JPH05243307A - 半導体装置 - Google Patents
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ワイヤボンディングが施された半導体チップ
部を封止する樹脂注入の際、長い接続の金属細線の変形
をなくし、隣の金属細線や内部リードへの接触を防ぎ、
品質を向上する。 【構成】 半導体チップ１と内部リード４とのボンディ
ングの金属細線６のうち、長くて変形しやすい部分の接
続を、剛性の大きい金属細線１０などの導体にし、樹脂
注入の際の変形をなくし、接触事故を防ぐ。
部を封止する樹脂注入の際、長い接続の金属細線の変形
をなくし、隣の金属細線や内部リードへの接触を防ぎ、
品質を向上する。 【構成】 半導体チップ１と内部リード４とのボンディ
ングの金属細線６のうち、長くて変形しやすい部分の接
続を、剛性の大きい金属細線１０などの導体にし、樹脂
注入の際の変形をなくし、接触事故を防ぐ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップと内部
リードをワイヤボンディングし、樹脂封止した半導体装
置に関する。
リードをワイヤボンディングし、樹脂封止した半導体装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来の半導体装置を示すワイヤボ
ンディング部の平面図である。図において、１はリード
フレーム２のダイパッド３にダイボンディングされた半
導体チップ、４はリードフレームに形成された多数の内
部リード、６は半導体チップ１と内部リード４とをワイ
ヤボンディングした金属細線で、例えば金線からなる。
ワイヤボンディングを終えた半導体チップ部１は、後工
程で鎖線で示すように、樹脂封止体７の成形で封止され
る。
ンディング部の平面図である。図において、１はリード
フレーム２のダイパッド３にダイボンディングされた半
導体チップ、４はリードフレームに形成された多数の内
部リード、６は半導体チップ１と内部リード４とをワイ
ヤボンディングした金属細線で、例えば金線からなる。
ワイヤボンディングを終えた半導体チップ部１は、後工
程で鎖線で示すように、樹脂封止体７の成形で封止され
る。
【０００３】図１０は半導体装置の組立て工程を示す説
明図である。ダイボンド工程で、リードフレーム２のダ
イパッド３上に半導体チップ１をろう材で接着する。つ
づいて、ワイヤボンド工程で、半導体チップ１の各電極
と対応する各内部リード４とを、金属細線６でワイヤボ
ンディングする。次に、樹脂封止工程で、半導体チップ
１部を成形金型により合成樹脂を注入し成形し、樹脂封
止体７で封止する。後工程で、内部リード４の先端側の
リード部５を残し、リードフレーム２の不要部をプレス
により切断除去し、リード部５を折曲げ整形し、樹脂封
止の半導体装置が出来上る。
明図である。ダイボンド工程で、リードフレーム２のダ
イパッド３上に半導体チップ１をろう材で接着する。つ
づいて、ワイヤボンド工程で、半導体チップ１の各電極
と対応する各内部リード４とを、金属細線６でワイヤボ
ンディングする。次に、樹脂封止工程で、半導体チップ
１部を成形金型により合成樹脂を注入し成形し、樹脂封
止体７で封止する。後工程で、内部リード４の先端側の
リード部５を残し、リードフレーム２の不要部をプレス
により切断除去し、リード部５を折曲げ整形し、樹脂封
止の半導体装置が出来上る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体装置では、ワイヤボンディングされた半導体チップ
１部を、成形金型内で樹脂を圧入し封止する際、金属細
線６のうち、半導体チップ１の角部の電極をワイヤボン
ディングした長い金属細線６が、注入樹脂により押し曲
げられ変形し、図９に鎖線で示すように隣の金属細線６
や内部リード４に接触するという問題点があった。
導体装置では、ワイヤボンディングされた半導体チップ
１部を、成形金型内で樹脂を圧入し封止する際、金属細
線６のうち、半導体チップ１の角部の電極をワイヤボン
ディングした長い金属細線６が、注入樹脂により押し曲
げられ変形し、図９に鎖線で示すように隣の金属細線６
や内部リード４に接触するという問題点があった。
【０００５】この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、半導体チップと内部リードをワ
