JPH05241202A - Liquid crystal display - Google Patents
Liquid crystal displayInfo
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- JPH05241202A JPH05241202A JP4540292A JP4540292A JPH05241202A JP H05241202 A JPH05241202 A JP H05241202A JP 4540292 A JP4540292 A JP 4540292A JP 4540292 A JP4540292 A JP 4540292A JP H05241202 A JPH05241202 A JP H05241202A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】走査電極の配線抵抗値を低減するとともに、バ
リスタ素子の電気特性に大きな影響を及ぼす因子の一つ
であるバリスタギャップを精度良くかつバラツキを少な
く形成して、表示ムラの無い高画質の液晶表示装置を提
供する。
【構成】下側ガラス基板10に設けられた画素電極が、バ
リスタ素子形成部側19と液晶表示部側20とに分割されて
あり、前記バリスタ素子形成部側19が走査電極11と同じ
材質からなる金属薄膜によって形成され、液晶表示部側
20が透明電極によって形成され、かつ前記バリスタ素子
形成部側19と前記液晶表示部側20とが電気的に接続され
ていることを特徴とする液晶表示装置であることを特徴
とする。
(57) [Abstract] [Purpose] The wiring resistance value of the scanning electrode is reduced, and the varistor gap, which is one of the factors that greatly influences the electrical characteristics of the varistor element, is formed with high accuracy and little variation, thereby providing a display. Provide a liquid crystal display device with high image quality without unevenness. [Structure] The pixel electrode provided on the lower glass substrate 10 is divided into a varistor element forming portion side 19 and a liquid crystal display portion side 20, and the varistor element forming portion side 19 is made of the same material as the scanning electrode 11. Is formed by a thin metal film that is
A liquid crystal display device is characterized in that 20 is formed of a transparent electrode, and the varistor element formation portion side 19 and the liquid crystal display portion side 20 are electrically connected.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
方式の液晶表示装置に関し、特には印刷法により形成さ
れた焼結体バリスタ素子が二端子素子として用いられて
いる液晶表示装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device in which a sintered body varistor element formed by a printing method is used as a two-terminal element.
【0002】[0002]
【従来の技術】液晶表示装置の構造には、大別して、単
純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがあ
る。単純マトリクス方式は、直角をなして設けられた一
対の帯状電極群(走査電極群と信号電極群)の交点で画
素電極を構成したものであり、これらの電極群に駆動回
路によって所定の電圧を印加して画素部の液晶を動作さ
せるものである。この方式は、構造が簡単なため低価格
でシステムを実現できるという利点があるが、各画素間
でのクロストークが生ずるため、コントラストが低く、
液晶テレビ等の高精細の画像表示を行う際、画質の低下
は避けられないものであった。2. Description of the Related Art The structure of a liquid crystal display device is roughly classified into a simple matrix system and an active matrix system. In the simple matrix system, pixel electrodes are formed at the intersections of a pair of strip-shaped electrode groups (scan electrode group and signal electrode group) provided at right angles, and a predetermined voltage is applied to these electrode groups by a drive circuit. The liquid crystal in the pixel portion is operated by applying the voltage. This method has the advantage that the system can be realized at a low price because of its simple structure, but since crosstalk occurs between each pixel, the contrast is low,
When displaying a high-definition image on a liquid crystal television or the like, deterioration in image quality is unavoidable.
【0003】これに対し、アクティブマトリクス方式
は、各画素毎にスイッチング素子を設けて電圧を保持す
るものであり、液晶表示装置を時分割駆動しても画素部
の液晶が選択時の電圧を保持することができるため、表
示容量の増大が可能で、コントラスト等の画質に関する
特性がよく、液晶テレビの高画質表示を実現できるもの
である。しかしながら、アクティブマトリクス方式にあ
っては構造が複雑になって歩留りが悪く、製造コストが
高くなってしまうという欠点があった。例えば、スイッ
チング素子として薄膜トランジスタを用いるTFT型で
は、その製造工程において5層以上の薄膜を積層し、所
定の形状に微細加工する必要があるため、製品歩留りを
上げることは困難であり、特に表示面積の大型化を行う
には決定的に不利である。On the other hand, in the active matrix system, a switching element is provided for each pixel to hold the voltage, and the liquid crystal in the pixel section holds the voltage when the liquid crystal display device is driven in a time division manner. Therefore, the display capacity can be increased, the characteristics relating to image quality such as contrast are excellent, and high image quality display of a liquid crystal television can be realized. However, the active matrix method has a drawback that the structure is complicated, the yield is low, and the manufacturing cost is high. For example, in the TFT type using a thin film transistor as a switching element, it is difficult to increase the product yield because it is necessary to stack five or more thin films in the manufacturing process and finely process the thin film into a predetermined shape. There is a definite disadvantage in increasing the size of.
