JPH05242541A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH05242541A JPH05242541A JP7554792A JP7554792A JPH05242541A JP H05242541 A JPH05242541 A JP H05242541A JP 7554792 A JP7554792 A JP 7554792A JP 7554792 A JP7554792 A JP 7554792A JP H05242541 A JPH05242541 A JP H05242541A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film layer
- magneto
- optical disk
- perpendicular magnetization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録密度を高密度とすると共に、Ｃ／Ｎ比を
大きくする。 【構成】 透明な基板２上面にトラック方向の分離溝４
を形成し、斜め上方からのスパッタリング、蒸着により
垂直磁化薄膜層３を形成する。分離溝４はグルーブやプ
リフォーマットと同時に形成できる。分離溝により隣接
する記録ビット間の熱的絶縁性が良好となるため、高密
度化ができ、Ｃ／Ｎ比が大きくなる。
大きくする。 【構成】 透明な基板２上面にトラック方向の分離溝４
を形成し、斜め上方からのスパッタリング、蒸着により
垂直磁化薄膜層３を形成する。分離溝４はグルーブやプ
リフォーマットと同時に形成できる。分離溝により隣接
する記録ビット間の熱的絶縁性が良好となるため、高密
度化ができ、Ｃ／Ｎ比が大きくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパーソナルコンピュータ
などの外部記憶手段として使用される光磁気ディスクに
関する。
などの外部記憶手段として使用される光磁気ディスクに
関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクは高密度書換可能型の記
録媒体であるところからパーソナルコンピュータなどの
外部記憶手段に使用されている。従来の光磁気ディスク
は記録ビット長が１μｍ程度であり、十分な記録密度を
備えることができない問題がある。この記録密度の高密
度化を図るため、近年、記録ビット長やトラックピッチ
を小さくすることが行なわれている。例えば、後者の場
合にはトラック間の分離を良くする必要があり、このた
め磁性体をエッチングにより除去したり、グルーブをレ
ーザーアニールしている。また、従来では、種々のオー
バーライト法によりデータの書き込み速度を大きくする
ことも行なわれている。
録媒体であるところからパーソナルコンピュータなどの
外部記憶手段に使用されている。従来の光磁気ディスク
は記録ビット長が１μｍ程度であり、十分な記録密度を
備えることができない問題がある。この記録密度の高密
度化を図るため、近年、記録ビット長やトラックピッチ
を小さくすることが行なわれている。例えば、後者の場
合にはトラック間の分離を良くする必要があり、このた
め磁性体をエッチングにより除去したり、グルーブをレ
ーザーアニールしている。また、従来では、種々のオー
バーライト法によりデータの書き込み速度を大きくする
ことも行なわれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
行なわれているいずれの方法においても、Ｃ／Ｎ比を十
分に大きく取ることができず、実用には不向きである問
題があった。
行なわれているいずれの方法においても、Ｃ／Ｎ比を十
分に大きく取ることができず、実用には不向きである問
題があった。
【０００４】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であり、記録密度の高密度化のために記録ビット長やト
ラックピッチを小さくしても、十分に大きなＣ／Ｎ比を
得ることが可能な光磁気ディスクを提供することを目的
とする。
であり、記録密度の高密度化のために記録ビット長やト
ラックピッチを小さくしても、十分に大きなＣ／Ｎ比を
得ることが可能な光磁気ディスクを提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気ディスク
