を加熱し、再度冷却させ、LiTaO3 基板7自
体の重さによりLiTaO3 基板7よりはみでたワック
ス2をトリクレンを用いて除去した。この作業をワック
ス2の厚みが均一になるまで3回繰り返し行った。ワッ
クス2の厚みが均一か否かは、接着剤にLiTaO3 基
板7の厚さをハイトゲージにより数点測定し、被研磨体
キャリア−1に接着後、同じ点の高さを測定することに
より確認した。接着に要した時間は2時間であった。次
に実施例1と同様にLiTaO3 基板を固定した被研磨
体キャリアを天地逆にして研磨液を研磨定盤に噴霧し、
研磨定盤と相対運動させることによってLiTaO3 基
板を研磨した。 研磨終了後、3枚の基板を被研磨体キ
ャリアより取り外した。ハイトゲージを用い平行度を精
度λ/20のオプチカルフラットにより測定したらλ/
5(λ=5400Å)であった。つまり、平面、平行度
が低下してしまった。
【0020】比較例 2 実施例1と同様、LiTaO3 基板の研磨(ラップ)を
行った。まず、図3に示すように被研磨体キャリア1上
にワックス2を塗布し、その上に厚さ0.5mmのゴム
シート3をのせ、さらにワックス2を塗布し、その上に
LiTaO3 基板7を載せた。ここで使用したLiTa
O3 基板7は非鏡面であり、平行度1μm以下である。
次にLiTaO3 基板7を固定した被研磨体キャリア1
を実施例1と同様に天地逆にして研磨液を研磨定盤に噴
霧し、研磨定盤と相対運動させることによって基板表面
を研磨した。ここで使用した研磨液は粒径1/2μmの
ダイヤモンドスラリーであり、研磨定盤は錫−鉛ケメッ
ト盤である。研磨終了後、基板を被研磨体キャリア1よ
り取り外した。ハイトゲージを用い平行度を測定したと
ころ、1μm以上2μm以下であった。研磨前の基板の
平行度が1μm以下であるため、平行度が低下してしま
った。また、λ/20のオプチカルフラットにより平面
度を測定したところ、λ/5(λ=5400Å)であ
り、LiTaO3 基板3の平面度は、実施例1で研磨し
たLiTaO3 基板3より劣っていることが分かる。
行った。まず、図3に示すように被研磨体キャリア1上
にワックス2を塗布し、その上に厚さ0.5mmのゴム
シート3をのせ、さらにワックス2を塗布し、その上に
LiTaO3 基板7を載せた。ここで使用したLiTa
O3 基板7は非鏡面であり、平行度1μm以下である。
次にLiTaO3 基板7を固定した被研磨体キャリア1
を実施例1と同様に天地逆にして研磨液を研磨定盤に噴
霧し、研磨定盤と相対運動させることによって基板表面
を研磨した。ここで使用した研磨液は粒径1/2μmの
ダイヤモンドスラリーであり、研磨定盤は錫−鉛ケメッ
ト盤である。研磨終了後、基板を被研磨体キャリア1よ
り取り外した。ハイトゲージを用い平行度を測定したと
ころ、1μm以上2μm以下であった。研磨前の基板の
平行度が1μm以下であるため、平行度が低下してしま
った。また、λ/20のオプチカルフラットにより平面
度を測定したところ、λ/5(λ=5400Å)であ
り、LiTaO3 基板3の平面度は、実施例1で研磨し
たLiTaO3 基板3より劣っていることが分かる。
【図1】本発明の研磨治具及び研磨方法(ラップ)の状
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図2】本発明の研磨治具及び研磨方法(ポリッシュ)
の状態を示す断面図である。
の状態を示す断面図である。
【図3】先行技術の研磨治具の断面図である。
1 被研磨体キャリア 2 ワックス 3 ゴムシート 4 光学結晶 5 研磨定盤 6 粘着性の接着剤を有する弾性体 7 LiTaO3 8 石英ガラス 9 ポリシャ
Claims (6)
- 【請求項1】 結晶体を被研磨体キャリアに接着した
後、この結晶体を研磨する方法において、接着する面の
少なくとも一部に、両面に粘着力を有する弾性体を配す
ことを特徴とする結晶体の研磨方法。 - 【請求項2】 上記弾性体は、厚さ0.5〜2mm、弾
性率2〜6×103 N/m2 であり、かつ両面に接着力
を有する請求項1に記載の結晶体の研磨方法。 - 【請求項3】 前記弾性体は、粘着性の接着剤が含浸さ
れた多孔質体である請求項1に記載の結晶体の研磨方
法。 - 【請求項4】 前記弾性体は、発泡ポリウレタンである
請求項1に記載の結晶体の研磨方法。 - 【請求項5】 前記結晶体は光学結晶である請求項1に
記載の結晶体の研磨方法。 - 【請求項6】 被研磨体キャリア上に、その両面に粘着
力を有する弾性体が配置されてなることを特徴とする結
晶体の研磨治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4070142A JPH05228828A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 結晶体の研磨方法および研磨治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4070142A JPH05228828A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 結晶体の研磨方法および研磨治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05228828A true JPH05228828A (ja) | 1993-09-07 |
Family
ID=13423027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4070142A Pending JPH05228828A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 結晶体の研磨方法および研磨治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05228828A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010226441A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Audio Technica Corp | コンデンサマイクロホン |
| JP2016190318A (ja) * | 2011-03-21 | 2016-11-10 | ローレンス リバモア ナショナル セキュリティー, エルエルシー | コンバージェント研磨方法およびコンバージェント研磨システム |
| CN114871902A (zh) * | 2022-04-27 | 2022-08-09 | 西安应用光学研究所 | 一种大口径超径厚比异形平面光学零件柔性抛光盘 |
| CN116117691A (zh) * | 2022-12-21 | 2023-05-16 | 河南铭镓半导体有限公司 | 一种具有可旋转定位的磷化铟单晶参考边定向工装夹具 |
-
1992
- 1992-02-19 JP JP4070142A patent/JPH05228828A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010226441A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Audio Technica Corp | コンデンサマイクロホン |
| JP2016190318A (ja) * | 2011-03-21 | 2016-11-10 | ローレンス リバモア ナショナル セキュリティー, エルエルシー | コンバージェント研磨方法およびコンバージェント研磨システム |
| CN114871902A (zh) * | 2022-04-27 | 2022-08-09 | 西安应用光学研究所 | 一种大口径超径厚比异形平面光学零件柔性抛光盘 |
| CN116117691A (zh) * | 2022-12-21 | 2023-05-16 | 河南铭镓半导体有限公司 | 一种具有可旋转定位的磷化铟单晶参考边定向工装夹具 |
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