JPH05241532A - 液晶表示用メモリ - Google Patents
液晶表示用メモリInfo
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- JPH05241532A JPH05241532A JP4041478A JP4147892A JPH05241532A JP H05241532 A JPH05241532 A JP H05241532A JP 4041478 A JP4041478 A JP 4041478A JP 4147892 A JP4147892 A JP 4147892A JP H05241532 A JPH05241532 A JP H05241532A
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- Japan
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- address
- display memory
- memory
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- Memory System (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 8ビットで構成した液晶表示用メモリにおい
て、1アドレス1セグメント方式におけるメモリの利用
率を上げると共に、1アドレス2セグメント方式の3時
分割におけるプログラム処理を容易にして、プログラム
容量を低減する。 【構成】 表示用メモリ30は、同一メモリに偶数アド
レス及び奇数アドレスの2つのアドレスをマッピングし
たメモリであり、上位4ビットに次番地の奇数アドレス
をマッピングしてある。表示用メモリ30へアクセスす
るアドレスが偶数のときは、セレクタ11が表示用メモ
リ30の下位ニブルを選択してデータバス3に接続し、
8ビット単位でアクセスする。表示用メモリ30へアク
セスするアドレスが奇数のときは、セレクタ11が表示
用メモリ30の上位ニブルを選択してデータバス3に接
続し、表示用メモリ30の上位ニブルをアクセスする。
て、1アドレス1セグメント方式におけるメモリの利用
率を上げると共に、1アドレス2セグメント方式の3時
分割におけるプログラム処理を容易にして、プログラム
容量を低減する。 【構成】 表示用メモリ30は、同一メモリに偶数アド
レス及び奇数アドレスの2つのアドレスをマッピングし
たメモリであり、上位4ビットに次番地の奇数アドレス
をマッピングしてある。表示用メモリ30へアクセスす
るアドレスが偶数のときは、セレクタ11が表示用メモ
リ30の下位ニブルを選択してデータバス3に接続し、
8ビット単位でアクセスする。表示用メモリ30へアク
セスするアドレスが奇数のときは、セレクタ11が表示
用メモリ30の上位ニブルを選択してデータバス3に接
続し、表示用メモリ30の上位ニブルをアクセスする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示用メモリに関
し、特に液晶表示コントローラ及びドライバに制御され
同一メモリに2つのアドレスをマッピングしたメモリで
構成する液晶表示用メモリに関する。
し、特に液晶表示コントローラ及びドライバに制御され
同一メモリに2つのアドレスをマッピングしたメモリで
構成する液晶表示用メモリに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の液晶表示用メモリとしては、図
5,図6及び図7の概念図に示すような液晶表示用メモ
リがある。近年、液晶表示パネル(以下LCDパネルと
記す)は、様々な分野で利用されている。特に家電製品
を中心とする民生分野においては、比較的表示が簡単で
ある“日.”形LCDパネルが数多くみられる。
“日.”形LCDパネルの表示は、表示データを格納す
る表示用メモリと、この表示用メモリに基づいた画素の
点灯/非点灯を制御するセグメント信号と、画素の表示
パターンを制御するコモン信号により制御される。そし
て、コモン信号の所定のタイミングで表示用メモリから
表示用データを自動的に読み出し、読み出したデータに
基づいたセグメント信号とコモン信号とにより画素の点
灯/非点灯を制御する。
5,図6及び図7の概念図に示すような液晶表示用メモ
リがある。近年、液晶表示パネル(以下LCDパネルと
記す)は、様々な分野で利用されている。特に家電製品
を中心とする民生分野においては、比較的表示が簡単で
ある“日.”形LCDパネルが数多くみられる。
“日.”形LCDパネルの表示は、表示データを格納す
る表示用メモリと、この表示用メモリに基づいた画素の
点灯/非点灯を制御するセグメント信号と、画素の表示
パターンを制御するコモン信号により制御される。そし
て、コモン信号の所定のタイミングで表示用メモリから
表示用データを自動的に読み出し、読み出したデータに
基づいたセグメント信号とコモン信号とにより画素の点
灯/非点灯を制御する。
【0003】更に、表示方法は、表示パターンにより2
時分割,3時分割,4時分割及びスタティックがある。
スタティックは、表示用メモリの1領域に1画素分のデ
ータを格納し、“日.”形を8本のセグメント信号によ
り1回で表示する方法である。2時分割は、表示用メモ
リの1領域に2画素分のデータを格納し、“日.”形を
4本のセグメント信号により2回に分けて表示する方法
である。3時分割は、表示用メモリの1領域に3画素分
(1つは2画素分)のデータを格納し、“日.”形を3
本のセグメント信号により3回に分けて表示する方法で
ある。4時分割は、表示用メモリの1領域に4画素分の
データを格納し、“日.”形を2本のセグメント信号に
より4回に分けて表示する方法である。
時分割,3時分割,4時分割及びスタティックがある。
スタティックは、表示用メモリの1領域に1画素分のデ
ータを格納し、“日.”形を8本のセグメント信号によ
り1回で表示する方法である。2時分割は、表示用メモ
リの1領域に2画素分のデータを格納し、“日.”形を
4本のセグメント信号により2回に分けて表示する方法
である。3時分割は、表示用メモリの1領域に3画素分
(1つは2画素分)のデータを格納し、“日.”形を3
本のセグメント信号により3回に分けて表示する方法で
ある。4時分割は、表示用メモリの1領域に4画素分の
データを格納し、“日.”形を2本のセグメント信号に
より4回に分けて表示する方法である。
【0004】従来、マイコンを利用した“日.”形LC
Dパネルの制御は、4ビットマイコンが中心であった。
図5は、従来の1アドレス1セグメント方式において、
4時分割表示における4ビットマイコンを用いた表示用
メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図であ
る。図6は、従来の1アドレス1セグメント方式におい
て、3時分割表示における4ビットマイコンを用いた表
示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図
である。図7は、従来の1アドレス1セグメント方式に
おいて、2時分割表示における4ビットマイコンを用い
た表示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概
念図である。図8は、従来の1アドレス1セグメント方
式において、スタティック表示における4ビットマイコ
ンを用いた表示用メモリとLCDパネルとの対応の一例
