JPH0523530A - ガス吸収方法および装置 - Google Patents
ガス吸収方法および装置Info
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- JPH0523530A JPH0523530A JP3201050A JP20105091A JPH0523530A JP H0523530 A JPH0523530 A JP H0523530A JP 3201050 A JP3201050 A JP 3201050A JP 20105091 A JP20105091 A JP 20105091A JP H0523530 A JPH0523530 A JP H0523530A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 吸収剤による排ガス中の有害ガスの吸収反応
を総合的に且つ安定的に持続させ、吸収効率の低下を防
止する。 【構成】 焼却炉１から排出される排ガスは、冷却等に
よって冷却されてから前段吸収反応部３に入る。前段反
応部３には、吸収剤サイロ５内の吸収剤が定量供給装置
６により切り出されながら供給部４から供給される。前
段吸収反応部３内では、排ガス中の有害ガスと吸収剤が
ある程度反応する。バグフイルタ８の濾布９により吸収
反応した排ガスが除塵処理される。濾布９の表面の粉体
層では未反応の吸収剤と有害ガスとが吸収反応する。濾
布９には差圧センサー１４および粉体払い落とし装置１
５が設けられている。差圧センサー１４の検出値が設定
値に一致した時に吸収剤の供給量を増加させる指令信号
が装置Ｂから定量供給装置６に送られる。増加量や供給
時間は装置Ｃにより設定される。
を総合的に且つ安定的に持続させ、吸収効率の低下を防
止する。 【構成】 焼却炉１から排出される排ガスは、冷却等に
よって冷却されてから前段吸収反応部３に入る。前段反
応部３には、吸収剤サイロ５内の吸収剤が定量供給装置
６により切り出されながら供給部４から供給される。前
段吸収反応部３内では、排ガス中の有害ガスと吸収剤が
ある程度反応する。バグフイルタ８の濾布９により吸収
反応した排ガスが除塵処理される。濾布９の表面の粉体
層では未反応の吸収剤と有害ガスとが吸収反応する。濾
布９には差圧センサー１４および粉体払い落とし装置１
５が設けられている。差圧センサー１４の検出値が設定
値に一致した時に吸収剤の供給量を増加させる指令信号
が装置Ｂから定量供給装置６に送られる。増加量や供給
時間は装置Ｃにより設定される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、都市ゴミの焼却炉から
排出される排ガスや、石炭焚ボイラから排出される排ガ
スの中に含まれる塩化水素や硫黄酸化物等の有害ガスを
吸収するガス吸収方法および装置に関する。
排出される排ガスや、石炭焚ボイラから排出される排ガ
スの中に含まれる塩化水素や硫黄酸化物等の有害ガスを
吸収するガス吸収方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のガス吸収装置としては、
吸収剤の供給部と前段吸収反応部、および後段吸収反応
部と除塵部とを兼ねたバグフィルタ、の組合せによるも
のが広く使用されている。
吸収剤の供給部と前段吸収反応部、および後段吸収反応
部と除塵部とを兼ねたバグフィルタ、の組合せによるも
のが広く使用されている。
【０００３】図３は、従来のガス吸収装置の代表例とし
て、都市ゴミの焼却炉から排出される排ガス中の有害ガ
スを吸収処理する装置を示す。図３に於いて、焼却炉１
から排出される排ガスは、冷却塔２によって冷却されて
から前段吸収反応部３に入る。この前段吸収反応部３の
内部には吸収剤を供給する供給部４が設置されている。
この吸収剤は、吸収剤サイロ５内に貯蔵されており、こ
の吸収剤サイロ５の下部からロータリバルブやテーブル
フィーダ等の定量供給装置６によって切り出され、吹き
込みブロワー７によって上記供給部４へ空気輸送され
る。上記前段吸収反応部３の内部では、供給部４から供
給された吸収剤と、上記排ガス中の有害ガスとが、ある
程度反応する、いわゆる前段吸収反応が行われる。この
前段吸収反応部３から送り出される排ガス中には、前記
焼却炉１で発生したダスト、前段吸収反応部３で発生し
た反応生成物および未反応の吸収剤が含まれている。こ
の排ガスはバグフィルタ８に入り、その中に設置されて
