JPH0440271Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0440271Y2 JPH0440271Y2 JP1982150194U JP15019482U JPH0440271Y2 JP H0440271 Y2 JPH0440271 Y2 JP H0440271Y2 JP 1982150194 U JP1982150194 U JP 1982150194U JP 15019482 U JP15019482 U JP 15019482U JP H0440271 Y2 JPH0440271 Y2 JP H0440271Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- resistor
- semiconductor substrate
- insulating layer
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案はトランジスタ装置に係り、特に酸化
膜上に形成された薄膜抵抗等の半導体素子に設置
する電極構造に関する。
膜上に形成された薄膜抵抗等の半導体素子に設置
する電極構造に関する。
第１図は従来の半導体装置の一部を示し、シリ
コン等の半導体基板２の表面に設置した酸化膜４
の表面には、薄膜抵抗６が形成されている。この
薄膜抵抗６の端部には、図示していない他の半導
体素子に電気的に接続する配線導体８が設置され
るとともに、薄膜抵抗６の表面部にはアルミニウ
ム、金等の金属材料を蒸着して電極１０が形成さ
れている。
コン等の半導体基板２の表面に設置した酸化膜４
の表面には、薄膜抵抗６が形成されている。この
薄膜抵抗６の端部には、図示していない他の半導
体素子に電気的に接続する配線導体８が設置され
るとともに、薄膜抵抗６の表面部にはアルミニウ
ム、金等の金属材料を蒸着して電極１０が形成さ
れている。
このように薄膜抵抗６の表面に形成された電極
１０にリードワイヤを溶接した場合、電極１０と
薄膜抵抗６との接合強度が一般に低いために、電
極１０が薄膜抵抗６から剥離して電気的接続状態
が不十分となり、歩留りが悪化する等の欠点があ
つた。
１０にリードワイヤを溶接した場合、電極１０と
薄膜抵抗６との接合強度が一般に低いために、電
極１０が薄膜抵抗６から剥離して電気的接続状態
が不十分となり、歩留りが悪化する等の欠点があ
つた。
そこで、この考案は、電極の固着強度を強化す
ることにより、電極剥離等の防止を図つたトラン
ジスタ装置を提供することを目的とする。
ることにより、電極剥離等の防止を図つたトラン
ジスタ装置を提供することを目的とする。
即ち、この考案のトランジスタ装置は、平面形
状が矩形を成す半導体基板１２と、この半導体基
板で唯一のコレクタを構成し、前記半導体基板の
表面層にベース２０を形成し、このベースの内部
にエミツタ２２を形成して成る単一のトランジス
タ１４と、前記半導体基板の表面を覆う絶縁層
（酸化膜２４）と、この絶縁層上に形成された第
１及び第２の抵抗（薄膜抵抗１６，１８）と、前
記第１及び第２の抵抗の一端に接続されていると
ともに、前記絶縁層に形成された開口を通して前
記ベースに接続された第１の電極２６と、前記第
２の抵抗の他端に接続されるとともに、前記絶縁
層に形成されている開口を通して前記エミツタに
接続された第２の電極２８と、前記第１の抵抗の
他端に接続される第３の電極３２とを備えるとと
もに、前記半導体基板に対して一つの角部側の矩
形領域に前記ベースを配置し、前記角部側と対角
線上の角部側に前記第３の電極を配置し、前記ベ
ースと前記半導体基板の一辺部との間における領
域に前記第１の抵抗、前記ベースと前記半導体基
板の他辺部との間における領域に前記第２の抵抗
を配置したトランジスタ装置であつて、前記第１
の電極は前記第１及び第２の抵抗の電極形成部と
その周囲部の前記絶縁層、第２の電極は前記第２
の抵抗の電極形成部とその周囲部の前記絶縁層、
前記第３の電極は前記第１の抵抗の電極形成部と
その周囲部の絶縁層に跨がつて設置したことを特
徴とする。
状が矩形を成す半導体基板１２と、この半導体基
板で唯一のコレクタを構成し、前記半導体基板の
表面層にベース２０を形成し、このベースの内部