を示す概念図である。図5,図6,図7及び図8におい
て、マイコンは、表示用メモリに設定されたデータに基
づいてセグメント信号を生成し、このセグメント信号と
選択した表示パターンのコモン信号とでLCDパネルの
表示の制御をする。表示用メモリは、1領域に最大4画
素分のデータが格納できればよいので4ビット構成で十
分である。このため、メモリを4ビット構成としている
4ビットマイコンでは、表示用メモリのアドレスとセグ
メント信号とが1対1に対応するため(以下、1アドレ
スに1セグメント信号を対応させることを1アドレス1
セグメント方式と記す)、各表示方法におけるメモリの
無駄を最小限にすることができる。
Dパネルの制御は、4ビットマイコンが中心であった。
図5は、従来の1アドレス1セグメント方式において、
4時分割表示における4ビットマイコンを用いた表示用
メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図であ
る。図6は、従来の1アドレス1セグメント方式におい
て、3時分割表示における4ビットマイコンを用いた表
示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図
である。図7は、従来の1アドレス1セグメント方式に
おいて、2時分割表示における4ビットマイコンを用い
た表示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概
念図である。図8は、従来の1アドレス1セグメント方
式において、スタティック表示における4ビットマイコ
ンを用いた表示用メモリとLCDパネルとの対応の一例
を示す概念図である。図5,図6,図7及び図8におい
て、マイコンは、表示用メモリに設定されたデータに基
づいてセグメント信号を生成し、このセグメント信号と
選択した表示パターンのコモン信号とでLCDパネルの
表示の制御をする。表示用メモリは、1領域に最大4画
素分のデータが格納できればよいので4ビット構成で十
分である。このため、メモリを4ビット構成としている
4ビットマイコンでは、表示用メモリのアドレスとセグ
メント信号とが1対1に対応するため(以下、1アドレ
スに1セグメント信号を対応させることを1アドレス1
セグメント方式と記す)、各表示方法におけるメモリの
無駄を最小限にすることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の液晶表示用メモリでは、最近における処理の高
速化及び大容量化からLCDパネルを8ビットマイコン
で制御したいという要求に応じるため8ビットマイコン
で制御しようとすると、メモリが8ビット構成となるた
め、従来の1アドレス1セグメント方式では図9,図1
0,図11及び図12に示すように4時分割方式にして
も表示用メモリの上位4ビットが無駄になってしまうと
いう問題点がある。図9は、従来の1アドレス1セグメ
ント方式において、4時分割表示における8ビットマイ
コンを用いた表示用メモリとLCDパネルとの対応の一
例を示す概念図である。図10は、従来の1アドレス1
セグメント方式において、3時分割表示における8ビッ
トマイコンを用いた表示用メモリとLCDパネルとの対
応の一例を示す概念図である。図11は、従来の1アド
レス1セグメント方式において、2時分割表示における
8ビットマイコンを用いた表示用メモリとLCDパネル
との対応の一例を示す概念図である。図12は、従来の
1アドレス1セグメント方式において、スタティック表
示における8ビットマイコンを用いた表示用メモリとL
CDパネルとの対応の一例を示す概念図である。
た従来の液晶表示用メモリでは、最近における処理の高
速化及び大容量化からLCDパネルを8ビットマイコン
で制御したいという要求に応じるため8ビットマイコン
で制御しようとすると、メモリが8ビット構成となるた
め、従来の1アドレス1セグメント方式では図9,図1
0,図11及び図12に示すように4時分割方式にして
も表示用メモリの上位4ビットが無駄になってしまうと
いう問題点がある。図9は、従来の1アドレス1セグメ
ント方式において、4時分割表示における8ビットマイ
コンを用いた表示用メモリとLCDパネルとの対応の一
例を示す概念図である。図10は、従来の1アドレス1
セグメント方式において、3時分割表示における8ビッ
トマイコンを用いた表示用メモリとLCDパネルとの対
応の一例を示す概念図である。図11は、従来の1アド
レス1セグメント方式において、2時分割表示における
8ビットマイコンを用いた表示用メモリとLCDパネル
との対応の一例を示す概念図である。図12は、従来の
1アドレス1セグメント方式において、スタティック表
示における8ビットマイコンを用いた表示用メモリとL
CDパネルとの対応の一例を示す概念図である。
【0006】一方、表示用メモリが8ビットになると、
1セグメント信号を対して4ビットのデータを割り当て
ることから、図13,図14,図15及び図16に示す
ように2セグメント分のデータをマッピングすることが
できる(以下、1アドレスに2セグメント信号を対応さ
せることを1アドレス2セグメント方式と記す)。図1
3は、従来の1アドレス2セグメント方式において、4
時分割表示における8ビットマイコンを用いた表示用メ
モリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図であ
る。図14は、従来の1アドレス2セグメント方式にお
いて、3時分割表示における8ビットマイコンを用いた
表示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念
図である。図15は、従来の1アドレス2セグメント方
式において、2時分割表示における8ビットマイコンを
用いた表示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示
す概念図である。図16は、従来の1アドレス2セグメ
ント方式において、スタティック表示における8ビット
マイコンを用いた表示用メモリとLCDパネルとの対応
の一例を示す概念図である。しかし、3時分割表示の場
合は、上位ニブルデータを設定するときは下位ニブルデ
ータを壊さないように、下位ニブルデータを設定すると
きは上位ニブルデータを壊さないように処理することが
必要となり、1アドレス1セグメント方式に比べてプロ
グラム処理が複雑になる上、プログラム容量も増えてし
まうという問題点がある。
1セグメント信号を対して4ビットのデータを割り当て
ることから、図13,図14,図15及び図16に示す
ように2セグメント分のデータをマッピングすることが
できる(以下、1アドレスに2セグメント信号を対応さ
せることを1アドレス2セグメント方式と記す)。図1
3は、従来の1アドレス2セグメント方式において、4
時分割表示における8ビットマイコンを用いた表示用メ
モリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図であ
る。図14は、従来の1アドレス2セグメント方式にお
いて、3時分割表示における8ビットマイコンを用いた
表示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念
図である。図15は、従来の1アドレス2セグメント方
式において、2時分割表示における8ビットマイコンを
用いた表示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示
