JPH05234882A - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置Info
- Publication number
- JPH05234882A JPH05234882A JP4034741A JP3474192A JPH05234882A JP H05234882 A JPH05234882 A JP H05234882A JP 4034741 A JP4034741 A JP 4034741A JP 3474192 A JP3474192 A JP 3474192A JP H05234882 A JPH05234882 A JP H05234882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ozone
- surface treatment
- flow rate
- treatment equipment
- highly reliable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】オゾンを利用する表面処理装置、特に、オゾン
供給配管系をウルトラクリーン仕様とする必要のある表
面処理装置において、オゾンによる酸化腐食劣化を生じ
ることなく長期に亘って安定したオゾンの流量設定制御
ができる、信頼性の高い表面処理装置を提供する。 【構成】オゾン使用機器へ供給するオゾンを、系統毎に
オゾン原料ガスの流量制御機構をオゾン発生装置配管系
のオゾン発生位置の上流に設置する。 【効果】流量設定制御手段はオゾンによる酸化腐食劣化
を全く受けることがないので、信頼性の高いオゾン表面
処理装置を実現できる。
供給配管系をウルトラクリーン仕様とする必要のある表
面処理装置において、オゾンによる酸化腐食劣化を生じ
ることなく長期に亘って安定したオゾンの流量設定制御
ができる、信頼性の高い表面処理装置を提供する。 【構成】オゾン使用機器へ供給するオゾンを、系統毎に
オゾン原料ガスの流量制御機構をオゾン発生装置配管系
のオゾン発生位置の上流に設置する。 【効果】流量設定制御手段はオゾンによる酸化腐食劣化
を全く受けることがないので、信頼性の高いオゾン表面
処理装置を実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、オゾンの反応性を利用
して各種の処理を行う表面処理装置に関わり、特に半導
体などの固体表面にオゾン系反応ガスを供給して表面反
応させ、アッシング、エッチング、皮膜形成、洗浄など
を行う表面処理装置に関するものである。
して各種の処理を行う表面処理装置に関わり、特に半導
体などの固体表面にオゾン系反応ガスを供給して表面反
応させ、アッシング、エッチング、皮膜形成、洗浄など
を行う表面処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、オゾンを含む反応ガスと紫外線を
用いる表面処理装置の一つであるＵＶ／オゾン方式のレ
ジストアッシング装置や、オゾンを含む反応ガスのみを
用いる表面処理装置の一つであるオゾン方式のレジスト
アッシング装置では、スループット向上のためや処理の
バリエーション拡大のために２系統以上の反応処理室を
設ける事例が多い。この場合、オゾン発生源から表面処
理装置へ供給されるオゾンは１系統のみであり、これを
表面処理装置の本体内部の配管で分岐し、かつ系統ごと
に設けた流量調整手段で供給流量を調整して必要流量を
各使用点へ分配供給している。この場合の流量調整手段
はニードル弁とフロート式流量計の組合せで構成してお
り、部品の材料はオゾン含有ガスに対して耐食性の高い
四フッ化エチレン系の有機材料やサファイア等の無機材
料が多く使用されている。
用いる表面処理装置の一つであるＵＶ／オゾン方式のレ
ジストアッシング装置や、オゾンを含む反応ガスのみを
用いる表面処理装置の一つであるオゾン方式のレジスト
アッシング装置では、スループット向上のためや処理の
バリエーション拡大のために２系統以上の反応処理室を
設ける事例が多い。この場合、オゾン発生源から表面処
理装置へ供給されるオゾンは１系統のみであり、これを
表面処理装置の本体内部の配管で分岐し、かつ系統ごと
に設けた流量調整手段で供給流量を調整して必要流量を
各使用点へ分配供給している。この場合の流量調整手段
はニードル弁とフロート式流量計の組合せで構成してお
り、部品の材料はオゾン含有ガスに対して耐食性の高い
四フッ化エチレン系の有機材料やサファイア等の無機材
料が多く使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、次
のような問題がある。
のような問題がある。
【０００４】最近、半導体製造プロセスにおける超クリ
ーン化の一貫として、半導体製造装置のプロセスガスの
配管仕様のグレードが一段と高まり、ウルトラクリーン
仕様の採用が要求されるようになってきている。ウルト
ラクリーン仕様の配管部品は通常、内面が高精度に鏡面
研磨され、更に、ガス溜りの最小化、外部リークフリ
ー、パーティクルフリー等の工夫が施されている。尚、
現状ではウルトラクリーン仕様を満足した機器や部品の
品種が限られており、オゾン処理装置のオゾン配管にウ
ルトラクリーン仕様を適用する場合の、オゾンを系統別
に分配する際の流量計測手段はマスフローコントローラ
に限られている。しかし、酸化腐食性の強いオゾンをマ
