JPH05241145A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH05241145A JPH05241145A JP7587892A JP7587892A JPH05241145A JP H05241145 A JPH05241145 A JP H05241145A JP 7587892 A JP7587892 A JP 7587892A JP 7587892 A JP7587892 A JP 7587892A JP H05241145 A JPH05241145 A JP H05241145A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 カラーフィルタ基板とＴＦＴ基板の貼り合わ
せ精度を緩和した、光利用率が高く、しかも表示ムラの
ない液晶表示装置を提供する。 【構成】 カラーフィルターと対向するＴＦＴ基板側の
みに光を遮光する遮光層を設けた液晶表示装置。
せ精度を緩和した、光利用率が高く、しかも表示ムラの
ない液晶表示装置を提供する。 【構成】 カラーフィルターと対向するＴＦＴ基板側の
みに光を遮光する遮光層を設けた液晶表示装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置、特にそ
れぞれ電極が形成されてなる一対の基板間に挟持されて
なる液晶層及び複数のカラーフィルターを有してなる液
晶表示装置に関する。
れぞれ電極が形成されてなる一対の基板間に挟持されて
なる液晶層及び複数のカラーフィルターを有してなる液
晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、カラーフィルターを有する液晶
表示装置では、表示部分以外を遮光する必要がある。従
来、この遮光層を設ける手段として、特開平２−１１８
５１９号公報には、カラーフィルター側の基板のカラー
フィルター間の境界部分に遮光層を設けることが、特開
昭６０−２４３６３８号公報には、やはりカラーフィル
ター側の基板の画素部以外にダミーのカラーフィルター
を設け、これを遮光層とすることが開示されている。
表示装置では、表示部分以外を遮光する必要がある。従
来、この遮光層を設ける手段として、特開平２−１１８
５１９号公報には、カラーフィルター側の基板のカラー
フィルター間の境界部分に遮光層を設けることが、特開
昭６０−２４３６３８号公報には、やはりカラーフィル
ター側の基板の画素部以外にダミーのカラーフィルター
を設け、これを遮光層とすることが開示されている。
【０００３】しかし、前者の場合には、上下基板を貼り
合わせるセル組み時に上下の画素を正確に合わせない
と、表示品位が低下したり、さらには、色ズレを起こし
てしまうため、高精度な貼り合わせ装置が必要であっ
た。また、表示ムラを防止するため、遮光層の開口部の
大きさより下電極の画素の大きさを小さくしなければな
らないという問題もあった。
合わせるセル組み時に上下の画素を正確に合わせない
と、表示品位が低下したり、さらには、色ズレを起こし
てしまうため、高精度な貼り合わせ装置が必要であっ
た。また、表示ムラを防止するため、遮光層の開口部の
大きさより下電極の画素の大きさを小さくしなければな
らないという問題もあった。
【０００４】更に、後者の場合にはカラーフィルターの
みで遮光するため、斜め入光、迷光等により画質が低下
するという問題があった。
みで遮光するため、斜め入光、迷光等により画質が低下
するという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本第１の発明は、カラ
ーフィルタ基板とＴＦＴ基板の貼り合わせ精度を緩和し
た、光利用率が高く、しかも表示ムラのない液晶表示装
置を提供することを目的とする。
ーフィルタ基板とＴＦＴ基板の貼り合わせ精度を緩和し
た、光利用率が高く、しかも表示ムラのない液晶表示装
置を提供することを目的とする。
【０００６】また、本第２の発明は、確実に有効表示部
以外が遮光され、斜め入光、迷光等によっても画質が低
下しない高画質な液晶表示装置を提供することを目的と
する。
以外が遮光され、斜め入光、迷光等によっても画質が低
下しない高画質な液晶表示装置を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本第１の発明は、
それぞれ電極が形成されてなる一対の基板間に挟持され
てなる液晶層及び複数のカラーフィルターを有してなる
液晶表示装置において、カラーフィルターと対向する基
板側に光を遮光する遮光層を設けることを特徴とする液
晶表示装置である。
それぞれ電極が形成されてなる一対の基板間に挟持され
てなる液晶層及び複数のカラーフィルターを有してなる
液晶表示装置において、カラーフィルターと対向する基
板側に光を遮光する遮光層を設けることを特徴とする液
晶表示装置である。
【０００８】また、本第２の発明は、それぞれ電極が形