【0004】上記の様なことから、コントラスト等の画
質に関する特性が良く、且つ構造の簡単にして低コスト
な方式の液晶表示装置の実現が望まれており、この様な
要求を実現する方法として、焼結体バリスタ素子を用い
た二端子素子型液晶表示装置が有望である。From the above reasons, it is desired to realize a liquid crystal display device of a system which has good characteristics relating to image quality such as contrast and has a simple structure and low cost, and as a method for realizing such requirements. A two-terminal element type liquid crystal display device using a sintered varistor element is promising.
【0005】二端子素子型の液晶表示装置は、単純マト
リクス方式に改良を加えて、(図5)に示す様に、走査
電極11と信号電極16との間に液晶14と所定のしき
い値電圧で導通する焼結体バリスタ素子13とを電気的
に直列に接続したものであり、(図6)に示す様な焼結
体バリスタ素子13の非線型な電流−電圧特性を利用し
たものである。The two-terminal element type liquid crystal display device is an improvement of the simple matrix system, and as shown in FIG. 5, liquid crystal 14 and a predetermined threshold value are provided between the scanning electrode 11 and the signal electrode 16. A sintered body varistor element 13 that conducts with a voltage is electrically connected in series, and uses the non-linear current-voltage characteristics of the sintered body varistor element 13 as shown in FIG. is there.
【0006】(図8)に一般的な二端子素子型アクティ
ブマトリクスの構造図を示す。ここに示す様に、走査電
極11それぞれに対して多数の画素電極12が一定の間
隔d(バリスタギャップ)をもって設けられ、走査電極
11と画素電極12とは各焼結体バリスタ素子13で一
定のしきい値電圧VV をもって接続されている。焼結体
バリスタ素子13は、(図4)に詳示するように、Zn
O単結晶粒子131の表面をMn、Co酸化物等の無機
絶縁膜132で被覆したバリスタ粒子13aからなり、
(図3)に詳示する様に、これらバリスタ粒子13aを
ガラスフリット13bで融着したものである。FIG. 8 shows the structure of a general two-terminal element type active matrix. As shown here, a large number of pixel electrodes 12 are provided for each scanning electrode 11 with a constant distance d (varistor gap), and the scanning electrodes 11 and the pixel electrodes 12 are fixed in each sintered body varistor element 13. They are connected with a threshold voltage V V. As shown in detail in (FIG. 4), the sintered varistor element 13 is made of Zn.
The varistor particles 13a are formed by coating the surface of the O single crystal particles 131 with an inorganic insulating film 132 such as Mn or Co oxide.
As shown in detail in FIG. 3, these varistor particles 13a are fused with a glass frit 13b.
