JPH0522988Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0522988Y2
JPH0522988Y2 JP7492486U JP7492486U JPH0522988Y2 JP H0522988 Y2 JPH0522988 Y2 JP H0522988Y2 JP 7492486 U JP7492486 U JP 7492486U JP 7492486 U JP7492486 U JP 7492486U JP H0522988 Y2 JPH0522988 Y2 JP H0522988Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
diode
fet
resistor
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP7492486U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62185492U (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP7492486U priority Critical patent/JPH0522988Y2/ja
Publication of JPS62185492U publication Critical patent/JPS62185492U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0522988Y2 publication Critical patent/JPH0522988Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この考案は電界効果トランジスタ素子(FET
と称する)を用いたレギユレーターの駆動装置に
関するものであり、特にFETの駆動をおこなう
ためのFETの駆動装置に関する。
[従来の技術] 第2図は従来のFETの駆動装置を含むレギユ
レーターの駆動装置の回路図であり、図におい
て、10は一次巻線11と二次巻線21より成る
変成器で、この一次巻線11の両端子にダイオー
ド12とトランジスタ13が接続されている。こ
のトランジスタ13のベース電極にはパルス電源
14が接続され、そして中間タツプ15には直流
電圧Vccが印加されている。また、二次巻線21
の両端には抵抗器22を経てダイオード23とト
ランジスタ24とが接続されている。26は第1
の電界効果トランジスタ(以下これを第1の
FETという)で、そのゲート電極は抵抗器25
を経て前記ダイオード23の陰極とトランジスタ
24のエミツタ電極との共通接続点に接続されて
いる。27は前記第1のFET26に並列的に接
続された第2のFETで、両FETのドレイン電極
にはコイル28を経て電源端子29が接続されて
いる。上記第1、第2のFETはスイツチングレ
ギユレーターのスイツチング素子である。
上述構成の駆動装置において、その動作を第3
図に示した各部の波形図に基づいて説明する。ま
ず、トランジスタ13のベース電極(a点)に供
給される矩形波信号(第3図a参照)は、変成器
10の二次側(b点)で第3図bに示すごとく0
ボルトを中心にして+Vccと−Vccの振幅をもつ
た信号電圧に変換される。そして、この信号電圧
はダイオード23、トランジスタ24および抵抗
器25を経て第1のFET26のゲート電極(c
点)に至り、これが第3図cに示す電圧波形とな
る。
[考案が解決しようとする問題点] 上記のように第2図に示す従来技術のFETの
駆動装置において、時刻t1からt2に至る期間Tは
いわゆる“ゲートの不安定期間”と呼ばれ、変成
器10側からの駆動エネルギーが消失しており、
FET26を強制的にオフにすることはできない。
しかもこの期間Tに第1のFET26に並列接続
されている第2のFET27がオフになる典型的
な使用法では、第1のFET26のドレイン電圧
が急上昇し、これがゲート、ドレイン間の静電容
量を通じてそのゲート電圧を上昇させる。そのた
め本来は第1のFET26をオフにして欲しい時
にオンになることがあつて、その動作が不安定に
なるという問題点があつた。また、オフ時に第1
のFET26のゲート電圧が0ボルトに下がつた
後でも期間Tに至るまでの間抵抗器22にトラン
ジスタ24を介して不要な電流が流れてエネルギ
ーの損失を招くという問題点があつた。
この考案はこれらの問題点を解消するためにな
されたもので、FETのオフ時における不安定さ
を取り除いたFETの駆動装置を得ることを目的
とする。
[問題点を解決するための手段] この考案に係る駆動装置は、変成器の二次巻線
を中間タツプ付きとし、二次巻線の一端と中間タ
ツプとの間にデプレツシヨン形FETを接続し、
そしてそのゲート電極と前記二次巻線の他端との
間にダイオードを接続したものである。
[作用] この考案の一実施例においては、第1のFET
26のゲート・ソース電極間にデプレツシヨン形
FETを設け、第1のFETの定常的なオフ時にお
いて、そのゲート電圧の上昇を押さえ、不安定な
動作を除いている。
[考案の実施例] 第1図はこの考案の一実施例におけるFETの
駆動装置を示す回路図であり、第2図に示した従
来装置と同じ部分にはこれと同じ符号を付してあ