は、透明な基板と垂直磁化薄膜層とを備え、前記垂直磁
化薄膜層が記録ビット長方向で分離されていることを要
旨とする。この場合、前記基板に記録ビット長方向の分
離溝を形成し、当該分離溝により前記垂直磁化薄膜層を
分離することができる。また本発明では、垂直磁化薄膜
層における記録ビット位置部分がその周囲よりも厚く形
成しても良く、この場合は基板における記録ビット位置
に対応した部分に凹部を形成すると共に、垂直磁化薄膜
層の表面をほぼフラットに形成することにより垂直磁化
薄膜層の記録ビット位置部分をその周囲よりも厚く形成
することができる。さらに本発明では、垂直磁化薄膜層
を各記録トラックの間で分離若しくは各記録トラック間
で薄くしても良く、この場合は分離溝を介してランドと
グルーブとを交互に形成し、当該分離溝により垂直磁化
薄膜層を各記録トラックの間で分離若しくは各記録トラ
ックの間で薄くすることができる。
は、透明な基板と垂直磁化薄膜層とを備え、前記垂直磁
化薄膜層が記録ビット長方向で分離されていることを要
旨とする。この場合、前記基板に記録ビット長方向の分
離溝を形成し、当該分離溝により前記垂直磁化薄膜層を
分離することができる。また本発明では、垂直磁化薄膜
層における記録ビット位置部分がその周囲よりも厚く形
成しても良く、この場合は基板における記録ビット位置
に対応した部分に凹部を形成すると共に、垂直磁化薄膜
層の表面をほぼフラットに形成することにより垂直磁化
薄膜層の記録ビット位置部分をその周囲よりも厚く形成
することができる。さらに本発明では、垂直磁化薄膜層
を各記録トラックの間で分離若しくは各記録トラック間
で薄くしても良く、この場合は分離溝を介してランドと
グルーブとを交互に形成し、当該分離溝により垂直磁化
薄膜層を各記録トラックの間で分離若しくは各記録トラ
ックの間で薄くすることができる。
【０００６】
【実施例】図１および図２は本発明の第１実施例を示
す。光磁気ディスク１は図２に示すように、外形が円板
形状に形成されている。図１はこのディスク１のトラッ
ク方向、すなわち記録方向（図２の矢印方向）の断面を
示す。図１において、２は透明樹脂，ガラスなどからな
る透明な基板であり、その上面には垂直磁化薄膜層３が
形成されている。この基板２には記録ビット長方向に分
離溝４が形成されている。かかる分離溝４は基板２の製
造におけるグルーブやプリフォーマットの形成と同時に
形成することができ、これにより分離溝４形成のための
工程が不要となり、基板製造の量産性に支障となること
がない。
す。光磁気ディスク１は図２に示すように、外形が円板
形状に形成されている。図１はこのディスク１のトラッ
ク方向、すなわち記録方向（図２の矢印方向）の断面を
示す。図１において、２は透明樹脂，ガラスなどからな
る透明な基板であり、その上面には垂直磁化薄膜層３が
形成されている。この基板２には記録ビット長方向に分
離溝４が形成されている。かかる分離溝４は基板２の製
造におけるグルーブやプリフォーマットの形成と同時に
形成することができ、これにより分離溝４形成のための
工程が不要となり、基板製造の量産性に支障となること
がない。
【０００７】垂直磁化薄膜層３はこのような基板２に対
し、磁性体を斜方スパッタリングあるいは斜方蒸着する
ことにより形成される（図１に示す矢印５）。このよう
な斜方からのスパッタリングや蒸着では磁性体が分離溝
４の一方の側壁４ａ及び底部４ｂにまで達することなく
基板２上に推積する。従って、垂直磁化薄膜層３は分離
溝４を介して記録ビット長方向で分離された状態とな
り、記録ビット間の分離が良好となる。
し、磁性体を斜方スパッタリングあるいは斜方蒸着する
ことにより形成される（図１に示す矢印５）。このよう
な斜方からのスパッタリングや蒸着では磁性体が分離溝
４の一方の側壁４ａ及び底部４ｂにまで達することなく
基板２上に推積する。従って、垂直磁化薄膜層３は分離
溝４を介して記録ビット長方向で分離された状態とな
り、記録ビット間の分離が良好となる。
【０００８】一般に分離溝を有していない光磁気ディス
クでは、データ書き込み時のレーザーの波長とパワーに
応じた大きさの記録ビットになると共に、垂直磁化薄膜
層の熱的絶縁性が悪く、隣接するビット位置まで熱が伝
導するため、均一で安定な記録ビットを形成するために
は、間隔をある程度以上とする必要があり、高密度化に