【0007】従来の二端子素子型アクティブマトリクス
液晶表示装置の例を(図7)及び(図8)で示す。(図
7)に示す様に、下側ガラス基板10上にITO等の透
明導電膜からなる画素電極12及び走査電極11がフォ
トファブリケーション法により形成されている。更に、
粒径2〜10μm の範囲でなるべく単分散になる様に
分級されたバリスタ粒子にガラスフリットを25重量部
及びエチルセルロース(粘度50cps)を10重量部
加えてカルビトールを溶剤としてペースト化し、このペ
ーストをガラス基板10上にシルクスクリーン印刷で走
査電極11と画素電極12の間のギャップに跨がる様に
焼結体バリスタ素子を印刷し、これを480℃で30分
間焼成して焼結体バリスタ素子13とする。An example of a conventional two-terminal element type active matrix liquid crystal display device is shown in FIGS. 7 and 8. As shown in FIG. 7, the pixel electrode 12 and the scanning electrode 11 made of a transparent conductive film such as ITO are formed on the lower glass substrate 10 by a photofabrication method. Furthermore,
25 parts by weight of glass frit and 10 parts by weight of ethyl cellulose (viscosity 50 cps) were added to varistor particles classified so as to be as monodisperse as possible within a particle size range of 2 to 10 μm, and carbitol was used as a solvent to form a paste. A sintered body varistor element is printed on the glass substrate 10 by silk screen printing so as to span the gap between the scanning electrode 11 and the pixel electrode 12, and is baked at 480 ° C. for 30 minutes. 13
【0008】一方、上側ガラス基板17上には、ITO
等の透明導電膜からなる信号電極16が形成される。次
に、下側ガラス基板10及び上側ガラス基板17に配向
処理されたポリイミドによる配向膜15が形成される。
また、液晶の特性に合わせたセルギャップ値になる様に
スペーサを用いて、上側ガラス基板17と下側ガラス基
板10を所定の間隔を保ち、貼り合わせられており、そ
の間に液晶14が充填されている。また、このセルの外
側の両表面には、偏光板18が設置される。尚、ここで
は、TN液晶を用いたものを代表例として説明した。On the other hand, ITO is formed on the upper glass substrate 17.
The signal electrode 16 is formed of a transparent conductive film such as. Next, an alignment film 15 made of alignment-treated polyimide is formed on the lower glass substrate 10 and the upper glass substrate 17.
In addition, the upper glass substrate 17 and the lower glass substrate 10 are bonded to each other with a predetermined gap by using a spacer so that the cell gap value matches the characteristics of the liquid crystal, and the liquid crystal 14 is filled between them. ing. Polarizing plates 18 are provided on both outer surfaces of the cell. In addition, here, the one using the TN liquid crystal has been described as a typical example.
【0009】従来の液晶表示装置において、走査電極1
1と画素電極12は、ITO等の透明電極により、フォ
トファブリケーション法により精度良く形成される。し
かし、透明導電膜は金属薄膜に比較して電気抵抗値が高
く、最良のものでもシート抵抗値が10Ω/□程度もあ
る。従って、例えば対角14インチの液晶表示装置(6
40×400ドット)の走査電極に使用した場合、走査
電極のサイズは長さ300mm、線幅50μm 程度に
なり、配線抵抗はシート抵抗で実に約60kΩ/□にも
なる。走査電極先端では、このような走査電極の配線抵
抗により、距離に比例して電圧が降下し液晶の透過率が
変化するために走査電極の抵抗は信号波形の歪み(遅延
時間)の原因となり、さらに表示ムラの原因ともなって
いた。In the conventional liquid crystal display device, the scanning electrode 1
1 and the pixel electrode 12 are accurately formed by a photofabrication method using a transparent electrode such as ITO. However, the transparent conductive film has a higher electric resistance value than the metal thin film, and even the best one has a sheet resistance value of about 10Ω / □. Therefore, for example, a liquid crystal display device (6
When used for a scanning electrode of 40 × 400 dots), the size of the scanning electrode is about 300 mm and the line width is about 50 μm, and the wiring resistance is a sheet resistance of about 60 kΩ / □. At the tip of the scanning electrode, due to the wiring resistance of the scanning electrode, the voltage drops in proportion to the distance and the transmittance of the liquid crystal changes, so that the resistance of the scanning electrode causes distortion of the signal waveform (delay time), Furthermore, it was also a cause of display unevenness.
【0010】一般に、遅延時間は、電極の抵抗値と容量
の積で表される。表示ムラを防止するには、遅延時間
は、液晶1画素を充電するのに要する時間に比較して十
分短いことが必要であり、このためにも配線抵抗を低減
することが望まれている。さらに、表示画面の大型化・
精細化を行うには、走査電極の長さは増加し、さらに線
巾は細くなるため、配線抵抗の低減は、非常に重要であ
る。Generally, the delay time is represented by the product of the resistance value of the electrode and the capacitance. In order to prevent display unevenness, the delay time needs to be sufficiently shorter than the time required to charge one pixel of the liquid crystal, and also for this purpose, it is desired to reduce the wiring resistance. In addition, the display screen is enlarged.
In order to achieve finer definition, the length of the scanning electrode is increased and the line width is reduced, so that the reduction of the wiring resistance is very important.