いる濾布９を通過する際に除塵される。濾布９では、前
記除塵とともに未反応の吸収剤と排ガス中の有害ガスと
が反応する、いわゆる後段吸収反応が行われる。ガス吸
収と除塵処理された排ガスは、バグフィルタ８から送り
出された後、誘引送風機１０を経て煙突１１から大気中
に排出される。
て、都市ゴミの焼却炉から排出される排ガス中の有害ガ
スを吸収処理する装置を示す。図３に於いて、焼却炉１
から排出される排ガスは、冷却塔２によって冷却されて
から前段吸収反応部３に入る。この前段吸収反応部３の
内部には吸収剤を供給する供給部４が設置されている。
この吸収剤は、吸収剤サイロ５内に貯蔵されており、こ
の吸収剤サイロ５の下部からロータリバルブやテーブル
フィーダ等の定量供給装置６によって切り出され、吹き
込みブロワー７によって上記供給部４へ空気輸送され
る。上記前段吸収反応部３の内部では、供給部４から供
給された吸収剤と、上記排ガス中の有害ガスとが、ある
程度反応する、いわゆる前段吸収反応が行われる。この
前段吸収反応部３から送り出される排ガス中には、前記
焼却炉１で発生したダスト、前段吸収反応部３で発生し
た反応生成物および未反応の吸収剤が含まれている。こ
の排ガスはバグフィルタ８に入り、その中に設置されて
いる濾布９を通過する際に除塵される。濾布９では、前
記除塵とともに未反応の吸収剤と排ガス中の有害ガスと
が反応する、いわゆる後段吸収反応が行われる。ガス吸
収と除塵処理された排ガスは、バグフィルタ８から送り
出された後、誘引送風機１０を経て煙突１１から大気中
に排出される。
【０００４】図３に示す処理工程でのガス吸収には、一
般的な吸収剤として消石灰が使用され、主に次の吸収反
応が行われる。 ２ＨＣｌ＋Ｃａ（ＯＨ）2 → ＣａＣｌ2＋２Ｈ2Ｏ ＳＯ3＋Ｃａ（ＯＨ）2 → ＣａＳＯ4＋Ｈ2Ｏ ＳＯ2＋Ｃａ（ＯＨ）2 → ＣａＳＯ3＋Ｈ2Ｏ これらの反応は、上述のように前段吸収反応部および後
段吸収反応部で行われるが、前段吸収反応部で十分な反
応時間がとれない場合には、主に後段吸収反応部で行わ
れる。
般的な吸収剤として消石灰が使用され、主に次の吸収反
応が行われる。 ２ＨＣｌ＋Ｃａ（ＯＨ）2 → ＣａＣｌ2＋２Ｈ2Ｏ ＳＯ3＋Ｃａ（ＯＨ）2 → ＣａＳＯ4＋Ｈ2Ｏ ＳＯ2＋Ｃａ（ＯＨ）2 → ＣａＳＯ3＋Ｈ2Ｏ これらの反応は、上述のように前段吸収反応部および後
段吸収反応部で行われるが、前段吸収反応部で十分な反
応時間がとれない場合には、主に後段吸収反応部で行わ
れる。
【０００５】また、図４のように前段吸収反応部を設け
ず、ダクト３′に吸収剤を直接供給する場合は、ほとん
どの反応は後段吸収反応部で行われる。この後段吸収反
応は図５に示すように、主に濾布９の表面に形成される
粉体層１２で行われる。この粉体層１２は、ダストや反
応生成物や未反応吸収剤で構成される粉体層１２ａと、
未反応吸収剤をほとんど含まない粉体層１２ｂとに分け
られる。粉体層１２ｂは、濾布９の表面に複雑に絡み合
った粉体層であり、バグフィルタのエアーパルスや逆洗
による払い落とし操作では払い落としされずに常に濾布
９の表面に付着している。そのため、この粉体層１２ｂ
中に当初含まれていた未反応吸収剤は、運転経過ととも
に排ガスと反応して反応生成物を生ずるので、未反応の
吸収剤は含まれなくなる。
ず、ダクト３′に吸収剤を直接供給する場合は、ほとん
どの反応は後段吸収反応部で行われる。この後段吸収反
応は図５に示すように、主に濾布９の表面に形成される
粉体層１２で行われる。この粉体層１２は、ダストや反
応生成物や未反応吸収剤で構成される粉体層１２ａと、
未反応吸収剤をほとんど含まない粉体層１２ｂとに分け
られる。粉体層１２ｂは、濾布９の表面に複雑に絡み合
った粉体層であり、バグフィルタのエアーパルスや逆洗
による払い落とし操作では払い落としされずに常に濾布
９の表面に付着している。そのため、この粉体層１２ｂ
中に当初含まれていた未反応吸収剤は、運転経過ととも
に排ガスと反応して反応生成物を生ずるので、未反応の
吸収剤は含まれなくなる。
【０００６】一方、粉体層１２ａはバグフィルタの上記
払い落とし操作により払い落とされる粉体層である。従
って、図６に示すように、未反応の吸収剤を含む粉体層
１２ａは、払い落とし直後は、濾布９の表面には存在し
ない。このため、払い落とし直後は、吸収反応に寄与す
る粉体層１２ａが形成されるまで吸収効率が低下すると
いう問題点があった。
払い落とし操作により払い落とされる粉体層である。従
