JPH05235371A - 不揮発性メモリ - Google Patents
不揮発性メモリInfo
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- JPH05235371A JPH05235371A JP3976192A JP3976192A JPH05235371A JP H05235371 A JPH05235371 A JP H05235371A JP 3976192 A JP3976192 A JP 3976192A JP 3976192 A JP3976192 A JP 3976192A JP H05235371 A JPH05235371 A JP H05235371A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 abstract description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 102200091804 rs104894738 Human genes 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 データの読み出し動作を繰り返しても、デー
タを変化させてしまう虞れがなく、書き込まれたデータ
の信頼性が高い不揮発性メモリを提供することを目的と
する。 【構成】 フローティングゲート４は、ソース領域２の
先端部上にトンネル酸化膜を介して形成されている。こ
のため、データ読み出し時にドレイン領域３の近傍に発
生するホットエレクトロンは、ドレイン領域３及びコン
トロールゲート５に吸収され、フローティングゲート４
に注入されることを回避できる。
タを変化させてしまう虞れがなく、書き込まれたデータ
の信頼性が高い不揮発性メモリを提供することを目的と
する。 【構成】 フローティングゲート４は、ソース領域２の
先端部上にトンネル酸化膜を介して形成されている。こ
のため、データ読み出し時にドレイン領域３の近傍に発
生するホットエレクトロンは、ドレイン領域３及びコン
トロールゲート５に吸収され、フローティングゲート４
に注入されることを回避できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、データの書き換えが可
能であると共に書き込まれたデータの保持に電力を必要
としない不揮発性メモリに関し、特にトンネル効果を利
用してデータの書き換えを行なう不揮発性メモリに関す
る。
能であると共に書き込まれたデータの保持に電力を必要
としない不揮発性メモリに関し、特にトンネル効果を利
用してデータの書き換えを行なう不揮発性メモリに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の不揮発性メモリとして、
スタック型不揮発性メモリ及びスプレッド型不揮発性メ
モリがある。
スタック型不揮発性メモリ及びスプレッド型不揮発性メ
モリがある。
【０００３】図９は、スタック型の従来の不揮発性メモ
リを示す模式図である。半導体基板２１の表面には、ｎ
型不純物を高濃度に導入して形成されたソース領域２２
及びドレイン領域２３が相互に離隔して配設されてい
る。また、ソース領域２２の周囲にはｎ型不純物を低濃
度に導入して形成されたｎ- 領域２６が設けられてい
る。更に、ドレイン領域２３の周囲にはｐ型不純物を高
濃度に導入して形成されたｐ+ 領域２７が設けられてい
る。
リを示す模式図である。半導体基板２１の表面には、ｎ
型不純物を高濃度に導入して形成されたソース領域２２
及びドレイン領域２３が相互に離隔して配設されてい
る。また、ソース領域２２の周囲にはｎ型不純物を低濃
度に導入して形成されたｎ- 領域２６が設けられてい
る。更に、ドレイン領域２３の周囲にはｐ型不純物を高
濃度に導入して形成されたｐ+ 領域２７が設けられてい
る。
【０００４】ソース領域２２及びドレイン領域２３間の
基板２１上には、トンネル酸化膜（図示せず）を介して
フローティングゲート２４が形成されている。また、こ
のフローティングゲート２４上には、絶縁膜（図示せ
ず）を介してコントロールゲート２５が形成されてい
る。
基板２１上には、トンネル酸化膜（図示せず）を介して
フローティングゲート２４が形成されている。また、こ
のフローティングゲート２４上には、絶縁膜（図示せ
ず）を介してコントロールゲート２５が形成されてい
る。
【０００５】次に、このように構成された不揮発性メモ