【0011】従来、走査電極の配線抵抗を低減するため
に、走査電極の材料としてITO製透明導電膜より抵抗
値の低いAl、Cr等の金属薄膜を用いることが行われ
る。この場合、Cr等の金属薄膜が成膜されたガラス基
板をフォトエッチングを用いて所定の走査電極のパター
ンに形成した後、スパッタ法等の真空プロセスを用い、
ITO製透明導電膜を成膜し、再びフォトファブリケー
ション法を用いて画素電極を形成するものである。この
際にバリスタギャップは、走査電極と画素電極との間の
ギャップで形成するのが一般的である。Conventionally, in order to reduce the wiring resistance of the scan electrode, a metal thin film such as Al or Cr having a resistance value lower than that of the ITO transparent conductive film is used as the material of the scan electrode. In this case, a glass substrate on which a metal thin film such as Cr is formed is formed into a predetermined scan electrode pattern by photoetching, and then a vacuum process such as a sputtering method is used.
The transparent conductive film made of ITO is formed, and the pixel electrode is formed again using the photofabrication method. At this time, the varistor gap is generally formed by the gap between the scanning electrode and the pixel electrode.
【0012】バリスタギャップは、バリスタ素子のしき
い値電圧を決定する大きな因子であるため、このバリス
タギャップの寸法精度は重要である。一般に、バリスタ
素子のしきい値電圧は、バリスタギャップ間に存在する
バリスタ粒子の数により依存する。従って、バリスタギ
ャップの寸法誤差がバリスタ粒子の平均粒径以上になる
と、しきい値電圧のバラツキとなって現れれ、液晶表示
装置の表示ムラとして観察される。例を示せば、バリス
タ粒子の平均粒径が5μmの場合では、20±2.5μ
m 以下の精度が必要である。Since the varistor gap is a large factor that determines the threshold voltage of the varistor element, the dimensional accuracy of this varistor gap is important. Generally, the threshold voltage of a varistor element depends on the number of varistor particles present between the varistor gaps. Therefore, when the dimensional error of the varistor gap is equal to or larger than the average particle size of the varistor particles, it appears as a variation in the threshold voltage and is observed as display unevenness of the liquid crystal display device. For example, if the average particle size of the varistor particles is 5 μm, 20 ± 2.5 μm
Accuracy of m or less is required.
【0013】しかし、市場からの要求にもとづく表示画
面の大型化の傾向にともない、ガラス基板のサイズが大
きくなってくるにつれて、従来法によるものでは走査電
極パターンと画素電極パターンとの位置合わせ精度が不
足してくるようになってきた。すなわち、対角14イン
チクラスのガラス基板では、位置合わせ誤差は一般には
±5μm以上もあるため、バリスタギャップの寸法値の
ムラによるバリスタ素子のしきい値電圧のバラツキを生
じていた。このバリスタ素子のしきい値電圧のバラツキ
は表示ムラ等の表示画質低下の主要な原因の一つであ
り、大きな問題となっていた。However, as the size of the glass substrate becomes larger in accordance with the tendency of the display screen to become larger in accordance with the demands from the market, the conventional method requires a more accurate alignment of the scanning electrode pattern and the pixel electrode pattern. I'm starting to run out. That is, in a 14-inch diagonal glass substrate, since the alignment error is generally ± 5 μm or more, the threshold voltage of the varistor element varies due to the uneven dimensional value of the varistor gap. This variation in the threshold voltage of the varistor element is one of the main causes of display quality deterioration such as display unevenness, and has been a serious problem.
【0014】[0014]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来の
液晶表示装置の問題点に鑑みなされたものであり、走査
電極の配線抵抗値を低減するとともに、バリスタ素子の
電気特性に大きな影響を及ぼす因子の一つであるバリス
タギャップを精度良くかつバラツキを少なく形成して、
表示ムラの無い高画質の液晶表示装置を提供するもので
ある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the problems of the above-mentioned conventional liquid crystal display device, and reduces the wiring resistance value of the scanning electrode and has a great influence on the electrical characteristics of the varistor element. By forming the varistor gap, which is one of the factors that affects it, with high precision and little variation,
It is intended to provide a high-quality liquid crystal display device without display unevenness.