にエミツタ２２を形成して成る単一のトランジス
タ１４と、前記半導体基板の表面を覆う絶縁層
（酸化膜２４）と、この絶縁層上に形成された第
１及び第２の抵抗（薄膜抵抗１６，１８）と、前
記第１及び第２の抵抗の一端に接続されていると
ともに、前記絶縁層に形成された開口を通して前
記ベースに接続された第１の電極２６と、前記第
２の抵抗の他端に接続されるとともに、前記絶縁
層に形成されている開口を通して前記エミツタに
接続された第２の電極２８と、前記第１の抵抗の
他端に接続される第３の電極３２とを備えるとと
もに、前記半導体基板に対して一つの角部側の矩
形領域に前記ベースを配置し、前記角部側と対角
線上の角部側に前記第３の電極を配置し、前記ベ
ースと前記半導体基板の一辺部との間における領
域に前記第１の抵抗、前記ベースと前記半導体基
板の他辺部との間における領域に前記第２の抵抗
を配置したトランジスタ装置であつて、前記第１
の電極は前記第１及び第２の抵抗の電極形成部と
その周囲部の前記絶縁層、第２の電極は前記第２
の抵抗の電極形成部とその周囲部の前記絶縁層、
前記第３の電極は前記第１の抵抗の電極形成部と
その周囲部の絶縁層に跨がつて設置したことを特
徴とする。
以下、この考案を図面に示した実施例を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第２図及び第３図はこの考案の実施例を示し、
第２図はその平面部の構成、第３図は第２図の
−線に沿う断面を示している。
第２図はその平面部の構成、第３図は第２図の
−線に沿う断面を示している。
図において、シリコン等で形成された平面形状
が矩形を成す半導体基板１２には、単一のトラン
ジスタ１４とともに第１及び第２の抵抗として薄
膜抵抗１６，１８が設置されている。即ち、半導
体基板１２の表面層には、半導体基板１２で唯一
のコレクタが形成されているとともに、半導体基
板１２の表面層には、半導体基板１２の一つの角
隅部側の領域に矩形状を成すベース２０が形成さ
れ、そのベースの内部にエミツタ２２が形成され
ている。
が矩形を成す半導体基板１２には、単一のトラン
ジスタ１４とともに第１及び第２の抵抗として薄
膜抵抗１６，１８が設置されている。即ち、半導
体基板１２の表面層には、半導体基板１２で唯一
のコレクタが形成されているとともに、半導体基
板１２の表面層には、半導体基板１２の一つの角
隅部側の領域に矩形状を成すベース２０が形成さ
れ、そのベースの内部にエミツタ２２が形成され
ている。
また、半導体基板１２の表面には絶縁層として
SiO2等の酸化膜２４が形成され、この酸化膜２
４の表面には、薄膜抵抗１６，１８が真空蒸着等
で形成された帯状を成すポリシリコン層で構成さ
れている。即ち、薄膜抵抗１６，１８は、酸化膜
２４の上面にトランジスタ１４のベース２０及び
エミツタ２２の上面を避けて設置されており、薄
膜抵抗１６はベース２０と半導体基板１２の一辺
部との間の領域に、また、薄膜抵抗１８はベース
２０と半導体基板１２の他辺部との間の領域にそ
れぞれ形成されている。
SiO2等の酸化膜２４が形成され、この酸化膜２
４の表面には、薄膜抵抗１６，１８が真空蒸着等
で形成された帯状を成すポリシリコン層で構成さ
れている。即ち、薄膜抵抗１６，１８は、酸化膜
２４の上面にトランジスタ１４のベース２０及び
エミツタ２２の上面を避けて設置されており、薄
膜抵抗１６はベース２０と半導体基板１２の一辺
部との間の領域に、また、薄膜抵抗１８はベース
２０と半導体基板１２の他辺部との間の領域にそ
れぞれ形成されている。
そして、トランジスタ１４のベース２０又はエ
ミツタ２２を覆う酸化膜２４の表面部には、コン
タクトウインドを形成し、アルミニウム又は金等
を蒸着して電極２６，２８が個別に形成され、ベ
ース２０の電極２６は、薄膜抵抗１６，１８の端
部に延長されて電気的に接続されている。また、
エミツタ２２の電極２８は、薄膜抵抗１８の端部
に延長されて電気的に接続されている。
ミツタ２２を覆う酸化膜２４の表面部には、コン
タクトウインドを形成し、アルミニウム又は金等
を蒸着して電極２６，２８が個別に形成され、ベ
ース２０の電極２６は、薄膜抵抗１６，１８の端
部に延長されて電気的に接続されている。また、