す概念図である。図16は、従来の1アドレス2セグメ
ント方式において、スタティック表示における8ビット
マイコンを用いた表示用メモリとLCDパネルとの対応
の一例を示す概念図である。しかし、3時分割表示の場
合は、上位ニブルデータを設定するときは下位ニブルデ
ータを壊さないように、下位ニブルデータを設定すると
きは上位ニブルデータを壊さないように処理することが
必要となり、1アドレス1セグメント方式に比べてプロ
グラム処理が複雑になる上、プログラム容量も増えてし
まうという問題点がある。
【0007】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、8ビット単位で構成した液晶表示用メモリ
において、1アドレス1セグメント方式におけるメモリ
の利用率を上げることができて、かつ、1アドレス2セ
グメント方式の3時分割におけるプログラム処理を容易
にすることができてプログラム容量を減らすことができ
る液晶表示用メモリを提供することを目的とする。
のであって、8ビット単位で構成した液晶表示用メモリ
において、1アドレス1セグメント方式におけるメモリ
の利用率を上げることができて、かつ、1アドレス2セ
グメント方式の3時分割におけるプログラム処理を容易
にすることができてプログラム容量を減らすことができ
る液晶表示用メモリを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶表示用
メモリは、アドレスバスと、データバスと、アドレスデ
コーダと、入出力バッファと、表示データを記憶するた
めの8ビット単位で構成される表示用メモリとを有する
液晶表示用メモリにおいて、アドレスデータの最下位ビ
ットの値に基づいて前記入出力バッファの下位ニブルを
前記表示用メモリの上位ニブルに接続するか前記表示用
メモリの下位ニブルに接続するかを選択するセレクタを
有することを特徴とする。
メモリは、アドレスバスと、データバスと、アドレスデ
コーダと、入出力バッファと、表示データを記憶するた
めの8ビット単位で構成される表示用メモリとを有する
液晶表示用メモリにおいて、アドレスデータの最下位ビ
ットの値に基づいて前記入出力バッファの下位ニブルを
前記表示用メモリの上位ニブルに接続するか前記表示用
メモリの下位ニブルに接続するかを選択するセレクタを
有することを特徴とする。
【0009】
【作用】本発明に係る液晶表示用メモリにおいては、表
示用メモリは、表示データを8ビット単位で記憶して、
1つのメモリ領域における上位ニブル及び下位ニブルに
対応させて偶数アドレス及び奇数アドレスの2つのアド
レスをマッピングしたメモリであり、上位4ビットに次
番地の奇数アドレスをマッピングしてある。セレクタ
は、表示用メモリへアクセスするアドレスが偶数のとき
は、表示用メモリの下位ニブルをデータバスに接続し、
表示用メモリへアクセスするアドレスが奇数のときは、
表示用メモリの上位ニブルをデータバスに接続する。こ
れらにより、本発明に係る液晶表示用メモリは、1アド
レス1セグメント方式において、表示用メモリの上位ニ
ブルも利用できるようになるため、従来の表示用メモリ
に比べメモリ利用率を約2倍することができる。また、
1アドレス2セグメント方式の3時分割においても表示
用メモリを4ビット単位でアクセスすることができるの
で、上位ニブルのデータ及び下位ニブルのデータを破壊
しないため、プログラム処理を容易にすることができて
プログラム容量も減らすことができる。
示用メモリは、表示データを8ビット単位で記憶して、
1つのメモリ領域における上位ニブル及び下位ニブルに
対応させて偶数アドレス及び奇数アドレスの2つのアド
レスをマッピングしたメモリであり、上位4ビットに次
番地の奇数アドレスをマッピングしてある。セレクタ
は、表示用メモリへアクセスするアドレスが偶数のとき
は、表示用メモリの下位ニブルをデータバスに接続し、
表示用メモリへアクセスするアドレスが奇数のときは、
表示用メモリの上位ニブルをデータバスに接続する。こ
れらにより、本発明に係る液晶表示用メモリは、1アド
レス1セグメント方式において、表示用メモリの上位ニ
ブルも利用できるようになるため、従来の表示用メモリ
に比べメモリ利用率を約2倍することができる。また、
1アドレス2セグメント方式の3時分割においても表示
用メモリを4ビット単位でアクセスすることができるの
で、上位ニブルのデータ及び下位ニブルのデータを破壊
しないため、プログラム処理を容易にすることができて
プログラム容量も減らすことができる。
【0010】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【0011】図1は、本発明の第1の実施例に係る液晶
表示用メモリを示すブロック図である。図1において、
アドレスバス1は、表示用メモリ30のアドレスデータ
を供給する16ビット幅のバスである。デコーダ10
は、上位15ビットと最下位ビットを“0”にしたアド
レスをデコードして、表示用メモリ30におけるアクセ
スアドレスを出力する。表示用メモリ30は、8ビット
構成のRAMである。データバス2は、表示用メモリ3
0に対してアクセスするデータの下位ニブルを供給する
バスである。制御線25は、アドレスデータの最下位ビ
ットを供給される。セレクタ11は、制御線25が
“0”のとき表示用メモリ30の下位ニブルと入出力バ
ッファ13との接続を選択し、制御線25が“1”のと
き表示用メモリ30の上位ニブルと入出力バッファ13
との接続を選択するセレクタである。ORゲート14
は、データライト時において、入出力バッファ12の動
作を許可又は禁止するゲートである。ORゲート15
は、データリード時において、入出力バッファ12の動
作を許可又は禁止するゲートである。入出力バッファ1
2は、制御線25上の信号と負論理ライト信号WR’と
の論理和が“0”のとき、データバス2のデータを表示
用メモリ30へ出力し、制御線25上の信号と負論理リ
ード信号RD’との論理和が“0”のとき、表示用メモ
リ30から入力したデータをデータバス2へ出力する。
入出力バッファ13は、負論理ライト信号WR’が
“0”のとき、データバス3上のデータを表示用メモリ
30へ出力し、負論理リード信号RD’が“0”のと
き、表示用メモリ30から入力したデータをデータバス
3へ出力する。セグメント信号26は、表示用メモリ3
0に格納されたデータから生成され、LCDパネル40
へ供給される信号である。コモン信号27は、コモン信
号発生回路50から生成され、LCDパネル40へ供給
される信号である。LCDパネル40は、“日.”形L
CDパネルであり、セグメント信号26及びコモン信号
27により表示を制御される。コモン信号発生回路50
は、LCDパネル40へ供給されるコモン信号27を生
成する回路である。
表示用メモリを示すブロック図である。図1において、
アドレスバス1は、表示用メモリ30のアドレスデータ
を供給する16ビット幅のバスである。デコーダ10
は、上位15ビットと最下位ビットを“0”にしたアド
レスをデコードして、表示用メモリ30におけるアクセ
スアドレスを出力する。表示用メモリ30は、8ビット
構成のRAMである。データバス2は、表示用メモリ3
0に対してアクセスするデータの下位ニブルを供給する
バスである。制御線25は、アドレスデータの最下位ビ
ットを供給される。セレクタ11は、制御線25が
“0”のとき表示用メモリ30の下位ニブルと入出力バ
ッファ13との接続を選択し、制御線25が“1”のと