イヤボンディングした金属細線のうち、変形しやすい長
い間隔の線を変形しないようにし、隣の金属細線や内部
リードへの接触をなくし、品質を向上した半導体装置を
得ることを目的としている。
ためになされたもので、半導体チップと内部リードをワ
イヤボンディングした金属細線のうち、変形しやすい長
い間隔の線を変形しないようにし、隣の金属細線や内部
リードへの接触をなくし、品質を向上した半導体装置を
得ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
装置は、ワイヤボンディングの金属細線のうち、長くて
変形しやすい線を、剛性を大きくし変形しない接続手段
にしたものである。
装置は、ワイヤボンディングの金属細線のうち、長くて
変形しやすい線を、剛性を大きくし変形しない接続手段
にしたものである。
【０００７】
【作用】この発明においては、ワイヤボンディングの金
属細線のうち、長くて変形しやすい線を、強度の大な材
質にするか、線径を大きくするか、曲げ強度の大な接続
手段によるかしており、樹脂注入の際の変形がなくな
り、隣の金属細線や内部リードとの接触が防止される。
属細線のうち、長くて変形しやすい線を、強度の大な材
質にするか、線径を大きくするか、曲げ強度の大な接続
手段によるかしており、樹脂注入の際の変形がなくな
り、隣の金属細線や内部リードとの接触が防止される。
【０００８】
【実施例】実施例１．図１はこの発明による半導体装置
の一実施例を示す、半導体チップとリードフレームのワ
イヤボンディング部の平面図である。図において、リー
ドフレーム２のダイパッド３にダイボンディングされた
半導体チップ１の各電極と、対応する各内部リード４と
を金属細線（金線からなる）６でワイヤボンディングし
ている。しかし、半導体チップ１の角部の電極と対応す
る内部リード４とは距離が他より大きく、線が長くな
る。このため、この部分の金属細線（金線からなる）１
０は線径を他の金属細線６より太いものを使用し、剛性
を大きくし、変形を小さくしている。
の一実施例を示す、半導体チップとリードフレームのワ
イヤボンディング部の平面図である。図において、リー
ドフレーム２のダイパッド３にダイボンディングされた
半導体チップ１の各電極と、対応する各内部リード４と
を金属細線（金線からなる）６でワイヤボンディングし
ている。しかし、半導体チップ１の角部の電極と対応す
る内部リード４とは距離が他より大きく、線が長くな
る。このため、この部分の金属細線（金線からなる）１
０は線径を他の金属細線６より太いものを使用し、剛性
を大きくし、変形を小さくしている。
【０００９】上記一実施例の装置では、ワイヤボンディ
ング工程を終えた半導体チップ１部を、成形金型内に入
れ樹脂を圧入すると、長い金属細線１０は他よりも剛性
が大きいので、変形することなく、隣の金属細線６や内
部リード４に接触することがない。７は樹脂封体を示
す。なお、長い金属細線１０の剛性を大きくするのに、
他の金属細線４より剛性の大きい材質、例えば銅線を用
いてもよい。
ング工程を終えた半導体チップ１部を、成形金型内に入
れ樹脂を圧入すると、長い金属細線１０は他よりも剛性
が大きいので、変形することなく、隣の金属細線６や内
部リード４に接触することがない。７は樹脂封体を示
す。なお、長い金属細線１０の剛性を大きくするのに、
他の金属細線４より剛性の大きい材質、例えば銅線を用
いてもよい。
【００１０】上記一実施例の装置のワイヤボンディング
方法を、現行の設備を使った場合を図２により説明す
る。まず、（Ａ）図のように、第１ワイヤボンダ１１の
ボンディングヘッド１１ａにより、架台１１ｂ上のリー
ドフレーム２の半導体チップ１と内部リード４との、短
かく線径の小さい金属細線６のワイヤボンディングをす
る。この状態のリードフレーム２を（Ｂ）図に平面図で
示す。つづいて、金属細線６でワイヤボンディングされ
たリードフレーム２を、第２ワイヤボンダ１２の架台１
２ｂ上に送り、ボンディングヘッド１２ａにより距離の
長い線径の大きい金属細線１０でワイヤボンディングす
る。この状態のリードフレーム２を（Ｃ）図に平面図で
示す。なお、先に第２ワイヤボンダ１２で長くて線径の
大きい金属細線１０のワイヤボンディングを施した後、
第１ワイヤボンディング１１で短くて線径の小さい金属
細線６のワイヤボンディングを施すようにしてもよい。
方法を、現行の設備を使った場合を図２により説明す
る。まず、（Ａ）図のように、第１ワイヤボンダ１１の