【0015】[0015]
【問題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明が提供する手段は、すなわち、バリスタ素子が
アクティブマトリクス素子として、下側ガラス基板上の
走査電極と画素電極との間を接続する構造に形成されて
あり、また液晶層は対向する上側ガラス基板と前記下側
ガラス基板との間に設けられてあり、前記バリスタ素子
を介して駆動する液晶表示装置において、前記下側ガラ
ス基板に設けられた前記画素電極が、バリスタ素子形成
部側と液晶表示部側とに分割されてあり、前記バリスタ
素子形成部側が前記走査電極と同じ材質からなる金属薄
膜によって形成され、前記液晶表示部側が透明電極によ
って形成され、かつ前記バリスタ素子形成部側と前記液
晶表示部側とが電気的に接続されていることを特徴とす
る液晶表示装置である。Means for Solving the Problems The means provided by the present invention for solving the above-mentioned problems are as follows: a varistor element is used as an active matrix element to connect a scanning electrode and a pixel electrode on a lower glass substrate. In the liquid crystal display device driven by the varistor element, the liquid crystal layer is formed between the upper glass substrate and the lower glass substrate facing each other. The pixel electrode provided on the liquid crystal display portion is divided into a varistor element forming portion side and a liquid crystal display portion side, and the varistor element forming portion side is formed of a metal thin film made of the same material as the scanning electrode. In the liquid crystal display device, the side is formed of a transparent electrode, and the varistor element forming portion side and the liquid crystal display portion side are electrically connected. That.
【0016】[0016]
【作用】本発明では、下側ガラス基板上の各画素電極
は、いずれもバリスタ素子形成部側と液晶表示部側とか
らなり、両者の間は電気的接続が保たれた状態で形成さ
れている。走査電極と画素電極の前記バリスタ素子形成
部側とは同じ金属材質からなり、下側ガラス基板上に成
膜された同じ薄膜からフォトファブリケーション法を用
いて同時に形成される。画素電極の液晶表示部側をなす
透明導電膜のパターンは、やはり薄膜の状態からフォト
ファブリケーション法を用いて形成されるが、このとき
前記バリスタ素子形成部側と電気的に接続できるような
パターン形状、配置に形成される。これによって、走査
電極の配線抵抗値の低化による遅延時間の十分な短縮化
はもちろんのこと、バリスタギャップ形成の精度向上と
バラツキの低減とを同時に図ることが容易となる。尚、
前記走査電極、バリスタ素子形成部側および液晶表示部
側を形成するのに、特にリフトオフ法を用いることも好
適である。In the present invention, each pixel electrode on the lower glass substrate is composed of the varistor element forming portion side and the liquid crystal display portion side, and is formed in a state in which electrical connection is maintained between them. There is. The scanning electrode and the pixel electrode on the side of the varistor element forming portion are made of the same metal material and are simultaneously formed from the same thin film formed on the lower glass substrate by using a photofabrication method. The pattern of the transparent conductive film forming the liquid crystal display portion side of the pixel electrode is formed by the photofabrication method from the state of the thin film, and at this time, the pattern that can be electrically connected to the varistor element forming portion side. Shaped and arranged. This makes it possible not only to sufficiently reduce the delay time by reducing the wiring resistance value of the scan electrodes, but also to simultaneously improve the accuracy of varistor gap formation and reduce the variation. still,
It is also preferable to use a lift-off method in particular for forming the scan electrodes, the varistor element formation portion side and the liquid crystal display portion side.