って、図６に示すように、未反応の吸収剤を含む粉体層
１２ａは、払い落とし直後は、濾布９の表面には存在し
ない。このため、払い落とし直後は、吸収反応に寄与す
る粉体層１２ａが形成されるまで吸収効率が低下すると
いう問題点があった。
【０００７】さらに、表面に微細な多孔質体のポリ四フ
ッ化エチレンをラミネートした濾布９を使用した場合、
このラミネートにより粉体の濾布への付着性は著しく低
減され、払い落とし直後は、すべての粉体層１２が濾布
９の表面から無くなることになる。この場合も、払い落
とし直後は、吸収反応に寄与する粉体層１２ａが形成さ
れるまで、吸収効率が低下するという問題点があった。
ッ化エチレンをラミネートした濾布９を使用した場合、
このラミネートにより粉体の濾布への付着性は著しく低
減され、払い落とし直後は、すべての粉体層１２が濾布
９の表面から無くなることになる。この場合も、払い落
とし直後は、吸収反応に寄与する粉体層１２ａが形成さ
れるまで、吸収効率が低下するという問題点があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
問題点を解決するためになされたもので、その目的とす
るところは、吸収剤による排ガス中の有害ガスの吸収反
応を総合的に且つ安定的に持続させ、吸収効率の低下を
防止することが可能なガス吸収方法および装置を提供す
ることにある。
問題点を解決するためになされたもので、その目的とす
るところは、吸収剤による排ガス中の有害ガスの吸収反
応を総合的に且つ安定的に持続させ、吸収効率の低下を
防止することが可能なガス吸収方法および装置を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のガス吸収方法
は、吸収剤を供給して排ガス中の有害ガスと吸収反応せ
しめ、その後、該排ガスをバグフィルタの濾布により除
塵処理するとともに、該濾布表面の粉体層で未反応の吸
収剤と有害ガスとを吸収反応せしめるガス吸収方法にお
いて、上記濾布の差圧を検出し、その検出値に基づいて
吸収剤の供給量を増加させことを特徴とする。上記吸収
剤の供給は、払い落とし直前に増加させることを特徴と
する。また、上記吸収剤の増加供給を払い落とし後に元
の供給量に戻すことを特徴とする。
は、吸収剤を供給して排ガス中の有害ガスと吸収反応せ
しめ、その後、該排ガスをバグフィルタの濾布により除
塵処理するとともに、該濾布表面の粉体層で未反応の吸
収剤と有害ガスとを吸収反応せしめるガス吸収方法にお
いて、上記濾布の差圧を検出し、その検出値に基づいて
吸収剤の供給量を増加させことを特徴とする。上記吸収
剤の供給は、払い落とし直前に増加させることを特徴と
する。また、上記吸収剤の増加供給を払い落とし後に元
の供給量に戻すことを特徴とする。
【００１０】また、本発明のガス吸収装置は、吸収剤を
供給して排ガス中の有害ガスと吸収反応せしめる前段吸
収反応部と、該反応部に吸収剤を供給する定量供給装置
と、吸収反応した排ガスを除塵処理するバグフィルタの
濾布と、該濾布表面の粉体層で未反応の吸収剤と有害ガ
スとを吸収反応せしめる後段吸収反応部からなるガス吸
収装置において、上記濾布の差圧を検出する差圧センサ
ーと、該差圧センサーの検出値が設定値に一致した時に
吸収剤の供給量の増加の指令信号を上記定量供給装置に
出力する制御装置から構成したことを特徴とする。上記
設定値は、払い落とし時の差圧より低い値に設定する吸
収剤供給量増加用差圧設定装置を設けたことを特徴とす
る。さらに、払い落としから元の供給量に戻すまでの時
間を設定するタイマーを設けたことを特徴とする。
供給して排ガス中の有害ガスと吸収反応せしめる前段吸
収反応部と、該反応部に吸収剤を供給する定量供給装置
と、吸収反応した排ガスを除塵処理するバグフィルタの
濾布と、該濾布表面の粉体層で未反応の吸収剤と有害ガ
スとを吸収反応せしめる後段吸収反応部からなるガス吸
収装置において、上記濾布の差圧を検出する差圧センサ
ーと、該差圧センサーの検出値が設定値に一致した時に
吸収剤の供給量の増加の指令信号を上記定量供給装置に
出力する制御装置から構成したことを特徴とする。上記
設定値は、払い落とし時の差圧より低い値に設定する吸
収剤供給量増加用差圧設定装置を設けたことを特徴とす
る。さらに、払い落としから元の供給量に戻すまでの時