限界がある。これに対し本実施例では、分離溝４をレー
ザーの波長に応じて最小の間隔とすることができると共
に、分離溝４により垂直磁化薄膜層３の間の熱的絶縁性
が良好となるため、同一波長のレーザーを使用した場合
においては、約半分の記録ビット長とすることが出来、
ビット間隔も半分以下に出来る。このため、分離溝を有
していない光磁気ディスクの２倍以上の高密度化が可能
となる。しかも記録ビット間の分離が良好のため、デー
ターの記録、消去を繰り返した場合でも、消し残りが少
なくなると共に、隣接する記録ビットの影響も少ないた
め、大きなＣ／Ｎ比することができる。
クでは、データ書き込み時のレーザーの波長とパワーに
応じた大きさの記録ビットになると共に、垂直磁化薄膜
層の熱的絶縁性が悪く、隣接するビット位置まで熱が伝
導するため、均一で安定な記録ビットを形成するために
は、間隔をある程度以上とする必要があり、高密度化に
限界がある。これに対し本実施例では、分離溝４をレー
ザーの波長に応じて最小の間隔とすることができると共
に、分離溝４により垂直磁化薄膜層３の間の熱的絶縁性
が良好となるため、同一波長のレーザーを使用した場合
においては、約半分の記録ビット長とすることが出来、
ビット間隔も半分以下に出来る。このため、分離溝を有
していない光磁気ディスクの２倍以上の高密度化が可能
となる。しかも記録ビット間の分離が良好のため、デー
ターの記録、消去を繰り返した場合でも、消し残りが少
なくなると共に、隣接する記録ビットの影響も少ないた
め、大きなＣ／Ｎ比することができる。
【０００９】なお本実施例においては、磁性体の推積時
における磁性体粒子の回り込みにより分離溝の底部に磁
性体薄膜が形成され、隣接する垂直磁化薄膜層３相互が
連続することもあるが、かかる薄膜は非常に薄いと共
に、熱伝導による影響は膜厚に比例することから、この
ような場合でも、本実施例の効果をそのまま奏すること
ができる。
における磁性体粒子の回り込みにより分離溝の底部に磁
性体薄膜が形成され、隣接する垂直磁化薄膜層３相互が
連続することもあるが、かかる薄膜は非常に薄いと共
に、熱伝導による影響は膜厚に比例することから、この
ような場合でも、本実施例の効果をそのまま奏すること
ができる。
【００１０】図３および図４は本発明の第２実施例であ
り、図４に示すように、ランド６とグルーブ７とが交互
に形成されている。８はランド６における記録ビット位
置を示す。かかる記録ビット位置に対応した基板２に
は、図３に示すように、凹部９が形成されており、この
凹部９を含む基板２の上面に垂直磁化薄膜層３が形成さ
れている。垂直磁化薄膜層３は、磁性体粒子をスパッタ
リング、蒸着等により推積することにより基板２上に形
成され、この形成後に表面を研磨するか、斜方からイオ
ン照射することにより垂直磁化薄膜層３の表面がほぼフ
ラットに形成されている。これにより記録ビット位置で
ある凹部９の垂直磁化薄膜層が、その周囲の垂直磁化薄
膜層３よりも厚くなった磁気ドメイン１２となってい
る。なお、凹部９はランドやプリフォーマットと同時に
形成されるものであり、これにより凹部９を形成するた
めの工程が増加することがない。
り、図４に示すように、ランド６とグルーブ７とが交互
に形成されている。８はランド６における記録ビット位
置を示す。かかる記録ビット位置に対応した基板２に
は、図３に示すように、凹部９が形成されており、この
凹部９を含む基板２の上面に垂直磁化薄膜層３が形成さ
れている。垂直磁化薄膜層３は、磁性体粒子をスパッタ
リング、蒸着等により推積することにより基板２上に形
成され、この形成後に表面を研磨するか、斜方からイオ
ン照射することにより垂直磁化薄膜層３の表面がほぼフ
ラットに形成されている。これにより記録ビット位置で
ある凹部９の垂直磁化薄膜層が、その周囲の垂直磁化薄
膜層３よりも厚くなった磁気ドメイン１２となってい
る。なお、凹部９はランドやプリフォーマットと同時に
形成されるものであり、これにより凹部９を形成するた
めの工程が増加することがない。
【００１１】上記構成において、光を照射すると磁化が
反転して、垂直磁化薄膜層３に初期磁壁１０が形成され
るが、この初期磁壁１０はその運動により、図３の破線
矢印のように縮み、凹部９部分の磁気ドメイン１２周囲
まで達して安定した記録ビット１１となる。図３におけ
る実線矢印は磁化の方向である。
反転して、垂直磁化薄膜層３に初期磁壁１０が形成され