リの動作について説明する。
リの動作について説明する。
【０００６】データを消去する場合は、図９に示すよう
に、ソース領域２２に高電圧（例えば、約１２Ｖ）を印
加し、コントロールゲート２５を接地電位とし、ドレイ
ン領域２３を開放状態とする。そうすると、フローティ
ングゲート２４に蓄積されていた電子は、トンネル効果
により、トンネル酸化膜を通過してソース領域２２に移
動する。これにより、データの消去が完了する。
に、ソース領域２２に高電圧（例えば、約１２Ｖ）を印
加し、コントロールゲート２５を接地電位とし、ドレイ
ン領域２３を開放状態とする。そうすると、フローティ
ングゲート２４に蓄積されていた電子は、トンネル効果
により、トンネル酸化膜を通過してソース領域２２に移
動する。これにより、データの消去が完了する。
【０００７】一方、データを書き込む場合には、図１０
に示すように、ソース領域２２を接地電位とし、コント
ロールゲート２５に高電圧（例えば、約１２Ｖ）を印加
し、ドレイン領域２３に電源電圧（例えば、約５〜７
Ｖ）を印加する。そうすると、ソース領域２２からドレ
イン領域２３に電子が移動し、ドレイン領域２３の近傍
にホットエレクトロンが発生する。このホットエレクト
ロンがコントロールゲート２５に印加された高電圧のた
めに移動し、フローティングゲート２４に注入され、ト
ランジスタのしきい値電圧が上昇する。このトランジス
タのしきい値電圧の高低をデータの“１”又は“０”に
対応させる。
に示すように、ソース領域２２を接地電位とし、コント
ロールゲート２５に高電圧（例えば、約１２Ｖ）を印加
し、ドレイン領域２３に電源電圧（例えば、約５〜７
Ｖ）を印加する。そうすると、ソース領域２２からドレ
イン領域２３に電子が移動し、ドレイン領域２３の近傍
にホットエレクトロンが発生する。このホットエレクト
ロンがコントロールゲート２５に印加された高電圧のた
めに移動し、フローティングゲート２４に注入され、ト
ランジスタのしきい値電圧が上昇する。このトランジス
タのしきい値電圧の高低をデータの“１”又は“０”に
対応させる。
【０００８】図１１は、スプレッド型の従来の不揮発性
メモリを示す模式図である。
メモリを示す模式図である。
【０００９】半導体基板３１の表面にはｎ型不純物を高
濃度で導入して形成されたソース領域３２及びドレイン
領域３３が相互に離隔して配設されている。この基板３
１上にはトンネル酸化膜（図示せず）が約１００Åの膜
厚で形成されている。このトンネル酸化膜上には、フロ
ーティングゲート３４が、その一部をドレイン領域３３
の上方に置き、残部をチャネル領域（ソース領域３２と
ドレイン領域３３との間の領域）の上方に置いて形成さ
れている。また、コントロールゲート３５は、ソース領
域３２の先端部上からフローティングゲート３４上の領
域に絶縁膜（図示せず）を介して形成されている。
濃度で導入して形成されたソース領域３２及びドレイン
領域３３が相互に離隔して配設されている。この基板３
１上にはトンネル酸化膜（図示せず）が約１００Åの膜
厚で形成されている。このトンネル酸化膜上には、フロ
ーティングゲート３４が、その一部をドレイン領域３３
の上方に置き、残部をチャネル領域（ソース領域３２と
ドレイン領域３３との間の領域）の上方に置いて形成さ
れている。また、コントロールゲート３５は、ソース領
域３２の先端部上からフローティングゲート３４上の領
域に絶縁膜（図示せず）を介して形成されている。
【００１０】次に、このスプレッド型不揮発メモリの動
作について説明する。
作について説明する。
【００１１】データを消去する場合は、図１１に示すよ
うに、ドレイン領域３３（ビットライン側）に高電圧
（例えば、約１２Ｖ）を印加し、コントロールゲート３
５を接地電位とし、ソース領域３２を開放状態とする。
そうすると、フローティングゲート３４に蓄積されてい
た電子は、トンネル効果によりトンネル酸化膜を通過し
てドレイン領域３３に移動する。これにより、データの
消去が完了する。
うに、ドレイン領域３３（ビットライン側）に高電圧
（例えば、約１２Ｖ）を印加し、コントロールゲート３
５を接地電位とし、ソース領域３２を開放状態とする。
そうすると、フローティングゲート３４に蓄積されてい
た電子は、トンネル効果によりトンネル酸化膜を通過し
てドレイン領域３３に移動する。これにより、データの
消去が完了する。
【００１２】データを書き込む場合は、図１２に示すよ
うに、ソース領域３２を接地電位とし、ドレイン領域３
