JPH052408U - 反射型可変減衰器 - Google Patents
反射型可変減衰器Info
- Publication number
- JPH052408U JPH052408U JP632791U JP632791U JPH052408U JP H052408 U JPH052408 U JP H052408U JP 632791 U JP632791 U JP 632791U JP 632791 U JP632791 U JP 632791U JP H052408 U JPH052408 U JP H052408U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- laser diode
- high frequency
- diode
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 小型の出力モニタ回路を有し、入出力を逆に
接続しても出力モニタ回路による減衰量のフィードバッ
ク制御が行える反射型可変減衰器を得る。 【構成】 インターデジタルカップラー3の両出力ポー
トにインピーダンス可変素子としてレーザダイオード
4,5を付け、このレーザダイオードの出力光をモニタ
するために光/電気変換する受光素子6を設ける。更に
この光/電気変換された信号を検波する検波回路7と、
この検波回路の出力によりレーザダイオード4,5に印
加するバイアス電流を制御するバイアス回路8を設け
る。順方向電流が印加されると、レーザダイオード4,
5はレーザ発振をし、この発振光は印加する高周波によ
り光強度変調がかゝり、変調度はレーザダイオード4,
5で吸収する高周波電力に比例し、高周波復調出力がフ
ィードバック情報となり、バイアス電流を制御する。
接続しても出力モニタ回路による減衰量のフィードバッ
ク制御が行える反射型可変減衰器を得る。 【構成】 インターデジタルカップラー3の両出力ポー
トにインピーダンス可変素子としてレーザダイオード
4,5を付け、このレーザダイオードの出力光をモニタ
するために光/電気変換する受光素子6を設ける。更に
この光/電気変換された信号を検波する検波回路7と、
この検波回路の出力によりレーザダイオード4,5に印
加するバイアス電流を制御するバイアス回路8を設け
る。順方向電流が印加されると、レーザダイオード4,
5はレーザ発振をし、この発振光は印加する高周波によ
り光強度変調がかゝり、変調度はレーザダイオード4,
5で吸収する高周波電力に比例し、高周波復調出力がフ
ィードバック情報となり、バイアス電流を制御する。
Description
【0001】
この考案は、高周波の減衰量を可変できる反射型可変減衰器に関するものであ る。
【0002】
図3は、従来の反射型可変減衰器の構成を示す図である。図において、1は入 力端子、2は出力端子、3はインターデジタルカップラー、11は方向性結合回 路、7は検波回路、12は第1のダイオード、13は第2のダイオード、8はバ イアス回路である。
【0003】 次に動作について説明する。入力端子1から入力した高周波は、インターデジ タルカップラー3により、第1のダイオード12と第2のダイオード13へ各々 分配される。ここでバイアス回路8により、第1のダイオード12と第2のダイ オード13へ電圧が印加されていなければ、第1のダイオード12と第2のダイ オード13は高インピーダンスとなり、各々のダイオードで高周波は全反射され 、出力端子2へ出力する。この時、入力端子1では第1のダイオード12と第2 のダイオード13による反射波の位相差が180゜となるため、入力端子1には 出力は現われない。
【0004】 次に、バイアス回路8により、第1のダイオード12と第2のダイオード13 へ順方向電流が印加されると、第1のダイオード12と第2のダイオード13の インピーダンスは低下し、高周波を吸収する。そのため第1のダイオード12と 第2のダイオード13におけるインターデジタルカップラー3により各々分配さ れた高周波の反射量が低下し、結果的に出力端子2へ出力する高周波は、入力に 対し減衰する。しかし、一般的にダイオードの順方向電流対インピーダンス特性 のばらつきのため、所望の減衰量に対する正確な順方向電流の値を、前もって決 めておくことは難しく、精度の良い減衰量の設定を行うために、減衰器の固体差 に合わせたバイアス電流の調整が必要となる。
【0005】 そこで、インターデジタルカップラー3の出力を方向性結合回路11で分岐し た後、検波回路7で検波し、減衰量に関する情報をもった信号をバイアス回路8 にフィードバックする。バイアス回路8では、このフィードバック情報を基に、 バイアス電流を調整し、第1のダイオード12と第2のダイオード13による減 衰量を変化させることにより、所望の減衰器出力電力を得る。
【0006】
従来の反射型可変減衰器は以上のように構成されているので、減衰器の出力を モニタするために、減衰器の出力側に方向性結合回路が必要となる。そのため、 この方向性結合回路により、減衰器形状の大形化を招くとともに、この反射型可 変減衰器の入出力の方向を逆にして使用したい場合、出力モニタによるフィード バックが行えないという課題があった。
【0007】 この考案は、上記のような課題を解消するためになされたもので、小型の出力 モニタ回路を有し、入出力可逆な反射型可変減衰器を得ることを目的とする。
【0008】
この考案に係る反射型可変減衰器は、インターデジタルカップラーの両出力ポ ートにレーザーダイオードを付け、このレーザダイオードへのバイアス電流の制 御をどちらか一方のレーザダイオードの出力光をモニタして得られた信号を基に 行ったものである。
【0009】 また、インターデジタルカップラーの両出力ポートに付く2つのレーザダイオ ードからの出力光を個々にモニタし、2つのレーザダイオードのバイアス電流制 御を各々行うようにしたものである。
【0010】
【作用】 この考案に係る反射型可変減衰器は、インターデジタルカップラーの出力ポー トに付いたレーザダイオードの出力光をモニタすることで、各々の反射端子にお ける高周波の減衰量を把握し、減衰量設定のための適切なフィードバック情報を バイアス回路に送る。
【0011】
実施例1. 以下にこの考案の一実施例を図1について説明する。図1において4は第1の レーザダイオード、5は第2のレーザダイオード6は第1の受光素子、7は第1 の検波回路である。
【0012】 次に動作について説明する。入力端子1から入力した高周波は、インターデジ タルカップラー3により、第1のレーザダイオード4と第2のレーザダイオード 5へ各々分配される。ここでバイアス回路8により、第1のレーザダイオード4 と第2のレーザダイオード5へ電圧が印加されていなければ、第1のレーザダイ オード4と第2のレーザダイオード5は高インピーダンスとなり、各々のレーザ ダイオード高周波は全反射して出力端子2へ出力する。この時、入力端子1では 第1のレーザダイオード4と第2のレーザダイオード5による反射波の位相差が 180゜となるため、入力端子1には出力は現われない。