ボンディングヘッド１１ａにより、架台１１ｂ上のリー
ドフレーム２の半導体チップ１と内部リード４との、短
かく線径の小さい金属細線６のワイヤボンディングをす
る。この状態のリードフレーム２を（Ｂ）図に平面図で
示す。つづいて、金属細線６でワイヤボンディングされ
たリードフレーム２を、第２ワイヤボンダ１２の架台１
２ｂ上に送り、ボンディングヘッド１２ａにより距離の
長い線径の大きい金属細線１０でワイヤボンディングす
る。この状態のリードフレーム２を（Ｃ）図に平面図で
示す。なお、先に第２ワイヤボンダ１２で長くて線径の
大きい金属細線１０のワイヤボンディングを施した後、
第１ワイヤボンディング１１で短くて線径の小さい金属
細線６のワイヤボンディングを施すようにしてもよい。
【００１１】実施例２．次に、図３は２つのボンディン
グヘッドを設けたワイヤボンダの設備を使う場合を示
す。（Ａ）図のように、ワイヤボンダ１３の架台１３ｃ
上にリードフレーム２を間欠送りする。まず、ボンディ
ングヘッド１３ａで半導体チップ１に短くて小径の金属
細線６のワイヤボンディングする。この状態を（Ｂ）図
のリードフレームの平面図で左側に示す。金属細線６で
ワイヤボンディングされた半導体チップ１部が、ボンデ
ィングヘッド１３ｂ下に至ると、長くて大径の金属細線
１０のワイヤボンディングをする。この状態を（Ｂ）図
で右側に示す。なお、ワイヤボンダのボンディングヘッ
ドの配置は、並列、対向、Ｖ字形など、いづれでも可能
である。
グヘッドを設けたワイヤボンダの設備を使う場合を示
す。（Ａ）図のように、ワイヤボンダ１３の架台１３ｃ
上にリードフレーム２を間欠送りする。まず、ボンディ
ングヘッド１３ａで半導体チップ１に短くて小径の金属
細線６のワイヤボンディングする。この状態を（Ｂ）図
のリードフレームの平面図で左側に示す。金属細線６で
ワイヤボンディングされた半導体チップ１部が、ボンデ
ィングヘッド１３ｂ下に至ると、長くて大径の金属細線
１０のワイヤボンディングをする。この状態を（Ｂ）図
で右側に示す。なお、ワイヤボンダのボンディングヘッ
ドの配置は、並列、対向、Ｖ字形など、いづれでも可能
である。
【００１２】実施例３．図４（Ａ）は３つのボンディン
グヘッドをＶ字形配置した例を示す。ワイヤボンダ１４
の架台１４ｄ上に、マガジン１５からリードフレーム２
が間欠送りされている。第１ボンディングヘッド１４ａ
で小径で短い金属細線（例えば金線）６を、（Ｂ）図に
示すようにワイヤボンディングする。また、第２ボンデ
ィングヘッド１４ｂで大径で長い金属細線（例えば金
線）１０を、（Ｂ）図に示すようにワイヤボンディング
する。さらに、半導体チップ１の中央部電極と対応する
内部リード４ａとを、第３ボンディングヘッド１４ｃに
より金属細線６より剛性の大きい金属細線（銅線）１７
で（Ｂ）図に示すようにワイヤボンディングしている。
このように、ボンディングヘッド１４ａ、１４ｂ、１４
ｃをＶ字形配置したワイヤボンダ１４を使うことによ
り、同時に３種類のワイヤボンドができる。ワイヤボン
ドを終えたリードフレーム２は、マガジン１６に収容さ
れる。
グヘッドをＶ字形配置した例を示す。ワイヤボンダ１４
の架台１４ｄ上に、マガジン１５からリードフレーム２
が間欠送りされている。第１ボンディングヘッド１４ａ
で小径で短い金属細線（例えば金線）６を、（Ｂ）図に
示すようにワイヤボンディングする。また、第２ボンデ
ィングヘッド１４ｂで大径で長い金属細線（例えば金
線）１０を、（Ｂ）図に示すようにワイヤボンディング
する。さらに、半導体チップ１の中央部電極と対応する
内部リード４ａとを、第３ボンディングヘッド１４ｃに
より金属細線６より剛性の大きい金属細線（銅線）１７
で（Ｂ）図に示すようにワイヤボンディングしている。
このように、ボンディングヘッド１４ａ、１４ｂ、１４
ｃをＶ字形配置したワイヤボンダ１４を使うことによ
り、同時に３種類のワイヤボンドができる。ワイヤボン
ドを終えたリードフレーム２は、マガジン１６に収容さ
れる。
【００１３】実施例４．なお、上記実施例では、リード
フレーム２のダイパッド３に１個の半導体チップ１を接
着した場合を示したが、図５に示すように、２個の半導
体チップ（例えばＩＣチップ）２１をダイパッド３に接
着した場合にも適用できる。
フレーム２のダイパッド３に１個の半導体チップ１を接
着した場合を示したが、図５に示すように、２個の半導
体チップ（例えばＩＣチップ）２１をダイパッド３に接