るが、この初期磁壁１０はその運動により、図３の破線
矢印のように縮み、凹部９部分の磁気ドメイン１２周囲
まで達して安定した記録ビット１１となる。図３におけ
る実線矢印は磁化の方向である。
【００１２】一般に記録ビットとなる磁気ドメインには
最小の大きさが存在し、均一な薄膜の垂直磁化薄膜層で
は、その半径ｒmin が、ｒmin ＝σw ／Ｈc ・ＭS とな
る。上式において、σw は単位面積当たりの磁壁エネル
ギー、ＨC は保持力、ＭS は飽和磁化である。これに対
し、本実施例では磁気ドメイン１２の厚さｔd および磁
壁１１の厚さｔd が関与するため、ｒmin ＝（σw ／Ｈ
c ・Ｍs ）（ｔw ／ｔd ）となる。従って、本実施例で
は、ｔw ／ｔd だけ小さな磁区が安定的に存在するた
め、その分、高密度化が可能となる。また、小さな半径
で安定なため、余分な迷走磁区が入りにくく、しかも凹
部９により磁気ドメインの位置および大きさも一定とな
るため、Ｃ／Ｎ比を大きくすることができる。
最小の大きさが存在し、均一な薄膜の垂直磁化薄膜層で
は、その半径ｒmin が、ｒmin ＝σw ／Ｈc ・ＭS とな
る。上式において、σw は単位面積当たりの磁壁エネル
ギー、ＨC は保持力、ＭS は飽和磁化である。これに対
し、本実施例では磁気ドメイン１２の厚さｔd および磁
壁１１の厚さｔd が関与するため、ｒmin ＝（σw ／Ｈ
c ・Ｍs ）（ｔw ／ｔd ）となる。従って、本実施例で
は、ｔw ／ｔd だけ小さな磁区が安定的に存在するた
め、その分、高密度化が可能となる。また、小さな半径
で安定なため、余分な迷走磁区が入りにくく、しかも凹
部９により磁気ドメインの位置および大きさも一定とな
るため、Ｃ／Ｎ比を大きくすることができる。
【００１３】図５は本発明の第３実施例を示し、透明な
基板１上にはランド６とグルーブ７とが交互に形成され
ると共に、隣接したランド６とグルーブ７との間には分
離溝４が形成されている。分離溝４はトラック方向に形
成されており、この分離溝４により隣接したランド６と
グルーブ７とが相互に分離されている。かかる分離溝４
は第１実施例と同様に、スタンパによるグルーブやプリ
フォーマットと同時に形成できるため、工程上の支障を
生じることがない。
基板１上にはランド６とグルーブ７とが交互に形成され
ると共に、隣接したランド６とグルーブ７との間には分
離溝４が形成されている。分離溝４はトラック方向に形
成されており、この分離溝４により隣接したランド６と
グルーブ７とが相互に分離されている。かかる分離溝４
は第１実施例と同様に、スタンパによるグルーブやプリ
フォーマットと同時に形成できるため、工程上の支障を
生じることがない。
【００１４】このような基板２に対し、矢印５で示す斜
め方向から磁性体粒子をスパッリングあるいは蒸着する
ことにより垂直磁化薄膜層３が形成される。この垂直磁
化薄膜層３はランド６およびグルーブ７の上面に形成さ
れるが、これらの間に分離溝４が設けられているため、
隣接するランド６およびグルーブ７間で分離された状態
となっている。
め方向から磁性体粒子をスパッリングあるいは蒸着する
ことにより垂直磁化薄膜層３が形成される。この垂直磁
化薄膜層３はランド６およびグルーブ７の上面に形成さ
れるが、これらの間に分離溝４が設けられているため、
隣接するランド６およびグルーブ７間で分離された状態
となっている。
【００１５】このような構成では、分離溝４によって熱
的絶縁性が良好となるため、レーザーの波長に応じた最
小のトラックピッチを設定することができ、これにより
高密度化が可能となる。また、隣接する記録ビットの影
響が少ないため、記録・消去を繰り返した場合でもＣ／
Ｎ比が低下することがない。なお、この実施例におい
て、粒子の回り込みによる分離溝４部分での垂直磁化薄
膜層３の連続があっても、熱伝導による影響が膜厚に比
例するため、第１実施例と同様に、上記した効果に影響
することがない。また、本実施例においては、記録トラ
ック間の垂直磁化薄膜層３を薄く形成しても、同様に作
用することができる。
的絶縁性が良好となるため、レーザーの波長に応じた最
小のトラックピッチを設定することができ、これにより
高密度化が可能となる。また、隣接する記録ビットの影
響が少ないため、記録・消去を繰り返した場合でもＣ／
Ｎ比が低下することがない。なお、この実施例におい
て、粒子の回り込みによる分離溝４部分での垂直磁化薄