【0017】[0017]
【実施例】本発明に係る液晶表示装置の実施例を図面を
用いて具体的に説明する。(図1)は本発明による液晶
表示装置を示す断面図であり、(図2)はそのバリスタ
素子部の平面図である。(図1)に示す様にSiO2 コ
ートを施したソーダガラスを基材とした下側ガラス基板
10上にマグネトロンスパッタ装置を用いて金属薄膜と
してCr膜を厚さ1000Åに成膜する。尚、金属薄膜
の種類としては、Crに限らず、Al、Ta、Ni、C
u等の各種金属が使用できる。このときのシート抵抗は
2Ω/□であった。これにフォトファブリケーション法
を適用して、レジストパターンを形成し、硝酸セリウム
アンモニウム系のエッチング液を用いて、走査電極11
と画素電極のバリスタ素子形成部側19とを同時に形成
する。このとき、走査電極11の線巾は50μmであ
り、走査電極11と画素電極のバリスタ素子形成部側1
9で形成されるバリスタギャップdは、20±1μmで
あった。Embodiments of the liquid crystal display device according to the present invention will be specifically described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the varistor element part thereof. As shown in FIG. 1, a Cr film as a metal thin film having a thickness of 1000 Å is formed on a lower glass substrate 10 made of soda glass coated with SiO 2 as a base material using a magnetron sputtering apparatus. The type of metal thin film is not limited to Cr, but Al, Ta, Ni, C
Various metals such as u can be used. The sheet resistance at this time was 2Ω / □. A resist pattern is formed by applying a photofabrication method to the scan electrode 11 using an cerium ammonium nitrate-based etching solution.
And the varistor element forming portion side 19 of the pixel electrode are formed at the same time. At this time, the line width of the scan electrode 11 is 50 μm, and the scan electrode 11 and the pixel electrode 1 on the varistor element formation portion side 1
The varistor gap d formed in No. 9 was 20 ± 1 μm.
【0018】次に、マグネトロンスパッタ装置を用いて
ITO製透明導電膜を形成した。このとき膜厚は100
0Åであり、また膜のシート抵抗値は40Ω/□であっ
た。更に、フォトファブリケーション法を用いて、レジ
ストパターンを形成して、画素電極の液晶表示部側20
を形成する。このとき、先に形成した画素電極のバリス
タ素子形成部側19と画素電極の液晶表示部側20と
は、電気的の接続されるように、液晶表示部側20の透
明導電膜をバリスタ素子形成部側19の一部に積層され
るようにする。Next, an ITO transparent conductive film was formed using a magnetron sputtering device. At this time, the film thickness is 100
It was 0Å, and the sheet resistance of the film was 40Ω / □. Further, a resist pattern is formed by using the photofabrication method, and the liquid crystal display portion side 20 of the pixel electrode is formed.
To form. At this time, the transparent conductive film on the liquid crystal display section side 20 is formed on the varistor element side 20 so that the previously formed varistor element formation section side 19 of the pixel electrode and the liquid crystal display section side 20 of the pixel electrode are electrically connected. It is laminated on a part of the part side 19.
【0019】次に、原料となるZnO粉を1200℃で
1時間焼成した後に、これをボールミルで粉砕してエア
分級して3〜5μmのZnO単結晶粉を得、さらにこれ
にCo2 O3 を0.5モル%、およびMnCO3 を0.
5モル%加えて1150℃で1時間焼成してバリスタ特
性を有するバリスタ粉とした。このバリスタ粉にガラス
フリットを25重量部およびエチルセルロース(粘度5
0cps)を10重量部加えてカルビトールを溶剤とし
てペースト化し、このペーストを下側ガラス基板10上
にシルクスクリーン印刷法により焼結体バリスタ素子1
3のパターンに印刷する。更に、印刷後470℃で1時
間焼成し、焼結体バリスタ素子13を完成する。Next, after the raw material ZnO powder was calcined at 1200 ° C. for 1 hour, it was crushed by a ball mill and air classified to obtain a ZnO single crystal powder of 3 to 5 μm, and further Co 2 O 3 was added thereto. Of 0.5 mol% and MnCO 3 of 0.
5 mol% was added and fired at 1150 ° C. for 1 hour to obtain varistor powder having varistor characteristics. To this varistor powder, 25 parts by weight of glass frit and ethyl cellulose (viscosity 5
0 cps) is added to form a paste using carbitol as a solvent, and the paste is sintered on the lower glass substrate 10 by a silk screen printing method.
Print in the pattern of 3. Further, after printing, firing is performed at 470 ° C. for 1 hour to complete the sintered body varistor element 13.
【0020】次に、SiO2 コートを施したソーダガラ
スを基材とした上側ガラス基板17にマグネトロンスパ
ッタ装置を用いて、ITO膜(厚み1100Å)をIT
Oターゲットにより成膜する。このときのシート抵抗値
は30Ω/□以下が望ましい。更に、このITO膜をウ
エットエッチング法によりパターン化し、信号電極16
とする。Next, an ITO film (thickness 1100Å) was formed on the upper glass substrate 17 made of soda glass coated with SiO 2 as a base material by using a magnetron sputtering device.