エミツタ２２の電極２８は、薄膜抵抗１８の端部
に延長されて電気的に接続されている。
薄膜抵抗１６の一方の端部には電極形成部３０
が設定され、この電極形成部３０は薄膜抵抗１６
の本体部より幅広の矩形形状に形成されている。
この電極形成部３０には、その上面を覆うととも
に電極形成部３０に隣接する酸化膜２４の一部を
覆つて第３の電極３２が形成されている。この電
極３２は、電極２６，２８と同時に形成される。
が設定され、この電極形成部３０は薄膜抵抗１６
の本体部より幅広の矩形形状に形成されている。
この電極形成部３０には、その上面を覆うととも
に電極形成部３０に隣接する酸化膜２４の一部を
覆つて第３の電極３２が形成されている。この電
極３２は、電極２６，２８と同時に形成される。
このように電極形成部３０を覆い且つ隣接する
酸化膜２４の一部を包含するように電極３２を構
成すれば、電極３２は酸化膜２４の表面に接合さ
れ、その接合力は薄膜抵抗１６との間より強固に
行われるので、薄膜抵抗１６との電気的接続は良
好になるとともに、従来生じていた薄膜抵抗から
の剥離等の不都合を確実に防止することができ
る。
酸化膜２４の一部を包含するように電極３２を構
成すれば、電極３２は酸化膜２４の表面に接合さ
れ、その接合力は薄膜抵抗１６との間より強固に
行われるので、薄膜抵抗１６との電気的接続は良
好になるとともに、従来生じていた薄膜抵抗から
の剥離等の不都合を確実に防止することができ
る。
次に、第４図及び第５図は、この考案のトラン
ジスタ装置の他の実施例を示す。
ジスタ装置の他の実施例を示す。
前記実施例では、電極３２の各辺が薄膜抵抗１
６の端部に設定された電極形成部３０の矩形形状
に対応してほぼ２倍に設定され、その一辺部側を
一致させているが、第４図及び第５図に示すよう
に、電極３２の中央部に薄膜抵抗１６の電極形成
部３０を設定してもよい。電極形成部３０の中央
部に開孔３４を形成して酸化膜２４を露出させ、
その酸化膜２４、薄膜抵抗１６の電極形成部３０
及びその周囲の酸化膜２４に電極３２を形成すれ
ば、電極３２と薄膜抵抗１６との接合はより強固
なものとなる。
６の端部に設定された電極形成部３０の矩形形状
に対応してほぼ２倍に設定され、その一辺部側を
一致させているが、第４図及び第５図に示すよう
に、電極３２の中央部に薄膜抵抗１６の電極形成
部３０を設定してもよい。電極形成部３０の中央
部に開孔３４を形成して酸化膜２４を露出させ、
その酸化膜２４、薄膜抵抗１６の電極形成部３０
及びその周囲の酸化膜２４に電極３２を形成すれ
ば、電極３２と薄膜抵抗１６との接合はより強固
なものとなる。
以上説明したように、この考案によれば、第１
の電極は第１及び第２の抵抗の電極形成部とその
周囲部の絶縁層、第２の電極は第２の抵抗の電極
形成部とその周囲部の絶縁層、第３の電極は第１
の抵抗の電極形成部とその周囲部の絶縁層に跨が
つて設置したので、電極と抵抗の電気的接続が良
好になるとともに、電極の固着強度を強化するこ
とができ、従来、リードボンデイング時に生じて
いた電極剥離等の不都合を未然に防止できる。
の電極は第１及び第２の抵抗の電極形成部とその
周囲部の絶縁層、第２の電極は第２の抵抗の電極
形成部とその周囲部の絶縁層、第３の電極は第１
の抵抗の電極形成部とその周囲部の絶縁層に跨が
つて設置したので、電極と抵抗の電気的接続が良
好になるとともに、電極の固着強度を強化するこ
とができ、従来、リードボンデイング時に生じて
いた電極剥離等の不都合を未然に防止できる。
第１図は従来の半導体装置の電極構造を示す断
面図、第２図はこの考案のトランジスタ装置の実
施例を示す平面図、第３図は第２図に示したトラ
ンジスタ装置の−線断面図、第４図はこの考
案のトランジスタ装置の他の実施例を示す平面
図、第５図は第４図に示したトランジスタ装置の
−線断面図である。 １２……半導体基板、１４……トランジスタ、
１６……薄膜抵抗（第１の抵抗）、１８……薄膜
抵抗（第２の抵抗）、２０……ベース、２２……
エミツタ、２４……酸化膜（絶縁層）、２６……
第１の電極、２８……第２の電極、３２……第３
の電極。
面図、第２図はこの考案のトランジスタ装置の実
施例を示す平面図、第３図は第２図に示したトラ
ンジスタ装置の−線断面図、第４図はこの考