３に電源電圧（例えば、約５Ｖ）を印加すると共に、コ
ントロールゲート３５に高電圧（例えば、約１２Ｖ）を
印加する。そうすると、ソース領域３２からドレイン領
域３３に電子が移動し、ドレイン領域３３の近傍にホッ
トエレクトロンが発生する。このホットエレクトロン
が、コントロールゲート３５に印加された高電圧のため
に移動し、フローティングゲート３４に注入される。こ
れにより、トランジスタのしきい値電圧が上昇する。こ
のトランジスタのしきい値電圧の高低をデータの“１”
又は“０”に対応させる。
うに、ソース領域３２を接地電位とし、ドレイン領域３
３に電源電圧（例えば、約５Ｖ）を印加すると共に、コ
ントロールゲート３５に高電圧（例えば、約１２Ｖ）を
印加する。そうすると、ソース領域３２からドレイン領
域３３に電子が移動し、ドレイン領域３３の近傍にホッ
トエレクトロンが発生する。このホットエレクトロン
が、コントロールゲート３５に印加された高電圧のため
に移動し、フローティングゲート３４に注入される。こ
れにより、トランジスタのしきい値電圧が上昇する。こ
のトランジスタのしきい値電圧の高低をデータの“１”
又は“０”に対応させる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の不揮発性メモリには、書き込まれたデータの信
頼性が十分でないという問題点がある。即ち、従来の不
揮発性メモリにおいては、データの読み出し時にソース
領域からドレイン領域に電子が移動する。これにより、
書き込み時ほどではないものの、ドレイン領域の近傍で
発生したホットエレクトロンの一部がフローティングゲ
ートに注入され、フローティングゲートに電子が蓄積さ
れる。このため、読み出し動作を繰り返すと、トランジ
スタのしきい値電圧が徐々に上昇して、データが書き換
えられてしまう。このような現象は、トランジスタが微
細化されるほど顕著になる。
た従来の不揮発性メモリには、書き込まれたデータの信
頼性が十分でないという問題点がある。即ち、従来の不
揮発性メモリにおいては、データの読み出し時にソース
領域からドレイン領域に電子が移動する。これにより、
書き込み時ほどではないものの、ドレイン領域の近傍で
発生したホットエレクトロンの一部がフローティングゲ
ートに注入され、フローティングゲートに電子が蓄積さ
れる。このため、読み出し動作を繰り返すと、トランジ
スタのしきい値電圧が徐々に上昇して、データが書き換
えられてしまう。このような現象は、トランジスタが微
細化されるほど顕著になる。
【００１４】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、データの読み出し動作を繰り返してもデー
タが変化してしまうことがなく、書き込まれたデータの
信頼性が高い不揮発性メモリを提供することを目的とす
る。
のであって、データの読み出し動作を繰り返してもデー
タが変化してしまうことがなく、書き込まれたデータの
信頼性が高い不揮発性メモリを提供することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る不揮発性メ
モリは、半導体基板の表面に相互に離隔して形成された
ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域の前記
ドレイン領域側先端部上にトンネル絶縁膜を介して選択
的に形成されたフローティングゲートと、このフローテ
ィングゲートの上方から前記ドレイン領域の先端部の上
方までの領域に絶縁膜を介して形成されたコントロール
ゲートとを有することを特徴とする。
モリは、半導体基板の表面に相互に離隔して形成された
ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域の前記
ドレイン領域側先端部上にトンネル絶縁膜を介して選択
的に形成されたフローティングゲートと、このフローテ
ィングゲートの上方から前記ドレイン領域の先端部の上
方までの領域に絶縁膜を介して形成されたコントロール
ゲートとを有することを特徴とする。
【００１６】
【作用】本発明においては、フローティングゲートが、
ソース領域の先端部上にトンネル絶縁膜を介して形成さ
れている。従って、フローティングゲートはドレイン領
域から離隔しており、データ読み出し時にドレイン領域
の近傍に発生するホットエレクトロンは、コントロール
ゲート及びドレイン領域に吸収される。このため、デー
タ読み出し時にフローティングゲートに電子が注入され