A film is formed using an O target. At this time, the sheet resistance value is preferably 30Ω / □ or less. Further, this ITO film is patterned by a wet etching method to form a signal electrode 16
And
【0021】しかる後、上側ガラス基板17、及び下側
ガラス基板10両方に配向剤(日立化成工業(株)製:
商品名 HL1110)を約700Åの膜厚で塗布し、
ラビング方向が互いに約90°の角度を成すようにロー
ラーラビング装置を用いてラビングし、配向膜15を形
成する。Thereafter, an aligning agent (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is applied to both the upper glass substrate 17 and the lower glass substrate 10.
Apply the product name HL1110) to a film thickness of approximately 700Å,
The alignment film 15 is formed by rubbing using a roller rubbing device so that the rubbing directions form an angle of about 90 °.
【0022】次に、上側ガラス基板17に所定のギャッ
プ値のスペーサ(10μm径)を混入したシール用エポ
キシ樹脂をシルクスクリーン印刷法により印刷し、シー
ル部を形成する。また、同時にセル中央部にはスペーサ
を散布しておく。次に、下側ガラス基板10を正確に位
置合わせをした後、このセルを加圧治具を用いて、均一
に加圧・加熱しシール材を硬化する。このときの加圧圧
力は1kg/cm2 程度が一般的である。Then, a sealing epoxy resin mixed with a spacer (diameter of 10 μm) having a predetermined gap value is printed on the upper glass substrate 17 by a silk screen printing method to form a sealing portion. At the same time, spacers are scattered in the center of the cell. Next, after accurately aligning the lower glass substrate 10, this cell is uniformly pressed and heated using a pressing jig to cure the sealing material. The pressure applied at this time is generally about 1 kg / cm 2 .
【0023】最後に、TN液晶を注入し、そしてセル外
側両面には偏光板19を貼り合わせて液晶表示装置を完
成する。尚、使用する液晶は、TN液晶に限らず、ゲス
ト−ホスト液晶、高分子分散型液晶等も使用可能であ
る。Finally, TN liquid crystal is injected, and polarizing plates 19 are attached to both outer surfaces of the cell to complete the liquid crystal display device. The liquid crystal used is not limited to TN liquid crystal, but guest-host liquid crystal, polymer dispersed liquid crystal, and the like can also be used.
【0024】完成した液晶表示装置の評価を行ったとこ
ろ、バリスタギャップの精度は、従来法の20±5μm
から20±1μmへと大幅に向上したため、液晶表示装
置の表示ムラによる不良率が従来法の60%から10%
へと減少した。When the completed liquid crystal display device was evaluated, the accuracy of the varistor gap was 20 ± 5 μm of the conventional method.
To 20 ± 1 μm, the defective rate due to display unevenness of the liquid crystal display device is 10% from 60% of the conventional method.
Decreased to.
【0025】[0025]
【発明の効果】本発明にかかわる液晶表示装置によれ
ば、下側ガラス基板上の画素電極がバリスタ素子形成部
側と液晶表示部側とに分割されてあり、フォトファブリ
ケーション法の適用によりバリスタ素子形成部側と走査
電極とは同じ金属薄膜から同時に形成され、また画素電
極の主要部分をなし透明導電膜からなる液晶表示部側は
先に形成されたバリスタ素子形成部側と電気的に接続す
るように形成されている。これによって、走査電極の抵
抗値の低化による遅延時間の十分な短縮化はもちろんの
こと、バリスタギャップの形成精度の向上とバラツキの
低減とを図ることが容易となり、バリスタ素子のしきい
値電圧のバラツキを少なくすることができた。その結
果、表示ムラの無い高画質の液晶表示装置を容易に得ら
れるようになった。According to the liquid crystal display device of the present invention, the pixel electrode on the lower glass substrate is divided into the varistor element forming portion side and the liquid crystal display portion side, and the varistor is applied by applying the photofabrication method. The element formation part side and the scanning electrode are simultaneously formed from the same metal thin film, and the liquid crystal display part side which is the main part of the pixel electrode and is made of a transparent conductive film is electrically connected to the varistor element formation part side formed previously. Is formed. This makes it possible not only to sufficiently shorten the delay time by lowering the resistance value of the scan electrode, but also to easily improve the accuracy of forming the varistor gap and reduce the variation thereof, and to improve the threshold voltage of the varistor element. I was able to reduce the variation. As a result, a high-quality liquid crystal display device without display unevenness can be easily obtained.