き表示用メモリ30の上位ニブルと入出力バッファ13
との接続を選択するセレクタである。ORゲート14
は、データライト時において、入出力バッファ12の動
作を許可又は禁止するゲートである。ORゲート15
は、データリード時において、入出力バッファ12の動
作を許可又は禁止するゲートである。入出力バッファ1
2は、制御線25上の信号と負論理ライト信号WR’と
の論理和が“0”のとき、データバス2のデータを表示
用メモリ30へ出力し、制御線25上の信号と負論理リ
ード信号RD’との論理和が“0”のとき、表示用メモ
リ30から入力したデータをデータバス2へ出力する。
入出力バッファ13は、負論理ライト信号WR’が
“0”のとき、データバス3上のデータを表示用メモリ
30へ出力し、負論理リード信号RD’が“0”のと
き、表示用メモリ30から入力したデータをデータバス
3へ出力する。セグメント信号26は、表示用メモリ3
0に格納されたデータから生成され、LCDパネル40
へ供給される信号である。コモン信号27は、コモン信
号発生回路50から生成され、LCDパネル40へ供給
される信号である。LCDパネル40は、“日.”形L
CDパネルであり、セグメント信号26及びコモン信号
27により表示を制御される。コモン信号発生回路50
は、LCDパネル40へ供給されるコモン信号27を生
成する回路である。
【0012】図2は、図1に示す本第1の実施例に係る
液晶表示用メモリとセグメント信号との対応を示す概念
図である。図2に示すように、8ビットの各メモリに
は、偶数アドレスをマッピングし、更に上位ニブルに次
番地の奇数アドレスをマッピングする。即ち、上位ニブ
ルには、偶数アドレス及び奇数アドレスの2つのアドレ
スをマッピングする。ここで、偶数アドレスであるn番
地をアクセスするときは、n番地に対応したセグメント
信号Sm,Sm+1により出力されるデータがアクセスさ
れる。奇数アドレスであるn+1番地をアクセスすると
きは、n番地の上位ニブルに対応したセグメント信号S
m+1により出力されるデータがアクセスされる。
液晶表示用メモリとセグメント信号との対応を示す概念
図である。図2に示すように、8ビットの各メモリに
は、偶数アドレスをマッピングし、更に上位ニブルに次
番地の奇数アドレスをマッピングする。即ち、上位ニブ
ルには、偶数アドレス及び奇数アドレスの2つのアドレ
スをマッピングする。ここで、偶数アドレスであるn番
地をアクセスするときは、n番地に対応したセグメント
信号Sm,Sm+1により出力されるデータがアクセスさ
れる。奇数アドレスであるn+1番地をアクセスすると
きは、n番地の上位ニブルに対応したセグメント信号S
m+1により出力されるデータがアクセスされる。
【0013】これらのように、本第1の実施例に係る液
晶表示用メモリは、同一メモリに偶数アドレス及び奇数
アドレスの2つのアドレスをマッピングしたメモリにお
いて、上位4ビットに次番地の奇数アドレスをマッピン
グして、偶数アドレスのアクセス時には8ビット単位で
アクセスをし、奇数アドレスのアクセス時には1番地前
の偶数アドレスの上位4ビットに、4ビット単位でアク
セスする構成となっている。
晶表示用メモリは、同一メモリに偶数アドレス及び奇数
アドレスの2つのアドレスをマッピングしたメモリにお
いて、上位4ビットに次番地の奇数アドレスをマッピン
グして、偶数アドレスのアクセス時には8ビット単位で
アクセスをし、奇数アドレスのアクセス時には1番地前
の偶数アドレスの上位4ビットに、4ビット単位でアク
セスする構成となっている。
【0014】次に、上述の如く構成された本第1の実施
例に係る液晶表示用メモリの動作について説明する。
例に係る液晶表示用メモリの動作について説明する。
【0015】先ず、偶数アドレスへの書き込み動作につ
いて説明する。一例として、表示用メモリ30の先頭ア
ドレスを0000H番地として、0000H番地に5A
Hを書き込む動作について説明する。アドレスバス1が
表示用メモリ30への書き込みアドレス0000Hを出
力する。デコーダ10は、上位15ビット及び最下位ビ
ットを“0”にされたアドレスデータをデコードして、
表示用メモリ30への書き込みアドレスとして0000
Hを出力する。一方、アドレスデータの最下位ビットは
“0”なので制御線25上の信号は“0”となる。従っ
て、セレクタ11は、表示用メモリ30における000
0H番地の下位ニブルと入出力バッファ13との接続を
選択する。更に、制御線25上の信号が“0”なのでO
Rゲート14の一方の入力は“0”となり、負論理ライ
ト信号WR’が“0”になるとORゲート14の出力が
“0”となるので入出力バッファ12の動作が許可され
る。また、入出力バッファ13も負論理ライト信号W
R’が“0”となるので動作を許可される。従って、表
示用メモリ30では、データバス2からデータとしての
5Hを0000H番地の上位ニブルへ書き込まれ、デー
タバス3からデータとしてのAHを0000H番地の下
位ニブルへ書き込まれる。
いて説明する。一例として、表示用メモリ30の先頭ア
ドレスを0000H番地として、0000H番地に5A
Hを書き込む動作について説明する。アドレスバス1が
表示用メモリ30への書き込みアドレス0000Hを出
力する。デコーダ10は、上位15ビット及び最下位ビ
ットを“0”にされたアドレスデータをデコードして、
表示用メモリ30への書き込みアドレスとして0000
Hを出力する。一方、アドレスデータの最下位ビットは
“0”なので制御線25上の信号は“0”となる。従っ
て、セレクタ11は、表示用メモリ30における000
0H番地の下位ニブルと入出力バッファ13との接続を
選択する。更に、制御線25上の信号が“0”なのでO
Rゲート14の一方の入力は“0”となり、負論理ライ
ト信号WR’が“0”になるとORゲート14の出力が
“0”となるので入出力バッファ12の動作が許可され
る。また、入出力バッファ13も負論理ライト信号W
R’が“0”となるので動作を許可される。従って、表
示用メモリ30では、データバス2からデータとしての
5Hを0000H番地の上位ニブルへ書き込まれ、デー
タバス3からデータとしてのAHを0000H番地の下
位ニブルへ書き込まれる。
【0016】次に、奇数アドレスへの書き込み動作につ
いて説明する。一例として、表示用メモリ30の000
5H番地に69Hを書き込む動作について説明する。ア
ドレスバス1が表示用メモリ30への書き込みアドレス
0005Hを出力する。デコーダ10は、上位15ビッ
トにおける所定のビットと最下位ビットを“1”にされ
たアドレスデータをデコードして、表示用メモリ30へ
の書き込みアドレスとして0004Hを出力する。一
方、アドレスデータの最下位ビットは“1”なので制御
線25上の信号は“1”となる。従って、セレクタ11
は、表示用メモリ30における0004H番地の上位ニ
ブルと入出力バッファ13との接続を選択する。更に、
制御線25上の信号が“1”なのでORゲート14の一
方の入力は“1”となり、負論理ライト信号WR’が
“0”になってもORゲート14の出は“1”となるの
で、入出力バッファ12の動作が禁止される。しかし、
入出力バッファ13は、負論理ライト信号WR’が
“0”になれば動作を許可される。従って、表示用メモ
リ30では、データバス2上にある上位データ6Hを無
視し、データバス3からデータとして9Hを0004H
番地の上位ニブルへ書き込まれる。
いて説明する。一例として、表示用メモリ30の000
5H番地に69Hを書き込む動作について説明する。ア