着した場合にも適用できる。
【００１４】実施例５．図６はこの発明の実施例５によ
る半導体装置の半導体チップ部の、接続導体ボンディン
グを示す平面図である。半導体チップ１の各電極と対応
する距離の小さい内部リード４とを、短かく線径の小さ
い金属細線（金線）６でワイヤボンディングしている。
半導体チップ１の４隅の電極と対応する距離の大きい内
部リード２とを導体付着絶縁材テープ１８により、ボン
ディングしている。導体付着絶縁材テープ１８は、
（Ｂ）図に示すように、ポリイミドテープなどの絶縁テ
ープ１９の上面に導体２０が付着されており、この導体
２０からバンプ２１が絶縁テープ１９の下面に出されて
いる。この導体付着絶縁材テープ１８のバンプ２１で、
半導体チップ１と内部リードとを圧着接続している。
る半導体装置の半導体チップ部の、接続導体ボンディン
グを示す平面図である。半導体チップ１の各電極と対応
する距離の小さい内部リード４とを、短かく線径の小さ
い金属細線（金線）６でワイヤボンディングしている。
半導体チップ１の４隅の電極と対応する距離の大きい内
部リード２とを導体付着絶縁材テープ１８により、ボン
ディングしている。導体付着絶縁材テープ１８は、
（Ｂ）図に示すように、ポリイミドテープなどの絶縁テ
ープ１９の上面に導体２０が付着されており、この導体
２０からバンプ２１が絶縁テープ１９の下面に出されて
いる。この導体付着絶縁材テープ１８のバンプ２１で、
半導体チップ１と内部リードとを圧着接続している。
【００１５】実施例６．図７はこの発明の実施例６によ
る半導体装置の、半導体チップのワイヤボンディング部
を示す平面図である。リードフレーム２には多数の内部
リード４が設けられ、半導体チップ１の４隅に対応し、
載置リード２５が出されている。この載置リード２５の
先端部上面にバンプ２６が設けられている。半導体チッ
プ１の４隅を載置リード２５のバンプ２６上に載せ圧着
して接合する。つづいて、半導体チップ１の各電極と対
応する内部リード４とを、短かくて線径の小さい金属細
線（例えば金線）６でワイヤボンディングする。載置リ
ード２５は剛性が大きく、樹脂封止の際変形することな
く、隣の金属細線６や内部リード４に接触することはな
い。なお、上記実施例６では、載置リード２５にバンプ
２６を設けたが、半導体チップ１の下面に、半導体ウエ
ーハの処理工程でバンプを設けたものにしてもよい。
る半導体装置の、半導体チップのワイヤボンディング部
を示す平面図である。リードフレーム２には多数の内部
リード４が設けられ、半導体チップ１の４隅に対応し、
載置リード２５が出されている。この載置リード２５の
先端部上面にバンプ２６が設けられている。半導体チッ
プ１の４隅を載置リード２５のバンプ２６上に載せ圧着
して接合する。つづいて、半導体チップ１の各電極と対
応する内部リード４とを、短かくて線径の小さい金属細
線（例えば金線）６でワイヤボンディングする。載置リ
ード２５は剛性が大きく、樹脂封止の際変形することな
く、隣の金属細線６や内部リード４に接触することはな
い。なお、上記実施例６では、載置リード２５にバンプ
２６を設けたが、半導体チップ１の下面に、半導体ウエ
ーハの処理工程でバンプを設けたものにしてもよい。
【００１６】上記図７の半導体チップのワイヤボンディ
ングの、ボンダ装置を図８に示す。ボンダ装置３０の架
台３１上に、マガジン１５からリードフレーム２が間欠
送りされている。架台３１上の半導体ウエーハ４０から
分割された半導体チップ１を、吸着ヘッド３２で吸着し
ステージ３３上に置く。つづいて、ステージ３３がバン
プ圧着装置３４の方へ移動しリードフレーム２の載置リ
ード２５のバンプ２６上に位置決めして載せる。バンプ
圧着装置３４の圧着ヘッド３４ａが下降し、半導体チッ
プ１をバンプ２６に圧着し接合する。半導体チップ１が
バンプ圧着されたリードフレーム２は、ワイヤボンド部
に移送され、ボンディングヘッド３５により、半導体チ
ップ１の各電極と対応する短い距離の各内部リード４と
を、線径の小さい金属細線（例えば金線）６でワイヤボ
ンディングする。ワイヤボンディングが終了したリード
フレーム２をマガジン１６に収容する。
ングの、ボンダ装置を図８に示す。ボンダ装置３０の架
台３１上に、マガジン１５からリードフレーム２が間欠
送りされている。架台３１上の半導体ウエーハ４０から
分割された半導体チップ１を、吸着ヘッド３２で吸着し
ステージ３３上に置く。つづいて、ステージ３３がバン