成されてなる一対の基板間に挟持されてなる液晶層及び
複数のカラーフィルターを有してなる液晶表示装置にお
いて、カラーフィルターと対向する基板側及びカラーフ
ィルター基板側に光を遮光する遮光層を設け、少なくと
もカラーフィルターと対向する基板側の遮光層で表示部
が決定されることを特徴とする液晶表示装置である。
成されてなる一対の基板間に挟持されてなる液晶層及び
複数のカラーフィルターを有してなる液晶表示装置にお
いて、カラーフィルターと対向する基板側及びカラーフ
ィルター基板側に光を遮光する遮光層を設け、少なくと
もカラーフィルターと対向する基板側の遮光層で表示部
が決定されることを特徴とする液晶表示装置である。
【０００９】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。
る。
【００１０】まず本第１の発明につき説明する。
【００１１】（実施例１）図１は本実施例の液晶表示装
置の概略断面図、図２は図１の液晶表示装置におけるＴ
ＦＴ基板の断面構造図である。
置の概略断面図、図２は図１の液晶表示装置におけるＴ
ＦＴ基板の断面構造図である。
【００１２】図１において、ＴＦＴ基板１１とカラーフ
ィルター基板１２間に液晶層１０が挟持されている。Ｔ
ＦＴ基板１１は、石英ガラス、コーニング＃７０５９
（コーニング社製）等に代表される低アルカリガラスよ
り成るガラス基板１上にポリシリコン、アモルファスシ
リコン等でＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２が形成されて
いる。遮光層４はＴＦＴ２を形成するプロセスで、例え
ばＣｒ、Ａｌ等の金属膜により画素電極（画素部）３以
外を覆う様に形成する。ＴＦＴ２を形成後、ＴＦＴ２上
に保護膜５を形成する。
ィルター基板１２間に液晶層１０が挟持されている。Ｔ
ＦＴ基板１１は、石英ガラス、コーニング＃７０５９
（コーニング社製）等に代表される低アルカリガラスよ
り成るガラス基板１上にポリシリコン、アモルファスシ
リコン等でＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２が形成されて
いる。遮光層４はＴＦＴ２を形成するプロセスで、例え
ばＣｒ、Ａｌ等の金属膜により画素電極（画素部）３以
外を覆う様に形成する。ＴＦＴ２を形成後、ＴＦＴ２上
に保護膜５を形成する。
【００１３】カラーフィルター基板１２は、ガラス基板
９上に複数のカラーフィルター８、保護膜７、透明（画
素）電極６を形成してなる。
９上に複数のカラーフィルター８、保護膜７、透明（画
素）電極６を形成してなる。
【００１４】図２に示す様にＴＦＴ基板１１上のＴＦＴ
は、ソース電極２２、ゲート電極２３、ドレイン電極２
４、絶縁膜２５よりなり、遮光層４は画素電極３上及び
ＴＦＴ上の２層に形成される。
は、ソース電極２２、ゲート電極２３、ドレイン電極２
４、絶縁膜２５よりなり、遮光層４は画素電極３上及び
ＴＦＴ上の２層に形成される。
【００１５】本実施例では、入射光はカラーフィルター
１２側より入射し、ＴＦＴ基板１１側に透過する。
１２側より入射し、ＴＦＴ基板１１側に透過する。
【００１６】本実施例によれば、カラーフィルター基板
に遮光層を向けた場合より遮光層と画素電極の重なり部
分が狭くなり、光の利用率が向上する。
に遮光層を向けた場合より遮光層と画素電極の重なり部
分が狭くなり、光の利用率が向上する。
【００１７】（実施例２）図３は本実施例の液晶表示装
置におけるＴＦＴ基板の断面構造図である。図３に示す
様に、ガラス基板１上に遮光層４を形成し、その上に絶
縁膜２５を介してＴＦＴを形成した以外は実施例１と同
様に液晶表示装置を製造し、ＴＦＴ基板側より入光し
た。
置におけるＴＦＴ基板の断面構造図である。図３に示す
様に、ガラス基板１上に遮光層４を形成し、その上に絶
縁膜２５を介してＴＦＴを形成した以外は実施例１と同
様に液晶表示装置を製造し、ＴＦＴ基板側より入光し
た。
【００１８】本実施例によれば、ガラス基板上に遮光層
を形成してからＴＦＴを形成するため、表面の段差が小
さくなり、良好な画質が得られる。 （実施例３）図４は本実施例の液晶表示装置の概略断面
図、図５、図６はそれぞれ図４の液晶表示装置における
ＴＦＴ基板の断面構造図、上面構造図である。
を形成してからＴＦＴを形成するため、表面の段差が小
さくなり、良好な画質が得られる。 （実施例３）図４は本実施例の液晶表示装置の概略断面
図、図５、図６はそれぞれ図４の液晶表示装置における
ＴＦＴ基板の断面構造図、上面構造図である。
【００１９】ＴＦＴ基板１１としてＳｉウエハを使用
し、配線層を遮光層とした以外は実施例１と同様にして
液晶表示装置を製造した。尚、画素部のＳｉウエハは裏
面からエッチングにより除去し、光透過可能とした。
し、配線層を遮光層とした以外は実施例１と同様にして
液晶表示装置を製造した。尚、画素部のＳｉウエハは裏
面からエッチングにより除去し、光透過可能とした。
【００２０】ＴＦＴ基板１１に用いたＳｉウエハはの作