るので、その再説明は省略する。31は中間タツ
プを備えた変成器10の二次巻線で、その一端と
中間タツプとの間には抵抗器32、ダイオード3
3およびトランジスタ24が直列に接続され、そ
してこの中間タツプと二次巻線31の他端との間
にはダイオード36と抵抗器37とが直列に接続
されている。なお、このダイオード36と抵抗器
37の共通接続点は前記トランジスタ24に並列
接続されたデプレツシヨン形FET38のゲート
電極に接続されている。トランジスタ24のエミ
ツタ電極、コレクタ電極は、それぞれデプレツシ
ヨン形FET38のドレーン電極、ソース電極に
接続されている。また、前記ダイオード23の陽
極とトランジスタ24のベース電極とは、抵抗器
34とコンデンサ35の直列回路を経て前記変成
器10における二次巻線31の一端に接続されて
いる。さらに第1のFET26のゲート電極は抵
抗器39およびダイオード40の並列素子を経て
トランジスタ24のエミツタ電極とデプレツシヨ
ン形FET38のドレイン電極との共通接続点に
接続されている。
上記のように構成された駆動装置において、第
1のFET26がオンのときは従来の装置と同様
に、抵抗器32、ダイオード33および抵抗器3
9を通してこの第1のFET26のゲート電極に
電荷を充電する。デプレツシヨン形FET38の
ゲート・ソース間電圧は負になり、該デプレツシ
ヨン形FET38はオフとなり、高抵抗状態とな
る。しかして、第1のFET26のオフにおける
過渡期は、抵抗器34およびコンデンサ35を経
てトランジスタ24のベース電極の電荷を引くこ
とにより、前記第1のFET26のゲート電極に
おける電荷はダイオード40を経て放電する。こ
のとき、同時にダイオード36がオフとなり抵抗
器37によりデプレツシヨン形FET38のゲー
ト電極を0ボルトにすることにより、ダイオード
40を経て前記ゲート電極の電荷を放電している
が、この場合のデプレツシヨン形FET38のイ
ンピーダンス値はトランジスタ24のそれより大
きい。次に前記のコンデンサ35が抵抗器34を
経て充電されてしまうと、トランジスタ24はオ
フ(すなわち定常的なオフ)となるが、デプレツ
シヨン形FET38は依然として第1のFET26
のゲート電極における電位が上昇しないように、
電荷を引き続けている。
[考案の効果] この考案は以上説明したように、デプレツシヨ
ン形FET38の動作によつて第1のFET26の
定常的なオフ時の不安定さがなくなり、また、抵
抗器34で消費される電力はオフ時の過渡期にお
いてしか発生しないし、抵抗器34の大きさも抵
抗器22より大きいので非常に小さいという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例を含むスイツチン
グレギユレーターの駆動装置を示す回路図、第2
図は従来装置を含む回路図、第3図はその動作を
説明するための各部における波形図である。 図中、10は変成器、12,23,33,3
6,40はダイオード、13,24はトランジス
タ、26および27は第1、第2のFET、38
はデプレツシヨン形FETである。なお、各図中
同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 次の(イ)乃至(ヘ)より成る、ソース接地された
    FET26をオン・オフするためのFETの駆動装
    置。 (イ) 前記FET26のゲート電極に第1の抵抗器
    39と第1のダイオード40の並列回路を介し
    て接続されるエミツタ電極と、該エミツタ電極
    に前記第1のダイオードと同一極性で接続され
    た第2のダイオード23を介して前記エミツタ
    電極に接続されたベース電極と、接地されたコ
    レクタ電極とを有するトランジスタ24。 (ロ) 前記エミツタ電極に接続されたドレイン電極
    と、接地されたソース電極と、第2の抵抗37
    を介して接地されたゲート電極とを有するデプ
    レツシヨン形FET38。 (ハ) 第1、第2の端子と接地された接地端子とを
    有し、前記第1、第2の端子に互いに逆極性の
    パルスを出力するためのパルス発生源10,1
    1,12,13,14,15,31。 (ニ) 第3の抵抗器32と第3のダイオード33と
    の直列接続で、前記第3のダイオードの前記エ
    ミツタ側電極が前記第1のダイオードの前記エ
    ミツタ電極に接続される電極と同一極性となる
    ように、前記第1の端子と前記エミツタ電極と
    に接続される直列回路32,33。 (ホ) 前記第1の端子と前記ベース電極との間に直
    列接続された第4の抵抗34とコンデンサ3
    5。 (ヘ) 前記第2の端子に、前記第1のダイオードの
    前記エミツタ電極に接続される電極と同一極性
    の第1の電極が接続され、前記ゲート電極に第
    2の電極が接続された第1、第2の電極を有す
    る第4のダイオード36。
JP7492486U 1986-05-19 1986-05-19 Expired - Lifetime JPH0522988Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7492486U JPH0522988Y2 (ja) 1986-05-19 1986-05-19