【0026】[0026]
【図1】本発明にかかわる液晶表示装置の一実施例の断
面図を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a cross-sectional view of an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.
【図2】本発明にかかわる液晶表示装置の一実施例の二
端子素子の平面図を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory view showing a plan view of a two-terminal element of one embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図3】本発明にかかわる液晶表示装置の一実施例のバ
リスタ素子の要部の拡大図を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing an enlarged view of a main part of a varistor element of an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.
【図4】本発明にかかわる液晶表示装置の一実施例のバ
リスタ素子要部の断面拡大図を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing an enlarged cross-sectional view of a main part of a varistor element of an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.
【図5】本発明にかかわる(二端子素子型)液晶表示装
置の一実施例の等価回路図である。FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of an embodiment of a (two-terminal element type) liquid crystal display device according to the present invention.
【図6】本発明にかかわる液晶表示装置の一実施例の焼
結体バリスタ素子の電圧−電流特性を示すグラフであ
る。FIG. 6 is a graph showing voltage-current characteristics of a sintered varistor element of an example of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図7】従来法にかかわる液晶表示装置の一例の断面図
を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a cross-sectional view of an example of a liquid crystal display device according to a conventional method.
【図8】従来法にかかわる(二端子素子型)液晶表示装
置の一例の平面図を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a plan view of an example of a (two-terminal element type) liquid crystal display device according to a conventional method.
10・・・下側ガラス基板 11・・・走査電極 12・・・画素電極 13・・・焼結体バリスタ素子 14・・・液晶 15・・・配向膜 16・・・信号電極 17・・・上側ガラス基板 18・・・偏光板 19・・・バリスタ素子形成部側 20・・・液晶表示部側 10 ... Lower glass substrate 11 ... Scan electrode 12 ... Pixel electrode 13 ... Sintered varistor element 14 ... Liquid crystal 15 ... Alignment film 16 ... Signal electrode 17 ... Upper glass substrate 18 ... Polarizing plate 19 ... Varistor element forming part side 20 ... Liquid crystal display part side
Claims (1)
として、下側ガラス基板上の走査電極と画素電極との間
を接続する構造に形成されてあり、また液晶層は対向す
る上側ガラス基板と該下側ガラス基板との間に設けられ
あり、該バリスタ素子を介して駆動する液晶表示装置に
おいて、該下側ガラス基板に設けられた該画素電極が、
バリスタ素子形成部側と液晶表示部側とに分割されてあ
り、該バリスタ素子形成部側が該走査電極と同じ材質か
らなる金属薄膜によって形成され、該液晶表示部側が透
明電極によって形成され、かつ該バリスタ素子形成部側
と該液晶表示部側とが電気的に接続されていることを特
徴とする液晶表示装置。1. A varistor element is formed as an active matrix element in a structure for connecting a scanning electrode and a pixel electrode on a lower glass substrate, and a liquid crystal layer is opposed to an upper glass substrate and the lower glass substrate. In a liquid crystal display device provided between the glass substrate and the varistor element, the pixel electrode provided on the lower glass substrate is
It is divided into a varistor element forming portion side and a liquid crystal display portion side, the varistor element forming portion side is formed of a metal thin film made of the same material as the scanning electrode, the liquid crystal display portion side is formed of a transparent electrode, and A liquid crystal display device, wherein the varistor element forming portion side and the liquid crystal display portion side are electrically connected.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4540292A JPH05241202A (en) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | Liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4540292A JPH05241202A (en) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | Liquid crystal display |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05241202A true JPH05241202A (en) | 1993-09-21 |
Family
ID=12718264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4540292A Pending JPH05241202A (en) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | Liquid crystal display |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05241202A (en) |
-
1992
- 1992-03-03 JP JP4540292A patent/JPH05241202A/en active Pending
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