ドレスバス1が表示用メモリ30への書き込みアドレス
0005Hを出力する。デコーダ10は、上位15ビッ
トにおける所定のビットと最下位ビットを“1”にされ
たアドレスデータをデコードして、表示用メモリ30へ
の書き込みアドレスとして0004Hを出力する。一
方、アドレスデータの最下位ビットは“1”なので制御
線25上の信号は“1”となる。従って、セレクタ11
は、表示用メモリ30における0004H番地の上位ニ
ブルと入出力バッファ13との接続を選択する。更に、
制御線25上の信号が“1”なのでORゲート14の一
方の入力は“1”となり、負論理ライト信号WR’が
“0”になってもORゲート14の出は“1”となるの
で、入出力バッファ12の動作が禁止される。しかし、
入出力バッファ13は、負論理ライト信号WR’が
“0”になれば動作を許可される。従って、表示用メモ
リ30では、データバス2上にある上位データ6Hを無
視し、データバス3からデータとして9Hを0004H
番地の上位ニブルへ書き込まれる。
【0017】表示用メモリ30に書き込まれたデータ
は、コモン信号発生回路50の生成するコモン信号27
に基づく変換タイミングでセグメント信号26に変換さ
れ、表示用メモリ30のアドレスに対応するLCDパネ
ル40の画素へ供給されて、点灯または非点灯動作をさ
せる。
は、コモン信号発生回路50の生成するコモン信号27
に基づく変換タイミングでセグメント信号26に変換さ
れ、表示用メモリ30のアドレスに対応するLCDパネ
ル40の画素へ供給されて、点灯または非点灯動作をさ
せる。
【0018】次に、偶数アドレスからの読み出し動作に
ついて説明する。一例として、書き込み時と同様に00
00H番地からデータを読み出す。表示用メモリ30に
おける読み出しアドレスの選択方法は書き込み時と同様
である。アドレスデータの最下位ビットは“0”なので
制御線25上の信号は“0”となり、セレクタ11は、
表示用メモリ30における0000H番地の下位ニブル
と入出力バッファ13との接続を選択する。更に、制御
線25上の信号が“0”なのでORゲート14の一方の
入力は“0”となり、負論理リード信号RD’が“0”
になるとORゲート14の出力が“0”となるので入出
力バッファ12の動作が許可される。また、入出力バッ
ファ13も負論理リード信号RD’が“0”となるので
動作を許可される。従って、表示用メモリ30では、0
000H番地の上位ニブルのデータをデータバス2へ出
力し、0000H番地の下位ニブルのデータをデータバ
ス3へ出力する。
ついて説明する。一例として、書き込み時と同様に00
00H番地からデータを読み出す。表示用メモリ30に
おける読み出しアドレスの選択方法は書き込み時と同様
である。アドレスデータの最下位ビットは“0”なので
制御線25上の信号は“0”となり、セレクタ11は、
表示用メモリ30における0000H番地の下位ニブル
と入出力バッファ13との接続を選択する。更に、制御
線25上の信号が“0”なのでORゲート14の一方の
入力は“0”となり、負論理リード信号RD’が“0”
になるとORゲート14の出力が“0”となるので入出
力バッファ12の動作が許可される。また、入出力バッ
ファ13も負論理リード信号RD’が“0”となるので
動作を許可される。従って、表示用メモリ30では、0
000H番地の上位ニブルのデータをデータバス2へ出
力し、0000H番地の下位ニブルのデータをデータバ
ス3へ出力する。
【0019】次に、奇数アドレスからの読み出し動作に
ついて説明する。一例として、書き込み時と同様に00
05H番地からデータを読み出す。表示用メモリ30に
おける読み出しアドレスの選択方法は書き込み時と同様
である。アドレスデータの最下位ビットは“1”なので
制御線25上の信号は“1”となり、セレクタ11は、
表示用メモリ30における0004H番地の上位ニブル
と入出力バッファ13との接続を選択する。更に、制御
線25上の信号が“1”なのでORゲート14の一方の
入力は“1”となり、負論理リード信号RD’が“0”
になってもORゲート14の出力は“1”であるので入
出力バッファ12の動作が禁止される。しかし、入出力
バッファ13は負論理リード信号RD’が“0”になれ
ば動作を許可される。従って、表示用メモリ30では、
0004H番地の上位ニブルのデータをデータバス3へ
出力する。
ついて説明する。一例として、書き込み時と同様に00
05H番地からデータを読み出す。表示用メモリ30に
おける読み出しアドレスの選択方法は書き込み時と同様
である。アドレスデータの最下位ビットは“1”なので
制御線25上の信号は“1”となり、セレクタ11は、
表示用メモリ30における0004H番地の上位ニブル
と入出力バッファ13との接続を選択する。更に、制御
線25上の信号が“1”なのでORゲート14の一方の
入力は“1”となり、負論理リード信号RD’が“0”
になってもORゲート14の出力は“1”であるので入
出力バッファ12の動作が禁止される。しかし、入出力
バッファ13は負論理リード信号RD’が“0”になれ
ば動作を許可される。従って、表示用メモリ30では、
0004H番地の上位ニブルのデータをデータバス3へ
出力する。
【0020】これらのように、本第1の実施例に係る液
晶表示用メモリでは、表示用メモリの下位4ビットを使
用してアクセスをする1アドレス1セグメント方式を用
いる場合は、奇数アドレスを併用することでメモリの利
用率を上げることができる。また、1バイトに2セグメ
ント信号分のデータを設定する1アドレス2セグメント
方式を用いる場合は、偶数アドレスをアクセスすること
により対応することができる。更に、4ビット単位でア
クセスすることができるので、3時分割表示の場合でも
上位ニブルのデータ及び下位ニブルのデータを破壊しな
いため、プログラム処理を容易にすることができてプロ
グラム容量も減らすことができる。
晶表示用メモリでは、表示用メモリの下位4ビットを使
用してアクセスをする1アドレス1セグメント方式を用
いる場合は、奇数アドレスを併用することでメモリの利
用率を上げることができる。また、1バイトに2セグメ
ント信号分のデータを設定する1アドレス2セグメント
方式を用いる場合は、偶数アドレスをアクセスすること
により対応することができる。更に、4ビット単位でア
クセスすることができるので、3時分割表示の場合でも
上位ニブルのデータ及び下位ニブルのデータを破壊しな
いため、プログラム処理を容易にすることができてプロ
グラム容量も減らすことができる。
【0021】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。
する。
【0022】図3は、本発明の第2の実施例に係る液晶
表示用メモリを示すブロック図である。図3において、
図1に示す第1の実施例に係る液晶表示用メモリと同一
な構成部分は、同一符号を付して説明を省略する。ま
た、図3において、図1に示す液晶表示用メモリに対し
て異なる構成部分は、デコーダ10をデコーダ17に変
更し、シフタ16、4/8ビット切替えフラグ20及び
ANDゲート19を追加した部分である。デコーダ17
は、最下位ビットも含めて16ビットをデコードする。
4/8ビット切替えフラグ20は、“0”のとき8ビッ
ト単位でアクセスを、“1”のとき4ビット単位でアク
セスをする。シフタ16は、アドレスデータを右に1ビ
ットシフトする回路であり、4/8ビット切替えフラグ
20が“0”のときは右シフト動作をせず、“1”のと
き右シフト動作をする。