ることを回避できる。
ソース領域の先端部上にトンネル絶縁膜を介して形成さ
れている。従って、フローティングゲートはドレイン領
域から離隔しており、データ読み出し時にドレイン領域
の近傍に発生するホットエレクトロンは、コントロール
ゲート及びドレイン領域に吸収される。このため、デー
タ読み出し時にフローティングゲートに電子が注入され
ることを回避できる。
【００１７】なお、本発明に係る不揮発性メモリにおい
て、データを消去する場合には、ソース領域に高電圧
（例えば、１２Ｖ）を印加し、コントロールゲートを接
地電位とする。これにより、フローティングゲートに蓄
積されていた電子は、トンネル効果により、トンネル絶
縁膜を通過してソース領域に移動し、データを消去する
ことができる。
て、データを消去する場合には、ソース領域に高電圧
（例えば、１２Ｖ）を印加し、コントロールゲートを接
地電位とする。これにより、フローティングゲートに蓄
積されていた電子は、トンネル効果により、トンネル絶
縁膜を通過してソース領域に移動し、データを消去する
ことができる。
【００１８】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１９】図１は、本発明の第１の実施例に係る不揮
発性メモリを示す模式図である。
発性メモリを示す模式図である。
【００２０】半導体基板１の表面には、ソース領域２及
びドレイン領域３が相互に離隔して形成されている。こ
の半導体基板１上にはトンネル酸化膜（図示せず）が形
成されており、このトンネル酸化膜上には、フローティ
ングゲート４が、その一部をソース領域２の上方に置
き、残部をチャネル領域（ソース領域２とドレイン領域
３との間の領域）の上方に置いて形成されている。ま
た、コントロールゲート５は、フローティングゲート４
上の領域からドレイン領域３上の領域に絶縁膜（図示せ
ず）を介して形成されている。
びドレイン領域３が相互に離隔して形成されている。こ
の半導体基板１上にはトンネル酸化膜（図示せず）が形
成されており、このトンネル酸化膜上には、フローティ
ングゲート４が、その一部をソース領域２の上方に置
き、残部をチャネル領域（ソース領域２とドレイン領域
３との間の領域）の上方に置いて形成されている。ま
た、コントロールゲート５は、フローティングゲート４
上の領域からドレイン領域３上の領域に絶縁膜（図示せ
ず）を介して形成されている。
【００２１】なお、前記トンネル酸化膜は、トンネル効
果による電子の移動及びホットエレクトロンの移動を容
易にするために、十分に薄く（約１００Å以下）形成さ
れている。
果による電子の移動及びホットエレクトロンの移動を容
易にするために、十分に薄く（約１００Å以下）形成さ
れている。
【００２２】次に、本実施例に係る不揮発性メモリの動
作について説明する。
作について説明する。
【００２３】データを消去する場合は、図１に示すよう
に、ソース領域２に高電圧（例えば、約１２Ｖ）を印加
し、コントロールゲート５を接地電位とし、ドレイン領
域３を開放状態とする。そうすると、トンネル効果によ
り、フローティングゲート４に蓄積されていた電子はト
ンネル酸化膜を通過してソース領域２に移動する。これ
により、データの消去が完了する。
に、ソース領域２に高電圧（例えば、約１２Ｖ）を印加
し、コントロールゲート５を接地電位とし、ドレイン領
域３を開放状態とする。そうすると、トンネル効果によ
り、フローティングゲート４に蓄積されていた電子はト
ンネル酸化膜を通過してソース領域２に移動する。これ
により、データの消去が完了する。
【００２４】データを書き込む場合は、図２に示すよう
に、コントロールゲート５に高電圧（例えば、約１２
Ｖ）を印加し、ソース領域２を接地電位とし、ドレイン
領域３を開放状態にする。そうすると、トンネル効果に
より、ソース領域２の電子がトンネル酸化膜を通過して
フローティングゲート４に移動し、フローティングゲー
ト４に電子が蓄積される。これにより、データの書き込
みが完了する。
に、コントロールゲート５に高電圧（例えば、約１２
Ｖ）を印加し、ソース領域２を接地電位とし、ドレイン
領域３を開放状態にする。そうすると、トンネル効果に
より、ソース領域２の電子がトンネル酸化膜を通過して
フローティングゲート４に移動し、フローティングゲー
ト４に電子が蓄積される。これにより、データの書き込
みが完了する。
【００２５】また、データを書き込む場合は、図３に示
すようにしてもよい。即ち、コントロールゲート５に高
