JPH05235191A - 樹脂封止型半導体装置とその実装方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置とその実装方法Info
- Publication number
- JPH05235191A JPH05235191A JP7016692A JP7016692A JPH05235191A JP H05235191 A JPH05235191 A JP H05235191A JP 7016692 A JP7016692 A JP 7016692A JP 7016692 A JP7016692 A JP 7016692A JP H05235191 A JPH05235191 A JP H05235191A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- resin
- mounting
- infrared
- circuit board
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- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 実装時にリフロー熱により樹脂パッケージに
熱ストレスがかかるのを防ぐ。 【構成】 ４方向フラットパッケージタイプに樹脂封止
された半導体装置２の封止樹脂の表面のうち、実装時に
回路基板と対向する面とは反対側の表面の全面又はマー
ク８を除く部分に赤外線反射膜６が形成されている。赤
外線反射膜６は金属光沢をもつ塗料やマーキング用イン
キなどを塗布したものである。
熱ストレスがかかるのを防ぐ。 【構成】 ４方向フラットパッケージタイプに樹脂封止
された半導体装置２の封止樹脂の表面のうち、実装時に
回路基板と対向する面とは反対側の表面の全面又はマー
ク８を除く部分に赤外線反射膜６が形成されている。赤
外線反射膜６は金属光沢をもつ塗料やマーキング用イン
キなどを塗布したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置
で、特にフラットパッケージなどの表面実装型と称され
る形式の樹脂封止型半導体装置と、その半導体装置を回
路基板に実装する実装方法に関するものである。
で、特にフラットパッケージなどの表面実装型と称され
る形式の樹脂封止型半導体装置と、その半導体装置を回
路基板に実装する実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置を搭載した機器の
小型化が進み、より高密度な実装を行なうために、樹脂
封止された半導体装置は外部リードを回路基板のスルー
ホールに挿入するＤＩＰタイプの基板挿入型から、回路
基板表面の配線パターンと半田付け接続される表面実装
型へと移行しつつある。実装方法は基板挿入型では回路
基板の裏面側から加熱するリフローソルダリング方式が
採られるが、表面実装型では半導体装置側から加熱する
赤外線リフロー方式が採られる。基板挿入型半導体装置
でリフローソルダリング方式で実装する場合には、回路
基板の裏側から加熱されるため、半田付けのための熱
（約２３０℃）は直接半導体装置には加わらず、外部リ
ードのみに加わることになる。しかし、表面実装方式で
は半田付けされる外部リードとともに半導体装置自体も
表面側から加熱されるため、半導体装置に加わる熱スト
レスによりパッケージの樹脂にクラックが発生するな
ど、信頼性上の問題が生じる。
小型化が進み、より高密度な実装を行なうために、樹脂
封止された半導体装置は外部リードを回路基板のスルー
ホールに挿入するＤＩＰタイプの基板挿入型から、回路
基板表面の配線パターンと半田付け接続される表面実装
型へと移行しつつある。実装方法は基板挿入型では回路
基板の裏面側から加熱するリフローソルダリング方式が
採られるが、表面実装型では半導体装置側から加熱する
赤外線リフロー方式が採られる。基板挿入型半導体装置
でリフローソルダリング方式で実装する場合には、回路
基板の裏側から加熱されるため、半田付けのための熱
（約２３０℃）は直接半導体装置には加わらず、外部リ
ードのみに加わることになる。しかし、表面実装方式で
は半田付けされる外部リードとともに半導体装置自体も
表面側から加熱されるため、半導体装置に加わる熱スト
レスによりパッケージの樹脂にクラックが発生するな
ど、信頼性上の問題が生じる。
【０００３】そこで、表面実装型半導体装置のそのよう
な問題を解決するために、回路基板に半導体装置を位置
合わせして赤外線リフロー炉を通す際に、半導体装置の
上面にリフロー熱から半導体装置を保護するための遮蔽
物を置く方法が提案されている（特開平３−１４２８８