膜層３の連続があっても、熱伝導による影響が膜厚に比
例するため、第１実施例と同様に、上記した効果に影響
することがない。また、本実施例においては、記録トラ
ック間の垂直磁化薄膜層３を薄く形成しても、同様に作
用することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、垂直磁化
薄膜層を記録ビット長方向で分離しているため、記録密
度を高密度とすることができると共に、Ｃ／Ｎ比を大き
くすることができる。
薄膜層を記録ビット長方向で分離しているため、記録密
度を高密度とすることができると共に、Ｃ／Ｎ比を大き
くすることができる。
【図１】本発明の第１実施例の断面図である。
【図２】第１実施例の平面図である。
【図３】第２実施例の断面図である。
【図４】第２実施例の平面図である。
【図５】第３実施例の断面図である。
１ 光磁気ディスク ２ 基板 ３ 垂直磁化薄膜層 ４ 分離溝
Claims (6)
- 【請求項１】 透明な基板と垂直磁化薄膜層とを備え、
前記垂直磁化薄膜層が記録ビット長方向で分離されてい
ることを特徴とする光磁気ディスク。 - 【請求項２】 前記基板に記録ビット長方向の分離溝が
形成され、当該分離溝により前記垂直磁化薄膜層が分離
されていることを特徴とする請求項１記載の光磁気ディ
スク。 - 【請求項３】 透明な基板と垂直磁化薄膜層とを備え、
前記垂直磁化薄膜層における記録ビット位置部分がその
周囲よりも厚く形成されていることを特徴とする光磁気
ディスク。 - 【請求項４】 前記基板における記録ビット位置に対応
した部分に凹部が形成されると共に、前記垂直磁化薄膜
層の表面がほぼフラットに形成されて、垂直磁化薄膜層
の記録ビット位置部分がその周囲よりも厚く形成されて
いることを特徴とする請求項３記載の光磁気ディスク。 - 【請求項５】 透明な基板と垂直磁化薄膜層とを備え、
前記垂直磁化薄膜層が各記録トラックの間で分離若しく
は各記録トラック間で薄くなっていることを特徴とする
光磁気ディスク。 - 【請求項６】 前記基板は分離溝を介してランドとグル
ーブとが交互に形成され、当該分離溝により前記垂直磁
化薄膜層が各記録トラックの間で分離若しくは各記録ト
ラックの間が薄くなっていることを特徴とする請求項５
記載の光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7554792A JPH05242541A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7554792A JPH05242541A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05242541A true JPH05242541A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=13579334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7554792A Pending JPH05242541A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05242541A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999026236A3 (en) * | 1997-11-17 | 1999-09-02 | Seagate Technology | Method for thermal crosstalk control on optical media |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP7554792A patent/JPH05242541A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999026236A3 (en) * | 1997-11-17 | 1999-09-02 | Seagate Technology | Method for thermal crosstalk control on optical media |
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