成方法は以下に示す通りである。
成方法は以下に示す通りである。
【００２１】３００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１０
０）単結晶Ｓｉ基板にＨＦ溶液中において陽極化成を施
し、多孔質Ｓｉ基板を形成した。
０）単結晶Ｓｉ基板にＨＦ溶液中において陽極化成を施
し、多孔質Ｓｉ基板を形成した。
【００２２】陽極化成条件は以下のとおりであった。
【００２３】 印加時間： ２．６ （Ｖ） 電流密度： ３０ （ｍＡ・ｃｍ-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ2 Ｏ：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＝
１：１：１ 時間： ２．４ （時間） 多孔質Ｓｉの厚み： ３００ （μｍ） Ｐｏｒｏｓｉｔｙ： ５６ （％） こうして得られたＰ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上に減
圧ＣＶＤ法により、Ｓｉエピタキシャル層を１．０ミク
ロンの層厚で成長させた。堆積条件は、以下のとおりで
ある。
１：１：１ 時間： ２．４ （時間） 多孔質Ｓｉの厚み： ３００ （μｍ） Ｐｏｒｏｓｉｔｙ： ５６ （％） こうして得られたＰ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上に減
圧ＣＶＤ法により、Ｓｉエピタキシャル層を１．０ミク
ロンの層厚で成長させた。堆積条件は、以下のとおりで
ある。
【００２４】 ソースガス： ＳｉＨ4 キヤリヤーガス： Ｈ2 温度： ８５０℃ 圧力： １×１０-2Ｔｏｒｒ 成長速度： ３．３ｎｍ／ｓｅｃ 次に、このエピタキシャル層の表面に１０００オングス
トロームの酸化層を形成し、その酸化表面に、表面に５
０００オングストロームの酸化層、１０００オングスト
ロームの酸化層、１０００オングストロームの窒化層を
形成したもう一方のＳｉ基板を重ね合せ、窒素雰囲気中
で８００℃、０．５時間加熱することにより、２つのＳ
ｉ基板を強固に貼り合わせた。
トロームの酸化層を形成し、その酸化表面に、表面に５
０００オングストロームの酸化層、１０００オングスト
ロームの酸化層、１０００オングストロームの窒化層を
形成したもう一方のＳｉ基板を重ね合せ、窒素雰囲気中
で８００℃、０．５時間加熱することにより、２つのＳ
ｉ基板を強固に貼り合わせた。
【００２５】その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸
とアルコールと３０％過酸化水素水との混合液（１０：
６：５０）中で撹拌することなく選択エッチングした。
６５分後には、非多孔質Ｓｉ層だけがエッチングされず
に残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、
多孔質Ｓｉ基板は選択エッチングされ、完全に除去され
た。非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対するエッ
チング速度は、極めて低く６５分後でもエッチング層は
５０オングストローム以下であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は十の５乗以上にも達し、非多孔質層
におけるエッチング量（数十オングストローム）は実用
上無視できる程度のものであった。こうしたところ、２
００ミクロンの厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は
除去され、ＳｉＯ2 上に１．０μｍの厚みを持った単結
晶Ｓｉ層が形成できた。ソースガスとして、ＳｉＨ2 Ｃ
ｌを用いた場合には、成長温度を数十度上昇させる必要
があるが、多孔質基板に特有な増速エッチング特性は維
持された。
とアルコールと３０％過酸化水素水との混合液（１０：
６：５０）中で撹拌することなく選択エッチングした。
６５分後には、非多孔質Ｓｉ層だけがエッチングされず
に残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、
多孔質Ｓｉ基板は選択エッチングされ、完全に除去され
た。非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対するエッ
チング速度は、極めて低く６５分後でもエッチング層は
５０オングストローム以下であり、多孔質層のエッチン
グ速度との選択比は十の５乗以上にも達し、非多孔質層
におけるエッチング量（数十オングストローム）は実用
上無視できる程度のものであった。こうしたところ、２
００ミクロンの厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は
除去され、ＳｉＯ2 上に１．０μｍの厚みを持った単結
晶Ｓｉ層が形成できた。ソースガスとして、ＳｉＨ2 Ｃ