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7492486U JPH0522988Y2 (ja) 1986-05-19 1986-05-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62185492U JPS62185492U (ja) 1987-11-25
JPH0522988Y2 true JPH0522988Y2 (ja) 1993-06-14

Family

ID=30920593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7492486U Expired - Lifetime JPH0522988Y2 (ja) 1986-05-19 1986-05-19

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0522988Y2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0633714Y2 (ja) * 1988-11-25 1994-08-31 株式会社三社電機製作所 絶縁ゲート型電力用半導体素子の高周波駆動回路
JPH0812993B2 (ja) * 1990-10-26 1996-02-07 松下電工株式会社 半導体リレー回路
JPH0812992B2 (ja) * 1990-10-26 1996-02-07 松下電工株式会社 半導体リレー回路

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62185492U (ja) 1987-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900006538B1 (ko) 전계효과 트랜지스터용 무변압기 구동회로
US4316243A (en) Power FET inverter drive circuit
US6271712B1 (en) Synchronous rectifier and method of operation
JPS63253868A (ja) 電源装置
US7333353B2 (en) Isolating type self-oscillating flyback converter with a soft start loop
US11831307B2 (en) Power switch drive circuit and device
KR970031243A (ko) 저전력 트랜스콘덕턴스 구동 증폭기(low-power transconductance driver amplifier)
JP2638625B2 (ja) Mos−fetゲート駆動回路
US6441596B1 (en) Switching regulator with reduced high-frequency noise
EP0312606A1 (en) Pre-drive circuit
JP3118424B2 (ja) 自励式スイッチング電源
JPH07118641B2 (ja) 半導体スイツチング素子の駆動回路
JP2001251846A (ja) 電力用半導体装置
CN117081369A (zh) 开关电源及其自举供电电路
JPS59104830A (ja) スイツチング回路
CN120357890B (zh) 一种零启动功耗的同相位驱动电平转换电路
JPS61230425A (ja) Mos型fetのゲ−トドライブ回路
JPH0638493Y2 (ja) Igbt駆動回路
KR20010093856A (ko) 동기 플라이백 컨버터
JP2001298943A (ja) スイッチング電源回路
JP2560365Y2 (ja) ブリッジ接続mosfet負荷電力制御回路
JPH04128435U (ja) パワーmos fet用絶縁形ドライブ回路
JPH0619325Y2 (ja) スイッチング電源回路
CN119050959A (zh) 欠压锁定电路
JP2671292B2 (ja) パルス信号のクランプ装置