【0013】 次にバイアス回路8により、第1のレーザダイオード4と第2のレーザダイオ ード5へ順方向電流が印加されると、第1のレーザダイオード4と第2のレーザ ダイオード5のインピーダンスは低下し、高周波を吸収する。そのため、第1の レーザダイオード4と第2のレーザダイオード5におけるインターデジタルカッ プラー3により各々分配された高周波の反射量が低下し、結果的に出力端子2へ 出力する高周波は、入力波に対し減衰する。
【0014】 この時、第1のレーザダイオード4と第2のレーザダイオード5は順方向電流 が印加されているため、レーザ発振をしており、この発振光は印加する高周波に より光強度変調がかかる。この変調度の変化量はレーザダイオードで吸収する高 周波電力の変化量に比例する。
【0015】 第1のレーザダイオード4の出力光は、第1の受光素子6により光/電気変換 されて、高周波が復調される。この高周波は、第1の検波回路7にて検波され、 第1のレーザダイオード4での減衰量に関する情報としてバイアス回路8にフィ ードバックされる。バイアス回路8では、このフィードバック情報を基に、第1 のレーザダイオード4と第2のレーザダイオード5に印加するバイアス電流を制 御し、第1のレーザダイオード4と第2のレーザダイオード5のインピーダンス を変化させることにより所望の減衰量を得る。この場合の減衰は入力電力によら ずに一定の電力を減衰する定電力減衰となる。また、減衰器としての入出力を逆 に接続しても、同様の動作をする。
【0016】 実施例2. 他の実施例を図2について説明する。9は第2の受光素子、10は第2の検波 回路である。図2に示す実施例の場合、第1のレーザダイオード4と同様に第2 のレーザダイオード5の出力光を第2の受光素子9により光/電気変換し、復調 された高周波を第2の検波回路10で検波して、第2のレーザダイオード5での 減衰量に関する情報として、バイアス回路8にフィードバックする。バイアス回 路8では、この第2の検波回路10からのフィードバック信号及び第1の検波回 路7からのフィードバック信号を基に、第1のレーザダイオード4と第2のレー ザダイオード5のインピーダンスを個々に変化させることにより所望の減衰量を 得る。
【0017】
この考案は以上のように構成されているので、減衰量のモニタを方向性結合回 路を設けることなく行え、しかも入出力を逆に接続して使用しても、全く同様の 減衰量モニタ機能をはたすことができるので、小型で安価な反射型可変減衰器を 得られる効果がある。
【図1】この考案の一実施例による反射型可変減衰器の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図2】この考案の他の実施例を示す反射型可変減衰器
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図3】従来の反射型可変減衰器の構成を示す図であ
る。
る。
3 インターデジタルカップラー 4 第1のレーザダイオード 5 第2のレーザダイオード 6 第1の受光素子 7 第1の検波回路 8 バイアス回路 9 第2の受光素子 10 第2の検波回路
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項1】 インターデジタルカップラーを用いた反
射型可変減衰器において、インターデジタルカップラー
と、このインターデジタルカップラーの一方の出力ポー
トに接続された第1のレーザダイオードと、他方の出力
ポートに接続された第2のレーザダイオードと、前記第
1のレーザダイオードの出力光を受光する第1の受光素
子と、この第1の受光素子に接続された第1の検波回路
と、この第1の検波回路に接続され、前記第1のレーザ
ダイオード及び前記第2のレーザダイオードにバイアス
を印加するバイアス回路とから構成したことを特徴とす
る反射型可変減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP632791U JPH052408U (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 反射型可変減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP632791U JPH052408U (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 反射型可変減衰器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH052408U true JPH052408U (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=11635276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP632791U Pending JPH052408U (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 反射型可変減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH052408U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020201685A1 (en) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Substrate integrated waveguide signal level control element and signal processing circuitry |
| US12313639B2 (en) | 2018-12-21 | 2025-05-27 | Sony Corporation | Particle confirming method, particle trapping chip, and particle analyzing system |
-
1991
- 1991-02-15 JP JP632791U patent/JPH052408U/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12313639B2 (en) | 2018-12-21 | 2025-05-27 | Sony Corporation | Particle confirming method, particle trapping chip, and particle analyzing system |
| WO2020201685A1 (en) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Substrate integrated waveguide signal level control element and signal processing circuitry |
| CN113615000A (zh) * | 2019-03-29 | 2021-11-05 | 索尼半导体解决方案公司 | 衬底集成波导信号电平控制元件和信号处理电路 |
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