ｌを用いた場合には、成長温度を数十度上昇させる必要
があるが、多孔質基板に特有な増速エッチング特性は維
持された。
【００２６】以上の方法で作成したＳｉウエハは、経済
性に優れ、大面積に亙り均一平坦な極めて優れた結晶性
を有する。
性に優れ、大面積に亙り均一平坦な極めて優れた結晶性
を有する。
【００２７】本実施例によれば、遮光層金属の電位を画
素配列の周囲部で取ることで、遮光層を共通電極線と
し、遮光金属層と画素電極の間に蓄積容量を形成でき
る。
素配列の周囲部で取ることで、遮光層を共通電極線と
し、遮光金属層と画素電極の間に蓄積容量を形成でき
る。
【００２８】（実施例４）図７は本実施例の液晶表示装
置におけるＴＦＴ基板の断面構造図である。図７に示す
様に、遮光層４をテーパーエッチした以外は実施例３と
同様にして液晶表示装置を製造した。
置におけるＴＦＴ基板の断面構造図である。図７に示す
様に、遮光層４をテーパーエッチした以外は実施例３と
同様にして液晶表示装置を製造した。
【００２９】本実施例によれば、画素部及びその周辺の
段差３０が小さくなるため、液晶の配向乱れを防止で
き、良好な画質が得られる。
段差３０が小さくなるため、液晶の配向乱れを防止で
き、良好な画質が得られる。
【００３０】（実施例５）図８は本実施例の液晶表示装
置におけるＴＦＴ基板の断面構造図である。図８
（ａ）、（ｂ）に示す様に、画素電極３層の上面に遮光
層４を設けたた以外は実施例３と同様にして液晶表示装
置を製造した。
置におけるＴＦＴ基板の断面構造図である。図８
（ａ）、（ｂ）に示す様に、画素電極３層の上面に遮光
層４を設けたた以外は実施例３と同様にして液晶表示装
置を製造した。
【００３１】（実施例６）図９は本実施例の液晶表示装
置におけるＴＦＴ基板の上面構造図である。図９に示す
様に、ゲート線４１を遮光層とした以外は実施例３と同
様にして液晶表示装置を製造した。尚、断面構造図は図
５と同様である。
置におけるＴＦＴ基板の上面構造図である。図９に示す
様に、ゲート線４１を遮光層とした以外は実施例３と同
様にして液晶表示装置を製造した。尚、断面構造図は図
５と同様である。
【００３２】（実施例７）図１０、図１１はそれぞれ本
実施例の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の断面構造
図、上面構造図である。図１０、図１１に示す様に、ソ
ース線４２を遮光層とした以外は実施例３と同様にして
液晶表示装置を製造した。
実施例の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の断面構造
図、上面構造図である。図１０、図１１に示す様に、ソ
ース線４２を遮光層とした以外は実施例３と同様にして
液晶表示装置を製造した。
【００３３】次に、本第２の発明につき説明する。
【００３４】（実施例８）図１２は本実施例の液晶表示
装置の部分断面図である。駆動基板１２１とカラーフィ
ルター基板１２２間に液晶層１０５が挟持されている。
駆動基板１２１、カラーフィルター基板１２２は実施例
１と同様に透明基板１０１、１１０上に形成される。
装置の部分断面図である。駆動基板１２１とカラーフィ
ルター基板１２２間に液晶層１０５が挟持されている。
駆動基板１２１、カラーフィルター基板１２２は実施例
１と同様に透明基板１０１、１１０上に形成される。
【００３５】駆動基板１２１は画素電極１０２、第１の
遮光層１０３、配向層１０４より構成される。カラーフ
ィルター基板１２２は、カラーフィルター層１０９、共
通電極１０８、第２の遮光層１０７、配向層１０６より
構成される。詳細は実施例１と同様である。
遮光層１０３、配向層１０４より構成される。カラーフ
ィルター基板１２２は、カラーフィルター層１０９、共
通電極１０８、第２の遮光層１０７、配向層１０６より
構成される。詳細は実施例１と同様である。
【００３６】第１の遮光層１０３と第２の遮光層１０７
の表示部側の端面は同一垂線上にある。即ち、表示部は
第１の遮光層１０３と第２の遮光層１０７の両方により
決定される。
の表示部側の端面は同一垂線上にある。即ち、表示部は
第１の遮光層１０３と第２の遮光層１０７の両方により
決定される。
【００３７】本実施例によれば、駆動基板側、カラーフ
ィルター基板側の両側で遮光するため、迷光や斜め入光
による画質劣化を有効に防止できる。
ィルター基板側の両側で遮光するため、迷光や斜め入光
による画質劣化を有効に防止できる。
【００３８】（実施例９）図１３は本実施例の液晶表示
装置の部分断面図である。表示部を第１の遮光層１０３
のみで決定するように第１の遮光層１０３、第２の遮光
層１０７を形成した以外は実施例８と同様にして液晶表
示装置を製造した。
装置の部分断面図である。表示部を第１の遮光層１０３
のみで決定するように第１の遮光層１０３、第２の遮光
層１０７を形成した以外は実施例８と同様にして液晶表
示装置を製造した。
【００３９】本実施例によれば、駆動基板側の遮光層で