号公報や特開平３−１０４１８６号公報を参照）。
な問題を解決するために、回路基板に半導体装置を位置
合わせして赤外線リフロー炉を通す際に、半導体装置の
上面にリフロー熱から半導体装置を保護するための遮蔽
物を置く方法が提案されている（特開平３−１４２８８
号公報や特開平３−１０４１８６号公報を参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】提案された方法のよう
に、実装時に半導体装置のパッケージ表面にかかる熱ス
トレスを除くために熱遮蔽板を設ける方法は、回路基板
ごとに遮蔽板を製作したり、半導体装置毎に熱遮蔽板を
取りつける工程が必要となり、無駄な部材が増えるとと
もに工程数も多くなる問題がある。本発明は表面実装型
半導体装置にリフロー熱が作用することによる問題を解
決し、かつ生産性も下げず、コストを大幅に上げないで
実現する半導体装置とその実装方法を提供することを目
的とするものである。
に、実装時に半導体装置のパッケージ表面にかかる熱ス
トレスを除くために熱遮蔽板を設ける方法は、回路基板
ごとに遮蔽板を製作したり、半導体装置毎に熱遮蔽板を
取りつける工程が必要となり、無駄な部材が増えるとと
もに工程数も多くなる問題がある。本発明は表面実装型
半導体装置にリフロー熱が作用することによる問題を解
決し、かつ生産性も下げず、コストを大幅に上げないで
実現する半導体装置とその実装方法を提供することを目
的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の表面実装型の樹
脂封止型半導体装置では、封止樹脂表面のうち実装時に
回路基板に対向する表面とは反対側の表面に赤外線反射
膜を形成しておく。本発明の実装方法では、所定の位置
に半田層が形成された回路基板上に、赤外線反射膜の形
成された上記の半導体装置を配置し、この半導体装置上
から赤外線を照射する。赤外線反射膜は実装時に回路基
板に対向する表面とは反対側の表面に全面に形成しても
よく、封止樹脂表面へのマーキング工程において封止樹
脂表面でマークを除く部分に塗布してもよい。
脂封止型半導体装置では、封止樹脂表面のうち実装時に
回路基板に対向する表面とは反対側の表面に赤外線反射
膜を形成しておく。本発明の実装方法では、所定の位置
に半田層が形成された回路基板上に、赤外線反射膜の形
成された上記の半導体装置を配置し、この半導体装置上
から赤外線を照射する。赤外線反射膜は実装時に回路基
板に対向する表面とは反対側の表面に全面に形成しても
よく、封止樹脂表面へのマーキング工程において封止樹
脂表面でマークを除く部分に塗布してもよい。
【０００６】
【作用】封止樹脂表面のうち実装時に回路基板に対向す
る表面とは反対側の表面に赤外線反射膜を形成しておく
ことにより、実装時に赤外線がその反射膜で反射されて
封止樹脂の加熱が抑えられる。
る表面とは反対側の表面に赤外線反射膜を形成しておく
ことにより、実装時に赤外線がその反射膜で反射されて
封止樹脂の加熱が抑えられる。
【０００７】
【実施例】図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ実施例を表わ
す。図１（Ａ）において、４方向フラットパッケージタ
イプに樹脂封止された半導体装置２の４つの側方から外
部リード４が突出し、図で下側方向にくる回路基板上に
表面実装される。封止樹脂２の表面のうち、実装時に回
路基板と対向する面とは反対側の表面の全面に赤外線反
射膜６が形成されている。赤外線反射膜６は金属光沢を
もつ塗料やマーキングに用いられるマークインキ（シル
バー）などを塗布したものである。赤外線反射膜６は蒸
着法やスパッタリング法により形成してもよい。
す。図１（Ａ）において、４方向フラットパッケージタ
イプに樹脂封止された半導体装置２の４つの側方から外
部リード４が突出し、図で下側方向にくる回路基板上に
表面実装される。封止樹脂２の表面のうち、実装時に回
路基板と対向する面とは反対側の表面の全面に赤外線反
射膜６が形成されている。赤外線反射膜６は金属光沢を
もつ塗料やマーキングに用いられるマークインキ（シル
バー）などを塗布したものである。赤外線反射膜６は蒸
着法やスパッタリング法により形成してもよい。
【０００８】図１（Ｂ）では、赤外線が照射される側の
封止樹脂表面にマーク８が形成されている。このマーク
８は、マーク８以外の部分にマークインキを塗布するこ
とによって形成されたものである。したがって、赤外線
が照射される側の封止樹脂表面のうち、マーク８以外の
部分は赤外線反射膜６で被われている。赤外線が照射さ
れる側の封止樹脂表面の面積のうち、マーク８の占める
面積の割合は一般にはごく小さいものであるので、マー
ク８の部分では封止樹脂に赤外線が入射するが、封止樹