間を設定するタイマーを設けたことを特徴とする。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１２】図１は本発明のガス吸収装置のフロー図で
あって、焼却炉１、冷却塔２、前段吸収反応部３、供給
部４、吸収剤サイロ５、定量供給装置６、吹き込みブロ
ワー７、バグフィルタ８、濾布９、誘引送風機１０およ
び煙突１１の構成および機能は、図３の従来例のものと
同じであるので、その詳細な説明は省略する。
あって、焼却炉１、冷却塔２、前段吸収反応部３、供給
部４、吸収剤サイロ５、定量供給装置６、吹き込みブロ
ワー７、バグフィルタ８、濾布９、誘引送風機１０およ
び煙突１１の構成および機能は、図３の従来例のものと
同じであるので、その詳細な説明は省略する。
【００１３】図１において、１３は制御装置であって、
主として粉体払落し用差圧設定装置Ａ、吸収剤供給量増
加用差圧設定装置Ｂおよび吸収剤供給増加量・供給時間
設定装置Ｃから構成されている。これらの差圧設定装置
ＡおよびＢには、上記バグフィルタ８に設けられた差圧
センサー１４から差圧値の信号が入力される。差圧設定
装置Ａからは濾布９の粉体払い落とし装置１５に指令信
号が出力される。また、差圧設定装置Ｂからは装置Ｃを
介して定量供給装置６に吸収剤の供給増加の指令信号が
出力される。
主として粉体払落し用差圧設定装置Ａ、吸収剤供給量増
加用差圧設定装置Ｂおよび吸収剤供給増加量・供給時間
設定装置Ｃから構成されている。これらの差圧設定装置
ＡおよびＢには、上記バグフィルタ８に設けられた差圧
センサー１４から差圧値の信号が入力される。差圧設定
装置Ａからは濾布９の粉体払い落とし装置１５に指令信
号が出力される。また、差圧設定装置Ｂからは装置Ｃを
介して定量供給装置６に吸収剤の供給増加の指令信号が
出力される。
【００１４】図２は濾布差圧と吸収剤供給との関係を示
すグラフであって、ａは粉体層１２を払い落とすための
差圧設定値であり、上記差圧設定装置Ａにより設定され
る。この値は、通常１００ｍｍＡｑ程度に設定する。ｂ
は定量供給装置６に吸収剤の供給増加の指令信号を出す
ための差圧設定値であって、上記設定装置Ｂにより設定
される。この値は、上記差圧設定値ａより数ｍｍＡｑ〜
１０ｍｍＡｑ程度低く設定される。また、この差圧設定
値ｂの値は、吸収剤の供給量変更との応答性によって決
定される。
すグラフであって、ａは粉体層１２を払い落とすための
差圧設定値であり、上記差圧設定装置Ａにより設定され
る。この値は、通常１００ｍｍＡｑ程度に設定する。ｂ
は定量供給装置６に吸収剤の供給増加の指令信号を出す
ための差圧設定値であって、上記設定装置Ｂにより設定
される。この値は、上記差圧設定値ａより数ｍｍＡｑ〜
１０ｍｍＡｑ程度低く設定される。また、この差圧設定
値ｂの値は、吸収剤の供給量変更との応答性によって決
定される。
【００１５】ｃは、上記設定値ｂに基づく指令信号によ
り増加される吸収剤の供給量を示す。この供給量の増加
（ｃ−ｄ）は、上記設定値ｂに基づく指令信号を、図１
に示す吸収剤サイロ５の下部に設置された定量供給装置
６に与えて、そのモータ回転数を変える等の操作をする
ことにより行う。Ｔは吸収剤の増加供給時間であり、Ｔ
1は粉体払い落とし後の吸収剤の増加供給時間である。
これらの時間ＴおよびＴ1の設定は、上記設定装置Ｃの
タイマーにより行う。ｄは、吸収剤の通常の供給量を示
す。
り増加される吸収剤の供給量を示す。この供給量の増加
（ｃ−ｄ）は、上記設定値ｂに基づく指令信号を、図１
に示す吸収剤サイロ５の下部に設置された定量供給装置
６に与えて、そのモータ回転数を変える等の操作をする
ことにより行う。Ｔは吸収剤の増加供給時間であり、Ｔ
1は粉体払い落とし後の吸収剤の増加供給時間である。
これらの時間ＴおよびＴ1の設定は、上記設定装置Ｃの
タイマーにより行う。ｄは、吸収剤の通常の供給量を示
す。
【００１６】
１） 濾布の差圧の検出値に基づいて吸収剤の供給量を
増加せしめるようにしたので、吸収剤の供給量を迅速か
つ安定して制御することができる。 ２） 濾布の粉体払い落とし直前に吸収剤の供給量を増
加せしめるようにしたので、吸収反応に寄与する粉体層
を速やかに形成せしめることができる。 ３） 払い落とし後に元の供給量に戻すようにしたの
で、吸収剤の過剰供給を防止することができる。 ４） 払い落とし直後の後段吸収反応の低下時に前段吸
収反応効率を上昇せしめ、総合的に吸収反応を維持せし
めることが可能である。
増加せしめるようにしたので、吸収剤の供給量を迅速か