表示用メモリを示すブロック図である。図3において、
図1に示す第1の実施例に係る液晶表示用メモリと同一
な構成部分は、同一符号を付して説明を省略する。ま
た、図3において、図1に示す液晶表示用メモリに対し
て異なる構成部分は、デコーダ10をデコーダ17に変
更し、シフタ16、4/8ビット切替えフラグ20及び
ANDゲート19を追加した部分である。デコーダ17
は、最下位ビットも含めて16ビットをデコードする。
4/8ビット切替えフラグ20は、“0”のとき8ビッ
ト単位でアクセスを、“1”のとき4ビット単位でアク
セスをする。シフタ16は、アドレスデータを右に1ビ
ットシフトする回路であり、4/8ビット切替えフラグ
20が“0”のときは右シフト動作をせず、“1”のと
き右シフト動作をする。
【0023】図4は、図3に示す液晶表示用メモリとセ
グメント信号との対応を示す概念図である。図4に示す
ように、8ビットモード選択時には、液晶表示用メモリ
を8ビットごとに1つのアドレスとしてマッピングし、
1つのアドレスに対して2つのセグメント信号が対応す
る。4ビットモード選択時には、液晶表示用メモリを8
ビットの上位ニブル及び下位ニブルごとに夫々1つのア
ドレスとしてマッピングし、1つのアドレスに対して1
つのセグメント信号が対応する。
グメント信号との対応を示す概念図である。図4に示す
ように、8ビットモード選択時には、液晶表示用メモリ
を8ビットごとに1つのアドレスとしてマッピングし、
1つのアドレスに対して2つのセグメント信号が対応す
る。4ビットモード選択時には、液晶表示用メモリを8
ビットの上位ニブル及び下位ニブルごとに夫々1つのア
ドレスとしてマッピングし、1つのアドレスに対して1
つのセグメント信号が対応する。
【0024】これらのように、本第2の実施例に係る液
晶表示用メモリは、4ビット単位でアクセスするか、又
は8ビット単位でアクセスするかによって液晶表示用メ
モリにおける8ビットに対するアドレスのマッピング方
法を変化させる。そして、8ビット単位でアクセスする
ときは、液晶表示用メモリを8ビットごとに1つのアド
レスとしてマッピングし、4ビット単位でアクセスする
ときは、液晶表示用メモリを8ビットの上位ニブル及び
下位ニブルごとに夫々1つのアドレスとして2つのアド
レスをマッピングする。4ビット単位でアクセスする
か、又は8ビット単位でアクセスするかの選択は、切替
えフラグによって行い4ビット単位及び8ビット単位の
両方でのアクセスが可能な構成となっている。
晶表示用メモリは、4ビット単位でアクセスするか、又
は8ビット単位でアクセスするかによって液晶表示用メ
モリにおける8ビットに対するアドレスのマッピング方
法を変化させる。そして、8ビット単位でアクセスする
ときは、液晶表示用メモリを8ビットごとに1つのアド
レスとしてマッピングし、4ビット単位でアクセスする
ときは、液晶表示用メモリを8ビットの上位ニブル及び
下位ニブルごとに夫々1つのアドレスとして2つのアド
レスをマッピングする。4ビット単位でアクセスする
か、又は8ビット単位でアクセスするかの選択は、切替
えフラグによって行い4ビット単位及び8ビット単位の
両方でのアクセスが可能な構成となっている。
【0025】次に、上述の如く構成された本第2の実施
例に係る液晶表示用メモリの動作について説明する。
例に係る液晶表示用メモリの動作について説明する。
【0026】先ず、4ビットモードの書き込み動作につ
いて説明する。一例として、表示用メモリ30の先頭ア
ドレスを0000H番地として、0000H番地に5
H,0001H番地にAHを書き込む動作について説明
する。先ず、4/8ビット切替えフラグ20を“1”に
する。4/8ビット切替えフラグ20が“1”であるの
で、シフタ16は、右にシフトすることが許可され、O
Rゲート14及びANDゲート19の一方の入力は共に
“1”となる。シフタ16は、アドレスバス1からアド
レスデータ0000Hを入力して、右に1ビットシフト
する。この結果、デコーダ17からは、表示用メモリ3
0のアクセスアドレス0000Hが出力する。ここで、
アドレスデータの最下位ビットは“0”であるから制御
線25上の信号は“0”となり、ANDゲート19の一
方の入力は“0”となるので、ANDゲート19の出力
は“0”となる。従って、セレクタ11は、表示用メモ
リ30における下位ニブルと入出力バッファ13との接
続を選択する。また、4/8ビット切替えフラグ20が
“1”であるので、ORゲート14の出力が“1”とな
り、入出力バッファ12の動作が禁止される。従って、
表示用メモリ30では、0000H番地の下位ニブルに
対してAHが書き込まれる。
いて説明する。一例として、表示用メモリ30の先頭ア
ドレスを0000H番地として、0000H番地に5
H,0001H番地にAHを書き込む動作について説明
する。先ず、4/8ビット切替えフラグ20を“1”に
する。4/8ビット切替えフラグ20が“1”であるの
で、シフタ16は、右にシフトすることが許可され、O
Rゲート14及びANDゲート19の一方の入力は共に
“1”となる。シフタ16は、アドレスバス1からアド
レスデータ0000Hを入力して、右に1ビットシフト
する。この結果、デコーダ17からは、表示用メモリ3
0のアクセスアドレス0000Hが出力する。ここで、
アドレスデータの最下位ビットは“0”であるから制御
線25上の信号は“0”となり、ANDゲート19の一
方の入力は“0”となるので、ANDゲート19の出力
は“0”となる。従って、セレクタ11は、表示用メモ
リ30における下位ニブルと入出力バッファ13との接
続を選択する。また、4/8ビット切替えフラグ20が
“1”であるので、ORゲート14の出力が“1”とな
り、入出力バッファ12の動作が禁止される。従って、
表示用メモリ30では、0000H番地の下位ニブルに
対してAHが書き込まれる。
【0027】そして、シフタ16は、アドレスバス1か
らアドレスデータ0000Hを入力して、右に1ビット
だけシフトする。この結果、デコーダ17からは、表示
用メモリ30のアクセスアドレス0000Hが出力す
る。ここで、アドレスデータの最下位ビットは“1”で
あるから制御線25上の信号は“1”となり、ANDゲ
ート19の一方の入力は“1”となるので、ANDゲー
ト19の出力は“1”となる。従って、セレクタ11
は、表示用メモリ30における上位ニブルと入出力バッ
ファ12との接続を選択する。このとき、4/8ビット
切替えフラグ20は“1”であるので、ORゲート14
の出力が“1”となり、入出力バッファ12の動作は禁
止される。これらにより、表示用メモリ30では、00
00H番地の上位ニブルにデータとして5Hが書き込ま
れる。
らアドレスデータ0000Hを入力して、右に1ビット
だけシフトする。この結果、デコーダ17からは、表示
用メモリ30のアクセスアドレス0000Hが出力す
る。ここで、アドレスデータの最下位ビットは“1”で
あるから制御線25上の信号は“1”となり、ANDゲ
ート19の一方の入力は“1”となるので、ANDゲー
ト19の出力は“1”となる。従って、セレクタ11
は、表示用メモリ30における上位ニブルと入出力バッ
ファ12との接続を選択する。このとき、4/8ビット
切替えフラグ20は“1”であるので、ORゲート14
の出力が“1”となり、入出力バッファ12の動作は禁
止される。これらにより、表示用メモリ30では、00
00H番地の上位ニブルにデータとして5Hが書き込ま
れる。
【0028】4ビットモードの読み出し動作について