脂全体の受ける熱ストレスは軽微なものである。（Ｂ）
のように赤外線反射膜６をマーキング工程で形成するこ
とにより、マーキング工程をこの赤外線反射膜６の形成
工程と兼ねることができるため、工程数が増えない利点
がある。
封止樹脂表面にマーク８が形成されている。このマーク
８は、マーク８以外の部分にマークインキを塗布するこ
とによって形成されたものである。したがって、赤外線
が照射される側の封止樹脂表面のうち、マーク８以外の
部分は赤外線反射膜６で被われている。赤外線が照射さ
れる側の封止樹脂表面の面積のうち、マーク８の占める
面積の割合は一般にはごく小さいものであるので、マー
ク８の部分では封止樹脂に赤外線が入射するが、封止樹
脂全体の受ける熱ストレスは軽微なものである。（Ｂ）
のように赤外線反射膜６をマーキング工程で形成するこ
とにより、マーキング工程をこの赤外線反射膜６の形成
工程と兼ねることができるため、工程数が増えない利点
がある。
【０００９】図２は図１の実施例の半導体装置を実装す
る工程を示したものである。プリント配線基板などの回
路基板１０の配線パターン１２上にクリーム半田１４を
スクリーン印刷などの方法により塗布する。半田付けさ
れる側と反対側の封止樹脂表面に赤外線反射膜６が形成
された本発明の半導体装置２を、外部リード４の半田付
けされる部分が配線パターン１２上のクリーム半田１４
上にくるように位置合わせをして配置する。この状態
で、又はさらに半導体装置２を回路基板１０に仮りに固
着した状態として、赤外線リフロー炉に通す。１６は赤
外線リフロー炉の赤外線ヒータである。
る工程を示したものである。プリント配線基板などの回
路基板１０の配線パターン１２上にクリーム半田１４を
スクリーン印刷などの方法により塗布する。半田付けさ
れる側と反対側の封止樹脂表面に赤外線反射膜６が形成
された本発明の半導体装置２を、外部リード４の半田付
けされる部分が配線パターン１２上のクリーム半田１４
上にくるように位置合わせをして配置する。この状態
で、又はさらに半導体装置２を回路基板１０に仮りに固
着した状態として、赤外線リフロー炉に通す。１６は赤
外線リフロー炉の赤外線ヒータである。
【００１０】赤外線ヒータ１６からの赤外線は外部リー
ド４を加熱してクリーム半田１４を溶かし、外部リード
４と配線パターン１２の間を半田付け接続する。半導体
装置２の封止樹脂に照射された赤外線が赤外線反射膜６
で反射されることにより、封止樹脂は加熱されにくく、
封止樹脂に加わる熱ストレスが抑えられる。
ド４を加熱してクリーム半田１４を溶かし、外部リード
４と配線パターン１２の間を半田付け接続する。半導体
装置２の封止樹脂に照射された赤外線が赤外線反射膜６
で反射されることにより、封止樹脂は加熱されにくく、
封止樹脂に加わる熱ストレスが抑えられる。
【００１１】
【発明の効果】本発明は半導体装置の封止樹脂の表面に
赤外線反射膜を形成したので、表面実装方式で半田リフ
ローにより半導体装置を回路基板に実装する際、半導体
装置が受ける熱ストレスをその赤外線反射膜による赤外
線の反射により緩和することができ、封止樹脂にクラッ
クが発生するなどの問題を除くことができ、信頼性の高
い半導体装置となる。
赤外線反射膜を形成したので、表面実装方式で半田リフ
ローにより半導体装置を回路基板に実装する際、半導体
装置が受ける熱ストレスをその赤外線反射膜による赤外
線の反射により緩和することができ、封止樹脂にクラッ
クが発生するなどの問題を除くことができ、信頼性の高
い半導体装置となる。
【００１２】本発明は半導体装置のパッケージ表面に赤
外線反射膜を塗布などの方法で形成したものであるの
で、実装の際に半導体装置ごとにアルミニウム板などの
赤外線反射板を取りつける方法に比べて実装工程の工程
数が増えず、大幅なコスト高を招かない。赤外線反射膜
をマーキング工程でマーキングと同時に形成すれば、工
程数の増加がなく、コスト高を招かずに実施することが
できる。
外線反射膜を塗布などの方法で形成したものであるの
で、実装の際に半導体装置ごとにアルミニウム板などの
赤外線反射板を取りつける方法に比べて実装工程の工程
数が増えず、大幅なコスト高を招かない。赤外線反射膜
をマーキング工程でマーキングと同時に形成すれば、工
程数の増加がなく、コスト高を招かずに実施することが
できる。
【図１】本発明の実施例を示す図であり、（Ａ）、
（Ｂ）はそれぞれ異なる実施例を示す斜視図である。
（Ｂ）はそれぞれ異なる実施例を示す斜視図である。
【図２】本発明の実装方法を示す側面断面図である。
２ 樹脂封止された半導体装置 ４ 外部リード ６ 赤外線反射膜 ８ マーク １０ 回路基板 １２ 回路基板の配線パターン １４ クリーム半田 １６ 赤外線ヒータ