つ安定して制御することができる。 ２） 濾布の粉体払い落とし直前に吸収剤の供給量を増
加せしめるようにしたので、吸収反応に寄与する粉体層
を速やかに形成せしめることができる。 ３） 払い落とし後に元の供給量に戻すようにしたの
で、吸収剤の過剰供給を防止することができる。 ４） 払い落とし直後の後段吸収反応の低下時に前段吸
収反応効率を上昇せしめ、総合的に吸収反応を維持せし
めることが可能である。
【図１】本発明のガス吸収方法を実施する排ガス処理フ
ロー図である。
ロー図である。
【図２】本発明による濾布差圧と吸収剤供給との関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図３】都市ゴミの焼却炉からの排ガスの処理フロー図
である。
である。
【図４】吸収剤をダクトに直接供給する場合の排ガス処
理フロー図である。
理フロー図である。
【図５】集塵中の濾布および粉体層の断面図である。
【図６】払い落とし直後の粉体層の断面図である。
１ 焼却炉
２ 冷却塔
３ 前段吸収反応部
３′ダクト
４ 供給部
５ 吸収剤サイロ
６ 定量供給装置
７ 吹き込みブロワー
８ バグフィルタ
９ 濾布
１０ 誘引送風機
１１ 煙突
１２ 粉体層
１２ａ 粉体層
１２ｂ 粉体層
１３ 制御装置
１４ 差圧センサー
１５ 粉体払い落とし装置
Ａ 粉体払落し用差圧設定装置
ａ 設定値
Ｂ 吸収剤供給量増加用差圧設定装置
ｂ 設定値
Ｃ 吸収剤供給増加量・供給時間設定装置
ｃ 増加時の吸収剤供給量
ｄ 通常の吸収剤供給量
Ｔ 供給量増加時間
Ｔ1 供給量増加時間
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｂ０１Ｄ 53/34 １３４ Ａ 6953−4Ｄ
Claims (6)
- 【請求項１】 吸収剤を供給して排ガス中の有害ガスと
吸収反応せしめ、その後、該排ガスをバグフィルタの濾
布により除塵処理するとともに、該濾布表面の粉体層で
未反応の吸収剤と有害ガスとを吸収反応せしめるガス吸
収方法において、上記濾布の差圧を検出し、その検出値
に基づいて吸収剤の供給量を増加させことを特徴とする
ガス吸収方法。 - 【請求項２】 上記吸収剤の供給量を払い落とし直前に
増加させることを特徴とする請求項１記載のガス吸収方
法。 - 【請求項３】 上記吸収剤の増加供給を払い落とし後に
元の供給量に戻すことを特徴とする請求項１または２記
載のガス吸収方法。 - 【請求項４】 吸収剤を供給して排ガス中の有害ガスと
吸収反応せしめる前段吸収反応部と、該反応部に吸収剤
を供給する定量供給装置と、吸収反応した排ガスを除塵
処理するバグフィルタの濾布と、該濾布表面の粉体層で
未反応の吸収剤と有害ガスとを吸収反応せしめる後段吸
収反応部からなるガス吸収装置において、上記濾布の差
圧を検出する差圧センサーと、該差圧センサーの検出値
が設定値に一致した時に吸収剤の供給量の増加の指令信
号を上記定量供給装置に出力する制御装置から構成した
ことを特徴とするガス吸収装置。 - 【請求項５】 上記設定値を払い落とし時の差圧より低
い値に設定する吸収剤供給量増加用差圧設定装置を設け
たことを特徴とする請求項４記載のガス吸収装置。 - 【請求項６】 払い落としから元の供給量に戻すまでの
時間を設定するタイマーを設けたことを特徴とする請求
項４または５記載のガス吸収装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201050A JPH0523530A (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | ガス吸収方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201050A JPH0523530A (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | ガス吸収方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0523530A true JPH0523530A (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16434570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3201050A Pending JPH0523530A (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | ガス吸収方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0523530A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05123515A (ja) * | 1991-11-08 | 1993-05-21 | Plantec:Kk | バグフイルタ装置の制御方法 |