案のトランジスタ装置の他の実施例を示す平面
図、第５図は第４図に示したトランジスタ装置の
−線断面図である。 １２……半導体基板、１４……トランジスタ、
１６……薄膜抵抗（第１の抵抗）、１８……薄膜
抵抗（第２の抵抗）、２０……ベース、２２……
エミツタ、２４……酸化膜（絶縁層）、２６……
第１の電極、２８……第２の電極、３２……第３
の電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 平面形状が矩形を成す半導体基板と、 この半導体基板で唯一のコレクタを構成し、前
記半導体基板の表面層にベースを形成し、このベ
ースの内部にエミツタを形成して成る単一のトラ
ンジスタと、 前記半導体基板の表面を覆う絶縁層と、 この絶縁層上に形成された第１及び第２の抵抗
と、 前記第１及び第２の抵抗の一端に接続されてい
るとともに、前記絶縁層に形成された開口を通し
て前記ベースに接続された第１の電極と、 前記第２の抵抗の他端に接続されるとともに、
前記絶縁層に形成されている開口を通して前記エ
ミツタに接続された第２の電極と、 前記第１の抵抗の他端に接続される第３の電極
と、 を備えるとともに、前記半導体基板に対して一つ
の角部側の矩形領域に前記ベースを配置し、前記
角部側と対角線上の角部側に前記第３の電極を配
置し、前記ベースと前記半導体基板の一辺部との
間における領域に前記第１の抵抗、前記ベースと
前記半導体基板の他辺部との間における領域に前
記第２の抵抗を配置したトランジスタ装置であつ
て、 前記第１の電極は前記第１及び第２の抵抗の電
極形成部とその周囲部の前記絶縁層、第２の電極
は前記第２の抵抗の電極形成部とその周囲部の前
記絶縁層、前記第３の電極は前記第１の抵抗の電
極形成部とその周囲部の絶縁層に跨がつて設置し
たことを特徴とするトランジスタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982150194U JPS5954960U (ja) | 1982-10-02 | 1982-10-02 | 半導体装置の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982150194U JPS5954960U (ja) | 1982-10-02 | 1982-10-02 | 半導体装置の電極構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954960U JPS5954960U (ja) | 1984-04-10 |
| JPH0440271Y2 true JPH0440271Y2 (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=30333188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1982150194U Granted JPS5954960U (ja) | 1982-10-02 | 1982-10-02 | 半導体装置の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954960U (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5756211B2 (ja) * | 1973-04-06 | 1982-11-29 | ||
| JPS5233261U (ja) * | 1975-08-29 | 1977-03-09 | ||
| JPS53110465A (en) * | 1977-03-09 | 1978-09-27 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1982
- 1982-10-02 JP JP1982150194U patent/JPS5954960U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5954960U (ja) | 1984-04-10 |
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