スフローコントローラで流量計測制御すると、計測セン
サが数か月程度の短期間で腐食して機能しなくなるた
め、実用できないことを確認した。勿論、フロート式流
量計は異物が発生しやすいのでウルトラクリーン仕様を
満足できるものはない。
ーン化の一貫として、半導体製造装置のプロセスガスの
配管仕様のグレードが一段と高まり、ウルトラクリーン
仕様の採用が要求されるようになってきている。ウルト
ラクリーン仕様の配管部品は通常、内面が高精度に鏡面
研磨され、更に、ガス溜りの最小化、外部リークフリ
ー、パーティクルフリー等の工夫が施されている。尚、
現状ではウルトラクリーン仕様を満足した機器や部品の
品種が限られており、オゾン処理装置のオゾン配管にウ
ルトラクリーン仕様を適用する場合の、オゾンを系統別
に分配する際の流量計測手段はマスフローコントローラ
に限られている。しかし、酸化腐食性の強いオゾンをマ
スフローコントローラで流量計測制御すると、計測セン
サが数か月程度の短期間で腐食して機能しなくなるた
め、実用できないことを確認した。勿論、フロート式流
量計は異物が発生しやすいのでウルトラクリーン仕様を
満足できるものはない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に次の手段を用いる。
に次の手段を用いる。
【０００６】オゾン発生においては、通常、原料として
酸素（もしくは空気）が使用されている。そこで酸素の
段階で、供給の必要な系統へ配管を分岐し、次いで、各
系統毎にオゾンの流量等の調整を行い、その後にオゾン
発生手段でオゾンを生成し、発生したオゾンを使用箇所
へ配管を経由して供給する。
酸素（もしくは空気）が使用されている。そこで酸素の
段階で、供給の必要な系統へ配管を分岐し、次いで、各
系統毎にオゾンの流量等の調整を行い、その後にオゾン
発生手段でオゾンを生成し、発生したオゾンを使用箇所
へ配管を経由して供給する。
【０００７】
【作用】上記の構成にすると、オゾンの流量設定制御
は、原料である酸素の段階で済ませてしまうので、オゾ
ンによる酸化腐食劣化を全く受けることがない。従って
信頼性の高い装置を実現できる。
は、原料である酸素の段階で済ませてしまうので、オゾ
ンによる酸化腐食劣化を全く受けることがない。従って
信頼性の高い装置を実現できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。
る。
【０００９】先ず、本実施例の装置構成を説明する。オ
ゾンの原料となる酸素を、ガス供給源１より配管２でオ
ゾン発生機３に供給し、内部で分岐配管４で２系統に分
岐する。尚、以降の下流側配管路では、１系統の構成用
件番号にはａを、別の１系統のそれにはｂを付して区別
する。分配された酸素は、流量制御手段５ａ、圧力検出
手段６ａを経てオゾン発生手段７ａ、更に可変絞り弁８
ａを経てオゾン発生機３を出て、配管１０ａで表面処理
装置２０内部の切替弁１１ａ、処理室１２ａへ至る。排
気は排気管１３、オゾン分解器１４、排気ダクト１５へ
と導く。ｂを付した系統もａを付した系統と同様につき
説明を省く。被処理物２１は、搬送手段２２でキャリア
２３、２４から処理室１２ａ、１２ｂへ供給される。
尚、ガス供給源１から処理室１２ａ、１２ｂまでの配管
系にはウルトラクリーン仕様を満足した部品類を採用し
ている。
ゾンの原料となる酸素を、ガス供給源１より配管２でオ
ゾン発生機３に供給し、内部で分岐配管４で２系統に分
岐する。尚、以降の下流側配管路では、１系統の構成用
件番号にはａを、別の１系統のそれにはｂを付して区別
する。分配された酸素は、流量制御手段５ａ、圧力検出
手段６ａを経てオゾン発生手段７ａ、更に可変絞り弁８
ａを経てオゾン発生機３を出て、配管１０ａで表面処理
装置２０内部の切替弁１１ａ、処理室１２ａへ至る。排
気は排気管１３、オゾン分解器１４、排気ダクト１５へ
と導く。ｂを付した系統もａを付した系統と同様につき
説明を省く。被処理物２１は、搬送手段２２でキャリア
２３、２４から処理室１２ａ、１２ｂへ供給される。
尚、ガス供給源１から処理室１２ａ、１２ｂまでの配管
系にはウルトラクリーン仕様を満足した部品類を採用し
ている。
【００１０】次に、その作用を説明する。原料酸素は流
量制御手段５ａで設定流量に制御される。オゾン発生手
段７ａの内圧は、圧力検出手段６ａ、可変絞り弁８ａ及
び図示を省略した制御系により、一定値に制御されるの
で、安定してオゾンを生成できる。発生したオゾンは、
既に処理に必要な流量に調整済であるため、単に配管１
０ａで処理室１２ａへ供給するのみでよい。処理室１２
ａで処理に使用したガスは排気管１３からオゾン分解器
１４へ送り、無害化した後排気ダクト１５へと導く。切
替弁１１ａは、処理室１２ａでの処理を中断する場合に
バイパス配管へガスの流路を切り替える場合に使用す
る。
量制御手段５ａで設定流量に制御される。オゾン発生手
段７ａの内圧は、圧力検出手段６ａ、可変絞り弁８ａ及
び図示を省略した制御系により、一定値に制御されるの
で、安定してオゾンを生成できる。発生したオゾンは、
既に処理に必要な流量に調整済であるため、単に配管１
０ａで処理室１２ａへ供給するのみでよい。処理室１２
ａで処理に使用したガスは排気管１３からオゾン分解器
１４へ送り、無害化した後排気ダクト１５へと導く。切
替弁１１ａは、処理室１２ａでの処理を中断する場合に
バイパス配管へガスの流路を切り替える場合に使用す
