JPH0523048B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0523048B2 JPH0523048B2 JP59065551A JP6555184A JPH0523048B2 JP H0523048 B2 JPH0523048 B2 JP H0523048B2 JP 59065551 A JP59065551 A JP 59065551A JP 6555184 A JP6555184 A JP 6555184A JP H0523048 B2 JPH0523048 B2 JP H0523048B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist pattern
- pattern
- layer
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、微細パターン形成に使用する二層レ
ジスト構成法において、上層レジストパターンの
形状に関するものである。
ジスト構成法において、上層レジストパターンの
形状に関するものである。
（従来技術とその問題点）
近来、半導体プロセス等での微細パターン形成
法は、ホトレジストをマスクとして使用するイオ
ンビームエツチング法や、反応性エツチング法に
よつている。したがつて、エツチング後のパター
ン形状や、パターン精度は、マスクとなるレジス
トパターン形状の影響を強く受けることになる。
平面基板上に精度よくレジストパターンを形成す
る技術は一般的なホトレジストプロセスで作成す
ることができる。しかし、実際の素子では、配線
パターンなどによる段差が多数存在する。このよ
うな段差部では、ホトレジストをスピン塗布した
時、段差近傍でレジスト膜厚の不均一が発生す
る。このため、この部分に露光したレジストパタ
ーンには、段差部近傍でレジストパターン幅変化
が発生する。この問題を解決する方法として、三
層構造法が開発された（たとえば、ジヤーナル・
オブ・バキユームサイエンス・アンド・テクノロ
ジーVOL16，No.６，Nov.／Dec.1979，pp1620〜
1624）。この方法は、マスクパターン形成時に反
応性イオンエツチングを使用するため、基板表面
にイオンダメージ欠陥を発生させる欠点がある。
また三層であるため処理工程が長い。これらの欠
点を改善する方法として、二種類の露光波長、紫
外線（UV）と遠紫外線（Deep−UV）を用いる
二層レジスト法が開発された（エス・ピー・ア
イ・イーVOL.174デベロツプメント・イン・セ
ミコンダクターマイクロリソグラフイー
（1979）pp114〜121）。この二層レジスト法は、
上層レジストをUVで下層レジストをDeep−UV
で露光し、下層レジストパターンを形成する。こ
の時上層レジストパターンは、下層レジストを露
光するときのマスクとして働く。上層レジストパ
ターンはDeep−UV光に対して完全な遮光特性を
持つていることが望まれるが、実際上はレジスト
膜厚が薄くなると遮光性が悪くなる。ところで上
層レジストパターンの形状が第１図ａに示すよう
な台形の形をしていると、下層レジスト側では上
層レジスト膜厚のうすい所ができてしまう。さら
に上層レジストはDeep−UV光に対して1.0以上
の屈折率をもつため、照射されたDeep−UV光
“14”は、上層レジストパターン中でまげられる。
上層レジストパターンの形が台形の場合、光は内
側に曲げられる。このためレジストエツジから少
し内側の部分に光の強度の強い部分ができる。し
たがつてDeep−UV光照射後下層レジストを現像
すると、第１図ｂに示すような、パターンエツジ
より内側が深くえぐられたレジストパターンが形
成され、所望のレジストパターン形状にならない
欠点がある。
法は、ホトレジストをマスクとして使用するイオ
ンビームエツチング法や、反応性エツチング法に
よつている。したがつて、エツチング後のパター
ン形状や、パターン精度は、マスクとなるレジス
トパターン形状の影響を強く受けることになる。
平面基板上に精度よくレジストパターンを形成す
る技術は一般的なホトレジストプロセスで作成す
ることができる。しかし、実際の素子では、配線
パターンなどによる段差が多数存在する。このよ
うな段差部では、ホトレジストをスピン塗布した
時、段差近傍でレジスト膜厚の不均一が発生す
る。このため、この部分に露光したレジストパタ
ーンには、段差部近傍でレジストパターン幅変化
が発生する。この問題を解決する方法として、三
層構造法が開発された（たとえば、ジヤーナル・
オブ・バキユームサイエンス・アンド・テクノロ
ジーVOL16，No.６，Nov.／Dec.1979，pp1620〜
1624）。この方法は、マスクパターン形成時に反
応性イオンエツチングを使用するため、基板表面
にイオンダメージ欠陥を発生させる欠点がある。
また三層であるため処理工程が長い。これらの欠
点を改善する方法として、二種類の露光波長、紫
外線（UV）と遠紫外線（Deep−UV）を用いる
二層レジスト法が開発された（エス・ピー・ア
イ・イーVOL.174デベロツプメント・イン・セ
ミコンダクターマイクロリソグラフイー
（1979）pp114〜121）。この二層レジスト法は、
上層レジストをUVで下層レジストをDeep−UV
で露光し、下層レジストパターンを形成する。こ
の時上層レジストパターンは、下層レジストを露
光するときのマスクとして働く。上層レジストパ
ターンはDeep−UV光に対して完全な遮光特性を
持つていることが望まれるが、実際上はレジスト
膜厚が薄くなると遮光性が悪くなる。ところで上
層レジストパターンの形状が第１図ａに示すよう