電圧（例えば、約１２Ｖ）を印加し、ソース領域２に電
源電圧（例えば、約５Ｖ）を印加し、ドレイン領域３を
接地電位とする。そうすると、ドレイン領域３からソー
ス領域２に電子が移動し、ソース領域２の近傍にホット
エレクトロンが発生する。このホットエレクトロンがフ
ローティングゲート４に注入される。これにより、デー
タの書き込みが完了する。
すようにしてもよい。即ち、コントロールゲート５に高
電圧（例えば、約１２Ｖ）を印加し、ソース領域２に電
源電圧（例えば、約５Ｖ）を印加し、ドレイン領域３を
接地電位とする。そうすると、ドレイン領域３からソー
ス領域２に電子が移動し、ソース領域２の近傍にホット
エレクトロンが発生する。このホットエレクトロンがフ
ローティングゲート４に注入される。これにより、デー
タの書き込みが完了する。
【００２６】データを読み出す場合には、図４に示すよ
うに、コントロールゲート５及びドレイン領域３に電源
電圧（例えば、約５Ｖ）を印加し、ソース領域２を接地
電位とする。そうすると、フローティングゲート４に蓄
積された電子の量に応じたドレイン電流が流れる。この
ドレイン電流の大小により、データの“１”又は“０”
を判定する。
うに、コントロールゲート５及びドレイン領域３に電源
電圧（例えば、約５Ｖ）を印加し、ソース領域２を接地
電位とする。そうすると、フローティングゲート４に蓄
積された電子の量に応じたドレイン電流が流れる。この
ドレイン電流の大小により、データの“１”又は“０”
を判定する。
【００２７】本実施例においては、フローティングゲー
ト４がドレイン領域３から離れて設けられているため、
データの読み出し時にドレイン領域３の近傍にホットエ
レクトロンが発生しても、このホットエレクトロンはド
レイン領域３又はコントロールゲート５に吸収され、フ
ローティングゲート４には注入されない。従って、読み
出し動作を繰り返しても、トランジスタのしきい値電圧
の変化を回避することができる。このため、本実施例に
係る不揮発性メモリは書き込まれたデータの信頼性が高
い。
ト４がドレイン領域３から離れて設けられているため、
データの読み出し時にドレイン領域３の近傍にホットエ
レクトロンが発生しても、このホットエレクトロンはド
レイン領域３又はコントロールゲート５に吸収され、フ
ローティングゲート４には注入されない。従って、読み
出し動作を繰り返しても、トランジスタのしきい値電圧
の変化を回避することができる。このため、本実施例に
係る不揮発性メモリは書き込まれたデータの信頼性が高
い。
【００２８】図５は、本発明の第２の実施例に係る不揮
発性メモリを示す模式図である。
発性メモリを示す模式図である。
【００２９】半導体基板１１の表面には、ソース領域１
２及びドレイン領域１３が相互に離隔して形成されてい
る。この半導体基板１１上にはトンネル酸化膜（図示せ
ず）が形成されており、このトンネル酸化膜上のソース
領域１２の先端部上の領域にはフローティングゲート１
４が選択的に形成されている。また、ドレイン領域１３
の先端部上の領域には、絶縁膜を介して選択ゲート１６
が形成されている。更に、このフローティングゲート１
４及び選択ゲート１６上には、絶縁膜を介してコントロ
ールゲート１５が形成されている。
２及びドレイン領域１３が相互に離隔して形成されてい
る。この半導体基板１１上にはトンネル酸化膜（図示せ
ず）が形成されており、このトンネル酸化膜上のソース
領域１２の先端部上の領域にはフローティングゲート１
４が選択的に形成されている。また、ドレイン領域１３
の先端部上の領域には、絶縁膜を介して選択ゲート１６
が形成されている。更に、このフローティングゲート１
４及び選択ゲート１６上には、絶縁膜を介してコントロ
ールゲート１５が形成されている。
【００３０】なお、本実施例においても、前記トンネル
酸化膜の膜厚は十分に薄く（約１００Å以下）設定され
ている。
酸化膜の膜厚は十分に薄く（約１００Å以下）設定され
ている。
【００３１】次に、本実施例の動作について説明する。
【００３２】データを消去する場合には、図５に示すよ
うに、ソース領域１２に高電圧（例えば、約１２Ｖ）を
印加し、コントロールゲート１５及び選択ゲート１６を
接地電位とし、ドレイン領域１３を開放状態とする。そ
うすると、フローティングゲート１４に蓄積されていた
電子は、トンネル効果により、トンネル酸化膜を通過し
てソース領域１２に移動する。これにより、データの消
去が完了する。
うに、ソース領域１２に高電圧（例えば、約１２Ｖ）を