る。
【００１１】尚、本実施例は供給系統数が２系統の場合
を示しているが、更に系統数が増えた場合でも同様であ
ることは言うまでもない。
を示しているが、更に系統数が増えた場合でも同様であ
ることは言うまでもない。
【００１２】上記の通り、本実施例によれば、オゾン流
量制御手段はオゾンに触れることがないので腐食の恐れ
は解消でき、ウルトラクリーン仕様の配管系を実現し
た、信頼性の高いシステムを提供できる。これに加え
て、オゾン発生機３のオゾン発生制御が系統毎に独立し
て実施できるので、処理室毎に適切なオゾン供給条件、
例えばオゾン流量、オゾン濃度、オゾン圧力等を個別に
設定し処理することも併せ実現できるので、更に多様な
プロセスを構築できる効果も有する。
量制御手段はオゾンに触れることがないので腐食の恐れ
は解消でき、ウルトラクリーン仕様の配管系を実現し
た、信頼性の高いシステムを提供できる。これに加え
て、オゾン発生機３のオゾン発生制御が系統毎に独立し
て実施できるので、処理室毎に適切なオゾン供給条件、
例えばオゾン流量、オゾン濃度、オゾン圧力等を個別に
設定し処理することも併せ実現できるので、更に多様な
プロセスを構築できる効果も有する。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、オゾン流量の設定制御
は、原料ガスである酸素の段階で実施する。従って、流
量設定制御手段はオゾンによる酸化腐食劣化を全く受け
ることがないので、配管系には現状のウルトラクリーン
仕様の市販部品をそのまま使用できる。その結果、信頼
性の高いオゾン表面処理装置を実現できる効果が得られ
る。また、処理室毎に適切なオゾン供給条件を個別に設
定し処理できるので、更に多様なプロセスを構築できる
使い勝手の良い装置を提供できる効果も有する。
は、原料ガスである酸素の段階で実施する。従って、流
量設定制御手段はオゾンによる酸化腐食劣化を全く受け
ることがないので、配管系には現状のウルトラクリーン
仕様の市販部品をそのまま使用できる。その結果、信頼
性の高いオゾン表面処理装置を実現できる効果が得られ
る。また、処理室毎に適切なオゾン供給条件を個別に設
定し処理できるので、更に多様なプロセスを構築できる
使い勝手の良い装置を提供できる効果も有する。
【図１】本発明の一実施例の表面処理装置の配管構成図
である。
である。
１…ガス供給源， ２…オゾン発生機， ５ａ，５ｂ…流量制御手段， ６ａ，６ｂ…圧力検出手段， ７ａ，７ｂ…オゾン発生手段， ８ａ，８ｂ…可変絞り弁， １２ａ，１２ｂ…処理室
Claims (1)
- 【請求項１】オゾンを含有するガスを接触反応させて処
理を行う表面処理装置において、 ２系統以上のオゾン使用部位へ供給するオゾンを、系統
毎にオゾン原料ガスの流量制御機構をオゾン発生装置配
管系のオゾン発生位置の上流に設置したことを特徴とす
る表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4034741A JPH05234882A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4034741A JPH05234882A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234882A true JPH05234882A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12422750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4034741A Pending JPH05234882A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234882A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1108468A1 (en) * | 1999-12-17 | 2001-06-20 | IPS Ltd | Thin film deposition apparatus |
| KR20010066610A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 황인길 | 습식공정장치의 오존점검장치 |
-
1992
- 1992-02-21 JP JP4034741A patent/JPH05234882A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1108468A1 (en) * | 1999-12-17 | 2001-06-20 | IPS Ltd | Thin film deposition apparatus |
| US6740166B2 (en) | 1999-12-17 | 2004-05-25 | Ips, Ltd. | Thin film deposition apparatus for semiconductor |
| KR20010066610A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 황인길 | 습식공정장치의 오존점검장치 |
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