な台形の形をしていると、下層レジスト側では上
層レジスト膜厚のうすい所ができてしまう。さら
に上層レジストはDeep−UV光に対して1.0以上
の屈折率をもつため、照射されたDeep−UV光
“14”は、上層レジストパターン中でまげられる。
上層レジストパターンの形が台形の場合、光は内
側に曲げられる。このためレジストエツジから少
し内側の部分に光の強度の強い部分ができる。し
たがつてDeep−UV光照射後下層レジストを現像
すると、第１図ｂに示すような、パターンエツジ
より内側が深くえぐられたレジストパターンが形
成され、所望のレジストパターン形状にならない
欠点がある。
（発明の目的）
本発明は従来の欠点を除去し、形状の良い下層
レジストパターンを形成できるパターン形成方法
を提供するものである。
レジストパターンを形成できるパターン形成方法
を提供するものである。
（発明の構成）
本発明によれば、二層レジスト構造において、
上層レジストパターンの形を逆台形状にすること
により、形状のよい下層レジストパターンが得ら
れる。
上層レジストパターンの形を逆台形状にすること
により、形状のよい下層レジストパターンが得ら
れる。
（構成の詳細な説明）
本発明は、上述の構成をとることにより、従来
技術の問題点を解決した。下層レジスト露光時に
マスクとなる上層レジストパターンの形を台形状
から逆台形にすることにより、上層レジストパタ
ーンサイズを下層レジストパターンに転写するこ
とが可能となる。逆台形にする一方法としては、
上層レジストを薬品により処理することなどがあ
げられる（例えば、アイ・ビー・エム・ジヤーナ
ル・オブ・リサーチ・アンド・デベロツプメント
VOL.24，No.４，pp452〜460，1980） （実施例） 以下本発明の実施例について図面を参照して詳
細に説明する。本発明における二層レジスト構造
は従来と同じものである。実施例で用いたレジス
トは、上層レジストとしてマイクロポジツト1300
（商品名、シプレー・コーポレーシヨン製）、下層
レジストとしてODUR−1013（商品名、東京応化
製）である。上層レジスト膜厚、約0.5μｍ下層レ
ジスト膜厚、約1μｍを用いた。上層レジストと
してマスクパターンを露光し、薬品（クロルベン
ゼン）処理後、指定の現像液で現像する。現像
後、上層レジストパターンは第２図ａのような逆
台形“23”になる。現像時間を制御することによ
り逆台形の程度は変化させることができる。この
ような形のレジストパターン“22”をマスクとし
てDeep−UV照射により下層レジストにパターン
を転写する。この時、上層レジストパターンの形
が逆台形であるため、凹レンズのような働きを
し、レジストパターンエツジ付近に入射した光
は、レジストパターン外にでてしまう。このた
め、エツジ付近の光が上層レジストパターン底辺
の内側にはいりこむことはない。したがつて
Deep−UV光を照射した後、下層レジストを現像
すると、第１図ｂとは異なり、第２図ｂのような
台形状のレジストパターン“25”が形成される。
このようなレジストパターンをマスクとして用い
ると、第１図ｂのようなパターン内側の溝を生じ
るようなことはなく、良好な下層パターン形状が
得られる。
技術の問題点を解決した。下層レジスト露光時に
マスクとなる上層レジストパターンの形を台形状
から逆台形にすることにより、上層レジストパタ
ーンサイズを下層レジストパターンに転写するこ
とが可能となる。逆台形にする一方法としては、
上層レジストを薬品により処理することなどがあ
げられる（例えば、アイ・ビー・エム・ジヤーナ
ル・オブ・リサーチ・アンド・デベロツプメント
VOL.24，No.４，pp452〜460，1980） （実施例） 以下本発明の実施例について図面を参照して詳
細に説明する。本発明における二層レジスト構造
は従来と同じものである。実施例で用いたレジス
トは、上層レジストとしてマイクロポジツト1300
（商品名、シプレー・コーポレーシヨン製）、下層
レジストとしてODUR−1013（商品名、東京応化
製）である。上層レジスト膜厚、約0.5μｍ下層レ
ジスト膜厚、約1μｍを用いた。上層レジストと
してマスクパターンを露光し、薬品（クロルベン
ゼン）処理後、指定の現像液で現像する。現像
後、上層レジストパターンは第２図ａのような逆
台形“23”になる。現像時間を制御することによ
り逆台形の程度は変化させることができる。この
ような形のレジストパターン“22”をマスクとし
てDeep−UV照射により下層レジストにパターン
を転写する。この時、上層レジストパターンの形
が逆台形であるため、凹レンズのような働きを
し、レジストパターンエツジ付近に入射した光
は、レジストパターン外にでてしまう。このた
め、エツジ付近の光が上層レジストパターン底辺
の内側にはいりこむことはない。したがつて
Deep−UV光を照射した後、下層レジストを現像
すると、第１図ｂとは異なり、第２図ｂのような
台形状のレジストパターン“25”が形成される。
このようなレジストパターンをマスクとして用い
ると、第１図ｂのようなパターン内側の溝を生じ
るようなことはなく、良好な下層パターン形状が
得られる。
（発明の効果）
以上詳細に述べた通り、本発明によれば、二層
レジスト構造法において、上層レジストパターン
の形を逆台形状にすることにより上層レジストが
薄く、その遮光特性が完全でなくても、形状の良
好な下層レジストパターンが形成できる。
レジスト構造法において、上層レジストパターン
の形を逆台形状にすることにより上層レジストが
薄く、その遮光特性が完全でなくても、形状の良
好な下層レジストパターンが形成できる。
第１図ａ，ｂは従来例の上層レジストパターン