プ圧着装置３４の方へ移動しリードフレーム２の載置リ
ード２５のバンプ２６上に位置決めして載せる。バンプ
圧着装置３４の圧着ヘッド３４ａが下降し、半導体チッ
プ１をバンプ２６に圧着し接合する。半導体チップ１が
バンプ圧着されたリードフレーム２は、ワイヤボンド部
に移送され、ボンディングヘッド３５により、半導体チ
ップ１の各電極と対応する短い距離の各内部リード４と
を、線径の小さい金属細線（例えば金線）６でワイヤボ
ンディングする。ワイヤボンディングが終了したリード
フレーム２をマガジン１６に収容する。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体チップの電極と内部リードとの接続を、距離の小さい
部分は線径の小さい金属細線でワイヤボンディングを
し、距離の大きい部分は剛性を大きくした導体を用いて
接続手段で接続したので、半導体チップ部の樹脂封止に
際し、従来のように長い金属細線が曲げられ変形するよ
うなことがなく、隣の金属細線や内部リードに接触する
ことが防がれ、品質が向上される。
体チップの電極と内部リードとの接続を、距離の小さい
部分は線径の小さい金属細線でワイヤボンディングを
し、距離の大きい部分は剛性を大きくした導体を用いて
接続手段で接続したので、半導体チップ部の樹脂封止に
際し、従来のように長い金属細線が曲げられ変形するよ
うなことがなく、隣の金属細線や内部リードに接触する
ことが防がれ、品質が向上される。
【図１】この発明による半導体装置の一実施例を示す、
ワイヤボンディングされた半導体チップとリードフレー
ムの要部平面図である。
ワイヤボンディングされた半導体チップとリードフレー
ムの要部平面図である。
【図２】（Ａ）図は図１のワイヤボンディングを施すた
めの２台のワイヤボンダの正面図、（Ｂ）図は（Ａ）図
の第１ワイヤボンダにより施されたワイヤボンディング
部を示すリードフレームの概略平面図、（Ｃ）図は
（Ａ）図の第２ワイヤボンダにより施されたワイヤボン
ディング部を示すリードフレームの概略平面図である。
めの２台のワイヤボンダの正面図、（Ｂ）図は（Ａ）図
の第１ワイヤボンダにより施されたワイヤボンディング
部を示すリードフレームの概略平面図、（Ｃ）図は
（Ａ）図の第２ワイヤボンダにより施されたワイヤボン
ディング部を示すリードフレームの概略平面図である。
【図３】この発明の実施例２を示し、（Ａ）図は図１の
ワイヤボンディングを施すための２組のボンディングヘ
ッドを設けたワイヤボンダの正面図、（Ｂ）は（Ａ）の
ワイヤボンダにより施されたワイヤボンディング部を示
すリードフレームの概略平面図である。
ワイヤボンディングを施すための２組のボンディングヘ
ッドを設けたワイヤボンダの正面図、（Ｂ）は（Ａ）の
ワイヤボンダにより施されたワイヤボンディング部を示
すリードフレームの概略平面図である。
【図４】この発明の実施例３を示し、（Ａ）図は３組の
ボンディングヘッドがＶ形配置されたワイヤボンダの斜
視図、（Ｂ）図は（Ａ）図のワイヤボンダで施されたワ
イヤボンディング部を示すリードフレームの概略平面図
である。
ボンディングヘッドがＶ形配置されたワイヤボンダの斜
視図、（Ｂ）図は（Ａ）図のワイヤボンダで施されたワ
イヤボンディング部を示すリードフレームの概略平面図
である。
【図５】この発明による半導体装置の実施例４を示す、
ワイヤボンディングされたリードフレーム部の概略平面
図である。
ワイヤボンディングされたリードフレーム部の概略平面
図である。
【図６】（Ａ）図はこの発明による半導体装置の実施例
５を示す、ワイヤボンディングされた半導体チップとリ
ードフレームの要部平面図、（Ｂ）図は（Ａ）図の導体
付絶縁テープの斜視図である。
５を示す、ワイヤボンディングされた半導体チップとリ
ードフレームの要部平面図、（Ｂ）図は（Ａ）図の導体
付絶縁テープの斜視図である。
【図７】この発明による半導体装置の実施例６を示す、
ワイヤボンディングされた半導体チップとリードフレー
ムの要部平面図である。
ワイヤボンディングされた半導体チップとリードフレー
ムの要部平面図である。
【図８】図７のワイヤボンディング及びバンプ圧着を施
すためのボンダ装置の斜視図である。
すためのボンダ装置の斜視図である。
【図９】従来の半導体装置を示すワイヤボンディングさ
れた半導体チップとリードフレームの要部平面図であ
る。
れた半導体チップとリードフレームの要部平面図であ
る。
【図１０】半導体装置の組立工程を示す説明図である。