印加し、コントロールゲート１５及び選択ゲート１６を
接地電位とし、ドレイン領域１３を開放状態とする。そ
うすると、フローティングゲート１４に蓄積されていた
電子は、トンネル効果により、トンネル酸化膜を通過し
てソース領域１２に移動する。これにより、データの消
去が完了する。
【００３３】データを書き込む場合には、図６に示すよ
うに、コントロールゲート１５に高電圧（例えば、１２
Ｖ）を印加し、ソース領域１２を接地電位とし、選択ゲ
ート１６及びドレイン領域１３を開放状態とする。そう
すると、トンネル効果により、ソース領域１２からフロ
ーティングゲート１４に電子が移動し、フローティング
ゲート１４に電子が蓄積される。これにより、データの
書き込みが完了する。
うに、コントロールゲート１５に高電圧（例えば、１２
Ｖ）を印加し、ソース領域１２を接地電位とし、選択ゲ
ート１６及びドレイン領域１３を開放状態とする。そう
すると、トンネル効果により、ソース領域１２からフロ
ーティングゲート１４に電子が移動し、フローティング
ゲート１４に電子が蓄積される。これにより、データの
書き込みが完了する。
【００３４】また、データを書き込む場合には、図７に
示すようにしてもよい。即ち、ソース領域１２及び選択
ゲート１６に電源電圧（例えば、約５Ｖ）を印加し、コ
ントロールゲート１５に高電圧（例えば、約１２Ｖ）を
印加し、ドレイン領域１３を接地電位とする。そうする
と、ドレイン領域１３からソース領域１２に電子が移動
し、ソース領域１２の近傍にホットエレクトロンが発生
する。このホットエレクトロンが、コントロールゲート
１５に印加された高電圧のために移動し、フローティン
グゲート１４に注入される。これにより、データの書き
込みが完了する。
示すようにしてもよい。即ち、ソース領域１２及び選択
ゲート１６に電源電圧（例えば、約５Ｖ）を印加し、コ
ントロールゲート１５に高電圧（例えば、約１２Ｖ）を
印加し、ドレイン領域１３を接地電位とする。そうする
と、ドレイン領域１３からソース領域１２に電子が移動
し、ソース領域１２の近傍にホットエレクトロンが発生
する。このホットエレクトロンが、コントロールゲート
１５に印加された高電圧のために移動し、フローティン
グゲート１４に注入される。これにより、データの書き
込みが完了する。
【００３５】データを読み出す場合には、図８に示すよ
うにソース領域１２を接地電位とし、ドレイン領域１３
及び選択ゲート１６に電源電圧（例えば、約５Ｖ）を印
加する。そして、第１の実施例と同様に、ドレイン電流
の大小により、データの“１”又は“０”を判定する。
うにソース領域１２を接地電位とし、ドレイン領域１３
及び選択ゲート１６に電源電圧（例えば、約５Ｖ）を印
加する。そして、第１の実施例と同様に、ドレイン電流
の大小により、データの“１”又は“０”を判定する。
【００３６】本実施例においても、フローティングゲー
ト１４がドレイン領域１３から離れているため、読み出
し時にドレイン領域１３の近傍に発生したホットエレク
トロンがフローティングゲート１４に注入されることを
回避することができる。従って、第１の実施例と同様
に、データの読み出しを繰り返すことによりデータが書
き換えられてしまうことを回避できる。
ト１４がドレイン領域１３から離れているため、読み出
し時にドレイン領域１３の近傍に発生したホットエレク
トロンがフローティングゲート１４に注入されることを
回避することができる。従って、第１の実施例と同様
に、データの読み出しを繰り返すことによりデータが書
き換えられてしまうことを回避できる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、フ
ローティングゲートがソース領域の先端部上にトンネル
絶縁膜を介して形成されているから、データの読み出し
時にドレイン領域の近傍に発生するホットエレクトロン
がフローティングゲートに注入されることを回避でき
る。従って、本発明に係る不揮発性メモリは、読み出し
動作を繰り返し行なってもデータが変化してしまう虞れ
がなく、書き込まれたデータの信頼性が極めて高い。
ローティングゲートがソース領域の先端部上にトンネル
絶縁膜を介して形成されているから、データの読み出し
時にドレイン領域の近傍に発生するホットエレクトロン
がフローティングゲートに注入されることを回避でき
る。従って、本発明に係る不揮発性メモリは、読み出し
動作を繰り返し行なってもデータが変化してしまう虞れ