は、データの流れが書き込み動作と逆になる以外は同一
なので説明を省略する。
は、データの流れが書き込み動作と逆になる以外は同一
なので説明を省略する。
【0029】次に、8ビットモードの書き込み動作につ
いて説明する。一例として、表示用メモリ30の先頭ア
ドレスを0000H番地として、0002H番地に5A
Hを書き込む動作について説明する。先ず、4/8ビッ
ト切替えフラグ20を“0”にする。4/8ビット切替
えフラグ20が“0”であるので、シフタ16は、右に
シフトすることが禁止され、ORゲート15及びAND
ゲート19の一方の入力は共に“0”となる。シフタ1
6は、アドレスバス1からアドレスデータ0002Hを
入力するが、右にシフトすることが禁止されているため
0002Hをデコーダ17へ出力する。この結果、デコ
ーダ17からは、表示用メモリ30のアクセスアドレス
0002Hが出力する。ここで、アドレスデータの最下
位ビットは“0”であるから制御線25上の信号は
“0”となり、ANDゲート19の一方の入力は“0”
となるので、ANDゲート19の出力は“0”となる。
従って、セレクタ11は、表示用メモリ30における下
位ニブルと入出力バッファ13との接続を選択する。ま
た、入出力バッファ12は、表示用メモリ30における
上位ニブルと接続されているので、表示用メモリ30で
は0002H番地に5AHが書き込まれる。
いて説明する。一例として、表示用メモリ30の先頭ア
ドレスを0000H番地として、0002H番地に5A
Hを書き込む動作について説明する。先ず、4/8ビッ
ト切替えフラグ20を“0”にする。4/8ビット切替
えフラグ20が“0”であるので、シフタ16は、右に
シフトすることが禁止され、ORゲート15及びAND
ゲート19の一方の入力は共に“0”となる。シフタ1
6は、アドレスバス1からアドレスデータ0002Hを
入力するが、右にシフトすることが禁止されているため
0002Hをデコーダ17へ出力する。この結果、デコ
ーダ17からは、表示用メモリ30のアクセスアドレス
0002Hが出力する。ここで、アドレスデータの最下
位ビットは“0”であるから制御線25上の信号は
“0”となり、ANDゲート19の一方の入力は“0”
となるので、ANDゲート19の出力は“0”となる。
従って、セレクタ11は、表示用メモリ30における下
位ニブルと入出力バッファ13との接続を選択する。ま
た、入出力バッファ12は、表示用メモリ30における
上位ニブルと接続されているので、表示用メモリ30で
は0002H番地に5AHが書き込まれる。
【0030】8ビットモードの読み出し動作について
は、データの流れが書き込み動作と逆になる以外は同一
なので説明を省略する。
は、データの流れが書き込み動作と逆になる以外は同一
なので説明を省略する。
【0031】これらのように、本第2の実施例に係る液
晶表示用メモリでは、第1の実施例に係る液晶表示用メ
モリと同様に、1アドレス1セグメント方式を用いる場
合においても4ビットアクセスを選択することで下位ニ
ブルと上位ニブルとの両方を利用することができるた
め、メモリの利用率を上げることができる。また、表示
用メモリに対して8ビットでアクセスすることができる
ため、1セグメント2アドレス方式に対応することもで
きる。更に、4ビット単位でアクセスすることができる
ので、3時分割表示の場合でも上位ニブルのデータ及び
下位ニブルのデータを破壊しないため、プログラム処理
を容易にすることができてプログラム容量も減らすこと
ができる。将来、8時分割にも対応できるという効果も
ある。
晶表示用メモリでは、第1の実施例に係る液晶表示用メ
モリと同様に、1アドレス1セグメント方式を用いる場
合においても4ビットアクセスを選択することで下位ニ
ブルと上位ニブルとの両方を利用することができるた
め、メモリの利用率を上げることができる。また、表示
用メモリに対して8ビットでアクセスすることができる
ため、1セグメント2アドレス方式に対応することもで
きる。更に、4ビット単位でアクセスすることができる
ので、3時分割表示の場合でも上位ニブルのデータ及び
下位ニブルのデータを破壊しないため、プログラム処理
を容易にすることができてプログラム容量も減らすこと
ができる。将来、8時分割にも対応できるという効果も
ある。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る液晶表
示用メモリによれば、表示用メモリにおける1つの領域
に対して2つのアドレスをマッピングし、データバス上
のデータを表示用メモリの上位ニブルに接続するか又は
下位ニブルに接続するかを選択するセレクタを有するこ
とにより、1アドレス1セグメント方式において、上位
ニブルも利用できるようになるため、従来の表示用メモ
リに比べメモリ利用率を約2倍することができる。ま
た、1アドレス2セグメント方式の3時分割においても
4ビット単位でアクセスすることができるので、上位ニ
ブルのデータ及び下位ニブルのデータを破壊することが
ないため、プログラム処理を容易にすることができてプ
ログラム容量も減らすことができる。
示用メモリによれば、表示用メモリにおける1つの領域
に対して2つのアドレスをマッピングし、データバス上
のデータを表示用メモリの上位ニブルに接続するか又は
下位ニブルに接続するかを選択するセレクタを有するこ
とにより、1アドレス1セグメント方式において、上位
ニブルも利用できるようになるため、従来の表示用メモ
リに比べメモリ利用率を約2倍することができる。ま
た、1アドレス2セグメント方式の3時分割においても
4ビット単位でアクセスすることができるので、上位ニ
ブルのデータ及び下位ニブルのデータを破壊することが
ないため、プログラム処理を容易にすることができてプ
ログラム容量も減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に係る液晶表示用メモリ
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図2】図1に示す液晶表示用メモリとセグメント信号
との対応を示す概念図である。
との対応を示す概念図である。
【図3】本発明の第2の実施例に係る液晶表示用メモリ
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図4】図3に示す液晶表示用メモリとセグメント信号
との対応を示す概念図である。
との対応を示す概念図である。
【図5】従来の1アドレス1セグメント方式において、
4時分割表示における4ビットマイコンを用いた表示用
メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図であ
る。
4時分割表示における4ビットマイコンを用いた表示用
メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図であ
る。
【図6】従来の1アドレス1セグメント方式において、
3時分割表示における4ビットマイコンを用いた表示用
メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図であ
る。
3時分割表示における4ビットマイコンを用いた表示用
メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図であ
る。
【図7】従来の1アドレス1セグメント方式において、
2時分割表示における4ビットマイコンを用いた表示用
メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図であ
る。
2時分割表示における4ビットマイコンを用いた表示用
メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図であ
る。
【図8】従来の1アドレス1セグメント方式において、
スタティック表示における4ビットマイコンを用いた表
示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図
である。
スタティック表示における4ビットマイコンを用いた表
示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図
である。
【図9】従来の1アドレス1セグメント方式において、
4時分割表示における8ビットマイコンを用いた表示用
メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図であ
る。
4時分割表示における8ビットマイコンを用いた表示用
メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図であ
る。
【図10】従来の1アドレス1セグメント方式におい
て、3時分割表示における8ビットマイコンを用いた表
示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図
である。
て、3時分割表示における8ビットマイコンを用いた表
示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図
である。
【図11】従来の1アドレス1セグメント方式におい
て、2時分割表示における8ビットマイコンを用いた表
示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図
である。
て、2時分割表示における8ビットマイコンを用いた表
示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図
である。
【図12】従来の1アドレス1セグメント方式におい
て、スタティック表示における8ビットマイコンを用い
た表示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概
念図である。
て、スタティック表示における8ビットマイコンを用い
た表示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概
念図である。
【図13】従来の1アドレス2セグメント方式におい
て、4時分割表示における8ビットマイコンを用いた表
示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図
である。
て、4時分割表示における8ビットマイコンを用いた表
示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図
である。
【図14】従来の1アドレス2セグメント方式におい
て、3時分割表示における8ビットマイコンを用いた表
示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図
である。
て、3時分割表示における8ビットマイコンを用いた表
示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図
である。
【図15】従来の1アドレス2セグメント方式におい
て、2時分割表示における8ビットマイコンを用いた表
示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図
である。
て、2時分割表示における8ビットマイコンを用いた表
示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概念図
である。
【図16】従来の1アドレス2セグメント方式におい
て、スタティック表示における8ビットマイコンを用い
た表示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概
念図である。
て、スタティック表示における8ビットマイコンを用い
た表示用メモリとLCDパネルとの対応の一例を示す概
念図である。
1 ;アドレスバス 2,3 ;データバス 10 ;デコーダ 11 ;セレクタ 12,13 ;入出力バッファ 25 ;制御線 30 ;表示用メモリ 40 ;LCDパネル
Claims (2)
- 【請求項1】 アドレスバスと、データバスと、アドレ
スデコーダと、入出力バッファと、表示データを記憶す
るための8ビット単位で構成される表示用メモリとを有
する液晶表示用メモリにおいて、アドレスデータの最下
位ビットの値に基づいて前記入出力バッファの下位ニブ
ルを前記表示用メモリの上位ニブルに接続するか前記表
示用メモリの下位ニブルに接続するかを選択するセレク
タを有することを特徴とする液晶表示用メモリ。 - 【請求項2】 前記入出力バッファを用いて4ビット単
位でアクセスするか8ビット単位でアクセスするかを指
定する選択手段と、この選択手段の指定により4ビット
単位でアクセスするときにおいて前記表示用メモリに対
するアクセスアドレスデータを1ビット右にシフトさせ
るシフタとを有することを特徴とする請求項1に記載の
液晶表示用メモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4041478A JPH05241532A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 液晶表示用メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4041478A JPH05241532A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 液晶表示用メモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05241532A true JPH05241532A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12609462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4041478A Pending JPH05241532A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 液晶表示用メモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05241532A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0439898U (ja) * | 1990-07-24 | 1992-04-03 |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP4041478A patent/JPH05241532A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0439898U (ja) * | 1990-07-24 | 1992-04-03 |
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