１ 半導体チップ ２ リードフレーム ３ ダイパッド ４ 内部リード ６ 金属細線 10 金属細線 18 導体付着絶縁テープ 21 バンプ 25 載置リード 26 バンプ
Claims (3)
- 【請求項１】 リードフレームに接合された半導体チッ
プの各電極と対応する内部リードをワイヤボンディング
した半導体装置において、 上記半導体チップの電極と対応する内部リードの距離の
短い箇所は、線径の小さい金属細線でワイヤボンディン
グをし、距離の長い箇所は、上記短い箇所の金属細線よ
り剛性の大きい金属細線でワイヤボンディングをしたこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 リードフレームに接合された半導体チッ
プの各電極と対応する内部リードをワイヤボンディング
した半導体装置において、 上記半導体チップの電極と対応する内部リードの距離の
短い箇所は、線径の小さい金属細線でワイヤボンディン
グをし、距離の長い箇所は、導体付着絶縁テープにより
バンプで圧着接続したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 半導体チップの４隅に対向する位置に、
リードフレームからそれぞれ載置リードを延長し、各載
置リードの先端部に上記半導体チップの４隅を載せ、バ
ンプで圧着接合し、上記半導体チップの電極と対応する
内部リードの距離の短い箇所は、線径の小さい金属細線
でワイヤボンディングしたことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4076390A JPH05243307A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4076390A JPH05243307A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243307A true JPH05243307A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=13604000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4076390A Pending JPH05243307A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243307A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08236564A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
| JP2012028429A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR101447055B1 (ko) * | 2012-10-04 | 2014-10-08 | (주)한영이엔지 | Ｏｌｅｄ 디바이스의 전원선 연결구조 |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP4076390A patent/JPH05243307A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08236564A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
| JP2012028429A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8525306B2 (en) | 2010-07-21 | 2013-09-03 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US8710637B2 (en) | 2010-07-21 | 2014-04-29 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| KR101447055B1 (ko) * | 2012-10-04 | 2014-10-08 | (주)한영이엔지 | Ｏｌｅｄ 디바이스의 전원선 연결구조 |
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