有効表示部を決定するため、アライメントずれが発生し
ない。
有効表示部を決定するため、アライメントずれが発生し
ない。
【００４０】（実施例１０）図１４は本実施例の液晶表
示装置の部分断面図である。駆動基板１２１側の第１の
遮光層１０３を表示部と反対側の端面が第２の遮光層１
０７下になる様に第１の遮光層１０３を小さく形成した
以外は実施例９と同様にして液晶表示装置を製造した。
示装置の部分断面図である。駆動基板１２１側の第１の
遮光層１０３を表示部と反対側の端面が第２の遮光層１
０７下になる様に第１の遮光層１０３を小さく形成した
以外は実施例９と同様にして液晶表示装置を製造した。
【００４１】本実施例によれば、遮光層が小さいため、
配線が多く複雑な駆動基板上に容易に遮光層を形成でき
る。
配線が多く複雑な駆動基板上に容易に遮光層を形成でき
る。
【００４２】（実施例１１）図１５は本実施例の液晶表
示装置の部分断面図である。カラーフィルター基板１２
２の、カラーフィルター層１０９と反対側の透明基板１
１０上にも第２の遮光層１０７を形成した以外はは実施
例１０と同様にして液晶表示装置を製造した。
示装置の部分断面図である。カラーフィルター基板１２
２の、カラーフィルター層１０９と反対側の透明基板１
１０上にも第２の遮光層１０７を形成した以外はは実施
例１０と同様にして液晶表示装置を製造した。
【００４３】本実施例によれば、カラーフィルター基板
の上下に遮光層を形成するため、遮光効果がより向上す
る。
の上下に遮光層を形成するため、遮光効果がより向上す
る。
【００４４】（実施例１２）図１６は本実施例の液晶表
示装置の部分断面図、図１７は等価回路図である。本発
明をアクティブマトリクス基板に応用した例であり、駆
動基板１２１は実施例３のＳｉウエハ上に形成される。
示装置の部分断面図、図１７は等価回路図である。本発
明をアクティブマトリクス基板に応用した例であり、駆
動基板１２１は実施例３のＳｉウエハ上に形成される。
【００４５】図１６の駆動基板１２１において１１２は
シリコン基板、１１１は絶縁層、１１３は制御電極、１
１４はデータ線、１１５は遮光層としての低抵抗層であ
る。また、カラーフィルター基板１１６において、１１
６はカラーフィルター、１１７、１１８は遮光層として
のブラックマトリックス、１１９は遮光層である。
シリコン基板、１１１は絶縁層、１１３は制御電極、１
１４はデータ線、１１５は遮光層としての低抵抗層であ
る。また、カラーフィルター基板１１６において、１１
６はカラーフィルター、１１７、１１８は遮光層として
のブラックマトリックス、１１９は遮光層である。
【００４６】他の詳細は実施例３と同様である。
【００４７】（実施例１３）図１８は本実施例の液晶表
示装置の部分断面図である。遮光層１１５の上部に更に
遮光層７０１を形成した以外は実施例１２と同様にして
液晶表示装置を製造した。
示装置の部分断面図である。遮光層１１５の上部に更に
遮光層７０１を形成した以外は実施例１２と同様にして
液晶表示装置を製造した。
【００４８】
【発明の効果】以上説明の様に、本第１の発明によれ
ば、ＴＦＴ側に遮光層を設けるため、カラーフィルター
基板とＴＦＴの貼りあわせ精度が緩和され、高精度では
なく普通の貼り合わせ機での貼り合わせが可能である。
ば、ＴＦＴ側に遮光層を設けるため、カラーフィルター
基板とＴＦＴの貼りあわせ精度が緩和され、高精度では
なく普通の貼り合わせ機での貼り合わせが可能である。
【００４９】また、遮光層をＴＦＴと同様なフォトプロ
セスで形成することが可能となり、画素と遮光層の合わ
せ精度が格段に向上した。そのため、画素に対する遮光
層の開口部が広がり、液晶パネルの光利用率が向上し、
表示品位の高い液晶表示装置が得られた。
セスで形成することが可能となり、画素と遮光層の合わ
せ精度が格段に向上した。そのため、画素に対する遮光
層の開口部が広がり、液晶パネルの光利用率が向上し、
表示品位の高い液晶表示装置が得られた。
【００５０】更に、高精度な遮光が可能なためカラーフ
ィルター間の色調が干渉しあうことがなく、鮮明なコン
トラストの優れた液晶表示装置が得られた。
ィルター間の色調が干渉しあうことがなく、鮮明なコン
トラストの優れた液晶表示装置が得られた。
【００５１】本第２の発明によれば、駆動基板とカラー
フィルター基板の両側に遮光層を設け、この遮光層の一
部を互いに重ね合わせるため、確実に有効表示部以外を
遮光することが可能となった。
フィルター基板の両側に遮光層を設け、この遮光層の一
部を互いに重ね合わせるため、確実に有効表示部以外を
遮光することが可能となった。
【図１】実施例１の液晶表示装置の概略断面図。
【図２】図１の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の断面
構造図。
構造図。
【図３】実施例２の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の
断面構造図。