| JPH06154534A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-06-03 | Kazuo Mizutani | バッグ式反応集塵機のクリーニング制御方法 |
| US6964724B2 (en) | 1999-03-15 | 2005-11-15 | Nec Corporation | Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatuses used therefor |
| JP2008086844A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Dowa Holdings Co Ltd | バグフィルタ装置およびその制御方法 |
| CN102679380A (zh) * | 2011-03-01 | 2012-09-19 | 通用电气公司 | 用于从流体流去除污染物的方法及系统 |
| CN115382342A (zh) * | 2022-08-25 | 2022-11-25 | 广东电网有限责任公司 | 吸附装置 |
-
1991
- 1991-07-17 JP JP3201050A patent/JPH0523530A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05123515A (ja) * | 1991-11-08 | 1993-05-21 | Plantec:Kk | バグフイルタ装置の制御方法 |
| JPH06154534A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-06-03 | Kazuo Mizutani | バッグ式反応集塵機のクリーニング制御方法 |
| US6964724B2 (en) | 1999-03-15 | 2005-11-15 | Nec Corporation | Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatuses used therefor |
| US7862658B2 (en) | 1999-03-15 | 2011-01-04 | Renesas Electronics Corporation | Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatuses used therefor |
| US8420549B2 (en) | 1999-03-15 | 2013-04-16 | Renesas Electronics Corporation | Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatuses used therefor |
| JP2008086844A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Dowa Holdings Co Ltd | バグフィルタ装置およびその制御方法 |
| CN102679380A (zh) * | 2011-03-01 | 2012-09-19 | 通用电气公司 | 用于从流体流去除污染物的方法及系统 |
| JP2012179593A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | General Electric Co <Ge> | 流体の流れから汚染物質を除去する方法とシステム |
| CN115382342A (zh) * | 2022-08-25 | 2022-11-25 | 广东电网有限责任公司 | 吸附装置 |
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