の説明図および、下層レジストパターンの説明
図。第２図ａ，ｂは本発明の実施例による上層レ
ジストパターンの説明図および、下層レジストパ
ターンの説明図を示す。 図において、１１……基板、１２……下層レジ
スト、１３……上層レジストパターン、１４……
UV光、１５……下層レジストパターン、２３…
…上層レジストパターン、２４……Deep−UV
光、２５……下層レジストパターンをそれぞれ示
す。
の説明図および、下層レジストパターンの説明
図。第２図ａ，ｂは本発明の実施例による上層レ
ジストパターンの説明図および、下層レジストパ
ターンの説明図を示す。 図において、１１……基板、１２……下層レジ
スト、１３……上層レジストパターン、１４……
UV光、１５……下層レジストパターン、２３…
…上層レジストパターン、２４……Deep−UV
光、２５……下層レジストパターンをそれぞれ示
す。
Claims (1)
- １ 上層レジストとして紫外光レジストを使い、
下層レジストとして遠紫外光レジストを使用し、
かつ上層レジストパターンを下層レジストパター
ン形成時のマスクとして使用する二層レジスト構
造プロセスにおいて、上層レジストパターンの断
面形状を逆台形状とすることを特徴とするパター
ン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065551A JPS60208833A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065551A JPS60208833A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208833A JPS60208833A (ja) | 1985-10-21 |
| JPH0523048B2 true JPH0523048B2 (ja) | 1993-03-31 |
Family
ID=13290257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59065551A Granted JPS60208833A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208833A (ja) |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP59065551A patent/JPS60208833A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60208833A (ja) | 1985-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5480047A (en) | Method for forming a fine resist pattern | |
| US5496666A (en) | Contact hole mask for semiconductor fabrication | |
| JPH04136854A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0075756B1 (en) | Method of developing relief images in a photoresist layer | |
| CN1079166C (zh) | 用以形成半导体器件精细图形之方法 | |
| JPH0219970B2 (ja) | ||
| JPH0523048B2 (ja) | ||
| JPS6346972B2 (ja) | ||
| JPH0529197A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS62245251A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS60208834A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS59141230A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH11283920A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| KR970006928B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR0137618B1 (ko) | 포토레지스트 패턴 형성방법 | |
| JPH0462166B2 (ja) | ||
| JPH0419697B2 (ja) | ||
| JPH04367216A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6020512A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH02213122A (ja) | レジストパターンの製造方法 | |
| JPS60200252A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0513325A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH04318852A (ja) | レジスト・パターン形成方法 | |
| JPH01248150A (ja) | 潜像の形成方法 | |
| KR20000009753A (ko) | 림 타입 위상 반전 마스크의 제조방법 |