がなく、書き込まれたデータの信頼性が極めて高い。
【図１】本発明の第１の実施例に係る不揮発性メモリを
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】同じくそのデータ書き込み時の動作を示す模式
図である。
図である。
【図３】同じくそのデータ書き込み時の動作を示す模式
図である。
図である。
【図４】同じくそのデータ読み出し時の動作を示す模式
図である。
図である。
【図５】本発明の第２の実施例に係る不揮発性メモリを
示す模式図である。
示す模式図である。
【図６】同じくそのデータ書き込み時の動作を示す模式
図である。
図である。
【図７】同じくそのデータ書き込み時の動作を示す模式
図である。
図である。
【図８】同じくそのデータ読み出し時の動作を示す模式
図である。
図である。
【図９】従来の不揮発性メモリを示す模式図である。
【図１０】同じくそのデータ書き込み時の動作を示す模
式図である。
式図である。
【図１１】従来の他の不揮発性メモリを示す模式図であ
る。
る。
【図１２】同じくそのデータの書き込み時の動作を示す
模式図である。
模式図である。
１，１１，２１，３１；半導体基板 ２，１２，２２，３２；ソース領域 ３，１３，２３，３３；ドレイン領域 ４，１４，２４，３４；フローティングゲート ５，１５，２５，３５；コントロールゲート １６；選択ゲート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｃ 16/04
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に相互に離隔して形成
されたソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域
の前記ドレイン領域側先端部上にトンネル絶縁膜を介し
て選択的に形成されたフローティングゲートと、このフ
ローティングゲートの上方から前記ドレイン領域の先端
部の上方までの領域に絶縁膜を介して形成されたコント
ロールゲートとを有することを特徴とする不揮発性メモ
リ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3976192A JPH05235371A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 不揮発性メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3976192A JPH05235371A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 不揮発性メモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235371A true JPH05235371A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12561932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3976192A Pending JPH05235371A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 不揮発性メモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235371A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008004831A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Denso Corp | 不揮発性メモリトランジスタおよびその駆動方法 |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP3976192A patent/JPH05235371A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008004831A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Denso Corp | 不揮発性メモリトランジスタおよびその駆動方法 |
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