断面構造図。
【図４】実施例３の液晶表示装置の概略断面図。
【図５】図４の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の断面
構造図。
構造図。
【図６】図４の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の上面
構造図。
構造図。
【図７】実施例４の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の
断面構造図。
断面構造図。
【図８】実施例５の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の
断面構造図。
断面構造図。
【図９】実施例６の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の
上面構造図。
上面構造図。
【図１０】実施例７の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板
の断面構造図。
の断面構造図。
【図１１】実施例７の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板
の上面構造図。
の上面構造図。
【図１２】実施例８の液晶表示装置の部分断面図。
【図１３】実施例９の液晶表示装置の部分断面図。
【図１４】実施例１０の液晶表示装置の部分断面図。
【図１５】実施例１１の液晶表示装置の部分断面図。
【図１６】実施例１２の液晶表示装置の部分断面図。
【図１７】実施例１２の液晶表示装置の等価回路図。
【図１８】実施例１３の液晶表示装置の部分断面図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮脇 守 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】それぞれ電極が形成されてなる一対の基板
間に挟持されてなる液晶層及び複数のカラーフィルター
を有してなる液晶表示装置において、カラーフィルター
と対向する基板側に光を遮光する遮光層を設けることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】カラーフィルター間の境界部分に遮光層を
設けないことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。 - 【請求項３】カラーフィルターと対向する基板にはＴＦ
Ｔが形成されていることを特徴とする請求項１記載の液
晶表示装置。 - 【請求項４】それぞれ電極が形成されてなる一対の基板
間に挟持されてなる液晶層及び複数のカラーフィルター
を有してなる液晶表示装置において、カラーフィルター
と対向する基板側及びカラーフィルター基板側に光を遮
光する遮光層を設け、少なくともカラーフィルターと対
向する基板側の遮光層で表示部が決定されることを特徴
とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7587892A JP3023729B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7587892A JP3023729B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05241145A true JPH05241145A (ja) | 1993-09-21 |
| JP3023729B2 JP3023729B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=13588985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7587892A Expired - Lifetime JP3023729B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3023729B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016026314A (ja) * | 2015-09-14 | 2016-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP7587892A patent/JP3023729B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016026314A (ja) * | 2015-09-14 | 2016-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3023729B2 (ja) | 2000-03-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991207 |