Claims (3)
- 【請求項１】 表面実装型の樹脂封止型半導体装置であ
って、封止樹脂表面のうち実装時に回路基板に対向する
表面とは反対側の表面に赤外線反射膜が形成されている
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 表面実装型の樹脂封止型半導体装置の封
止樹脂表面のうち実装時に回路基板に対向する表面とは
反対側の表面に赤外線反射膜を形成し、所定の位置に半
田層が形成された回路基板上にこの半導体装置を配置
し、この半導体装置上から赤外線を照射することを特徴
とする半田リフロー方式の実装方法。 - 【請求項３】 前記赤外線反射膜の形成は、封止樹脂表
面へのマーキング工程において、封止樹脂表面でマーク
を除く部分に赤外線反射材料を塗布することにより行な
う請求項２に記載の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7016692A JPH05235191A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 樹脂封止型半導体装置とその実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7016692A JPH05235191A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 樹脂封止型半導体装置とその実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235191A true JPH05235191A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=13423694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7016692A Pending JPH05235191A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 樹脂封止型半導体装置とその実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235191A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6121070A (en) * | 1996-12-03 | 2000-09-19 | Micron Technology, Inc. | Flip chip down-bond: method and apparatus |
| JP2014204162A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電発振器及び圧電デバイス |
| US11837554B2 (en) | 2020-03-17 | 2023-12-05 | Kioxia Corporation | Semiconductor package and semiconductor device |
-
1992
- 1992-02-19 JP JP7016692A patent/JPH05235191A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6121070A (en) * | 1996-12-03 | 2000-09-19 | Micron Technology, Inc. | Flip chip down-bond: method and apparatus |
| US6144101A (en) * | 1996-12-03 | 2000-11-07 | Micron Technology, Inc. | Flip chip down-bond: method and apparatus |
| JP2014204162A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電発振器及び圧電デバイス |
| US11837554B2 (en) | 2020-03-17 | 2023-12-05 | Kioxia Corporation | Semiconductor package and semiconductor device |
| US12431439B2 (en) | 2020-03-17 | 2025-09-30 | Kioxia Corporation | Semiconductor package and semiconductor device |
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